等離子體處理裝置的製作方法
2023-09-21 13:50:15 1
專利名稱：等離子體處理裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種對被處理基板進行蝕刻等的等離子體處理的等離子體處理裝置。
背景技術：
在半導體器件或者液晶顯示裝置的製造工序中，為了在稱為半導體晶片或者玻璃基板的被處理基板上進行蝕刻處理或者成膜處理等的等離子體處理，使用等離子體蝕刻裝置或者等離子體CVD成膜裝置等等離子體處理裝置。
作為等離子體處理裝置中發生等離子體的方法，已經知道，對配置有平行平板電極的腔室內提供處理氣體，對該平行平板電極提供規定的功率，通過電極間的電容耦合來發生等離子體的方法，或者通過導入到腔室內的微波導致的電場和配置在腔室外的磁場發生裝置導致的磁場來加速電子，使該電子與處理氣體的中性分子碰撞，電離中性分子，由此產生等離子體的方法。
在利用由微波導致的電場和由磁場發生裝置導致的磁場的磁控管效果的後者的方法情況下，規定功率的微波通過導波管/同軸管，提供給腔室內配置的天線，來自該天線的微波發射到腔室內的處理空間。
圖8是表示已有的一般微波導入裝置的大致構成的說明圖。微波導入裝置90大致包括微波振蕩器91，其具有輸出調整為規定功率的微波的磁控管91a和對該磁控管91a供給規定頻率的陽極電流的微波發生電源91b；將從微波振蕩器91輸出的微波向腔室內的處理空間發射的天線94；將從天線94向微波振蕩器91返回的反射微波進行吸收的隔離器92；具有對天線94進行匹配的調諧器，使得反射微波的功率變小，進行從導波管向同軸管的連接的匹配器93(例如參照專利公報第2722070號和特開平8-306319號公報)。
發明內容
但是，由於在使用磁控管91a的微波振蕩器91中，磁控管91a的壽命為約半年那樣短，所以具有裝備成本和維修費用增加這樣的問題。另外，磁控管91a的振蕩穩定性約1％，可輸出穩定性是3％左右，其離散度大，所以發出穩定的微波是困難的。
本發明是鑑於這些問題作出的，其目的在於，提供一種具有長壽命的微波振蕩器的等離子體處理裝置。另外，本發明的目的在於，提供一種具有能夠穩定地供給微波的微波振蕩器的等離子體處理裝置。
作為解決這樣的問題的方法，本發明發明者們在先提出了使用半導體放大元件來將微波放大到規定的輸出的等離子體處理裝置(專利申請2002-288769號，下面稱為「在先申請」)。圖7是表示具有使用該在先申請的半導體放大元件的微波振蕩器的微波導入裝置的大致構成的說明圖。
微波導入裝置80具有振蕩規定功率的微波的微波振蕩器80a；隔離器85，吸收從微波振蕩器80a輸出的微波中從天線87向微波振蕩器80a返回的反射微波；天線87，將通過設置在腔室內的隔離器85輸出的微波向著腔室的處理空間振蕩；匹配器86，對天線87進行匹配，以降低來自天線87的反射微波。
另外，微波振蕩器80a具有發生微波的微波發生器81；將從微波發生器81輸出的微波分配成多個(在圖7中表示分配給4路的情況)微波的分配器82；將從分配器82輸出的4路各微波分別放大到規定功率的4個固態放大器(solid state amplifier)83；合成各個固態放大器83所放大的微波的合成器84。
微波發生器81具有發生規定頻率(例如2.45GHz)的微波的微波發生源(生成器)81a；將由微波發生源81a所發生的微波功率衰減到規定電平的可變衰減器81b。
固態放大器83具有將輸入的微波進一步分配成多個微波的副分配器83a(圖7表示分配成4個系統的情況)；半導體放大元件83b，將從副分配器83a輸出的微波放大到規定的功率；副合成器83c，合成從各個半導體放大元件83b輸出的放大的微波。
根據這樣的微波導入裝置，由於半導體放大元件83b進行功率放大，所以裝置壽命是半永久的，另外，能夠將輸出穩定的微波向腔室內發射。
但是，在這樣的微波導入裝置80中，需要在固態放大器83內進行阻抗匹配，此外要進行分配器82和合成器84的阻抗匹配。在阻抗不匹配的情況下，功率損失大。特別是，在等離子體處理裝置中，例如，需要向天線87傳送2～3kW的微波，在微波導入裝置80中，這樣大功率的微波需要由合成器84來合成。為此，特別是在合成器84中，為了抑制微波的功率損失，要求更精密的阻抗匹配。
