半導體處理裝置的控制方法
2023-09-16 11:25:55 1
專利名稱：半導體處理裝置的控制方法
技術領域：
本發明涉及半導體處理裝置的控制方法，特別是涉及不變更製法就能以高運轉率使用裝置的半導體處理裝置的控制方法。
背景技術：
蝕刻處理裝置等的半導體處理裝置的處理性能隨著反覆進行晶片處理，隨時間而變化。如果該經歷時間變化，則例如由蝕刻處理取得的晶片面的加工形狀變化，加工尺寸從管理基準值偏離。即發生工藝狀態的異常(工藝異常)。
圖9A、9B是說明工藝異常發生原因的圖。圖9A是表示溼清洗後的清淨狀態的處理容器(真空處理容器)的圖，圖9B是表示反覆進行晶片處理，在處理容器內壁面上堆積了堆積物(沉積物)的狀態的圖。在圖中，1是處理容器，2是安放被加工物即試料的試料安放電極，3是晶片等的試料，4是處理容器內生成的等離子體，5是處理容器內壁中堆積的堆積物(沉積物)。
如圖9B所示，在反覆進行晶片處理，在處理容器內壁面上堆積了堆積物(沉積物)的狀態下，由於該堆積物和處理容器內生成的等離子體的相互作用，等離子體的狀態變化，由於該等離子體狀態的變化，晶片的加工形狀(加工尺寸)變化。
該加工尺寸的變化是緩和的。可是，該經歷時間的變化引起的加工形狀的變化量不久就超過了允許範圍，變為能引起晶片面上形成的半導體器件性能問題的大小。即發生所述工藝異常。
圖10A、10B是說明發生所述工藝異常時進行處理的圖，圖10A是表示發生工藝異常時停止處理的例子的圖，圖10B是表示發生工藝異常時，變更後序晶片處理方法(製法)的例子的圖。
在表示發生工藝異常時停止處理的例子中，如圖10A所示，在晶片處理結束時(或晶片處理中)，根據監視工藝的監視器的檢測數據來診斷處理結果的可否(步驟S1、S2)，當處理結果異常時，停止後序晶片處理(步驟S6)，當處理結果正常時，進行後序處理(步驟S3)。然後，對各晶片重複繼續該動作(步驟S4、S5、S7)。
另外，在發生工藝異常時，變更後序晶片的處理方法(製法)的例子中，如圖10B所示，在晶片處理結束時(或者晶片處理中)，根據監視器的檢測數據來診斷處理結果的可否(步驟S1、S2)。當處理結果異常時，控制後序的晶片處理方法(變更製法)，處理後序晶片(步驟S6、S3)，當處理結果正常時，不變更製法，進行後序晶片處理(步驟S3)。然後，對各晶片重複繼續該動作(步驟S4、S5、S7)。
發明內容
當發生工藝異常時停止處理的方法(圖10A)，每當發現工藝異常時，停止半導體處理裝置，實施清洗等的恢復措施。因此，會發生裝置運轉率顯著下降的情形。為了防止裝置運轉率的下降，必須緩和地設定判斷工藝異常的水平。
另外，當發生工藝異常時，變更後序的晶片處理方法(製法)的方法(10B)存在半導體處理裝置運用上的問題。即製法是在設置半導體處理裝置的工廠內承認(認證)的事項，因此有時在變更所述製法時需要認證。半導體處理裝置與附屬於它的製法是一體的，當不認證就變更製法時，無法向所述半導體處理裝置的製造者追究處理結果的責任。
本發明是鑑於所述問題點而提出的，它提供不變更控制工藝的製法，就能以高運轉率使用的半導體處理裝置的控制方法。
本發明為了解決所述的課題，作為一個例子採用了以下的手段。
一種具有把包含真空處理容器、在該真空處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置和所述真空處理室內的等離子體清洗的工藝製法保持一定對工藝加以控制的工藝控制裝置的半導體處理裝置的控制方法，所述工藝控制裝置以所述半導體處理裝置內配置的傳感器檢測的傳感器數據為基礎，檢測所述工藝的異常，當檢測到異常時，執行除去所述真空處理容器內堆積的堆積物的恢復步驟。
如上所述，根據本發明，能提供不變更控制工藝的製法，就能以高運轉率使用的半導體處理裝置的控制方法。
下面簡要說明附圖。
圖1是說明本發明的實施例的半導體處理裝置的控制方法的圖。
圖2是說明判斷有無工藝異常的方法的圖。
圖3A、3B是說明判定恢復步驟中清洗處理結束的方法的圖。
