一種多功能攝錄設備用的射頻調製電路的製作方法

2023-09-10 14:49:00 1

本發明涉及電子電路等技術領域，具體的說，是一種多功能攝錄設備用的射頻調製電路。

背景技術：

射頻技術（RF）是Radio Frequency的縮寫。較常見的應用有無線射頻識別（Radio Frequency Identification，RFID）,常稱為感應式電子晶片或近接卡、感應卡、非接觸卡、電子標籤、電子條碼等。其原理為由掃描器發射一特定頻率之無線電波能量給接收器，用以驅動接收器電路將內部的代碼送出，此時掃描器便接收此代碼。

接收器的特殊在於免用電池、免接觸、免刷卡故不怕髒汙，且晶片密碼為世界唯一無法複製，安全性高、長壽命。RFID的應用非常廣泛，目前典型應用有動物晶片、汽車晶片防盜器、門禁管制、停車場管制、生產線自動化、物料管理。RFID標籤有兩種：有源標籤和無源標籤。

自2004年起，全球範圍內掀起了一場無線射頻識別技術（RFID）的熱潮，包括沃爾瑪、寶潔、波音公司在內的商業巨頭無不積極推動RFID在製造、物流、零售、交通等行業的應用。RFID技術及其應用正處於迅速上升的時期，被業界公認為是本世紀最具潛力的技術之一，它的發展和應用推廣將是自動識別行業的一場技術革命。而RFID在交通物流行業的應用更是為通信技術提供了一個嶄新的舞臺，將成為未來電信業有潛力的利潤增長點之一。

無線射頻識別技術（Radio Frequency Identification），英文簡稱為「RFID」。

電子標籤，電子標籤即為 RFID 有的稱射頻標籤、射頻識別。它是一種非接觸式的自動識別技術，通過射頻信號識別目標對象並獲取相關數據，識別工作無須人工幹預，作為條形碼的無線版本，RFID技術具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標籤上數據可以加密、存儲數據容量更大、存儲信息更改自如等優點。

RFID技術，RFID射頻識別是一種非接觸式的自動識別技術，它通過射頻信號自動識別目標對象並獲取相關數據，識別工作無須人工幹預，可工作於各種惡劣環境。RFID技術可識別高速運動物體並可同時識別多個標籤，操作快捷方便。

短距離射頻產品不怕油漬、灰塵汙染等惡劣的環境，可在這樣的環境中替代條碼，例如用在工廠的流水線上跟蹤物體。長距射頻產品多用於交通上，識別距離可達幾十米，如自動收費或識別車輛身份等。

技術實現要素：

本發明的目的在於提供一種多功能攝錄設備用的射頻調製電路，將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉換，並採用射頻工作模式將轉換後的音頻信號和視頻信號傳輸到後級電路上以備進行後級處理，整個電路具有設計可以，使用合理等特點。

本發明通過下述技術方案實現：一種多功能攝錄設備用的射頻調製電路，設置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路，所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接；所述射頻輸出電路內設置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2，電容C6的第一端與後級射頻處理電路相連接，電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接，電容C7的第二端接地，電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接，電容C8的第二端接地，電感L2的第二端連接處理電路。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：在所述音頻信號輸入電路內設置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3，所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接，電容C1的第二端接地，電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接，電阻R2的第二端接地，電容C3的第二端連接處理電路。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述視頻信號輸入電路內設置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3，所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接，電容C13的第二端接地，電位器W1的第二固定端接地，電位器W1的可調端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接，電感L3的第二端與處理電路相連接。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述處理電路內設置有集成處理晶片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4，所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接，電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理晶片IC1的15腳相連接；電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理晶片IC1的2腳相連接，集成處理晶片IC1的2腳還通過電阻R4接地，集成處理晶片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端，電容C10的第二端連接集成處理晶片IC1的4腳；電感L4與電容C11並聯且連接在集成處理晶片IC1的4腳和5腳上；所述電感L3的第二端分別與集成處理晶片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接，電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接，電容R7的第一端連接集成處理晶片IC1的15腳，集成處理晶片IC1的14腳接地，集成處理晶片的13腳通過電容C15接地，集成處理晶片IC1的12腳通過電容C16接地，電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理晶片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接，晶振X1的第一端連接集成處理晶片IC1的11腳，電阻R8的第一端分別與集成處理晶片IC1的8腳和供電電路相連接，集成處理晶片IC1的7腳接地。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述供電電路內設置有電容C4和電容C5，電容C4和電容C5的第一端分別與前級供電電路和集成處理晶片IC1的8腳相連接，電容C4和電容C5的第二端接地，且前級供電電路採用+6V供電電源。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述電容C14採用電解電容，且電容C14的正極與電感L3相連接。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述集成處理晶片IC1採用型號為TA7673P的集成晶片。

