等離子體處理裝置的元件的製作方法

2023-09-19 02:07:50

專利名稱：：等離子體處理裝置的元件的製作方法等離子體處理裝置的元件相關申請本申請根據35U.S.C.119主張申請號為60/851,746，名稱為"COMPONENTSFORAPLASMAPROCESSINGAPPARATUS",申請日為2006年10月16日的美國臨時申請的優先權，其內容皆由引用納入ot匕處。
背景技術：
：等離子體處理裝置在用包括刻蝕、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、離子注入和光阻去除等糹支術處理基板時得到使用。用於等離子體處理的一種類型的等離子體處理裝置包括包含上下電極的反應室。在電極之間建立電場以將工藝氣體激勵到等離子態乂人而在反應室中處理基才反。
發明內容才是供一種等離子體處理裝置的元件。該元件包括第一構件，其具有第一熱膨脹系悽t並包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個^K載面部分限定。該元件包括多個第一加固構件，其具有第二膨脹係數並設置於該第一構件的該孔內。該第一加固構件包括7義載面。至少一個可偏名+墊片，i殳置於限定該孔的該第二部分的該7R載面和該第一力口固構件的該承載面之間。第二加固構件，嚙合於各第一加固構件以將該第一構件以預先確定的夾持力固定於該第二構件。該至少一個可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過程中產生的力。在另一個實施方式中，提供一種等離子體處理裝置的元件，包括第一構件，其具有第一熱膨脹係數。第二構件，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個承載面部分限定。多個第一加固構件，具有第二熱膨脹係數並設置於該第二構件的該孔內。各該第一加固構件包括承載面。至少一個可偏斜墊片，沒置於限定該孔的該第二部分的該^f義載面和該第一加固構件的該承載面之間。第二加固構件，嚙合於各第一加固構件以將該第一構件以預先確定的夾持力固定於該第二構件，該至少一個可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過程中產生的力。在一個優選實施方式中，提供一種等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件。該噴淋頭電極組件包括鋁製熱控制板，其包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個承載面部分限定。多個不鏽鋼加固構件，設置於該熱控制板的該孔內，該第一加固構件包括承載面。多個可偏斜墊片，設置於該孔的該第二部分的該7義載面和該第一加固構件的該屏義載面之間。第二加固構件，嚙合於各第一加固構件以將該熱控制板以預先確定的夾持力固定於支撐構件。該可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過程中該熱控制^反和該第一加固構件之間的熱膨脹的差異產生的力。矽電極，可被固定於該支撐板。提供一種在等離子體處理裝置中處理半導體基板的方法。將基板置於等離子體處理裝置的反應室內的基板支架上。使用該噴淋頭電極組件將工藝氣體引入該反應室。在該噴淋頭電極組件之間從該工藝氣體產生等離子體d使用該等離子體處理該基板。圖1描繪了等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件和基板支架的一個實施方式的一部分。圖2描繪了用於將熱控制板固定於支撐構件的第一加固構件和第二加固構件。圖3描繪了在環境溫度下在預先確定的夾持力下將熱控制板固定到支撐構件的第一加固構件和第二加固構件。圖4描繪了在升高的處理溫度下圖3中的結構。圖5描繪了用於將熱控制板固定到具有可偏斜墊片構件的支撐構件的第一加固構件和第二加固構件。圖6描繪了一種替代的加固結構，其中翻轉該第一加固構件。圖7描繪了在環境溫度下在預先確定的夾持力下將熱控制板固定到具有可偏斜墊片構件的支撐構件的第一加固構件和第二加固構件。