圖4是說明恢復步驟的細節的圖。
圖5是說明恢復步驟的細節的圖。
圖6是說明其他實施例的圖。
圖7是說明其他實施例的圖。
圖8A～8C是說明趨勢預測的例子的圖。
圖9A、9B是說明發生工藝異常的原因的圖。
圖10A、10B是說明發生了工藝異常時的處理的圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖來說明本發明的實施例。如上所述，半導體處理裝置的處理性能伴隨著反覆進行晶片處理，而發生經歷時間的變化。隨著該經歷時間的變化，晶片面的加工尺寸就會從管理基準值偏移。即發生工藝異常。
如上所述，工藝異常的原因是因為在處理容器內部堆積了堆積物，該堆積物和等離子體相互作用的結果是等離子體中的游離基(活性化學物種)的平衡變化，它對加工形狀造成影響。
當晶片處理時，通常用25塊或13塊晶片構成一批，以批單位進行處理。這時，為了防止所述堆積物的堆積，在每處理一批晶片或每處理一塊晶片時插入清洗步驟。
清洗步驟是除去處理容器內堆積的堆積物的步驟，如果該清洗步驟的頻率和它所需的處理時間長期化，半導體處理裝置的運轉率就會下降。
可是，所述堆積物的堆積速度雖然是一點一點的，但是經過一定時間，就會產生變化。因此，如果預先把每處理所述一批晶片或每處理一塊晶片時插入的清洗步驟的清洗時間設定為一定，就會漸漸發生處理時間的嚴重不足。如果為了避免它而預先把清洗時間設定為稍微過剩，則構成處理容器的零件由於等離子體而消磨，表面變粗糙，會引起異物的產生或零件壽命的縮短。因此，預先設定幾乎適當的清洗時間。這時，雖然是局部的，但是堆積物漸漸附著，伴隨於此，加工形狀漸漸變化。
因此，如上所述，當設定幾乎適當的清洗時間，繼續處理時，適合一邊監視堆積物等引起的工藝異常，一邊進行處理，在檢測到工藝異常時，導入統一除去堆積的堆積物的恢復步驟。另外，所述恢復步驟並不一定都會成功，所以有必要判斷是否恢復了，在確認了它的成功後，進入後序的晶片處理。
圖1是說明本發明的實施例的半導體處理裝置的控制方法的圖。首先，把晶片搬入等離子體處理裝置內，進行規定的處理(步驟S101)。這時，使用監視器監視工藝狀態。當監視工藝狀態時，例如使用分光器作為監視器，檢測等離子體的發光頻譜。另外，能使用探頭等檢測向等離子體處理裝置供給的電壓、電流、相位差等電學量。另外，也能使用其他的測定等離子體特性的傳感器或測定處理容器的溫度的傳感器等。接著，把所述傳感器的檢測數據和標準處理時基準範圍(允許範圍)比較，判斷工藝是否正常。該判斷能在晶片處理結束後或處理中進行。
須指出的是，能使用OCD(光學CD)計測器等作為監視器來直接測量器件的線寬，判斷工藝異常的有無(晶片處理是否合適)(步驟S102)。
在步驟2中，如果判斷工藝狀態為正常，就開始後序的晶片處理(步驟S103)。
另外，如果在步驟2中，判斷工藝狀態為異常，就進入恢復步驟。恢復步驟是除去堆積在處理容器內壁等上的堆積物的清洗步驟，在該步驟中，使用適合於所述堆積物的除去的處理氣體。須指出的是，因為恢復步驟不是象批間清洗那樣頻繁進行的，所以即使用稍長的時間進行也不會使裝置的運轉率下降很多(步驟S106)。
如果恢復步驟結束，就以所述傳感器數據等為基礎，判斷所述恢復(清洗處理)是否成功了(步驟S107)。當判斷為恢復失敗時，停止半導體處理裝置的運轉，使所述處理裝置向大氣開放，執行清掃等維護。這時，能在該裝置的顯示器上顯示半導體處理裝置處理恢復失敗的狀態，或者通過通訊網絡通知用戶(步驟S108、S109)。
當判斷為恢復成功時，開始後序的晶片處理，然後對各晶片反覆繼續所述動作(步驟S103、S104、S105)。
圖2是說明判斷工藝異常有無的方法的圖。圖2是表示當通過半導體處理裝置在晶片面上形成FET時，晶片面的處理時得到的發光光譜為基礎而推斷的柵電極的加工尺寸的指標(●標記)(推斷值)和實測值(×標記)的例子的圖。如圖所示，因為指標與實測值很一致，所以能根據指標容易地管理實際的加工尺寸。在圖中，作為加工尺寸的基準範圍(允許範圍)，把加工尺寸的相對值設定為2～5。在該圖中，可知道批的最後晶片的處理結果勉強在允許範圍中。
