電子器件和光電器件的電極結構的製作方法

2023-09-22 01:25:45

專利名稱：電子器件和光電器件的電極結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及電子器件的電極設計。更具體地，本發明涉及電子器件和光電器件的電極改進。
背景技術：
諸如有機發光二極體(OLEDs)的電子器件和光電器件在本領域是眾所周知的。那些OLEDs也稱為有機電致發光(EL)器件，其一般包括夾在兩個電極之間的有機電致發光材料。通常，有機電致發光材料是多層結構的，包括電子傳輸層、電致發光層和空穴傳輸層。當施加電流時，該材料通過有機材料中電子和空穴的複合而發射光。但是，有機電致發光對雜質、氧氣和溼度敏感。而且，在一些電子或光電器件中，電極影響器件的發光強度、穩定性和可靠性。有機電致發光器件(材料和結構)是本領域公知的，例如在美國專利第4,356,429號、美國專利第5,593,788號或美國專利第5,408,109號中所公開的內容，為了參考的目的，將上述公開的內容結合在本文中。
現在，使用多層器件結構得到很好的理解和廣泛的使用，剩餘的OLEDs的性能限制是電極。電極材料主要的有價值特徵是該電極費米能級的位置與相關有機分子的能級有關；在一些應用中，還需要電極輔助進行光提取；還應該使電極相對於相鄰的有機材料化學惰性以提供電致發光器件的長期穩定性。
對於陰極已經投入了許多關注，主要是因為良好的電子注入器是低功函數的金屬，也是在大氣中化學活性和迅速氧化從而限制OLEDs可靠性和壽命的金屬。對於陽極接觸的最優化投入了較少的關注是因為傳統的ITO陽極通常比導致空穴過量的陰極接觸要優越。由於這種過量，以及與銦錫氧化物(ITO)的導電率和透明度有關的益處，使得對改進陽極的探索不如對改進陰極的探索積極。
隨著有機電致發光器件的使用出現了與充分的空穴注入和工作穩定性相關的問題。一些問題已經通過該器件陽極的碳氟化合物處理而得以減輕。美國專利第6,127,004號涉及形成電致發光器件的方法，該方法包括步驟提供其頂表面塗覆有包括具有銦錫氧化物(ITO)的陽極材料的襯底；和通過在基源腔(radical source cavity)中產生碳氟化合物氣體並把該碳氟化合物氣體置於0.1到20mT範圍內的減壓下，在該陽極上形成非晶導電層。進一步，將RF場橫向施加在基源腔中的碳氟化合物氣體上以形成具有CFx基的等離子體，並且把CFx基沉積在陽極上形成陽極上的非晶CFx導電聚合物層。然後在非晶CFx導電聚合物層上形成多個層，所述多個層包括至少一個有機電致發光層和在該有機電致發光層上的陰極。
美國專利第6,208,075號也涉及一種有機電致發光器件，其具有在陽極上沉積的導電碳氟化合物聚合物層，並且美國專利第6,208,077號示出了在陽極上沉積的一個薄的非導電碳氟化合物聚合物層。使用上述的碳氟化合物聚合物層是因為它們的傳輸屬性，和因此而用作空穴注入層。碳氟化合物聚合物層較適合於附著在包含例如ITO的氧化物的陽極上，反之使用其他材料則導致不穩定的器件性能。
國際申請號為WO 99/39393的國際申請，目前轉讓給本申請的受讓人，涉及一種有機發光器件，按順序具有陽極、阻擋層、陽極修正層、有機區和陰極。陽極修正層與有機區直接接觸。阻擋層安排成使得陽極修正層與陽極分離，但是由於該層的阻擋屬性而妨礙了注入。
光電器件能夠作為頂發射器件或底發射器件，也稱為背發射器件，進行工作。對於底發射器件，陽極應接近透明，使得發射的光能夠通過陽極。銦錫氧化物(ITO)因為其形成了幾乎透明的層而被廣泛地用作陽極。ITO具有能部分地與上層例如空穴傳輸有機材料進行反應的缺點，這會使得器件壽命縮短。為迴避該缺點，通常在陽極和有機材料之間使用緩衝層，例如CuPc，但另一方面，緩衝層具有高阻抗並妨礙注入。如上所述使用碳氟化合物聚合物層允許放棄緩衝層。
