一種去磷矽玻璃清洗的製造方法
2023-09-20 19:21:40
一種去磷矽玻璃清洗的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種去磷矽玻璃清洗機，用於清洗晶矽太陽能電池的矽片，包括用於去除矽片正面的磷矽玻璃的HF酸槽和用於去除矽片背面和邊緣的N型矽的刻蝕槽；所述HF酸槽設於所述刻蝕槽之前。採用本實用新型，矽片先經過HF酸槽的去磷矽玻璃處理，然後再經過刻蝕槽的去除矽片背面和邊緣的N型矽處理，矽片正面邊緣的PN結就不會被刻蝕掉，從而不影響電池的光電轉換效率。
【專利說明】一種去磷矽玻璃清洗機
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電池【技術領域】，尤其涉及一種製作晶矽太陽電池的去磷矽玻璃清洗機。
【背景技術】
[0002]太陽能電池是一種有效地吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件，當太陽光照在半導體P-N結(P-N Junct1n)上，形成新的空穴-電子對(V_Epair)，在P-N結電場的作用下，空穴由N區流向P區，電子由P區流向N區，接通電路後就形成電流。由於是利用各種勢壘的光生伏特效應將太陽光能轉換成電能的固體半導體器件，故又稱太陽能電池或光伏電池，是太陽能電池陣電源系統的重要組件。太陽能電池主要有晶矽(Si)電池，三五族半導體電池(GaAs，Cds/Cu2S, Cds/CdTe, Cds/InP, CdTe/Cu2Te)，無機電池，有機電池等，其中晶矽太陽能電池居市場主流主導地位。晶矽太陽能電池的基本材料為純度達0.999999、電阻率在10歐?釐米以上的P型單晶矽，包括正面絨面、正面p_n結、正面減反射膜、正背面電極等部分。
[0003]晶矽太陽能電池的製造工藝有6個主要步驟，分別為制絨，擴散，去磷矽玻璃和背結，鍍膜，絲網印刷，燒結。其中去磷矽玻璃和背結採用化學刻蝕的原理，業界使用的是去磷矽玻璃鏈式清洗機。該清洗機由7個槽構成，分別為刻蝕槽，水槽，鹼槽，水槽，HF酸槽，水槽，風乾槽。刻蝕槽的作用是去除矽片背面和邊緣的N型矽；HF酸槽的作用是去除矽片正面的磷矽玻璃。
[0004]磷矽玻璃是矽片擴散後的副產物，是親水的。當矽片通過去磷矽玻璃鏈式清洗機時，部分刻蝕液會從矽片邊緣滲透到矽片的正面，矽片正面邊緣的部分PN結會被刻蝕掉。因此，電池的開路電壓和短路電流就會受到影響，最終降低電池的光電轉換效率。
實用新型內容
[0005]本實用新型所要解決的技術問題在於，提供一種不會降低太陽電池的光電轉換效率的去磷矽玻璃清洗機。
[0006]為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種去磷矽玻璃清洗機，用於清洗晶娃太陽能電池的娃片，依次包括用於去除娃片正面的磷娃玻璃的HF酸槽和用於去除娃片背面和邊緣的N型矽的刻蝕槽；所述HF酸槽設於所述刻蝕槽之前。
[0007]作為上述方案的改進，所述HF酸槽和刻蝕槽之間還設有第一鹼槽、第一風乾槽；
[0008]所述HF酸槽、第一鹼槽、第一風乾槽和刻蝕槽依次相連。
[0009]作為上述方案的改進，所述HF酸槽和第一鹼槽之間設有第一水槽。
[0010]作為上述方案的改進，所述第一鹼槽和第一風乾槽之間設有第二水槽。
[0011]作為上述方案的改進，所述HF酸槽、第一水槽、第一鹼槽、第二水槽、第一風乾槽、刻蝕槽依次相連。
[0012]作為上述方案的改進，所述去磷矽玻璃清洗機還包括第二鹼槽、第二風乾槽，所述第二鹼槽、第二風乾槽設於所述刻蝕槽之後。
[0013]作為上述方案的改進，所述第二鹼槽和刻蝕槽之間還設有第三水槽。
[0014]作為上述方案的改進，所述第二鹼槽和第二風乾槽之間還設有第四水槽。
[0015]作為上述方案的改進，所述HF酸槽、第一水槽、第一鹼槽、第二水槽、第一風乾槽、刻蝕槽、第三水槽、第二鹼槽、第四水槽和第二風乾槽依次相連。
[0016]實施本實用新型，具有如下有益效果:
[0017]本實用新型提供了一種去磷矽玻璃清洗機，包括用於去除矽片正面的磷矽玻璃的HF酸槽和用於去除矽片背面和邊緣的N型矽的刻蝕槽，所述HF酸槽設於刻蝕槽之前。本實用新型去磷矽玻璃清洗機的HF酸槽設於刻蝕槽之前，矽片先經過HF酸槽的去磷矽玻璃處理，然後再經過刻蝕槽的去除矽片背面和邊緣的N型矽處理，矽片正面的磷矽玻璃首先被去除掉後，矽片正面處於脫水的狀態。當矽片再進入刻蝕槽時，刻蝕液不會從矽片邊緣滲透到矽片正面。矽片正面邊緣的PN結就不會被刻蝕掉，從而不影響電池的光電轉換效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1是現有去磷矽玻璃清洗機的結構示意圖；
[0019]圖2是本實用新型去磷矽玻璃清洗機的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。