當使用分光器作為傳感器時，當傳感器的數量非常多時，很難把這些傳感器的輸出數據分別與標準處理時的基準範圍(允許範圍)比較。這時，例如通過主成分分析壓縮所述傳感器數據，生成少數的指標即主成分分數，可以把生成的主成分分數代替傳感器數據使用。另外，通過組合主成分分數，能生成與處理後的加工尺寸相關的高指標。根據該方法，即使分光器輸出2000個波長的數據時，也可以只把數個指標與所述基準範圍(允許值)比較。
圖3A、3B是說明判定恢復步驟中的清洗處理的結束的方法的圖。在圖3A、3B所示的恢復步驟中，組合特性不同的兩個等離子體清洗處理(圖3A所示的清洗1和圖3B所示的清洗2)而執行。
如果通過基於恢復步驟的等離子體清洗，除去處理容器內壁的堆積物，則等離子體中的游離基的狀態漸漸變化。通過進行清洗，直到該發光光譜的變化消失，或變為微小，就能判斷除去了幾乎所有的堆積物。
即在基於恢復步驟的清洗處理的結束判定時，首先通過傳感器檢測傳感器發光的光譜，生成以檢測的發光光譜為基礎生成的主成分分數，以該主成分分數為基礎檢測清洗的進行程度即恢復的進行程度。當主成分分數在基準範圍內，並且所述主成分分數的變動在給定值以下時，判斷為清洗結束。當圖中的例子時，清洗1的結束後，實施與清洗1特性不同的清洗2。
須指出的是，在清洗進行了預先設定的一定時間後，通過例如所述傳感器確認它的結果，如果不充分，可以再次重複所述清洗。
可是，會存在無法用所述恢復步驟中的等離子體清洗除去的堆積物。這時，即使重複執行所述恢復步驟，傳感器數據也會有在所述基準範圍外不變化的時候。這時，因為恢復是不可能的，所以停止清洗處理。
圖4、5是說明恢復步驟的細節的圖，圖4說明加熱難以清洗的構件的例子的圖。在圖4中，8是加熱器等的加熱部件，6是等離子體清洗中難以除去的處理容器1的下部壁部分，7是處理容器1的上部壁部分。所述加熱部件5配置在所述處理容器1的下部壁部分或安放電極2的側壁上。須指出的是，在圖中，對於與圖9所示的部分相同的部分採用了相同的符號，省略了對它的說明。
如圖4所示，通過加熱器等加熱部件8一邊加熱用通常的等離子體清洗難以清洗的構件例如處理容器1的下部壁部分，一邊進行等離子體清洗。因為處理容器的加熱需要時間，所以在通常的清洗中，這樣的加熱處理在事實上接近不可能。而恢復步驟能用1～3小時左右的時間進行，通過加熱處理容器，能高效地除去堆積物。須指出的是，能進行冷卻，代替所述加熱。
圖5是說明向難以清洗的構件例如處理容器1的下部壁部分提供電位的例子的圖。在圖中，9是用於向難以清洗的構件(處理容器1的下部壁部分)供給高頻電力，使所述構件的附近產生等離子體的等離子體發生電極，10是向所述電極8供給電力的等離子體發生用高頻電源。須指出的是，關於與圖9和圖1所示的部分相同的部分採用了相同的符號，省略了對其的說明。
如圖5所示，通過高頻電源9向配置在用通常的等離子體清洗難以清洗的構件的附近的等離子體發生電極6外加高頻電壓，進行等離子體清洗。這樣，通過向難以清洗的構件附近供給高頻電力，在所述構件的附近產生高頻等離子體。據此，能高效地除去所述構件表面的堆積物。
恢復步驟是以在晶片的處理時間中的工藝製法保持一定的狀態下，控制工藝，並且對以批單位處理晶片的每批或以晶片單位處理晶片的每片實施通常的等離子體清洗的真空處理裝置為前提，監視這樣的真空處理裝置中經歷時間而發生的工藝異常，在檢測到工藝異常的時刻執行的清洗步驟。通過該步驟，能統一除去通過通常的等離子體清洗而無法除去的堆積物。
通常的等離子體清洗一般使用SF6、O2、Cl2氣體或它們的混合氣體生成等離子體，據此，除去處理容器內壁等上堆積的堆積物。清理時間因為生產能力的關係，通常是至少幾十分鐘。而所述恢復步驟是可以恢復處理容器的狀態的清理步驟。因此，用與所述通常的等離子體清洗不同的方法實施清洗。即所述恢復步驟以以下的(1)～(4)的任意一項為特徵的清洗步驟。