此外，由於從合成器84輸出的大功率微波傳送到隔離器85，所以隔離器85也需要幾千瓦級的大型隔離器。因此，發生隔離器85的設置位置的自由度少的問題，和隔離器85本身價格高昂的問題。此外，由於合成後的微波通過1個同軸管向天線87傳送，所以從天線87輸出的微波的輸出分布不能進行調整。
本發明解決所述在先申請的微波導入裝置所產生的這些問題，即，傳送損失增大的問題、供給微波的裝置大型化的問題、以及發射的微波的功率分布不能調整的問題。
根據本發明，提供一種等離子體處理裝置，其特徵在於，具有容納被處理基板的腔室；向所述腔室內提供處理氣體的氣體供給裝置；微波導入裝置，向所述腔室內導入等離子體生成用的微波，所述微波導入裝置具有輸出多個規定輸出的微波的微波振蕩器；天線部，具有分別傳送從所述微波振蕩器輸出的多個微波的多個天線。
根據本發明，各個微波分別傳送到構成天線部的多個天線，所以，在直到天線部的傳送線路中不需要合成大功率的微波。因此，由於不需要合成器，所以能夠完全避免由合成器導致的功率損失的發生。另外，能夠減小傳送到各個天線部的各個微波的輸出，所以，不必使用大功率用的隔離器。通過這樣，也能夠避免微波振蕩器的大型化。此外，也能夠對構成天線部的多個天線分別提供不同功率的微波，由此也能夠調整從天線部發射的微波的輸出分布。
優選地，所述微波振蕩器具有發生低功率的微波的微波發生器；將由所述微波發生器所發生的微波分配成多個微波的分配器；將從所述分配器輸出的微波放大到規定的功率的多個放大器部，從所述多個放大器部輸出的多個微波，分別向所述多個天線傳送。
在這種情況下，如果所述多個放大器部的每個具有將從所述分配器輸出的各個微波衰減到規定電平的可變衰減器；將從所述可變衰減器輸出的微波放大到規定功率的固態放大器；隔離器，分離從所述固態放大器向所述天線輸出的微波中返回到固態天線的反射微波；調整所述反射微波的功率的匹配器，通過調整各個可變衰減器的衰減率，能夠對多個天線分別提供不同功率的微波。通過這樣，能夠調整腔室內發生的等離子體分布。
所述隔離器能夠具有熱變換所述反射微波的等效負載(dummyload)；將從所述固態放大器輸出的微波向所述天線導入，將來自所述天線的反射微波向所述等效負載導入的循環器。
這種情況下，由於從1臺固態放大器輸出的微波的功率不是非常大，所以能夠使用小型的隔離器，因此，裝置成本也能夠抑制成廉價。
所述固態放大器具有將輸入的微波分配成多個微波的副分配器；將從所述副分配器輸出的多個微波分別放大到規定功率的多個半導體放大元件；將通過所述多個半導體放大元件進行功率放大的微波進行合成的合成器。作為該半導體放大元件，優選使用功率MOSFET或者GaAsFET或者GeSi電晶體等。
由於通過不使用磁控管的半導體放大元件來功率放大低功率的微波，所以能夠將放大器部的壽命形成為半永久的。通過這樣，可將設備成本和維護費用抑制成低成本。另外，由於半導體放大元件其輸出穩定性優異，所以能夠將具有穩定特性的微波向腔室內發射。通過這樣，能夠良好地保持等離子體的發生狀態，提高基板的處理品質。此外，這種情況下，放大器部的輸出調整範圍寬到0％～100％，容易進行調整。
作為所述天線部，能夠使用由下列部件構成的天線部在中心設置的圓形天線；包圍該圓形天線的外側的多個大致扇形天線；分離這些圓形天線和大致扇形天線的分離板。各個天線能夠具有滯波板、冷卻板、開槽板。而且，而且，優選地，分離板是金屬部件而且接地。
在這種情況下，優選地，在圓形天線的開槽板上，在距離圓形天線的外周僅λg/4的內側圓周上設置規定長度的第一開槽，在從該第一開槽每隔λg/2的內側同心圓上設置規定長度的第二開槽。另外，優選地，在大致扇形天線的開槽板上，分別在距離大致扇形天線彼此的邊界僅λg/4的內側設置規定長度的第三開槽，在從該第三開槽每隔λg/2的內側設置規定長度的第四開槽。通過這樣，能夠更有效地向腔室內發射微波。
圖1是表示本發明一實施方式的等離子體蝕刻裝置的大致構成的截面圖。
圖2是表示圖1的等離子體蝕刻裝置中所設置的微波導入裝置的構成的說明圖。
圖3是平面表示天線構造的說明圖。
