電子器件的製造方法和電子器件的製作方法
2023-09-18 16:47:35 1
電子器件的製造方法和電子器件的製作方法
【專利摘要】本發明提供電子器件的製造方法和電子器件。能夠在短時間內製造防止貫通電極發生腐蝕的電子器件。電子器件（1）的製造方法包括：貫通電極形成工序（S1），在絕緣性的基底基板（2）上形成貫通電極（3）；電子元件安裝工序（S2），在基底基板（2）的一方的表面（US）上安裝電子元件（5）；蓋體設置工序（S3），將收納電子元件（5）的蓋體（6）與基底基板（2）接合；導電膜形成工序（S4），在基底基板（2）的另一方的表面（LS）上、和從該表面露出的貫通電極（3）的端面（M）上形成導電膜（4）；電極圖案形成工序（S5），在貫通電極（3）的端面（M）上和端面（M）的周圍的表面上保留導電膜（4），形成電極圖案（15）；以及外部電極形成工序（S6），通過化學鍍覆法在電極圖案（15）的表面上堆積化學鍍覆膜，形成外部電極（13）。
【專利說明】電子器件的製造方法和電子器件
【技術領域】
[0001]本發明涉及在封裝中收納石英振子等電子元件的電子器件的製造方法、電子器件以及使用該電子器件的振蕩器。
【背景技術】
[0002]以往，在便攜電話或便攜信息終端機中，多採用表面安裝型的電子器件。其中，針對石英振子或MEMS、陀螺儀、加速度傳感器等，在封裝的內部形成中空的腔室，在該腔室中封入石英振子或MEMS等電子元件。使用玻璃材料作為封裝。例如，在基底基板上安裝電子元件，在其上方通過陽極接合來接合玻璃蓋，從而將電子元件密封。玻璃之間的陽極接合具有氣密性高且價格便宜的優點。
[0003]圖7是這種電子器件的截面圖(專利文獻I的圖1)。電子器件101具有基底110、安裝在基底110上的電子部件140、收納電子部件140並與基底110接合的蓋150。在基底110上形成有在板厚方向上貫通的貫通電極121、與貫通電極121電連接的第一金屬膜122、將貫通電極121和電子部件140電連接的電路圖案130以及第二金屬膜123。在第一金屬膜122的外部形成由金屬膜構成的外部電極160。
[0004]這裡，貫通電極121使用鐵鎳系合金。使用通過化學鍍覆法形成的金作為第一金屬膜122。此外，在貫通電極121與基底110之間使用未圖示的低融點玻璃，通過熱熔接提高氣密性。如果要使用低融點玻璃進行熱熔接，提高貫通電極121和基底110之間的氣密性，則在貫通電極121的端面上會形成氧化膜，與其他金屬之間的導電性下降。因此，在去除貫通電極121的熱熔接時形成的氧化膜後，在貫通電極121的端面上形成第一金屬膜122或第二金屬膜123，從而防止貫通電極121的氧化。
[0005]專利文獻1:日本特開2011-155506號公報
[0006]在專利文獻I中，使用鐵鎳系合金作為貫通電極121，使用金薄膜作為用於防止貫通電極121的氧化的第一金屬膜122。此外，外部電極160是通過基於濺射膜或蒸鍍膜的金屬薄膜或者銀漿等導電粘接劑而形成的。但是，外部電極160需要形成為幾μ m的厚度，濺射法和蒸鍍法的成膜速度較慢，形成外部電極160需要較長時間。此外，當通過銀漿等導電粘接劑形成外部電極160時，由於針孔等的影響，難以完全遮蔽水分。由於鐵鎳系合金與金之間的離子化傾向的差別大，因此，當在貫通電極121與第一金屬膜122之間附著有水分等時，由於電池效應而導致貫通電極121發生腐蝕，導電性下降。此外，在貫通電極121與基底110之間使用了低融點玻璃，通過化學鍍覆法在貫通電極121的端面上形成有作為第一金膜122的金屬膜。由於在低融點玻璃上難以形成基於化學鍍覆法的金屬膜，因此，貫通電極121與第一金屬膜122之間的邊界部露出，容易發生腐蝕。
【發明內容】
