用於製造光電子半導體器件的方法和光電子半導體器件與流程

2023-09-21 17:47:05 3

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背景技術：

對於如發光二極體的半導體器件已知如下構型：在所述構型中，將設置用於產生輻射的半導體晶片安裝在預製的殼體中。這種構型為了製造尤其緊湊的發光二極體而僅可困難地小型化。

該問題的從現有技術中已知的解決方案在於：構成殼體本體複合件，所述殼體本體複合件設置在矩陣狀設置的半導體晶片之間。殼體本體複合件例如能夠藉助於灌封法來製造。在隨後的方法步驟中，將殼體本體複合件分割成多個光電子半導體器件，使得每個分割的半導體器件具有至少一個半導體晶片和殼體本體複合件的一部分作為殼體本體。此外，如此製造的半導體器件通常包括由轉換波長的轉換材料構成的轉換元件。

技術實現要素：

要實現的目的在於：提出一種用於製造多個光電子半導體器件的方法，所述光電子半導體器件具有由靈敏的轉換材料構成的轉換元件，所述轉換元件同時具有扁平的構型。另一要實現的目的在於：提出一種光電子半導體器件，所述光電子半導體器件具有由靈敏的轉換材料構成的轉換元件，所述光電子半導體器件具有提高的使用壽命。

此外，所述目的通過根據獨立權利要求的方法或半導體器件實現。設計方案和適當方案是從屬權利要求的主題。

提出一種用於製造多個光電子半導體器件的方法。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有提供多個設置用於產生電磁輻射的半導體晶片的步驟。半導體晶片尤其具有半導體本體，所述半導體本體具有設置用於產生電磁輻射的有源區域。半導體本體、尤其有源區域例如包含III-V族化合物半導體材料。此外，半導體晶片尤其包括載體，在所述載體上設置有半導體本體。例如，載體是用於半導體本體的半導體層的生長襯底。替選地，載體與用於半導體本體的半導體層的生長襯底不同。在該情況下，載體用於機械地穩定半導體本體，使得生長襯底對此不是必需的並且能夠移除。移除生長襯底的半導體晶片也稱作為薄膜半導體晶片。

在此，在此處和在下文中，一個層或一個元件設置或施加在另一層或另一元件「上」或「上方」表示：這一個層或者這一個元件直接地以直接機械和/或電接觸的方式設置在另一層或另一元件上。此外也能夠表示：這一個層或這一個元件間接地設置在另一層或另一元件上或上方。於是在此，能夠將其他的層和/或元件設置在這一個層和另一層之間。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有將多個半導體晶片設置在一個平面中的步驟。在此，半導體晶片沿橫向方向彼此間隔開。在此和在下文中，將橫向方向理解為平行於如下平面的方向：在所述平面中設置有半導體晶片。類似地，將豎直方向理解為垂直於所述平面的方向。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有構成殼體本體複合件的步驟，所述殼體本體複合件至少局部地設置在半導體晶片之間。殼體本體複合件尤其能夠藉助於灌封法來製造。

在此，全部如下製造方法都屬於術語灌封法：其中將模塑料引入到預設的模具中並且尤其隨後硬化。特別地，術語灌封法包括灌封(Casting)、噴射成型(Injection Molding)、注塑成型(Transfer Molding)、模壓成型(Compression Molding)和點膠。優選地，殼體本體複合件通過模壓成型或通過薄膜輔助的灌封法(Film Assisted Transfer Molding)構成。殼體本體複合件例如能夠具有填充的或未填充的灌封樹脂(例如環氧樹脂或矽樹脂)。殼體本體複合件能夠具有在50μm和500μm之間的、優選在100μm和200μm之間的、典型大約150μm的厚度。優選地，殼體本體複合件通過白色材料形成。

根據方法的至少一個實施方式，施加在構成殼體本體複合件時應用的環繞成形材料，使得所述環繞成形材料分別至少部分地、優選完全地覆蓋半導體晶片的側面和/或半導體晶片的後側。例如，半導體晶片在此能夠被包覆成形並且隨後打薄殼體本體複合件，使得局部地露出半導體晶片。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有構成多個轉換元件的步驟。每個轉換元件包括轉換波長的轉換材料，並且設置在半導體晶片中的一個半導體晶片上。在構成殼體本體複合件之前，和可選地甚至還在下述時間點之前，轉換元件已經能夠設置在半導體晶片上：在所述時間點，所述轉換元件設置在一個平面中、例如固定在輔助載體或結構化的金屬複合件上。