[0021]參見圖1，圖1顯示了現有去磷矽玻璃清洗機，該清洗機由7個槽構成，分別為刻蝕槽1，水槽2，鹼槽3，水槽4，HF酸槽5，水槽6，風乾槽7。
[0022]其中，刻蝕槽I的作用是去除矽片背面和邊緣的N型矽；HF酸槽5的作用是去除矽片正面的磷矽玻璃。
[0023]磷矽玻璃是矽片擴散後的副產物，是親水的。矽片先經過刻蝕槽I再經過HF酸槽5，當矽片通過刻蝕槽I時，部分刻蝕液會從矽片邊緣滲透到矽片的正面，矽片正面邊緣的部分PN結會被刻蝕掉。因此，電池的開路電壓和短路電流就會受到影響，最終降低電池的光電轉換效率。
[0024]參見圖2，本實用新型提供了一種去磷矽玻璃清洗機，用於清洗晶矽太陽能電池的矽片，依次包括用於去除矽片正面的磷矽玻璃的HF酸槽I和用於去除矽片背面和邊緣的N型娃的刻蝕槽6 ;所述HF酸槽I設於所述刻蝕槽6之前。
[0025]具體的，所述HF酸槽I和刻蝕槽6之間還設有第一鹼槽3、第一風乾槽5 ;所述HF酸槽1、第一鹼槽3、第一風乾槽5和刻蝕槽6依次相連。
[0026]所述HF酸槽I和第一鹼槽3之間設有第一水槽2。
[0027]所述第一鹼槽3和第一風乾槽5之間設有第二水槽4。
[0028]即，所述HF酸槽1、第一水槽2、第一鹼槽3、第二水槽4、第一風乾槽5、刻蝕槽6依次相連。
[0029]進一步，作為本實用新型優選的實施方式，所述去磷矽玻璃清洗機還包括第二鹼槽8、第二風乾槽10，所述第二鹼槽8、第二風乾槽10設於所述刻蝕槽6之後。
[0030]所述第二鹼槽8和刻蝕槽6之間還設有第三水槽7。
[0031]所述第二鹼槽8和第二風乾槽10之間還設有第四水槽9。
[0032]S卩，所述HF酸槽1、第一水槽2、第一鹼槽3、第二水槽4、第一風乾槽5、刻蝕槽6、第三水槽7、第二鹼槽8、第四水槽9和第二風乾槽10依次相連。
[0033]與圖1所示的現有去磷矽玻璃清洗機相比，本實用新型在刻蝕槽6的前端增加了HF酸槽1、第一水槽2、第一鹼槽3、第二水槽4、第一風乾槽5等五個槽，再將刻蝕槽6後端的HF酸槽和水槽去掉。
[0034]本實用新型去磷矽玻璃清洗機的HF酸槽I設於刻蝕槽6之前，矽片先經過HF酸槽I的去磷矽玻璃處理，然後再經過刻蝕槽6的去除矽片背面和邊緣的N型矽處理，即將傳統去磷矽玻璃清洗機的兩個功能改變先後順序。
[0035]矽片正面的磷矽玻璃首先被去除掉後，矽片正面處於脫水的狀態。當矽片再進入刻蝕槽6時，刻蝕液不會從矽片邊緣滲透到矽片正面。矽片正面邊緣的PN結就不會被刻蝕掉，從而不影響電池的光電轉換效率。
[0036]以上所述是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.一種去磷矽玻璃清洗機，用於清洗晶矽太陽能電池的矽片，其特徵在於，包括用於去除矽片正面的磷矽玻璃的HF酸槽和用於去除矽片背面和邊緣的N型矽的刻蝕槽； 所述HF酸槽設於所述刻蝕槽之前。
2.如權利要求1所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述HF酸槽和刻蝕槽之間還設有第一鹼槽、第一風乾槽； 所述HF酸槽、第一鹼槽、第一風乾槽和刻蝕槽依次相連。
3.如權利要求2所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述HF酸槽和第一鹼槽之間設有第一水槽。
4.如權利要求3所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述第一鹼槽和第一風乾槽之間設有第二水槽。
5.如權利要求4所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述HF酸槽、第一水槽、第一鹼槽、第二水槽、第一風乾槽、刻蝕槽依次相連。
6.如權利要求5所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述去磷矽玻璃清洗機還包括第二鹼槽、第二風乾槽，所述第二鹼槽、第二風乾槽設於所述刻蝕槽之後。
7.如權利要求6所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述第二鹼槽和刻蝕槽之間還設有第三水槽。
8.如權利要求7所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述第二鹼槽和第二風乾槽之間還設有第四水槽。
9.如權利要求8所述的去磷矽玻璃清洗機，其特徵在於，所述HF酸槽、第一水槽、第一鹼槽、第二水槽、第一風乾槽、刻蝕槽、第三水槽、第二鹼槽、第四水槽和第二風乾槽依次相連。
【文檔編號】H01L31/18GK204118040SQ201420404074
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月22日 優先權日:2014年7月22日
【發明者】方結彬, 秦崇德, 石強, 何達能, 陳剛 申請人:廣東愛康太陽能科技有限公司