對於頂發射器件，已經使用了鉬或鉑，這些材料不是透明的，並具有很強的光吸收性，鉑的反射率不是最優的，銀(Ag)和鋁(Al)具有高的反射率但低的功函數，因此不適合用作陽極材料。通常，具有高功函數的材料被認為最合適作為陽極材料。例如Al之類的低功函數的材料，即使塗敷有諸如CuPc的緩衝層，一般也具有較高的化學活性，因而那些材料因此不適合形成陽極，而且，這種材料與碳氟化合物聚合物層的結合還導致了不可靠的性能，因而使器件無法使用。
從上述內容可以得出在本領域中對表現出長期穩定性和高效率的電子和光電器件的電極的結構改進仍存在需求。
因此本發明的目的是提供包括有機材料的電子器件的改進電極結構以及基於所述電子器件的顯示器。

發明內容
根據本發明，提供一種電子器件，包括實質具有導電層的第一電極，形成在該導電層之上的非金屬層，形成在該非金屬層之上的碳氟化合物層，形成在該碳氟化合物層之上的結構，以及形成在該結構之上的第二電極。
該電子器件還可以進一步包括在導電層和非金屬層之間的緩衝層。這種緩衝層有利地減少了第一電極和另外的層之間的反應，特別是可以避免氧化過程。
在優選
具體實施例方式
中，導電層包括鋁(Al)。一般來說，鋁具有高的反射率以及活潑性。但是，能夠設計出具有非金屬層或與在導電層之上的非金屬層結合的所述緩衝層，從而使電致發光器件具備優良的性能和特性。
非金屬層可以包括氧化物。可使用大量可得的或能夠從許多材料或化合物中形成的氧化物，該氧化物可以基於從下面各族之一中選擇的材料3d過渡金屬族、IIIA族、IVA族、稀土金屬族、或其組合。
當非金屬層的氧化物與可通過導電層形成的潛在氧化物不同時，也指外來的氧化物，這時可以產生定製電極的電子和光學屬性的優勢，例如注入性和透明度。例如，當用Al形成導電層時，則通過導電層可能形成或產生的潛在氧化物是氧化鋁。事實是氧化鋁具有比諸如氧化鎳(NiOx)更高的阻抗，因此，使用NiOx作為外來氧化物形成非金屬層表現出比氧化鋁好的空穴注入屬性。支持空穴注入的非金屬層與具有高反射率的導電層的結合附加地導致了具有改進光輸出的、可靠的、以及顯著地改善的電致發光器件。
根據導電層的性質，如果非金屬層的厚度在一個單分子層到20nm的範圍內是有利的。因為，那樣的話，電子器件表現出優良的長期穩定性和高效率。在電致發光器件(OLEDs)中，例如有源驅動器件，較高的厚度值常常與較高的驅動電壓有關。
導電層可以包括金屬、半導體或有機導體，而且導電層能夠包括光反射材料。導電層的優選材料，即電極的優選材料是鋁(Al)或銀(Ag)。當氧化物或外來氧化物用做導電層上的非金屬層時，那些材料變得突出起來。
導電層可以形成象鏡子樣的表面，那意味著陽極象鏡子一樣工作並將發射的光反射以增強光輸出。這個思路對頂發射器件以及底發射器件一樣有效。
根據術語「光電器件」可以理解為作為電到光或光到電的變換器進行工作的任何器件、或在其操作中使用這種器件的儀器。
電子器件可以包括與導電層或結構相接觸的襯底，該襯底可以是任何材料，包括玻璃，即用於頂發射器件的透明材料；Si或塑料，即用於底發射器件的不透明材料。襯底可以用做形成電子器件的基礎。
所述電子器件可以是電致發光器件、電晶體或傳感器的一部分。這表明能夠廣泛地使用所述電極設計，但是，所述結構不限於所提到的應用，也不限於與有機結構一起使用，可以結合下列結構一起使用有機/無機，有機-無機混合、或無機。而且，具有這種結構的電極設計在電子和光電應用方面具有廣泛的可應用性。