在此，轉換波長的轉換材料的特徵在於：由半導體晶片發射的電磁輻射的波長在轉換材料處轉換。轉換元件由此構成用於：將在半導體晶片中產生的、具有第一波長的初級輻射轉換成具有與第一波長不同的更長波長的次級輻射。例如，半導體器件設置用於產生混合光，尤其對於人眼顯得白色的混合光。例如，通過轉換元件將藍色的電磁輻射至少部分地或完全地轉換成紅色的和/或綠色的輻射。

轉換元件尤其包括靈敏的轉換波長的轉換材料。靈敏的轉換材料的特徵例如在於：轉換材料在與例如氧和/或水接觸時能夠通過例如氧化破壞和/或損壞。此外，靈敏的轉換材料能夠靈敏地對溫度波動做出反應，並且由於這種溫度波動例如損害其功能。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有對多個轉換元件至少在其側向邊緣處藉助封裝材料進行封裝的步驟，所述封裝材料與轉換材料不同。封裝材料構成用於：保護轉換元件免受溼氣和氧影響。例如，封裝材料能夠具有水蒸氣透射率，所述水蒸氣透射率最高為1×10-3g/m2/日，例如為3×10-4g/m2/日，優選最高為1×10-6g/m2/日，尤其優選最高為1×10-8g/m2/日。

根據方法的至少一個實施方式，方法包括將殼體本體複合件分割成多個光電子半導體器件的步驟，其中每個半導體器件具有至少一個半導體晶片、轉換元件和殼體本體複合件的一部分作為封裝本體。殼體本體因此在分割時進而在半導體晶片已經處於殼體本體中的時間點才由殼體本體複合件構成。分割殼體本體複合件的結果是：所形成的光電子半導體器件的側面在殼體本體的區域中具有分割痕跡。

有利地，在所形成的光電子半導體器件中實現對轉換元件的緊密的且完全的封裝，而全部或至少大部分的生產步驟在複合件層面上進行，這允許尤其經濟地製造光電子半導體器件。同時，所形成的光電子半導體器件具有尤其扁平的且緊湊的構型，由此所述光電子半導體器件例如適合於使用在背光照明裝置中。

根據方法的至少一個實施方式，轉換材料包括轉換波長的量子點。例如，轉換元件包括基體材料，其中轉換波長的量子點被引入到基體材料中。

通過將量子點用作為轉換材料，有時實現良好的顯色性，因為經轉換的電磁輻射相對窄帶進而不產生不同光譜顏色的混合。例如，經轉換的輻射的光譜具有至少20nm至最高60nm的波長寬度。這能夠實現產生光，所述光的顏色能夠極其精確地與一個光譜範圍相關聯。由此，在背光裝置中使用光電子半導體器件時能夠實現大的色域。

量子點優選為納米顆粒，即具有納米範圍中大小的微粒。量子點包括半導體核，所述半導體核具有轉換波長的特性。半導體核例如能夠藉助CdSe、CdS、InAs、CuInS2、ZnSe(例如Mn摻雜)和/或InP形成，並且例如是摻雜的。為了與紅外輻射應用，半導體核例如能夠藉助CdTe、PbS、PbSe和/或GaAs形成，並且同樣例如是摻雜的。半導體核能夠由多個層包覆。換言之，半導體核能夠在其外面上完全地或幾乎完全地由另外的層覆蓋。

量子點的第一包覆層例如藉助無機材料、例如ZnS、CdS和/或CdSe形成，並且用於產生量子點電勢。第一包覆層和半導體核由至少一個第二包覆層在露出的外面上幾乎完全地包圍。第二層例如能夠藉助有機材料、例如胱胺或半胱氨酸形成，並且有時用於改進量子點在例如基體材料和/或溶劑中的可溶性(也能夠使用胺類、含硫的或含磷的有機化合物)。在此可行的是：由於第二包覆層，改進量子點在基體材料中的空間均勻的分布。