圖8描繪了在升高的處理溫度下的圖7中的結構。具體實施方式為了實現可靠的器件並獲得較高的產量，在集成電路製造過程中對晶片等半導體基板表面上的微粒汙染進行控制是必要的。工藝設備，比如等離子體處理裝置，可能是微粒汙染的來源。例如，在光刻和刻蝕步驟中，晶片表面上微粒的存在可能在該處破壞圖形轉移。結果是，這些微粒可能帶來關鍵特徵的缺陷，從而導致該集成電路元件的故障或失效，該關鍵特徵包括柵極結構、金屬間電介質層或金屬互連線^各。提供可以減少並優先最小化微粒汙染的等離子體處理裝置的元件。該元件包括可以調節該等離子體處理元件在熱循環過程中由於該元件的構件的熱膨/I長系^t的差異而產生的應力。該加固構件可用於扣緊各種元件的任何構件，這些元件中的兩個構件在等離子體處理過程中都被加熱並經歷熱膨月長。還才是供了在包含一個或多個這樣的元件的等離子體處理室中處理半導體基々反的方法。圖1描繪了等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件10的一種示例性實施方式，在該等離子體處理裝置中對例如矽晶片等半導體其板進行處理。例如，該噴淋頭電極組件是在共同持有的申請號為2005/0133160的美國專利申請中描述過的，其內容皆由引用納入此處。該噴'淋頭電糹及組件10包含噴'淋頭電才及，該噴'淋頭電一及包括上電才及12、固定到該上電才及12的支撐構件14和熱控制才反16。基4反支架18(圖l中^f又僅顯示了該支架的一部分)包括下電才及和位於該等離子體處理裝置的真空處理室中的上電才及12下方的可選的^爭電夾持電極。待處理的基板20被機械地或靜電地固定在基板支架18的上支架表面22上。在圖示實施方式中，該噴'淋頭電才及的上電才及12包4舌內部電極構件24和可選的外部電極構件26。優選地，該內部電極構件24是圓柱板(例如由矽構成的板)。如果該板是由矽製成的，該內部電極構件24可具有小於、等於或大於待處理晶片的直徑，例如達12英寸(300mm)。在一個^f尤選實施方式中，該噴淋頭電4及組件足夠大到可以處理大基才反，例如具有300mm或者更大直徑的半導體晶片。對於300mm晶片，該頂部電極12的直徑至少是300mm。然而，該噴'淋頭電才及組件也可以調整尺寸以處理其4也尺寸的晶片或者具有非圓形結構的基板。在圖示實施方式中，該內部電極構件24比該基板20更寬。對於處理300mm晶片，該外部電極構件26將該上電極12的直徑從大約15英寸延長到大約17英寸。該外部電極構件26可以是連續構件(例如連續的多晶矽環)或者分段構件(例如包括2-6個排列成圓環結構的獨立的段，比如由矽組成的段)。在包括多個段的外部電極構件26的上電極12的實施方式中，優選地，這些段都有邊沿，這些邊沿互相重疊以保護下面的粘合材料免於暴露到等離子體中。優選地，該內部電極構件24包括多個氣體通道28,該些氣體通道延伸穿過該支撐構件，以將工藝氣體注射入位於該上電極12和該下電極18之間的等離子體反應室中的空間。石圭是該內部電一及構4牛24和該外部電才及構4牛26的等離子體暴露表面的優選材料。在等離子體處理過程中，高純度的單晶矽可以最小化基板的汙染，而且在等離子體處理中會均勻地磨損，從而使微粒最小化。例如，可用作該上電極12的等離子體暴露表面的替代材料包括SiC或AlN。在圖示實施方式中，該支撐構件14包括支撐々反30和圍繞支撐板30的外周延伸的支撐環32。在該實施方式中，該內部電極構件24是與該支撐板30共同延伸的，且該外部電極構件26是與該外圍支撐環32共同延伸的。然而，該支撐才反30可以延伸到超過該內部電才及構件24，這樣就可以用單個支撐一反來支撐該內部電才及構件24和該分l殳的外部電4及構件26。優選地，該內部電才及構件24和該外部電才及構件26通過粘合材料固定於該支撐構件14。優選地，該支撐板30和支撐環32是由與用作在等離子體處理室中處理半導體基4反的工藝氣體化學兼容的、而且導電並導熱的材料製成的。括鋁、鋁合金、石墨和SiC,固定於該支撐才反30和支撐環32，該彈性粘合材一+可以調節熱應力，並在該上電4及12和該支撐一反30和支撐環32之間傳遞熱能和電能。