本發明還涉及一種形成電子器件的方法。所述方法包括步驟提供用做第一電極的導電層；在該導電層之上形成非金屬層；在該非金屬層之上沉積碳氟化合物層；在該碳氟化合物層之上形成多個層作為結構；以及在該結構之上形成第二電極。


結合以下的簡圖，僅通過示例方式，下面詳細說明本發明的優選具體實施方式
。
圖1示出了現有技術中的有機電致發光器件的簡略圖。
圖2a示出了有機電致發光器件的第一具體實施方式
的簡略圖。
圖2b示出了有機電致發光器件的第二具體實施方式
的簡略圖。
圖3a示出了有機電晶體的第三具體實施方式
的簡略圖。
圖3b示出了有機電晶體的第四具體實施方式
的簡略圖。
圖4示出了顯示第一測試的電致發光器件的電流-電壓關係以及第二測試的電致發光器件的電流-電壓和亮度-電壓關係圖。
圖5示出了顯示第三測試的電致發光器件的電流-電壓和亮度-電壓關係圖。
圖6示出了顯示第二測試的電致發光器件的效率-電壓關係圖。
圖7示出了第四測試的電致發光器件的壽命的標準化圖。
附圖僅用於說明的目的，並且不必按照給定比例來表示本發明的實際例子。
具體實施方式
儘管本發明可在廣泛的各種電子和光電應用中使用，但是仍將重點放在有機電致發光器件的應用上，即有機發光二極體(OLED)和有機電晶體。
在描述本發明的實施方式之前，給出現有技術中電致發光器件的構造。
圖1示出了具有襯底102的有機電致發光器件100。該襯底102上沉積有銦錫氧化物(ITO)陽極104，襯底102和ITO陽極104是光透明的；聚合物層108排列成與ITO陽極104直接接觸；有機發光結構110形成在塗敷有聚合物層108的ITO陽極104和陰極120之間。有機發光結構110按順序包括有機空穴傳輸層112、有機發光層114和有機電子傳輸層116。當在陽極104和陰極120之間施加電位差使得陽極104相對於陰極120電位為正時，陰極120將電子注入到電子傳輸層116，並且電子將橫穿電子傳輸層116和發光層114；同時，空穴將被從陽極104注入到空穴傳輸層112，並且空穴將跨越層112移動，並最終在接近空穴傳輸層112和發光層114之間的界面處與電子複合。當來自導帶的電子與來自價帶的空穴輻射地複合時，通過透光陽極104和襯底102能夠發射光子，用於觀察者觀察，如箭頭所示。
能夠通過在RF等離子體中的碳氟化合物氣體的等離子體聚合作用製備聚合物層108。碳氟化合物聚合物是類似聚四氟乙烯的聚合物，並基本上由碳和氟形成，它還可以包含氫和/或諸如氮、氧等的少量雜質。聚合物層的厚度是這樣選擇的使聚合物層完全覆蓋在下面的導電層之上，並且使其低導電率對器件性能沒有負面的影響。
圖2a示出了有機電致發光器件200的第一具體實施方式
的簡略圖。在此，有機電致發光器件200是頂發射器件，具有襯底202，襯底202上沉積有第一電極204，也稱為陽極204。陽極204包括用M標註的具有導電性和高反射率材料的層，以便提供象鏡子樣的表面。基本上包括氧化物的非金屬層206形成在陽極204上，而且，在非金屬層206上，形成基本上包括碳氟化合物的聚合物層208。在塗敷有碳氟化合物層208的非金屬層206和陰極220之間形成有機發光結構210。有機發光結構210按順序包括有機空穴傳輸層212、有機發光層214和有機電子傳輸層216。上述結構與參考圖1示出的現有技術是有區別的，非金屬層206在陽極204和聚合物層208之間排列。
通過RF等離子體中的碳氟化合物氣體的等離子體聚合作用製備聚合物層208，也可以使用化學氣相沉積。