[0007]本發明的電子器件的製造方法包括:貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極；電子元件安裝工序，在所述基底基板的一方的表面上安裝電子元件；蓋體設置工序，將收納所述電子元件的蓋體與所述基底基板接合；導電膜形成工序，在所述基底基板的另一方的表面上、和從另一方的所述表面露出的所述貫通電極的端面上形成導電膜；電極圖案形成工序，在所述貫通電極的端面和所述端面的周圍的所述表面上保留所述導電膜，形成電極圖案；以及外部電極形成工序，通過化學鍍覆法在所述電極圖案的表面堆積化學鍍覆膜，形成外部電極。
[0008]此外，在所述電子元件安裝工序和蓋體設置工序之後，進行所述外部電極形成工序。
[0009]此外，在所述外部電極形成工序之後，具有在所述化學鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序。
[0010]此外，所述貫通電極是鐵鎳系合金。
[0011]此外，所述化學鍍覆膜是鎳膜或銅膜。
[0012]此外，所述金屬膜為金薄膜。
[0013]此外，所述化學鍍覆膜的厚度為I μ m?10 μ m。
[0014]此外，所述電子元件為石英振動片。
[0015]本發明的電子器件具有:絕緣性的基底基板，其形成有多個貫通電極；電子元件，其安裝在所述基底基板的一方的表面上；以及蓋體，其收納所述電子元件，並與所述基底基板接合，在從所述基底基板的另一方的表面露出的所述貫通電極的端面上、和所述端面的周圍的另一方的所述表面上形成有外部電極，所述外部電極具有導電膜和通過化學鍍覆法在所述導電膜的表面上形成的化學鍍覆膜。
[0016]此外，所述貫通電極由鐵鎳系合金構成，所述導電膜由金屬膜構成，所述化學鍍覆膜由鎳或銅構成。
[0017]本發明的振蕩器具有上述的電子器件和向所述電子器件提供驅動信號的驅動電路。
[0018]本發明的電子器件的製造方法包括:貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極；電子元件安裝工序，在基底基板的一方的表面上安裝電子元件；蓋體設置工序，將收納電子元件的蓋體與基底基板接合；導電膜形成工序，在基底基板的另一方的表面上、和從表面露出的貫通電極的端面上形成導電膜；電極圖案形成工序，在貫通電極的端面和端面的周圍的表面上保留導電膜，形成電極圖案；以及外部電極形成工序，通過化學鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學鍍覆膜，形成外部電極。由此，能夠以短時間製造防止了貫通電極發生腐蝕的電子器件。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是本發明的第一實施方式的電子器件的截面示意圖。
[0020]圖2是示出本發明的第二實施方式的電子器件的製造方法的工序圖。
[0021]圖3是本發明的第二實施方式的電子器件的製造工序的說明圖。
[0022]圖4是本發明的第二實施方式的電子器件的製造工序的說明圖。
[0023]圖5是示出本發明的第三實施方式的電子器件的製造方法的工序圖。
[0024]圖6是本發明的第四實施方式的振蕩器的俯視示意圖。
[0025]圖7是以往公知的電子器件的截面圖。[0026]標號說明
[0027]I:電子器件
[0028]2:基底基板
[0029]3:貫通電極
[0030]4:導電膜
[0031]5:電子元件
[0032]6:蓋體
[0033]8:配線電極
[0034]9:接合材料
[0035]10:金屬凸塊
[0036]11:化學鍍覆 膜
[0037]12:金屬膜
[0038]13:外部電極
[0039]15:電極圖案
[0040]US: 一方的表面，LS --另一方的表面，M:端面
[0041]具體實施例方式
[0042](第一實施方式)
[0043]圖1是本發明的第一實施方式的電子器件I的截面示意圖。電子器件I具有基底基板2、在基底基板2上接合的蓋體6、以及收納在內部的電子元件5。基底基板2具有絕緣性，具有多個從一方的表面US貫通至另一方的表面LS的貫通電極3。在基底基板2的一方的表面US上以覆蓋貫通電極3的端面的方式形成有配線電極8，在配線電極8上隔著金屬凸塊10安裝有電子元件5。蓋體6在中央具有凹部，在該凹部中收納電子元件5，蓋體6藉助接合材料9接合於基底基板2的一方的表面US。基底基板2還具有外部電極13，該外部電極13形成在從基底基板2的另一方的表面LS露出的貫通電極3的端面M上、和該端面M的周圍的另一方的表面LS上。外部電極13具有層疊了導電膜4和通過化學鍍覆法在導電膜4的表面上形成的化學鍍覆膜11的層疊結構。