根據方法的至少一個實施方式，多個轉換元件通過從轉換薄膜中分割來形成，所述轉換薄膜包括轉換材料。優選地，轉換薄膜包括兩個阻擋層，在所述阻擋層之間設置有轉換材料，並且所述阻擋層用於保護免受溼氣和氧影響。在該情況下足夠的是：通過分割形成的轉換元件在其側向邊緣處、即在如下區域中設有封裝件：在所述區域中分開(進而敞開)轉換薄膜並且在所述區域中不受保護地露出轉換材料，通過所述封裝件連同阻擋層確保全方位地對轉換材料進行充分保護。

根據方法的至少一個實施方式提出：轉換薄膜固定在殼體本體複合件和半導體晶片上。例如，能夠利用矽樹脂或雜化聚合物粘貼或替選地層壓轉換薄膜。在固定之後才分開轉換薄膜，以構成轉換元件。這能夠通過如下方式進行：將溝槽引入到轉換薄膜中，所述溝槽限定轉換元件，所述轉換元件在此構成在半導體晶片上。隨後，轉換元件例如至少在溝槽的區域中、即在通過分割形成的轉換元件的側向邊緣處藉助封裝材料來封裝。優選地，封裝在構成溝槽之後及時地(例如在一小時之內，優選在30分鐘之內)進行，以便防止過強地損壞轉換材料。

通過將溝槽引入到轉換薄膜中構成轉換元件具有如下目的：在隨後製造的半導體器件中對輻射出射面適當地限界並且提高器件的效率。

根據方法的至少一個實施方式，通過覆層方法封裝轉換元件。封裝例如能夠藉助原子層沉積(ALD)和/或化學氣相沉積(CVD)和/或濺射進行。化學氣相沉積的應用也能夠以等離子增強的方式進行。例如能夠使用Al2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Si3N4、矽氧烷和/或SiOxNy作為封裝材料。此外，應用帕利靈是可行的。也能夠應用其他有機或無機材料或其組合。封裝材料能夠包括鏡反射的材料，優選非金屬的、鏡反射的材料，例如白色塑料，如白色環氧樹脂或所提出的材料中的一種。

根據方法的至少一個實施方式提出，轉換元件通過灌封工藝來封裝。在此，全部上述製造方法屬於術語灌封法，其中將模塑料引入到預設的模具中。

根據方法的至少一個實施方式提出，首先將轉換薄膜分割成轉換元件，並且轉換元件構成在半導體晶片上。在此，在將轉換薄膜/轉換元件固定在半導體晶片上之前或之後，將轉換薄膜分割成轉換元件。隨後才構成殼體本體複合件。在此優選的是：殼體本體複合件對多個轉換元件至少在其側向邊緣處進行封裝。因此，封裝在構成殼體本體複合件期間進行，例如在用於其的(優選薄膜輔助的)灌封法期間進行。封裝材料在此優選包括環氧樹脂。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有提供輔助載體的步驟。輔助載體能夠柔性地構成，例如構成為薄膜，或剛性地構成。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有將多個半導體晶片固定在輔助載體上的步驟。在此，光電子半導體晶片在橫向方向上彼此間隔開。橫向方向在該情況下與輔助載體的主延伸平面重合。例如，輔助載體能夠構成為粘貼薄膜，半導體晶片附著在所述粘貼薄膜上。當然，多個半導體晶片不一定必須直接設置在輔助載體上。足夠的是：半導體晶片例如設置在粘附層上，所述粘附層覆蓋輔助載體，使得所述半導體晶片至少間接地固定在輔助載體上。

根據方法的至少一個實施方式，方法包括移除輔助載體的步驟，例如通過使輔助載體脫層。這優選直接在構成殼體本體複合件之後進行，當然也能夠在稍後的時間點進行。

根據方法的至少一個實施方式，轉換薄膜在移除輔助載體之後固定在殼體本體複合件和半導體晶片上。轉換薄膜優選構成在殼體本體複合件的下述側上：輔助載體在其移除之前設置在所述側上。這就是說，轉換薄膜基本上處於輔助載體的部位處。

根據方法的至少一個實施方式，方法具有將多個半導體晶片固定在結構化的金屬複合件上的步驟。光電子半導體晶片在此在橫向方向上彼此間隔開。在該情況下，橫向方向與結構化的金屬複合件的主延伸平面重合。在將殼體本體複合件分割成多個光電子半導體器件之後，於是每個半導體器件具有結構化的金屬複合件的至少一部分作為導體框。