例如，在共同持有的專利號為6,073,577的美國專利中描述了使用高彈體來粘合電極組件表面，其內容皆由引用而納入此處。該支撐一反30和支撐環32使用合適的加固構件固定於該熱控制板16。圖2是將該支撐構件14(或者支撐板30)固定於圖l所示的該熱控制板16的該加固構件34/36的方欠大的一見圖。在此實施方式中，該加固構件34/36包含第一加固構件34和第二加固構件36。優選;也，^亥第一力口固才勾<牛34包4舌頭38、才丙40、夕卜蟲累糹丈41,口7"R載面42。侈'J如，該第一加固構件34可以是螺紋螺絲或螺栓等等。在此實施方式中，各第二加固構件36與相應的第一加固構件34的外螺紋嚙合。第二加固構件36可以是螺紋護套、任何內螺紋結構等。該加固構件34/36的一種優選材料是Nitronic-60，一種在真空環境中耐磨損的不鏽鋼。此實施方式中的該加固構件34/36還可以用於將圖1所示的該支撐環32固定到該熱控制4反16上。如圖2所示，將該第一加固構件34插入該熱控制板16的通孔44/46。熱控制板16中的孔44/46具有階梯結構並包括比第二部分46更寬的第一部分44(例如反向鑽孔洞)和承載面42。該第二加固構件36固定於或者嵌入該支撐構件14的凹槽內。當該第一加固構件34的螺紋噴合該第二加固構件36的螺紋時，該熱控制板16被固定到該支撐構件14。這種嚙合提供了預先確定的夾持力，該夾持力分布於該第一加固構件34的承載面42和該熱控制板16的通孔44A46的承載面間。已經確定，如果該第一加固構件34的材料具有比該熱控制板16的材料更小的熱膨月長系l史，當這些元件一皮加熱到一個升高的半導體基板等離子體處理溫度(比如大約8(TC到大約160。C)時，該支撐構件14和該熱控制^反16之間的夾持力可以顯著增加。例如，在一個實施方式中，該第一加固構件34可以是由不4秀鋼(例如Nitronic-60)製成的，並插入鋁製熱控制板16的通孔44/46中。在此實施方式中第二加固構件36是不鏽鋼螺紋護套，固定於該鋁或石墨的支撐構件14。將該加固構件36/38固定以將該熱控制板16固定到該支撐構件14中，以提供預先確定的夾持力。圖3是環境溫度下這種結構的圖示。將圖3中的結構加熱到升高的工藝溫度後(例如，約80。c到約i6o。c)，該鋁製熱控制板i6(熱膨脹係數-i4no-，F:r1)和不鏽鋼製第一加固構件34(熱膨脹係數=9.89*10-6(。？)")以不同比率膨脹，如圖4所示。該第一加固構件34必須在軸向膨脹(圖4中箭頭A)以適應該熱控制板16的更大的熱膨月長(圖4中的箭頭B)。而且，該熱控制板16和該第一加固構件34的毗連的承載面42可以變形以適應該熱控制板16的熱膨脹。結果是，該鋁製熱控制板16和該支撐構件14之間的夾持力在升高的溫度下增加。來自熱循環的力導致該加固構件34/36的鬆動，這是由於該第一加固構件34、該熱控制板16和螺絲螺糹丈的局部損壞以及孩M立的產生。—種減少該7義載面42和螺絲螺紋的局部損壞的途徑是佳_用由與該熱控制板16相同的材料，或者與該熱控制板16的材料的熱膨月長系悽t相近的另一種材衝牛構成的第一加固構件34。這種途徑可以最小化該第一加固構件34和熱控制板16的承載面42上因為不同的熱膨脹產生的力，因為該第一加固構件34和熱控制板16以大致相同的比率熱膨脹。13已經確定，使用陽極化鋁使得第一加固構件34可以理想地防止夾持力的顯著增加，因而避免對該第一加固構件34和該熱控制才反16的7義載面42以及螺絲螺紋的損壞。例如該第一加固構件34(例如螺紋螺絲)材料是由陽極化鋁製成的，並被插入由鋁製成的該熱控制板16的通孔44/46中。第二加固構件36(不4秀鋼螺紋護套)固定於石墨支撐構件14。該熱控制壽反16以預先確定的夾持力^f皮固定於具有該加固構件34/36的該支撐構件14。然而，由於該陽才及化鋁第一加固構件34(例如螺絲)和不鏽鋼第二加固構件36(例如螺紋護套)之間的不同膨脹，來自該第一加固構件34的該陽極化塗層的剝落產生大量的孩i粒。相應地，在非常討厭這種汙染的等離子體處理室中，該第一加固構件34應該由具有合適的熱膨脹係數，同時在等離子體處理過程中不會引入汙染物的材料製成。