陽極204包含具有導電性和高反射率材料(優選地，使用Al或Ag)的層，以便提供象鏡子樣的表面。非金屬層206包括氧化物，在此，該氧化物，例如ITO、NiOx與導電的高反射率材料形成的，如果它與氧氣接觸或處在周圍環境中，氧化物不同。非金屬層206的幾種沉積方法列於下面-化學氣相沉積(CVD)，包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)；-濺射沉積或反應(例如，在有氧環境中)濺射沉積；-熱蒸發；-電子束蒸發；-氧等離子體(等離子體輔助氧化)；-氧化環境中的熱退火；-紫外線-臭氧處理；-溼化學氧化；-電化學氧化。
襯底202用做基礎，並且應該是電絕緣的。由於本器件是頂發射器件，即所產生的光在陽極204的象鏡子的表面上被反射並通過陰極220被發射，如箭頭所示，襯底可以是不透明的。在那種情況中，陰極220應該是透光的。
當然，本發明不限於頂發射器件，並且能夠當然地被應用到底發射器件，同樣也具有其所有的優點，那時陽極204應該具有透射特性。
當考慮底發射器件或構造時，那麼陽極204以及襯底202應該是透光的。在那種情況中，陽極204適當地包括半透明材料或金屬膜。這些可以包括透明導電氧化物，諸如銦錫氧化物、摻雜的錫氧化物或鋁摻雜的鋅氧化物。這些材料應該適當地沉積在透明襯底202上，諸如玻璃石英或例如聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚乙酸乙烯酯的聚合物襯底。
能夠利用各種組合物形成有機發光結構210。
空穴傳輸層和空穴注入層下列材料適合做空穴注入層和有機空穴傳輸層212。含有芳香氨基團的材料，象四苯基二氨基二苯基(TPD-1、TPD-2或TAD)和NPB(參見C.Tang，SID會議，聖地牙哥，1996年，和C.Adachi等，《應用物理快報(Applied Physics Letters)》，1995年第66卷第2679頁)、TPA、NIPC、TPM、DEH(關於上述縮寫參見例如P.Borsenberger和D.S.Weiss的《成像系統的有機光接收器(Organic Photoreceptors for ImagingSystems)》Marcel Dekker 1993年)。這些芳香氨基團也能夠引入到聚合物中，樹枝形聚合物(例如TCTA、m-MTDATA，參見Y.Kuwabara等的《先進材料學報(Advanced Materials)》第6卷第677頁，1994年；Y.Shirota等的《應用物理快報(Applied Physics Letters)》第65卷第807頁，1994年)以及螺環化合物。
進一步的例子如銅(II)酞菁(CuPc)、N，N′-二苯基-N，N′-雙-(4-苯基苯基)-1，1′-聯苯基-4，4′-二胺、二苯乙烯基亞芳基衍生物(DSA)、萘、萘並苯乙烯基胺衍生物(例如NSD)、喹吖啶酮(QA)、聚(3-甲基噻吩)(P3MT)及其衍生物、苝及苝衍生物、聚噻吩(PT)、3，4，9，10-苝四羧酸二酐(PTCDA)、PPV及其衍生物，例如MEH-PPV、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、盤型(discotic)液晶材料(HPT)。
電子傳輸/發射材料是Alq3、Gaq3、Inq3、Scq3，(q指8-羥基喹啉鹽或其衍生物)以及其他的8-羥基喹啉金屬配合物，諸如例如，Znq2、Beq2、Mgq2、ZnMq2、BeMq2、BAlq、和AlPrq3。這些材料可以用做有機電子傳輸層216或有機發光層214。
其它類型的電子傳輸材料是缺電子的含氮體系，例如二唑象PBD(以及許多衍生物)、和三唑，例如TAZ(1，2，4-三唑)。