根據方法的至少一個實施方式，轉換元件還在其上側上藉助封裝材料來封裝，其中封裝材料構成為是透明的。在此和在下文中，將轉換元件的前側理解為背離與轉換元件連接的半導體晶片的一側。將半導體晶片的後側理解為類似於半導體晶片的背離轉換元件的一側。

根據至少一個實施方式，光電子半導體器件具有設置用於產生電磁輻射的半導體晶片。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，半導體器件具有殼體本體，所述殼體本體在橫向方向上包圍半導體晶片。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，在半導體晶片上設置有轉換元件，所述轉換元件包括轉換波長的轉換材料。至少在轉換元件的側向邊緣處設有由封裝材料構成的封裝件，所述封裝材料與轉換材料不同。例如，封裝件能夠包括金屬層，尤其鏡反射的金屬層，吸收的或非金屬的鏡反射層。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，殼體本體的側面具有分割痕跡。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，封裝件的至少一個側面和殼體本體的至少一個側面彼此平接。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，半導體器件在後側上具有用於接觸半導體晶片的兩個接觸部。將半導體器件的後側理解為半導體器件的對應於半導體晶片的後側的一側。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，半導體器件還具有導體框。優選地，兩個接觸部在半導體器件的後側上通過導體框的一部分形成。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，導體框在半導體器件的至少一個側面上局部地露出。

用於製造光電子半導體器件的上述方法尤其適合於製造該光電子半導體器件。結合方法詳述的特徵因此也能夠考慮用於半導體器件或者反之亦然。

附圖說明

從下面結合附圖對實施例的描述中得出其他的特徵、設計方案和適當方案。

相同的、同類的或起相同作用的元件在附圖中設有相同的附圖標記。

附圖和在附圖中示出的元件彼此間的大小關係不能夠視為是合乎比例的。更確切地說，為了更好的可視性和/或為了更好的理解能夠誇大地示出個別元件和尤其層厚度。

附圖示出：

圖1A至1I、2A至2C、3A至3C、4A至4G和5A至5E分別根據各以示意剖面圖示出的中間步驟示出用於製造光電子半導體器件的方法的實施例。

具體實施方式

在圖1A至1I中示出用於製造多個光電子半導體器件的方法的第一實施例。

如在圖1A中示出的，首先提供輔助載體2。例如自粘薄膜適合於輔助載體2。替選地，也能夠藉助於臨時粘結劑進行半導體晶片的固定。在圖1A中示出的方法步驟中，將多個半導體晶片4直接固定在輔助載體2上。半導體晶片4矩陣狀地設置並且沿橫向方向、即沿平行於輔助載體2的主延伸平面的方向彼此間隔開。下面的描述針對發射電磁輻射的半導體器件進行。半導體晶片例如是輻射二極體半導體晶片，例如發光二極體半導體晶片。

半導體晶片4沿豎直方向在前側42和後側44之間延伸。此外，半導體晶片4具有側面46。半導體晶片4設置在輔助載體2上，使得前側42面向輔助載體2。

在隨後的、在圖1B中示出的方法步驟中，通過模壓產生殼體本體複合件8，所述殼體本體複合件填充相鄰的半導體晶片4之間的區域。

在後續的、在圖1C中示出的方法步驟中，例如藉助於機械方法、如磨削，將殼體本體複合件8從背離輔助載體2的一側起打薄，使得露出半導體晶片的後側44。此外，將輔助載體2通過脫層移除，使得也露出半導體晶片的前側42。

通過半導體晶片4在後側44的區域中露出，可行的是：從半導體晶片的後側起接觸半導體晶片。在圖1D中示例地示出前側接觸部52和後側接觸部54，所述前側接觸部和後側接觸部能夠對半導體晶片4供給電流。為了更好的圖形視圖，將在圖1C中示出的結構在圖1D中轉動180°。前側接觸部52和後側接觸部54在隨後形成的半導體器件中從所述半導體器件的後側起可被觸及，以進行接觸。

在圖1E中，在移除的輔助載體的部位處存在轉換薄膜10，所述轉換薄膜利用在當前情況下由矽樹脂構成的粘膠6粘貼到半導體晶片的前側52以及殼體本體複合件8上。替選地，轉換薄膜10就其而言能夠包括粘結層並且由此固定在半導體晶片的前側42以及殼體本體複合件8上(未示出)。