[0044]這樣，在基底基板2上形成的貫通電極3的從另一方的表面LS露出的端面M、和其周圍附近的另一方的表面LS被導電膜4完全覆蓋，並且導電膜4的包含上表面和側面在內的表面被化學鍍覆膜11覆蓋。因此，貫通電極3不會與水分等接觸，能夠防止腐蝕。此外，能夠在化學鍍覆膜11的表面上形成用於防止氧化的金屬膜，能夠以覆蓋化學鍍覆膜11的表面的方式形成金屬膜。
[0045]可以使用玻璃、陶瓷、塑料、玻璃環氧樹脂等作為基底基板2。可以使用壓電振動片、MEMS、加速度傳感器、發光元件、受光元件以及其他半導體元件作為電子元件5。可以使用可伐合金、因瓦合金、坡莫合金、42合金、不鏽鋼等鐵鎳系合金以及其他金屬材料作為貫通電極3。可以使用鎳膜、銅膜以及其他金屬膜作為化學鍍覆膜11。
[0046](第二實施方式)
[0047]圖2是示出本發明的第二實施方式的電子器件的製造方法的工序圖。圖3和圖4是本發明的第二實施方式的電子器件的製造方法中的各工序的說明圖。對於相同部分或者具有相同功能的部分賦予相同的標號。[0048]如圖2所示，本發明的電子器件的製造方法具有貫通電極形成工序S1、電子元件安裝工序S2、蓋體設置工序S3、導電膜形成工序S4、電極圖案形成工序S5以及外部電極形成工序S6。在貫通電極形成工序SI中，在絕緣性的基底基板上，在板厚方向上形成貫通電極。在電子元件安裝工序S2中，在基底基板的一方的表面上安裝電子元件。在蓋體設置工序S3中，將收納電子元件的蓋體與基底基板接合。在導電膜形成工序S4中，在基底基板的另一方的表面上、和從該另一方的表面露出的貫通電極的端面上形成導電膜。在電極圖案形成工序S5中，在貫通電極的端面和其周圍的表面上保留導電膜，從其他區域去除導電膜，形成電極圖案。在外部電極形成工序S6中，通過化學鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學鍍覆膜，形成外部電極。
[0049]此外，也可以是，在本發明的製造方法中，在上述貫通電極形成工序SI之後且在電子元件安裝工序S2之前，通過導電膜形成工序S4在基底基板的另一方的表面上形成導電膜，然後實施電極圖案形成工序S5，然後實施外部電極形成工序S6，然後在電子元件安裝工序S2中將電子元件安裝到基底基板的一方的表面上，最後，實施蓋體設置工序S3。此夕卜，也可以在蓋體設置工序S3之後且在導電膜形成工序S4之前，附加磨削工序，在該磨削工序中，對基底基板2的另一方的表面進行磨削或研磨，將貫通電極的端面與基底基板的另一方的表面形成為同一個面，並且去除形成在端面上的氧化膜。
[0050]由此，能夠防止導電膜和貫通電極之間的導電性下降。此外，在外部電極形成工序S6之後，也可以具有在化學鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序S7。以下，進行具體的說明。
[0051]圖3 (SI)是示出在貫通電極形成工序SI中，在絕緣性的基底基板2上形成了貫通電極3後的狀態的截面示意圖。例如可以使用玻璃基板、塑料基板、玻璃環氧樹脂基板等絕緣性基板作為基底基板2。可以使用可伐合金、因瓦合金、坡莫合金、42合金、不鏽鋼等鐵鎳系合金以及其他金屬材料作為貫通電極3。如果使用玻璃基板作為基底基板2，使用可伐合金作為貫通電極3，則熱膨脹係數近似，能夠構成可靠性高的封裝。以下，對使用玻璃基板作為基底基板2，使用鐵鎳系合金作為貫通電極3的例子進行說明。