圖5是用於將該支撐構件14(或者支撐板30)固定到該熱控制板16的示例性實施方式的放大的視圖，其可以解決前面兩種問題，即熱膨脹產生的應力和樣t粒汙染物的剝落。在此實施方式中，該第一加固構件34(例如，螺紋螺絲)材並+是不,秀鋼的並插入該鋁製熱控制板16的通孔44/46。該第二加固構件36是不鏽鋼Nitronic-60螺紋護套，固定於該鋁或者石墨的支撐構件14。可偏4牛墊片構件48一皮i殳置於該孔44的第一部分內，在該第一加固構件34的壽義載面和熱控制板16的承載面42之間。例如，該可偏斜墊片構件48可以是一個或多個具有相同或不同彈性常數的碟片彈簧(例如膜片式彈簧墊圈(BELLEVILLEwasher))、螺旋彈簧或者任何滿足以下條件的機械結構在這些才幾械結構中，偏斜該可偏斜墊片構件48所需要的力明顯小於(例如一個ft量級)4吏該第一加固構件34或者該7義載面42變形所需要的力。圖6是另一個示例性實施方式，其中該通孔44/46形成於該支撐構件14中。又于于這種結構，該3L44/46形成於該支4掌構4牛14中並具有階梯結構，包括比該第二部分46更寬的第一部分44(例如，反向鑽孔洞)，以及承載面42。可偏斜墊片構件48"i殳置於該孔44的第一部分內，在該第一加固構件34的〃K載面42和該支撐構件14的承載面42之間。該第二加固構件36固定於或者嵌入該熱控制板16中。如圖7所示，該第一加固構件34被固定於該第二加固構件36,這樣該可偏名+墊片構件48(例如石乘片彈簧)在環境溫度下不是完全平坦的。圖8描繪了在升高的溫度下(例如約80。C到約160。C)的圖7的結構。如圖8所示，通過該可變形的墊片構件48，調節該熱膨脹的力(也就是壓縮該碟片彈簧)，而不是使該第一加固構件34或者該熱控制板16和第一加固構件34的承載面42變形。此實施方式中的具有可變形的墊片構件48的該加固構件34/36還可以用於將圖1所示的支撐環32固定於該熱控制板16。該可變形墊片構件48對該熱控制板16的陽極化鋁塗層的力也可能導致該陽極化塗層的一些剝落，有可能將顆粒物質引入到晶片上。為了最小化這種特性，在該熱控制板16的承載面42和該可變形的墊片構件48之間設置平墊圏50。優選地，平墊圈50由硬化不鏽鋼(例如沉澱硬化不鏽鋼PH17-4-H900)製成。圖5-8中的實施方式具有優勢，因為(i)該可變形墊片構件48可以調節該熱控制板16的熱膨脹產生的應力，從而最小化對該承載面42和螺絲螺紋的損害；以及(ii)可以使用Nitronic-60不鏽鋼螺糹丈護套，該材津牛在真空環境中耐磨損。如上所述並如圖4所示，與僅僅使用沒有可變形墊片構件48的不鏽鋼螺絲相關的缺點是，熱膨脹產生的應力可能損害承載面42和螺紋並導致微粒的產生。儘管陽極化鋁緊固件可以減輕熱膨脹產生的應力，但它們很容易受到微粒汙染物剝落的影響。因此，使用可變形墊片構件站在選擇適於真空處理環境的材料時提供了額外的靈活性，同時使得與各種材料的熱膨脹係數的差異有關的不利影響最小化。而且，熱控制板16、可變形墊片構件48和第一加固構件34可以是由任4可合適的材料形成的，該材料可以4是供對等離子體環境中使用的氣體的耐侵蝕性，同時最小化等離子體處理過程中的微粒汙染。圖5-8中的實施方式可^^用於將等離子體處理裝置中要進4亍加熱並可能引入顆衝立物質的兩種構4牛固定起來。例如，該第一和第二加固構件34/36和可變形墊片構件48可用於將基板支架18的元件固定起來，該基板支架18會受到由於該等離子體處理裝置的加熱和冷卻而產生的熱應力的影響。實施例l衝丸4亍熱4盾環測試，以確定在由4立於力。利福尼亞弗雷蒙的朗姆研究中心製造的EXELANFLEXTM電介質等離子體刻蝕系統中，在加熱到升高的溫度的過程中，該第一加固構件36材津牛在孩丈粒產生方面的效果。對於這些測試，將陽極化鋁螺絲產生的超過0.09pm的樣i粒與Nitronic-60不4秀鋼螺絲產生的相比4交。該測試是這樣執行的將鋁熱控制板16夾持到石墨支撐構件14上，類似於圖3中所示的結構。在陽才及化鋁螺絲的測試中，將類似於平墊圏50的平墊圈設置於該熱控制板16的承載面42和該螺絲之間。第二加固構件36,即Nitronic-60不鏽鋼螺紋護套，被嵌入該石墨支撐構件"中。