(1)是使用如果在所述通常的等離子體清洗中反覆使用，就會對處理容器內部的構件帶來損害的氣體(例如氯氣)，長時間進行的等離子體清洗。
(2)是一邊加熱或冷卻處理容器全體或用通常的等離子體清洗難以清洗的一部分的構件，一邊進行的等離子體清洗。因為處理容器的加熱或冷卻需要花費時間，所以在通常的清洗中無法進行這樣的加熱處理。恢復步驟能花費1～3小時左右的時間進行處理，通過處理容器的加熱或冷卻，能高效地除去堆積物。
(3)是向用通常的等離子體清洗難以清洗的構件供給高頻電力而進行的等離子體清洗。通過向難以清洗的構件供給高頻電力，在所述構件的附近產生高頻等離子體。據此，能高效地除去所述構件表面的堆積物(參照圖5)。
(4)是向用通常的等離子體清洗難以清洗的構件(例如處理容器1的下部壁部分)供給偏壓電位而進行的等離子體清洗。通過向難以清洗的構件供給偏壓電位，能把等離子體中的離子導入所述構件。據此，導入所述構件中的離子的能量增大，能高效地除去所述構件表面的堆積物。
(5)是讓用通常的等離子體清洗難以清洗的構件附近的等離子體密度上升而進行的等離子體清洗。據此，能高效地除去所述構件表面的堆積物。通過控制處理容器內形成的磁場的分布，能進行所述等離子體密度的控制。例如在ECR等離子體蝕刻裝置中，控制磁場分布，使ECR面變為構件附近。
須指出的是，在所述圖1所示的步驟1等中，當判斷為工藝異常時，可以從所述多個恢復步驟中，選擇適合於此時的工藝的恢復步驟來應用。
圖6是說明本發明的其他實施例的圖。在該例子中，在某一特定的晶片的處理後，當判斷為工藝異常時，等到該晶片所屬的批的處理結束後，轉移到恢復步驟。
在所述的實施例中，判斷各晶片的工藝異常的有無，當發生工藝異常時，插入恢復步驟。因此，在批處理中，插入恢復步驟。
可是，因為一批通常是統一處理的，所以，如果中斷批處理，插入恢復步驟，則晶片的加工形狀不連續地變化。因此，即使在批的處理中檢測到工藝異常，也繼續執行該批的處理，在批處理結束後，執行恢復步驟後，再進行後序的批處理。
如圖6所示，首先把晶片搬入等離子體處理裝置內，進行規定的處理(步驟S201)。這時，使用監視器監視工藝狀態。在監視工藝狀態時，使用例如分光器作為監視器，檢測等離子體的發光光譜。另外，能使用探頭等檢測向等離子體處理裝置供給的電壓、電流、相位差等電學量。另外，也能使用其他的測定等離子體特性的傳感器或測定處理容器的溫度的傳感器等。接著，把所述傳感器的檢測數據和標準處理時的基準範圍(允許範圍)比較，判斷工藝是否正常。該判斷能在晶片處理結束後或處理中進行(步驟S202)。
在步驟S202中，如果判斷工藝狀態為正常，就開始後序的晶片處理(步驟S203)。另外，在步驟2中，如果判斷工藝狀態為異常，就把判斷結果存儲到存儲器中。這時，不中斷處理，進入後序的晶片處理步驟即步驟203。然後，對各晶片重複所述動作，直到一批的處理結束(步驟S204、S205、S206)。
在一批的處理結束後，判斷在該一批的處理中是否發生了工藝異常(步驟S207)，當工藝異常時，執行所述恢復步驟。如果恢復步驟結束，就以所述傳感器數據等為基礎，判斷所述恢復(清洗處理)是否成功。當判斷為恢復失敗時，停止半導體處理裝置的運轉，把所述處理裝置對大氣開放，執行清掃等的維護。這時，能在該裝置的顯示器上顯示半導體處理裝置為恢復失敗的狀態，或者通過通訊網絡通知用戶(步驟S208、S209、S210、S211)。
當在步驟S207中判斷為恢復成功時，就開始下一批的處理，然後對各批重複所述動作(步驟S212～S217)。須指出的是，因為恢復步驟S208、判斷是否恢復了的步驟S209與圖1中說明的恢復步驟S106、判斷是否恢復了的步驟S107是同樣的，所以省略了詳細的說明。
圖7、圖8A～8C是說明其他實施例的圖。在該例子中，預測趨勢即在下一批的處理中是否會發生工藝異常，當預測為會發生工藝異常時，執行恢復步驟。