在隨後的、在圖1F中示出的方法步驟中，通過將溝槽14引入到轉換薄膜10中，分開轉換薄膜10以構成轉換元件12，所述溝槽限定轉換元件12。溝槽14在當前的情況下穿過轉換薄膜10和矽樹脂粘膠6延伸進入到殼體本體複合件8中，進而完全地分開轉換薄膜10。

隨後，構成金屬覆層16，所述金屬覆層覆蓋轉換元件12和溝槽14，其中事先將光刻膠22施加到轉換元件12的下述區域上：所述區域應在製成的半導體器件中露出並且用作為輻射出射面(見圖1G)。金屬覆層16在溝槽14的區域中、即在轉換元件12的側向邊緣20處形成封裝件18，所述封裝件保護所述轉換元件免受空氣和溼氣影響。

優選地，金屬覆層16的構成在構成溝槽14之後及時地(例如在一小時之內，優選在30分鐘之內)進行，以便防止過強地損壞轉換材料。

隨後，利用適當的溶劑移除局部施加的光刻膠22，使得金屬覆層16僅在如下區域中保留：在所述區域中，所述金屬覆層期望作為封裝件18(見圖1H)。為了分割成半導體器件100，沿著分割線24分開殼體本體複合件8。這例如能夠機械地、例如藉助於鋸割，化學地、例如藉助於刻蝕和/或藉助於幹涉輻射、例如通過雷射剝離來進行。

每個所形成的半導體器件100具有至少一個半導體晶片4、轉換元件12和殼體本體複合件的一部分作為殼體本體82(見圖1I)，其中所述轉換元件具有側向的封裝件18。此外，光電子半導體器件100在其後側上具有用於接觸半導體晶片4的兩個接觸部52、54。

分割殼體本體複合件的結果是：殼體本體82的側面24和封裝件18的側面26具有分割痕跡。此外，封裝件18的側面26和殼體本體82的側面24彼此平接。

在圖2A至2C中示出的實施例基本上對應於結合圖1A至1I描述的實施例。圖2A在此對應於圖1F。在圖1F中示出的步驟之前實施的全部方法步驟在這兩個實施例中相符。

與在圖1G中示出的方法步驟不同，當前，透明的覆層由帕利靈構成(例如通過自由基引發的聚合)，所述覆層覆蓋轉換元件12和溝槽14(參見圖2B)。由帕利靈28構成的覆層不僅在溝槽14的區域中、即在轉換元件12的側向邊緣20處、而且也在轉換元件12的全部前側的面30上形成封裝件18，所述封裝件保護所述轉換元件免受空氣和溼氣影響。代替帕利靈，覆層也能夠由其他材料構成，例如通過ALD或CVD構成。

殼體本體82的側面24和封裝件18的側面26在製成的半導體器件100中又具有分割痕跡(見圖2C)。此外，封裝件18的側面26和殼體本體82的側面24彼此平接。

在圖3A至3C中示出的實施例基本上同樣對應於結合圖1A至1I描述的實施例。圖3A在此對應於圖1F。在圖1F中示出的步驟之前實施的全部方法步驟在這兩個實施例中相符。

與在圖1G中示出的方法步驟不同，當前，溝槽14藉助下述材料灌封：所述材料在殼體本體複合件8的較早的構成方案中在圖1B中示出的方法中應用(見圖3B)。這就是說，殼體本體複合件8擴展為，使得其現在穿過溝槽14延伸直至在圖3B中示出的整個複合件的前側。殼體本體複合件8和隨後還有分割的半導體器件100的殼體本體82在溝槽14的區域中、即在轉換元件12的側向邊緣20處形成封裝件18，所述封裝件保護所述轉換元件免受空氣和溼氣影響。殼體本體82的側面24又具有分割痕跡(見圖3C)。

在圖4A至4G中示出用於製造多個光電子半導體器件的另一實施例，所述實施例基本上對應於結合圖1A至1I描述的實施例，然而其中不應用輔助載體。

在圖4A中示出的方法步驟中，當前將多個半導體晶片4固定在結構化的金屬複合件32上。當前構成為倒裝晶片的半導體晶片4矩陣狀地設置，並且沿橫向方向、即沿平行於結構化的金屬複合件32的主延伸平面的方向彼此間隔開。結構化的金屬複合件32由局部分開的金屬層構成，使得構成多個島狀的金屬結構。半導體晶片4優選固定在結構化的金屬複合件上，使得其分別設置在兩個相鄰的島狀的金屬結構上。