夾持的鋁熱控制板16和石墨支撐構件14淨皮方文入該等離子體刻蝕室中並被置於具有基線樣t粒計數的矽晶片上。在惰性氣體中，將該室加熱到大約110-115。C，不產生等離子體，橫_得該夾持的鋁熱控制*反16和石墨支撐構件14熱膨脹。然後在惰性氣體中將該室冷卻到環境溫度，使得該夾持的鋁熱控制板16和石墨支撐構件14收縮。為進行多組觀'J試，然後4吏用光學表面分析^f義分析石圭晶片表面以確定比0.09pm大的微粒的數量(該分析儀在大約20,000個微粒計數下飽和)。如表l所示，與陽才及〗匕鋁螺絲相比，不4秀4閃螺絲產生的大於0.09pm的微粒明顯比較少。表ltableseeoriginaldocumentpage17實施例2執行測試以測量三種螺絲結構的熱控制板16和支撐構件14之間的夾持力(U不鏽鋼螺絲；(ii)陽極化鋁螺絲；和(iii)具有》茱片彈簧的不《秀鋼螺絲。在兩個鋁製測試夾具之間併入500石身測壓元件，來才莫擬熱控制糹反16和具有通孔44/46的支撐構件14。第二固定構件36和Nitronic-60不鏽鋼螺紋護套被嵌入模擬支撐構件14的該鋁製夾具中。在測試陽極化鋁螺絲的過程中，在為模擬熱控制板16而建造的該夾具和該螺絲之間設置類似於平墊圏50的平墊圏。各不同的螺絲結構^f皮扣緊到最終」扭矩的一半，然後繃緊到最終^扭矩(例如12in-lb或15in-lb)，並從該500磅測壓元件中得到夾持力測量值。在重複該測試前，清潔該螺絲的螺紋和該通孔的第二部分。如下面的表2所總結的，具有該彈簧碟片的不鏽鋼螺絲證實了具有最高的平均夾持力以及較低最終扭矩的最小的標準偏差。這些特徵有利於在較低的扭矩下提供更高並更一致的夾持力，有利於例行維護中該等離子體處理裝置的分解和組裝。螺絲結構最終扭矩(in-lbs.)平均夾持力(lbs.)標準^f烏差(lbs.)不4秀鋼/;萊片彈簧12276.413.3不鏽鋼15258.418.6陽才及4匕鑽15202.321.3儘管本發明是參考其具體實施方式進行詳細描述的，然而，對本領域的技術人員來說，顯然，可以在不悖離所附權利要求的範圍的基礎上，對本發明作出變更和修改。18權利要求1.一種等離子體處理裝置的元件，包含第一構件，具有第一熱膨脹係數並包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個承載面部分限定；多個第一加固構件，具有第二膨脹係數並設置於該第一構件的該孔內，該第一加固構件包括承載面；至少一個可偏斜墊片，設置於限定該孔的該第二部分的該承載面和該第一加固構件的該承載面之間；以及第二加固構件，嚙合於各第一加固構件以將該第一構件以預先確定的夾持力固定於該第二構件，該至少一個可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過程中產生的力。2.根據權利要求1所述的元件，其中該可偏斜墊片構件適於實質上減少該熱循環過程中來自該第一構件或者該第一加固構件的農i粒的產生。3.根據權利要求1所述的元件，其中該至少一個可偏斜墊片是在同一個孔內的一個或多個碟片彈簧。4.才艮據權利要求3所述的元件，進一步包含i殳置於各可偏斜墊片和該第一構件的承載面之間的平墊圈。5.根據權利要求1所述的元件，其中各該第一加固構件包含外螺紋，且各該第二加固構件包含與相應的第一加固構件的外螺紋嚙合的內螺糹丈。6.根據權利要求1所述的元件，其中該第一熱膨脹係數大於該第二熱膨脹係數。7.根據權利要求1所述的元件，其中該第一熱膨脹係數大體上等於該第二熱膨脹係數。8.根據權利要求1所述的元件，其中該第一構件是熱控制板。9.根據權利要求7所述的元件，其中該熱控制板是由鋁或鋁合金材料構成的。10.根據權利要求1所述的元件，其中該第二構件是支撐構件。11.根據權利要求IO所述的元件，其中該支撐構件包含支撐板和圍繞該支撐板的外周延伸的支撐環。12.根據權利要求10所述的元件，其中該支撐構件是由鋁或石墨構成的。13.根據權利要求1所述的元件，進一步包含固定於該第二構件的第三構件。14.根據權利要求13所述的元件，其中該第三構件是電極。15.根據權利要求14所述的元件，其中該電極包含內部矽電極和夕卜部矽電極。