圖4是表示圓盤形天線的構造的大致截面圖。
圖5是表示阻抗匹配中所使用的等價電路的一個例子的圖。
圖6是表示等離子體點火時和處理時的阻抗變化的說明圖(史密斯圓圖)。
圖7是表示具有使用半導體放大元件的微波振蕩器的微波導入裝置的大致構成的說明圖。
圖8是表示已有的微波導入裝置的構成的說明圖。
具體實施例方式
下面，關於本發明的實施方式參照附圖來進行詳細說明。圖1是表示作為等離子體處理裝置的一個例子的等離子體蝕刻裝置1的大致構成的截面圖。圖2是表示等離子體蝕刻裝置1中所設置的微波導入裝置50的更詳細構成的說明圖。而且，等離子體蝕刻裝置1的被處理基板是半導體晶片W。
等離子體蝕刻裝置1具有收容晶片W的腔室11；設置在腔室11上的氣體導入口26；通過該氣體導入口26，向腔室11內部提供等離子體產生用的處理氣體(例如氯氣(Cl2))的氣體提供裝置27；設置在腔室11上的排氣口24；通過該排氣口24對腔室11內部進行排氣的排氣裝置25；在腔室11內保持晶片W的基板保持臺23；在腔室11內部的處理空間20內產生磁場的空心線圈21；向腔室11內提供微波的微波導入裝置50。
微波導入裝置50具有輸出多個(在圖1和圖2中表示4路的情況)規定輸出的微波的微波振蕩器30；由從微波振蕩器30輸出的各個微波分別供電的天線13a、13b、13c、13d(在圖1中沒有圖示13d)所構成的天線部13。
微波振蕩器30具有發生低功率微波的微波發生器31；將從微波發生器31輸出的微波分配成多個微波的分配器32(圖2中表示分配成4個的情況)；將從分配器32輸出的各個微波放大到規定功率的多個放大器部33(圖2中表示了4個放大器部33)。從這4個放大器部33輸出的各個微波分別向在天線13a～13d中分別設置的供電點60a、60b、60c、60d傳送(參照圖3)。
微波發生器31發生規定頻率(例如2.45GHz)的微波。分配器32一邊進行輸入側和輸出側的阻抗匹配一邊進行微波的分配，使得儘可能不引起微波的損失。
如圖2所述，各個放大器部33具有將從分配器32輸出的微波衰減到規定電平的可變衰減器41；將從可變衰減器41輸出的微波放大到規定功率的固態放大器42；隔離器43，將從固態放大器42向各個天線13a～13d輸出的微波中返回到固態放大器42的反射微波進行分離；調整反射微波的功率的匹配器44。
可變衰減器41調整向固態放大器42輸入的微波的功率電平。因此，通過調整可變衰減器41的衰減電平，能夠調整從固態放大器42輸出的微波的功率。
在4個放大器部33的每個上，分別安裝可變衰減器41。為此，通過個別改變這些可變衰減器41的衰減率，能夠使從4個放大器部33輸出的微波的功率互相不同。即，在微波振蕩器30中，能夠對天線13a～13d分別提供不同功率的微波。通過這樣，除了能夠在腔室11內發生均勻的等離子體，還能夠發生各種分布的等離子體。
固態放大器42具有將輸入的微波進一步分配成多個微波的副分配器42a(圖2表示了分配成4個系統的情況)；將從副分配器42a輸出的微波放大到規定功率的半導體放大元件42b；將從各個半導體放大元件42b輸出的放大的微波進行合成的合成器42c。
副分配器42a具有與分配器32相同的構成。作為半導體放大元件42b，例如使用功率MOSFET。從一個半導體放大元件42b輸出的微波的最大功率，例如是100W～150W。與此相對，必需提供給天線部13的微波的全部功率一般是1000～3000W。因此，能夠調整各個放大器部33的可變衰減器41的衰減率，使得平均250W～750W的微波傳送到天線13a～13d。
合成器42c一邊進行阻抗匹配，一邊合成從各個半導體放大元件42b輸出的微波。此時，作為匹配電路，能夠使用威爾金森型、分支線型、分類平衡型等電路。
從固態放大器42輸出的微波，通過隔離器43和匹配器44，送到構成天線部13的各個天線13a～13d中。此時，來自天線13a～13d的一部分微波返回到固態放大器42(反射)。隔離器43具有循環器43a和等效負載(同軸終端器)43b，循環器43a將從天線13a～13d向固態放大器42逆行的反射微波導向等效負載43b。等效負載43b將由循環器43a引導的反射微波進行熱變換。