[0052]使由玻璃構成的基底基板2軟化或熔化，通過模具成型來形成貫通孔。在貫通孔中填充鐵鎳系合金的線材，使線材加熱/軟化，將線材與玻璃熔接。在玻璃冷卻後，對兩面進行研磨使其平坦化，使貫通電極3的端面M露出，去除氧化膜，並且將端面M和玻璃基板2的表面形成為同一個面。平坦化後的基底基板2例如厚度為0.2mm?1_。此外，也可以通過噴砂法或蝕刻法形成基底基板2的貫通孔。
[0053]圖3 (S2)是示出在電子元件安裝工序S2中，在基底基板2上安裝了電子元件5後的狀態的截面示意圖。通過蒸鍍法或濺射法等在一方的表面US上形成金屬膜，通過光刻和蝕刻法進行金屬膜的構圖，形成配線電極8。除了蒸鍍法和濺射法以外，也可以通過印刷法形成配線電極8。接著，隔著金屬凸塊10通過表面安裝將電子元件5設置在基底基板2上。也可以並非表面安裝，取而代之，通過粘接劑等將電子元件5粘接在基底基板2的表面上，通過引線接合將配線電極8和電子元件5電連接。在電子元件5為壓電振動片的情況下，可以以懸臂狀將壓電振動片安裝在基底基板2的一方的表面US上。
[0054]圖3 (S3)是示出在蓋體設置工序S3中，在基底基板2的一方的表面US上接合了蓋體6後的狀態的截面示意圖。可以使用與基底基板2相同的材料例如玻璃材料作為蓋體6。蓋體6在中央具有凹部，在凹部的上端面預先形成有接合材料9。例如可以通過蒸鍍法或濺射法等形成鋁膜、鉻膜、矽膜等導電性膜或者這些膜的複合層來作為接合材料9。接著，將電子元件5收納到中央的凹部，通過陽極接合將基底基板2和蓋體6接合。如果接合時使周圍成為真空，則能夠使收納電子元件5的封裝內部成為真空。例如，在使用石英振動片作為電子元件5的情況下，如果將封裝內部維持成真空，則能夠消除對石英振動片的物理振動的空氣阻力。另外，除了陽極接合以外，還可以根據用途，通過金屬間接合或粘接劑，在基底基板2和蓋體6之間進行接合。
[0055]圖3 (S4)是示出在導電膜形成工序S4中，在基底基板2的另一方的表面LS上形成了導電膜4後的狀態的截面示意圖。對基底基板2的另一方的表面LS進行研磨或洗浄，去除端面M的氧化膜。然後，通過蒸鍍法或濺射法在另一方的表面LS上堆積厚度為
0.05 μ m?0.5 μ m的金屬的導電膜4。跨著多個貫通電極3的端面M堆積導電膜4。跨著多個端面M形成導電膜4。除了鈦膜以外還可以使用鎳膜或銅膜等金屬膜作為導電膜4。在使用金屬膜作為導電膜4的情況下，選擇與端面M和基底基板2緊貼性好的材料。此外，優選的是，針對形成在導電膜4的上部的金屬膜，選擇離子化傾向差別小的材料。
[0056]圖3 (S5)是示出在電極圖案形成工序S5中，在貫通電極3的端面M和其周圍的表面上保留導電膜4，從其他區域去除導電膜4而形成電極圖案15後的狀態的截面示意圖。在導電膜4的表面以塗布或粘貼的方式設置由抗蝕劑構成的感光性樹脂膜，進行曝光/顯影，在保留導電膜4的區域形成掩模。也可以取代由感光性樹脂膜形成掩模，而通過印刷法形成掩模。通過使用了酸或鹼溶液的溼蝕刻法、或者使用了反應性氣體的幹蝕刻法，從掩模的圖案以外的區域去除導電膜4。此後，去除掩模，在貫通電極的端面和其周圍的表面上形成由導電膜4構成的電極圖案15。
[0057]圖4 (S6)是示出在外部電極形成工序S6中，在電極圖案15 (導電膜4)的表面上堆積了化學鍍覆膜11後的狀態的截面示意圖。通過化學鍍覆法在電極圖案15的表面上堆積化學鍍覆膜11，形成外部電極13。將另一方的表面LS浸入化學鍍覆液中，以覆蓋導電膜4從另一方的表面LS側露出的整個露出面的方式形成化學鍍覆膜11。即，除了在電極圖案15的上表面形成化學鍍覆膜11以外，還在電極圖案15的側面形成化學鍍覆膜11。將化學鍍覆膜11的厚度設為Iym?10 μ m,優選為I μ m?5 μ m。此外，除了鎳膜以外,還可以形成銅膜以及其他金屬膜作為化學鍍覆膜11。
[0058]此外，如圖4 (S7)所示，可以在外部電極形成工序S6之後，附加在化學鍍覆膜11的表面上形成金屬膜12的金屬膜形成工序。為了防止化學鍍覆膜11的表面的氧化並確保導電性，可以通過化學鍍覆法形成由金、銀、鉬金等離子化傾向較小的薄膜構成的金屬膜12。金屬膜12可以形成為覆蓋化學鍍覆膜11的整個露出面。此外，也可以取代化學鍍覆法，而通過蒸鍍法或者濺射法來形成金屬膜12。此外，也可以將電極圖案15、化學鍍覆膜11以及金屬膜12的層疊電極作為外部電極13。