在隨後的、在圖4B中示出的方法步驟中，又產生殼體本體複合件8，所述殼體本體複合件填充相鄰的半導體晶片4之間的區域和相鄰的島狀的金屬結構之間的區域。此外，打薄殼體本體複合件8，使得露出半導體晶片4的前側42。

在隨後的、在圖4C中示出的方法步驟中，類似於圖1E，利用由矽樹脂構成的粘膠6將轉換薄膜10粘貼到半導體晶片的前側42以及殼體本體8上。

在圖4D至4F中示出的方法步驟基本上對應於在圖1F至1H中示出的步驟。

在圖4D中示出的方法步驟中，通過將溝槽14引入到轉換薄膜10中，又將轉換薄膜10分開以構成轉換元件12，所述溝槽限定轉換元件12。隨後，構成金屬覆層16(參見圖4E)，所述金屬覆層覆蓋轉換元件12和溝槽14，其中事先將光刻膠22施加到轉換元件12的下述區域上：所述區域在製成的半導體晶片中應露出並且用作為輻射出射面。金屬覆層16在溝槽14的區域中、即在轉換元件12的側向邊緣20處形成封裝件18，所述封裝件保護所述轉換元件免受空氣和溼氣影響。

隨後，又利用適當的溶劑移除局部施加的光刻膠22，使得金屬覆層16僅在如下區域中保留：在所述區域中，所述金屬覆層作為封裝件18是期望的(見圖4F)。為了分割成半導體器件100，沿著分割線24分開殼體本體複合件8。

每個所形成的半導體器件100具有至少一個半導體晶片4、轉換元件12和殼體本體複合件的一部分作為殼體本體82(見圖4G)，其中所述轉換元件具有側向的封裝件18。此外，光電子半導體器件100具有兩個導體框34、36，所述導體框適合於從半導體器件的後側起接觸半導體晶片4，並且所述導體框通過在分割時切開結構化的金屬複合件32形成。

分割殼體本體複合件的結果是：殼體本體82的側面24和封裝件18的側面26以及在當前的實施例中還有兩個導體框34、36的側面38具有分割痕跡。此外，封裝件18的側面26、殼體本體82的側面24和兩個導體框34、36的側面38彼此平接。

在圖5A至5E中示出用於製造多個光電子半導體器件的方法的另一實施例。

如在圖5A中示出的，多個半導體晶片4又直接固定在輔助載體2上。與之前的實施例不同，首先將未示出的轉換薄膜分割成轉換元件12，所述轉換元件固定在半導體晶片4上(見圖5B)。在此，能夠在將轉換薄膜/轉換元件固定在半導體晶片4上之前或之後將轉換薄膜分割成轉換元件12。

在隨後的、在圖5C中示出的方法步驟中，產生殼體本體複合件8，所述殼體本體複合件不僅填充相鄰的半導體晶片4之間的區域，而且也填充相鄰的轉換元件12之間的區域，並且由此對其在其側向邊緣20處進行封裝。因此，在構成殼體本體複合件8期間進行封裝。轉換元件12的前側已經露出並且未被殼體本體複合件12覆蓋。因此，取消從背離輔助載體2的一側起將殼體本體複合件8打薄的必要性。

在隨後的、在圖5D中示出的方法步驟中，通過脫層移除輔助載體2。為了分割成半導體器件100，又沿著分割線24分開殼體本體複合件8。

每個所形成的半導體器件100具有至少一個半導體晶片4、轉換元件12和殼體本體複合件的一部分作為殼體本體82，所述殼體本體同時構成轉換元件12的側向封裝件18(見圖5E)。分割殼體本體複合件的結果又是：殼體本體82的側面24具有分割痕跡。

本發明不受限於根據實施例進行的描述。更確切地說，本發明包括各個新的特徵以及特徵的各個組合，這尤其包含權利要求中的特徵的各個組合，即使所述特徵或所述組合本身沒有在權利要求或實施例中明確地說明時也是如此。