如使用圖7所說明的那樣，在通過固態放大器83放大到規定功率的微波從被合成通向隔離器84的情況下，隔離器84需要承受幾千瓦的功率，隔離器84本身變得大型且高價。但是，在本實施方式的微波振蕩器30中，通過固態放大器42放大到規定功率的微波沒有被合成而是原樣通過隔離器43，另外，由於從各個固態放大器42輸出的各個微波的功率不是非常大，所以作為隔離器43能夠使用小型的隔離器，裝置成本也能夠抑制得便宜。
匹配器44具有對天線13a～13d進行匹配的調諧器，使得導向等效負載43b的反射微波變少。從匹配器44向設置在天線13a～13d上的供電點60a～60d，通過同軸外管導體16a和同軸內管導體16b(參照圖1)傳送微波。同軸內管導體16b具有在天線13a～13d的端部的用於抑制/降低微波的反射的錐形部22。
圖3是平面地表示天線部13的構造的說明圖。圓盤狀的天線部13由下列部分構成設置在中心的圓形天線13a；包圍天線13a的外周的3個大致扇形的天線13b～13d；分離各個天線13a～13d的分離板19。換句話說，天線部13具有通過分離板19將現有的圓盤形天線分割為4個天線13a～13d的構造。而且，供電點60a～60d(同軸外管導體16a和同軸內管導體16b的安裝部)在各個天線13a～13d中每個位置設置一個。
如圖1所示那樣，天線13a具有形成有為了向規定位置發射微波的槽(圖1未示出)的由金屬構成的開槽板14a；由氮化鋁(AlN)等構成的滯波板17a。同樣的，天線13b～13d也分別具有形成有槽(圖1未圖示)的開槽板14b、滯波板17b。而且，滯波板17a、17b分別具有冷卻板的功能。另外，天線部13具有防止開槽板14a、14b和在處理空間20中發生的等離子體直接接觸的微波透過絕緣板15。
分離板19是金屬部件，而且，優選地，把它接地。通過供電點60a～60d供給至天線13a～13d的微波由分離板19其相位旋轉180度全反射。即，在天線13a～13d間的微波不移動。各個天線13a～13d分別獨立地向處理空間20中發射微波。通過由分離板19導致的微波的反射，在滯波板17a、17b上產生駐波。因此，在與該駐波的波腹部分對應的開槽板14a、14b的位置，如果形成與駐波的前進方向垂直的細長的開槽，就能夠從這些開槽有效地將微波發射到處理空間20中。
在圖3中，一起描述了在天線13a的開槽板14a上設置的開槽61a、61b和在天線13b～13d的開槽板14b上設置的開槽61c、61d的位置。而且，在圖3中，開槽61a～61d方便地由實線表示，但開槽61a～61d實際是具有規定的寬度的孔部。
如圖3所示那樣，在圓形天線13a上，在將微波的波長設為λ1，將滯波板17a、17b的介電常數設為εr，將λg定義為λ1/εr1/2時，在距天線13a的外周僅大致λg/4的內側同心圓上設置規定長度的開槽61a。優選地，在距該開槽61a大致(每隔)λg/2的內側同心圓上設置規定長度的開槽61b。另外，在大致扇形的天線13b～13d上，在距天線13b～13d彼此的邊界大致λg/4的內側設置規定長度的開槽61c，優選地，在距該開槽61c大致每隔λg/2的內側設置規定長度的開槽61d。開槽61a～61d的位置與所述駐波的波腹位置基本一致。
從在開槽板14a、14b上形成的開槽61a～61d所發射的微波通過微波透過絕緣板15，到達處理空間20，在處理空間20內形成微波電場。與此同時，如使空心線圈21工作在處理空間中發生磁場，通過磁控管效果，能夠有效地發生等離子體。但是，該空心線圈21不是必需的。即使僅有從天線部13發射的微波，也能夠發生等離子體。
如根據本實施方式的等離子體蝕刻裝置1，由於能夠通過微波導入裝置50對處理空間20提供功率穩定的微波，所以能夠在處理空間20內發生穩定的等離子體，由此提高晶片W的處理品質。另外，發射的微波功率具有分布，由此能夠發生具有分布的等離子體。例如，能夠以中心部和外周部不同的等離子體密度來進行處理。
但是，天線部13的整體外徑、各個天線13a～13d的各自形狀和各個開槽的形成位置，能夠採用設計一般的圓盤形天線時的方法。在下面，關於圓盤形天線的設計方法進行簡單說明。