這些功能基團也可以引入到聚合物、樹枝形聚合物以及螺環化合物中。還有其它類型的材料是包含吡啶、嘧啶、吡嗪和噠嗪官能團的材料。
最後，包含喹啉、喹喔啉、噌啉、酞嗪、喹唑啉官能團的材料以其電子傳輸能力而著稱。
其它材料是二癸基六噻吩(DPS6T)，雙-三異丙基甲矽烷基六噻吩(2D6T)，偶氮甲鹼-鋅配合物，吡嗪(例如.BNVP)，苯乙烯基蒽衍生物(例如BSA-1，BSA-2)，非平面狀的二苯乙烯基亞芳基衍生物，例如DPVBi(參見C.Hosokawa和T.Kusumoto的「無機和有機電致發光國際研討會(International Symposium on Inorganic and Organic Electroluminescence)」1994，Hamamatsu，42)，氰基取代的聚合物，諸如氰基-PPV(PPV是指聚(對亞苯撐亞乙烯))以及氰基-PPV的衍生物。
下列材料特別適合於用作發射層和摻雜劑蒽，吡啶衍生物(例如ATP)，偶氮甲鹼-鋅配合物，吡嗪(例如BNVP)，苯乙烯基蒽衍生物(例如BSA-1，BSA-2)，暈苯，香豆素，DCM化合物(DCM1，DCM2)，二苯乙烯基亞芳基衍生物(DSA)，烷基取代的二苯乙烯基苯衍生物(DSB)，苯並咪唑衍生物(例如NBI)，萘並苯乙烯基胺衍生物(例如NSD)，二唑衍生物(例如OXD，OXD-1，OXD-7)，N，N，N′，N′-四(間甲基苯基)-1，3-二氨基苯(PDA)，苝及苝衍生物，苯基取代的環戊二烯衍生物，12-酞吡呤酮六噻吩(6T)，聚噻吩，喹吖啶酮(QA)(參見T.Walcimoto等，「無機和有機電致發光國際研討會(International Symposium on Inorganicand Organic Electroluminescence)」，1994，Hamamatsu，77)，以及取代的喹吖啶酮(MQA)，紅熒烯，DCJT(例如參見C.Tang，SID會議，聖地牙哥；會議記錄，1996，181)，共軛和非共軛的聚合物，例如PPV和PPV衍生物，二烷氧基和二烷基PPV衍生物，例如MEH-PPV(聚(2-甲氧基)-5-(2′-乙基己氧基)-1，4-亞苯基-亞乙烯基)，聚(2，4-雙(膽甾烷氧基)-1，4-亞苯基-亞乙烯基)(BCHA-PPV)，和嵌段的PPVs(例如參見E.Staring在「無機和有機電致發光國際研討會(International Symposium on Inorganic and OrganicElectroluminescence)」，1994，Hamamatsu，48，以及T.Oshino等在SumitomoChemicals，1995月報)。
還存在其它的以良好光發射器、電荷傳輸材料和電荷注入材料著稱的有機材料，以及將會被發現的更多的材料。這些材料也可被用做發光結構。
有機空穴傳輸層212包括至少一個傳輸空穴的芳香叔胺，其中可以理解芳香叔胺是一種包含至少一個僅與碳原子結合的三價氮原子的化合物，至少一個所述碳原子是芳香環中的成員之一。芳香叔胺的一種形式可以是芳基胺，例如單芳基胺，二芳基胺，三芳基胺，或多聚芳基胺。
有機發光層214包括發光或螢光材料或材料的結合(基質和雜質)，其中電致發光作為在該區域中電子-空穴對複合的結果而產生。在最簡單的結構中，發光層包括單一成分，即一種具有高螢光效率的純的材料。眾所周知的材料是三(8-羥基喹啉)鋁，(Alq)。
陰極電極220包括從鹼金屬、鹼土金屬或稀土金屬、組合的化合物，諸如LiF/Al，Li2O/Al、或其合金中選擇的金屬或者具有低功函數的電極構造(例如小於4.0eV，最好小於3.5eV)。優選的金屬是鈣或諸如鎂/銀、鋰/鋁、或鎂/鋁合金的合金，這些陰極結構提供了低的功函數，並因此增強了器件的量子效率。