[0059]這樣，在貫通電極3的端面M和其周圍的表面上形成電極圖案15，此後，通過化學鍍覆法在電極圖案15的表面上形成化學鍍覆膜11，因此，貫通電極3的端面M被電極圖案15完全封閉，並且電極圖案15的露出表面被化學鍍覆膜11完全覆蓋。其結果是能夠防止貫通電極3的腐蝕。而且，相比濺射法和蒸鍍法，化學鍍覆膜11能夠以比較短的時間制膜，能夠在短時間內製造可靠性高的電子器件I。[0060](第三實施方式)
[0061]圖5是示出本發明的第三實施方式的電子器件的製造方法的工序圖。這是製造由安裝了壓電振動片作為電子元件的壓電振子構成的電子器件的具體例。此外，本實施方式是將形成有多個凹部的玻璃晶片和安裝有多個電子元件的玻璃晶片重合地接合，同時形成多個電子器件I的製造方法。對相同的工序賦予相同的標號。
[0062]安裝在基底基板上的電子元件是由石英振子等構成的壓電振動片。對蓋體形成工序S20進行說明。準備由鈉鈣玻璃構成的板狀的玻璃晶片。首先，在研磨、洗浄、蝕刻工序S21中，將玻璃晶片研磨到預定厚度，在洗浄後進行蝕刻處理來去除最表面的加工變質層。然後，在凹部形成工序S22中，在用於形成各電子器件的區域的中央部，通過熱壓的模具成型來形成凹部。然後，在研磨工序S23中，將凹部的周圍的上端面研磨加工成平坦的鏡面。然後，在接合材料堆積工序S24中，通過濺射法或蒸鍍法在形成有凹部的表面上以50nm?150nm的厚度堆積例如由鋁構成的接合材料。然後，在圖案形成工序S25中，通過光刻和蝕刻法，從凹部周圍的上端面以外的表面去除接合材料。這樣，形成由玻璃晶片構成的蓋體。
[0063]對壓電振動片製作工序S30進行說明。以規定角度對石英原石進行切割，形成石英晶片，然後，對石英晶片進行磨削和研磨加工，使其成為一定的厚度。然後，進行蝕刻處理來去除石英晶片的加工變質層。然後，在石英晶片的兩表面上堆積金屬膜，通過光刻和蝕刻法對金屬膜進行構圖，加工成預定形狀的激勵電極、配線電極以及安裝電極。然後，通過光刻和蝕刻法或者切割，將石英晶片加工成壓電振動片的外形形狀。
[0064]對基底基板形成工序S40進行說明。準備由鈉鈣玻璃構成的板狀的玻璃晶片。首先，進行研磨、洗浄，在蝕刻工序S41中，將玻璃晶片研磨到預定厚度，在洗浄後進行蝕刻處理來去除最表面的加工變質層。然後，在貫通電極形成工序SI中，通過熱壓的模具成型，或者在表面設置了掩模後通過蝕刻處理或噴砂進行磨削，在玻璃晶片的板厚方向上形成貫通孔。然後，在該貫通孔中埋入由鐵鎳系合金構成的貫通電極。然後，在磨削工序S42中，對貫通電極的兩端部和玻璃晶片的兩面進行研磨使之平坦化，使貫通電極的端面露出，形成基底基板。然後，在配線電極形成工序S43中，通過濺射法或蒸鍍法，在基底基板一方的表面上堆積金屬膜，通過光刻和蝕刻法進行構圖，形成配線電極。
[0065]然後，在電子元件安裝工序S2中，在基底基板的一方的表面上安裝壓電振動片。安裝時，在基底基板的配線電極上設置導電性粘接劑或者金屬凸塊，在其上接合壓電振動片的安裝電極，將壓電振動片以懸臂狀固定在基底基板上。由此，將貫通電極與壓電振動片的激勵電極電連接。這樣，形成由安裝有多個壓電振動片的玻璃晶片構成的基底基板。
[0066]然後，在重合工序Sll中，以在蓋體的各凹部中收納壓電振動片的方式，將蓋體載置於基底基板上，從上下方向進行按壓。然後，在蓋體設置工序S3中，將基底基板和蓋體加熱到200°C以上的溫度，將蓋體的接合材料作為陽極、將基底基板作為陰極，施加幾百伏(V)的電壓，通過接合材料將基底基板和蓋體接合。在接合時將周圍保持真空。