圖4是圓盤形天線70的大致截面圖。圓盤形天線70由開槽板71、滯波板72、冷卻板73、同軸管74構成。冷卻板73覆蓋滯波板72的外周，將到達滯波板72的周緣的微波向內側反射。
滯波板72具有內徑2×r、外徑2×R、厚度為h的平環狀形狀。在將微波的波長設為λ1，將滯波板72的介電常數設為εr時，定義為λg＝λ1/εr1/2，優選地，滯波板72的寬度L(＝R-r)是λg的大致整數倍。這種情況下，滯波板72的周緣是駐波的節，距滯波板72的周緣僅λg/4的內側同心圓上，和距該圓每λg/2的內側同心圓上與駐波的波腹位置對應。開槽板71的開槽形成位置優選地與該駐波的波腹位置匹配。通過這樣，即使同軸管74和滯波板72的特性阻抗不一致，也能夠抑制從天線70向匹配器返回的反射微波的功率的減小。
滯波板72的厚度h能夠通過下面求出。例如，在使用WX-39D作為同軸管74的情況下，滯波板72的內徑是2r＝38.8mm。同軸管74的特性阻抗通常是50Ω，另一方面，平行板線路的特性阻抗Zo由下面的公式(1)給出。因此，滯波板72的厚度h能夠如下面的公式(2)求出。而且，ε是氮化鋁的平均介電常數，μ是氮化鋁的透磁率。這裡，由於氮化鋁是介電材料(絕緣材料)，所以比透磁率(μr)是1。
Zo=h2r=h2r377rr=h2r377r(1)]]> 下面，說明天線70的阻抗匹配方法。在圖5所示的電路中，如果將電源電壓設為Vg，將線路的特性阻抗設為Zo，將負載阻抗設為Ze，負載點的電壓Vo由下面的公式(3)表示，反射係數Γ由下面的公式(4)給出。
Vo=(Ze-ZoZe+Zo+1)Vg(3)]]>=Ze-ZoZe+Zo(4)]]>在所傳送的微波能量由負載有效消耗中，需要Ze＝Zo。即，需要將負載和匹配器的合成阻抗與傳送線路的特性阻抗一致。但為了點火等離子體，根據Paschen規則，點火電壓Vs由作為壓力P和間隔(放電距離)L的關係式的下面公式(5)表示。
Vs＝f(p·L) …(5)根據公式(5)，如果決定了間隔L就意味著決定點火電壓。另外，根據公式(3)，如果Ze＞Zo，則能夠提高負載點的電壓Vo。
因此，例如，為了縮短處理時間，象圖6的史密斯圓圖所示那樣，為了在等離子體點火時產生適當的感應反射，將阻抗從點A通過感應區域向中心點O移動，在等離子體點火後的處理時由中心點O(阻抗匹配位置)來保持。
以上說明了本發明的實施方式，但本發明不限於這樣的實施方式。例如，微波振蕩器30的電路構成或者固態放大器42的電路構成可不限於圖2所示的構成，能夠具有各種變形。
例如，對從天線部13發射的微波不需要設置不一樣分布的情況下，能夠形成這樣的構成，即將天線13a～13d的微波發射面積形成相等，在各個放大器部33不設置可變衰減器41，在微波發生器31和分配器32間設置可變衰減器。通過這樣，能夠減少可變衰減器的部件數量。
另外，在將相互不同功率的微波傳送到天線13a～13d的情況下，能夠使用具有安裝不同個數的半導體放大元件的固態放大器的放大器部。例如，為了用天線13a傳送600W的微波，使用包括具有4個半導體放大元件的固態放大器的放大器部，另一方面，為了用天線13b～13d來傳送300W的微波，能夠使用具有包括2個半導體放大元件42的固態放大器的固態放大器部。
天線部13不限於由4個天線13a～13d所構成的方式，也可以是由更多個天線或者更少個天線構成。另外，天線的形狀不限於圖3所示的圓形和大致扇形。在由更多個天線構成天線部的情況下，需要增加放大器部的數量，但由於進一步減小了分別從放大器部輸出的微波的功率，所以能夠進一步將放大器部小型化。
在上述說明中，作為等離子體處理採用蝕刻處理，但本發明也能夠用於等離子體CVD處理(成膜處理或氮氧化膜的膜改質等)或者拋光處理(ashing)等其它等離子體處理。在這種情況下，也可以根據處理目的向腔室11內提供合適的處理氣體。另外，被處理基板不限於半導體晶片W，也可以是LCD基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