相同的參考標記用於表示相同或類似的部分。
圖2b示出了有機電致發光器件201的第二具體實施方式
的簡略圖。有機電致發光器件201具有襯底202，襯底202上沉積有陽極204，非金屬層206形成在陽極204之上。在非金屬層206和聚合物層208之間形成緩衝層205，合適的緩衝層材料有Ti、Ni、Pt、或ITO。緩衝層205應該是具有幾埃到幾個納米厚度的薄層。該緩衝層205減少了化學反應並避免了陽極204的導電的、高反射率層與其它層之間的相互擴散，特別地能夠避免氧化和相互擴散過程。在非金屬層206和陰極220之間形成如上所述的有機發光結構210。
圖3a示出了有機電晶體300的第三具體實施方式
的簡略圖。有機電晶體300包括襯底302、為金屬的柵極層330、例如為SiO的柵極電介質層340和有機結構310。而且，有機電晶體300包括作為已知的連接端的源電極320和漏電極311，源電極320和漏電極311布置在有機結構310上。而且，源電極320包括導電層304、非金屬層306以及聚合物層308，聚合物層308與有機結構310直接接觸。在另一個具體實施方式
中，漏電極311包括導電層304、非金屬層306和聚合物層308(未示出)。漏電極311和源電極320也可以具有相同的結構。
圖3b示出了進一步的有機電晶體301的第四具體實施方式
的簡略圖。相同的參考標記用於表示相同或類似的部分。進一步的有機電晶體301包括襯底302、柵極層330、柵極電介質層340以及有機結構310。與圖3a不同的是源電極320和漏電極311隱埋在有機結構310中。導電層304、非金屬層306以及聚合物層308連接到柵極電介質層340上。
圖4示出了根據本發明的用I標註的第一測試的電致發光器件的電流-電壓關係以及用II標註的第二測試的電致發光器件的電流-電壓(粗線)和亮度-電壓(細線)關係圖。第二測試的電致發光器件的結構如下陽極排列Al/Al2O3/CFx(3nm)；有機發光結構NPB(45nm)/Alq3(65nm)；陰極Ca(15nm)。第二測試的電致發光器件比具有已知結構的第一測試的電致發光器件表現出好得多的性能，特別是在亮度方面。
圖5示出了顯示第三測試的電致發光器件的電流-電壓(粗線)和亮度-電壓(細線)特性圖。第三測試的電致發光器件的結構如下陽極排列Al/Ni/NiOx/CFx(4nm)；有機發光結構NPB(50nm)/Alq3(50nm)；陰極Ca(15nm)。與圖4相比，具有包含Ni的緩衝層以及包含NiOx的非金屬層的第三測試的電致發光器件表現出甚至更陡的特性，這表明第三測試的電致發光器件具有優良的性能。
圖6示出了顯示第二測試的電致發光器件的效率-電壓關係圖。該圖表明第二測試的電致發光器件最適合於OLEDs。
圖7示出了第四測試的電致發光器件的壽命的標準化圖。第四測試的電致發光器件的結構如下陽極排列Al/Al2O3/CFx(10nm)；有機發光結構Cupu(10nm)/NPB(45nm)/Alq3(65nm)；陰極Ca(3nm)/Ag(15nm)。推斷壽命(即在恆流條件下，與初始亮度相比，器件亮度下降到一半的時間)大約是28年，這是對高可靠的電致發光器件而言的最高值。初始亮度為88Cd/m2。
給出下面的例子以便進一步的理解。為簡潔的目的，材料和由該材料形成的層將如下縮寫ITO銦錫氧化物NPB4，4′-雙-[N-(1-萘基)-N-苯氨基]-聯-苯基(空穴傳輸層)Alq三(8-喹啉醇化-N1，O8)-鋁(電子傳輸層；此處用作合併的發光層和電子傳輸層)MgAg按照10∶1體積比的鎂銀。