進一步的為更好的實現本發明，特別採用下述設置方式：所述晶振X1採用85.25MHz的晶振晶片。

本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：

本發明將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉換，並採用射頻工作模式將轉換後的音頻信號和視頻信號傳輸到後級電路上以備進行後級處理，整個電路具有設計可以，使用合理等特點。

附圖說明

圖1為本發明的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式不限於此。

實施例1：

一種多功能攝錄設備用的射頻調製電路，將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進行轉換，並採用射頻工作模式將轉換後的音頻信號和視頻信號傳輸到後級電路上以備進行後級處理，整個電路具有設計可以，使用合理等特點，如圖1所示，特別採用下述設置方式：設置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路，所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接；所述射頻輸出電路內設置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2，電容C6的第一端與後級射頻處理電路相連接，電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接，電容C7的第二端接地，電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接，電容C8的第二端接地，電感L2的第二端連接處理電路。

在設計使用時，處理電路將音頻信號和視頻信號處理為能被射頻信號加載輸出的信號源並通過RF out節點輸送至後級射頻處理電路內，以備後續處理。

實施例2：

本實施例是在上述實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：在所述音頻信號輸入電路內設置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3，所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接，電容C1的第二端接地，電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接，電阻R2的第二端接地，電容C3的第二端連接處理電路。

在設計使用時，前級音頻處理電路內輸出的音頻信號將經過AUDIO in節點輸入到音頻信號輸入電路內進行音頻信號處理。

實施例3：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述視頻信號輸入電路內設置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3，所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接，電容C13的第二端接地，電位器W1的第二固定端接地，電位器W1的可調端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接，電感L3的第二端與處理電路相連接。

在設計使用時，前級視頻處理電路輸出的視頻信號將通過VIDEO in節點輸入到射頻信號輸入電路內進行視頻信號處理。

實施例4：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述處理電路內設置有集成處理晶片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4，所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接，電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理晶片IC1的15腳相連接；電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理晶片IC1的2腳相連接，集成處理晶片IC1的2腳還通過電阻R4接地，集成處理晶片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端，電容C10的第二端連接集成處理晶片IC1的4腳；電感L4與電容C11並聯且連接在集成處理晶片IC1的4腳和5腳上；所述電感L3的第二端分別與集成處理晶片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接，電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接，電容R7的第一端連接集成處理晶片IC1的15腳，集成處理晶片IC1的14腳接地，集成處理晶片的13腳通過電容C15接地，集成處理晶片IC1的12腳通過電容C16接地，電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理晶片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接，晶振X1的第一端連接集成處理晶片IC1的11腳，電阻R8的第一端分別與集成處理晶片IC1的8腳和供電電路相連接，集成處理晶片IC1的7腳接地；優選的電感L4採用可調磁芯電感。

實施例5：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述供電電路內設置有電容C4和電容C5，電容C4和電容C5的第一端分別與前級供電電路和集成處理晶片IC1的8腳相連接，電容C4和電容C5的第二端接地，且前級供電電路採用+6V供電電源。

實施例6：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述電容C14採用電解電容，且電容C14的正極與電感L3相連接。

實施例7：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述集成處理晶片IC1採用型號為TA7673P的集成晶片。

實施例8：

本實施例是在上述任一實施例的基礎上進一步優化，進一步的為更好的實現本發明，如圖1所示，特別採用下述設置方式：所述晶振X1採用85.25MHz的晶振晶片。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例，並非對本發明做任何形式上的限制，凡是依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本發明的保護範圍之內。