權利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特徵在於，具有容納被處理基板的腔室；向所述腔室內提供處理氣體的氣體供給裝置；微波導入裝置，向所述腔室內導入等離子體生成用的微波，所述微波導入裝置具有輸出多個規定輸出的微波的微波振蕩器；天線部，具有分別傳送從所述微波振蕩器輸出的多個微波的多個天線。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述微波振蕩器具有發生低功率的微波的微波發生器；將由所述微波發生器所發生的微波分配成多個微波的分配器；將由所述分配器分配的各微波放大到規定的功率的多個放大器部，從所述多個放大器部輸出的多個微波，分別向所述多個天線傳送。
3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述多個放大器部的每個具有將從所述分配器輸出的各微波衰減到規定電平的可變衰減器；將從所述可變衰減器輸出的微波放大到規定功率的固態放大器；隔離器，分離從所述固態放大器向所述天線輸出的微波中返回到固態放大器的反射微波；調整所述反射微波的功率的匹配器。
4.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述隔離器具有熱變換所述反射微波的等效負載；將從所述固態放大器輸出的微波向所述天線導入，將來自所述天線的反射微波向所述等效負載導入的循環器。
5.根據權利要求3或4所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述固態放大器具有將輸入的微波分配成多個微波的副分配器；將從所述副分配器輸出的多個微波分別放大到規定功率的多個半導體放大元件；將通過所述多個半導體放大元件進行功率放大後的微波進行合成的合成器。
6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述半導體放大元件由功率MOSFET或者GaAsFET或者GeSi電晶體構成。
7.根據權利要求1到6中的任何一項所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述多個天線的每個具有滯波板；開槽板。
8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述天線部具有在中心設置的圓形天線；包圍所述圓形天線的外側的多個大致扇形天線；分離所述圓形天線和所述多個大致扇形天線的分離板。
9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，所述分離板是金屬部件而且接地。
10.根據權利要求8或者9所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，在將所述微波的波長設定為λ1，將所述滯波板的比介電常數設定為εr，將λg定義為λ1/εr1/2的情況下，在圓形天線的開槽板上，在距離所述圓形天線的外周僅λg/4的內側的圓周上設置規定長度的第一開槽，在從該第一開槽每隔λg/2的內側同心圓上設置規定長度的第二開槽，在所述多個大致扇形天線的開槽板上，分別在距離該大致扇形天線彼此的邊界僅λg/4的內側設置規定長度的第三開槽，在從偏離該第三開槽每隔λg/2的內側設置規定長度的第四開槽。
11.根據權利要求1到10中的任何一個所述的等離子體處理裝置，其特徵在於，在所述腔室內還設置發生磁場的磁場發生裝置，通過由導入到所述腔室內的微波而發生的電場和由所述磁場發生裝置而發生的磁場產生磁控管效果。
全文摘要
本發明的等離子體處理裝置具有容納被處理基板的腔室；向所述腔室內提供處理氣體的氣體供給裝置；微波導入裝置，向所述腔室內導入等離子體生成用的微波。所述微波導入裝置具有輸出多個規定輸出的微波的微波振蕩器；天線部，具有分別傳送從所述微波振蕩器輸出的多個微波的多個天線。
文檔編號H05H1/46GK1692476SQ20038010057
公開日2005年11月2日 申請日期2003年10月6日 優先權日2002年10月7日
發明者河西繁, 長田勇輝, 荻野貴史 申請人:東京毅力科創株式會社