在本例子中，在批的處理中或處理後，從監視處理狀態的分光器等監視器的數據對各晶片計算用於判斷工藝異常的有無的指標。該指標為代表的傳感器數據、加工傳感器數據後得到的主成分分數等的數據。接著，使用所述指標，預測趨勢即在接著的處理中是否為發生工藝異常。當趨勢預測的結果為會發生工藝異常時，就執行恢復步驟，當恢復成功時，就開始下一批的處理。而當恢復處理失敗時，停止裝置，發出要進行維護的警告。
如圖7所示，首先，把晶片搬入等離子體處理裝置內，進行規定的處理(步驟S301)。這時，使用分光器等監視器來監視工藝狀態。接著，從所述分光器等的監視數據對各晶片計算用於判斷工藝異常的有無的指標。須指出的是，能使用探頭等檢測向等離子體處理裝置供給的電壓、電流、相位差等電學量。另外，也能使用其他的測定等離子體特性的傳感器或測定處理容器的溫度的傳感器等。接著，把所述傳感器的檢測數據和標準處理時的基準範圍(允許範圍)比較，判斷工藝是否正常。該判斷能在晶片處理結束後或處理中進行(步驟S302)。
在步驟S302中，如果判斷為工藝狀態正常，就開始後序的晶片處理(步驟S303)。另外，在步驟2中，如果判斷工藝狀態為異常，就把判斷結果存儲到存儲器中。這時，不中斷處理，進入後序的晶片處理步驟即步驟303。然後，對各晶片重複所述動作，直到一批的處理結束(步驟S304、S305、S306)。
接著，把用所述傳感器的檢測數據為基礎算出的指標為依據，預測趨勢即在下一批的處理中是否會發生工藝異常(步驟S307)。當趨勢預測的結果為會發生工藝異常時，執行恢復步驟(步驟S308、S309)，當預測為不會發生工藝異常時，開始下一批的處理(步驟S313～S318)。如果恢復步驟S309結束，就判斷恢復的成否，當判斷為恢復失敗時，停止半導體處理裝置的運轉，把所述處理裝置對大氣開放，執行清掃等的維護。這時，能在該裝置的顯示器上顯示半導體處理裝置為恢復失敗的狀態，或者通過通訊網絡通知用戶(步驟S310、S311、S312)。
根據該方法，因為在轉移到批處理之前判斷是否發生工藝異常，所以能避免在工藝異常的狀態下繼續晶片處理。
圖8是說明趨勢預測的例子的圖。圖8A是描繪了屬於某特定的批X的各晶片(晶片編號1～15)和該晶片的處理結果(加工尺寸的相對值)的圖，圖8(B)是描繪了屬於接著所述批X而處理的批X+1的各晶片(晶片編號1～15)和該晶片的處理結果(加工尺寸的相對值)的圖。這裡，批X的指標的平均值是3.5，批X+1的指標的平均值為4.2。
在該例子中，當從批X的處理轉移到批X+1的處理時，批內的指標的平均值上升了+0.7。因此，能推測接著的批X+2的處理中，批內的指標的平均值變為4.9。這時，如果假定批內的所述相對值的分布與批X+1的分布是同等的，則如圖8(C)所示，在批X+1的各晶片的指標加上0.7而得到的值成為批X+2的指標的預測值。在圖8C的例子中，從批X+2第五塊晶片開始，所述指標的預測值超過基準範圍。因此，在開始批X+2之前，實施恢復步驟。
在以上的說明中，說明以清洗處理為前提進行了恢復步驟。但是，根據半導體處理裝置或該處理裝置的處理工藝，能實施其他的處理。例如，能蝕刻矽(Si)的假晶片，在處理容器的內壁等堆積矽。另外，可以蝕刻搭載了鋁(Al)等的材料的假晶片，在處理容器的內壁等堆積鋁。根據這些處理，能把處理容器內初始化為與處理工藝對應的適當的狀態。
權利要求
1.一種半導體處理裝置的工藝控制方法，把包含真空處理容器、在該真空處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置和所述真空處理室內的等離子體清洗的工藝製法保持一定對工藝加以控制，所述工藝控制方法包含以下的步驟以所述半導體處理裝置內配置的傳感器檢測的傳感器數據為基礎，檢測所述工藝的異常；當檢測到所述工藝的異常時，執行除去所述真空處理容器內堆積的堆積物的恢復步驟。
2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中當在特定試料的處理後檢測到工藝上的異常時，在包含該試料的批的處理結束後，執行所述恢復步驟。