[0067]然後，在導電膜形成工序S4中，通過蒸鍍法或濺射法在基底基板的另一方的表面上堆積由鎳構成的導電膜。然後，通過電極圖案形成工序S5，在要形成電極圖案的導電膜上由感光性樹脂膜形成掩模，通過溼蝕刻法或幹蝕刻法，從掩模的圖案以外的區域去除導電膜。此外，也可以通過印刷法形成掩模。此後，去除掩模，在貫通電極的端面和其周圍的表面上形成由導電膜構成的電極圖案。[0068]然後，在外部電極形成工序S6中，通過化學鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學鍍覆膜，形成外部電極。此外，為了防止化學鍍覆膜的表面的氧化，確保導電性，也可以在外部電極形成工序S6之後，通過化學鍍覆法在化學鍍覆膜的表面形成金薄膜等金屬膜。
[0069]然後，在切斷工序S12中，在接合體的表面設置刻劃線，按壓切斷刀進行割斷，或者使用切割刀片或切割鋸進行分割，得到各個電子器件I。然後，在電氣特性檢查工序S13中，測定電子器件I的諧振頻率和諧振電阻值等來進行檢查。
[0070](第四實施方式)
[0071]圖6是本發明的第四實施方式的振蕩器40的俯視示意圖。裝入有在上述第一實施方式中說明的電子器件1、或者通過在第二或第三實施方式中說明的製造方法製造出的電子器件I。如圖6所示，振蕩器40具有基板43、設置在該基板上的電子器件1、集成電路41以及電子部件42。電子器件I根據提供到外部電極的驅動信號生成一定頻率的信號，集成電路41和電子部件42對從電子器件I提供的一定頻率的信號進行處理，生成時鐘信號等基準信號。本發明的電子器件I具有高可靠性且能形成為小型，因此能夠緊湊地構成振蕩器40的整體。
【權利要求】
1.一種電子器件的製造方法，其包括: 貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極； 電子元件安裝工序，在所述基底基板的一方的表面上安裝電子元件； 蓋體設置工序，將收納所述電子元件的蓋體與所述基底基板接合； 導電膜形成工序，在所述基底基板的另一方的表面上、和從另一方的所述表面露出的所述貫通電極的端面上形成導電膜； 電極圖案形成工序，在所述貫通電極的端面和所述端面的周圍的所述表面上保留所述導電膜，形成電極圖案；以及 外部電極形成工序，通過化學鍍覆法在所述電極圖案的表面堆積化學鍍覆膜，形成外部電極。
2.根據權利要求1所述的電子器件的製造方法，其中， 在所述電子元件安裝工序和蓋體設置工序之後，進行所述外部電極形成工序。
3.根據權利要求1或2所述的電子器件的製造方法，其中， 在所述外部電極形成工序之後，具有在所述化學鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序。
4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的電子器件的製造方法，其中， 所述貫通電極是鐵鎳系合金。
5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的電子器件的製造方法，其中， 所述化學鍍覆膜是鎳膜或銅膜。
6.根據權利要求3所述的電子器件的製造方法，其中， 所述金屬膜為金薄膜。
7.根據權利要求1至6中的任意一項所述的電子器件的製造方法，其中， 所述化學鍍覆膜的厚度為I μ m?10 μ m。
8.一種電子器件，其具有: 絕緣性的基底基板，其形成有多個貫通電極； 電子元件，其安裝在所述基底基板的一方的表面上；以及 蓋體，其收納所述電子元件，並與所述基底基板接合， 在從所述基底基板的另一方的表面露出的所述貫通電極的端面上、和所述端面的周圍的另一方的所述表面上形成有外部電極， 所述外部電極具有導電膜和通過化學鍍覆法在所述導電膜的表面上形成的化學鍍覆膜。
9.根據權利要求8所述的電子器件，其中， 所述貫通電極由鐵鎳系合金構成，所述導電膜由金屬膜構成，所述化學鍍覆膜由鎳或銅構成。
【文檔編號】H03H9/15GK103944530SQ201410027343
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年1月21日 優先權日:2013年1月23日
【發明者】上月敦詞 申請人:精工電子有限公司