16.—種等離子體處理裝置的元件，包含第一構件，具有第一熱膨脹係數；第二構件，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個壽義載面部分限定；多個第一加固構件，具有第二熱膨月長係數並i殳置於該第二構件的該孔內，各該第一加固構件包括承載面；至少一個可偏斜墊片，設置於限定該:jL的該第二部分的該^R載面和該第一加固構<牛的該岸義載面之間；以及第二加固構件，嚙合於各第一加固構^牛以將該第一構件以預先確定的夾持力固定於該第二構件，該至少一個可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過程中產生的力。17.根據權利要求16所述的元件，其中該可偏存+墊片構件適於實質上減少該熱循環過程中來自該第一構件或者該第一加固構件的微粒的產生。18.根據權利要求16所述的元件，其中該至少一個可偏斜墊片是一個或多個碟片彈簧。19.根據權利要求18所述的元件，進一步包含"i殳置於各可偏斜墊片和該第二構件的承載面之間的平墊圈。20.根據權利要求16所述的元件，其中各該第一加固構件包含外螺紋，且各該第二加固構件包含與相應的第一加固構件的外螺紋嚙合的內螺紋。21.根據權利要求16所述的元件，其中該第一熱膨脹係數大於該第二熱膨脹係數。22.才艮據權利要求16所述的元件，其中該第一熱膨月長系lt大體上等於該第二熱膨脹係數。23.根據權利要求16所述的元件，其中該第一構件是熱控制板。24.根據權利要求23所述的元件，其中該熱控制板是由鋁或鋁合金材料構成的。25.根據權利要求16所述的元件，其中該第二構件是支撐構件。26.々艮據糹又利要求25所述的元件，其中該支撐構件包含支撐板和圍繞該支撐板的外周延伸的支撐環。27.根據權利要求26所述的元件，其中該支撐構件是由鋁或石墨構成的。28.根據權利要求16所述的元件，進一步包含固定於該第二構件的第三構件。29.根據權利要求28所述的元件，其中該第三構件是電極。30.才艮據一又利要求29所述的元件，其中該電才及包含內部石圭電才及和外部石圭電才及。31.—種等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件，包含鋁製熱控制板，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個承載面部分限定；多個不鏽鋼加固構件，設置於該熱控制板的該孔內，該第一加固構件包括承載面；多個可偏斜墊片，i殳置於該孔的該第二部分的該承載面和該第一力口固構^f牛的該岸義載面之間；第二加固構件，嚙合於各第一加固構件以將該熱控制板以預先確定的夾持力固定於支撐構件，該可偏斜墊片適於調節在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環過禾呈中該熱4空制並反和該第一加固構件之間的熱膨脹的差異產生的力；以及石圭電極，固定於該支撐板。32.根據權利要求31所述的噴淋頭電^L組件，其中該至少一個可偏斜墊片是一個或多個碟片彈簧。33.根據權利要求32所述的噴淋頭電極組件，進一步包含設置於各可偏斜墊片和該熱控制^^反的承載面之間的平墊圈。34.才艮據—又利要求31所述的噴淋頭電才及組件，其中各該不《秀鋼加固構件包含外螺紋，且各該第二加固構件包含與相應的不鏽鋼加固構件的內螺鄉丈嚙合的內螺玟。35.—種在等離子體處理裝置中處理半導體基^反的方法，該方法包含將基板置於等離子體處理裝置的反應室內的基板支架上；使用權利要求31所述的該噴淋頭電才及組件將工藝氣體引入該反應室；離子體；使用該等離子體處理該基板。全文摘要提供一種等離子體處理裝置的元件，該元件包括適於調節在熱循環過程中產生的應力的加固構件。該加固構件包括可偏斜墊片以調節由熱膨脹係數的差異產生的力，同時使多餘的微粒汙染物的產生最小化。文檔編號H05H1/34GK101578926SQ200780046532公開日2009年11月11日申請日期2007年10月16日優先權日2006年10月16日發明者安瑟埃·德拉萊拉,沙魯巴·J·烏拉爾申請人:朗姆研究公司