3.根據權利要求1所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置加熱部件。
4.根據權利要求1所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置等離子體發生電極。
5.根據權利要求1所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置供給偏壓電位的電極。
6.一種半導體處理裝置的工藝控制方法，把包含真空處理容器、在該真空處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置和所述真空處理室內的等離子體清洗的工藝製法保持一定對工藝加以控制，所述工藝控制方法包含以下的步驟以根據主成分分析而壓縮包含所述半導體處理裝置內配置的多個傳感器檢測的所述等離子體的發光光譜特性的傳感器數據而生成的主成分分數為基礎，檢測所述工藝的異常；當檢測到所述工藝的異常時，執行除去所述真空處理容器內堆積的堆積物的恢復步驟。
7.根據權利要求6所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中當在特定試料的處理後檢測到工藝上的異常時，在包含該試料的批的處理結束後，執行所述恢復步驟。
8.根據權利要求6所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置加熱部件。
9.根據權利要求6所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置等離子體發生電極。
10.根據權利要求6所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置供給偏壓電位的電極。
11.一種半導體處理裝置的工藝控制方法，把包含真空處理容器、在該真空處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置和所述真空處理室內的等離子體清洗的工藝製法保持一定對工藝加以控制，所述工藝控制方法包含以下的步驟以包含所述半導體處理裝置內配置的多個傳感器檢測的所述等離子體的發光光譜特性的傳感器數據為基礎，在後序的試料處理時，預測是否會發生工藝異常的趨勢，當判斷為會發生工藝異常時，執行除去所述真空處理容器內堆積的堆積物的恢復步驟。
12.根據權利要求11所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中當在特定試料的處理後檢測到工藝上的異常時，在包含該試料的批的處理結束後，執行所述恢復步驟。
13.根據權利要求11所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置加熱部件。
14.根據權利要求11所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置等離子體發生電極。
15.根據權利要求11所述的半導體處理裝置的工藝控制方法，其中在真空處理容器的下部壁部分設置供給偏壓電位的電極。
全文摘要
是在具有把包含真空處理容器、在該真空處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置和所述真空處理室內的等離子體清洗的工藝製法保持一定對工藝加以控制的半導體處理裝置的工藝控制方法，以所述半導體處理裝置內配置的傳感器檢測的傳感器數據為基礎，檢測所述工藝的異常，當檢測到異常時，執行除去所述真空處理容器內堆積的堆積物的恢復步驟。
文檔編號H05H1/00GK1527363SQ0311984
公開日2004年9月8日 申請日期2003年3月4日 優先權日2003年3月4日
發明者田中潤一, 山本秀之, 幾原祥二, 鹿子嶋昭, 之, 二, 昭, 田中 一 申請人:株式會社日立高新技術