有機發光結構按下面方式構成1a)在玻璃(襯底)上蒸鍍Ti1b)在Ti/玻璃上蒸鍍Al1c)沉積ITO，在Al和ITO之間可以選擇地形成Pt或Ti的緩衝層2)在等離子體蝕刻/沉積機器中插入用於下述處理的結構a)用於清潔和氧化的氧等離子體處理(也用於ITO)；b)通過在13.6MHz的等離子體中的CHF3氣體的等離子體聚合沉積3nm的碳氟化合物聚合物；3)轉移到OLE材料沉積室a)通過傳統的熱氣相沉積在碳氟化合物聚合物層上沉積50-60nm厚的
NPB空穴傳輸層；b)通過傳統的熱氣相沉積在NPB層上沉積65nm厚的Alq的電子傳輸和發光層；c)隨即沉積10-20nm的Ca層；d)通過從兩個源(Mg和Ag)同時蒸發在Ca層上沉積20nm厚的MgAg層。
任何公開的具體實施方式
可以與一個或幾個其它的示出的和/或說明的具體實施方式
進行組合，這對於所述具體實施方式
的一個或多個特徵來說也是可能的。
權利要求
1.一種電子器件，包括實質具有導電層的第一電極(204，304)；形成在該導電層(204，304)之上的非金屬層(206，306)；形成在該非金屬層(206，306)之上的碳氟化合物層(208，308)；形成在該碳氟化合物層(208，308)之上的結構(210，310)；以及形成在該結構(210，310)之上第二電極(220，311，330)。
2.如權利要求1所述的器件，還包括在導電層(204)和非金屬層(206)之間的緩衝層(205)。
3.如上述任一權利要求所述的器件，其中非金屬層(206，306)包括氧化物。
4.如權利要求3所述的器件，其中所述氧化物基於從下面各族之一中選擇的材料3d過渡金屬族、IIIA族、IVA族、稀土金屬族、或其組合。
5.如權利要求3所述的器件，其中非金屬層(206，306)的氧化物與導電層(204，304)可以形成的潛在氧化物不同。
6.如上述任一權利要求所述的器件，其中非金屬層(206，306)的厚度在一個單分子層到20nm的範圍內。
7.如上述任一權利要求所述的器件，其中導電層(204，304)包括光反射材料。
8.如上述任一權利要求所述的器件，其中導電層(204，304)形成象鏡子樣的表面。
9.如上述任一權利要求所述的器件，其中導電層(204，304)包括鋁(A1)。
10.如上述任一權利要求所述的器件，還包括與導電層(204)或結構(210)相接觸的襯底(202)。
11.上述任一權利要求所述的器件是電致發光器件(OLED)、電晶體或傳感器的一部分。
12.一種形成上述任一權利要求所述的器件的方法，包括步驟提供用作第一電極的導電層(204，304)；在該導電層(204，304)之上形成非金屬層(206，306)；在該非金屬層(206，306)之上沉積碳氟化合物層(208，308)；在該碳氟化合物層(208，308)之上形成多個層作為結構(210，310)；以及在該結構(210，310)之上形成第二電極(220，311，330)。
全文摘要
本發明公開了一種電子器件和光電器件的電極結構。這種器件包括實質上具有導電層(204)的第一電極，形成在該導電層之上非金屬層(206)，形成在該非金屬層之上碳氟化合物層(208)，形成在所述結構上的結構(210)。所述電極還可以包括在導電層和非金屬層之間的緩衝層(205)。
文檔編號H01L51/50GK1871876SQ02825769
公開日2006年11月29日 申請日期2002年11月26日 優先權日2001年12月21日
發明者桑託斯·F·阿爾瓦拉多, 蒂爾曼·A·貝耶爾萊恩, 布萊恩·克龍, 尤特·德雷克斯勒, 羅蘭·W·傑曼, 西格弗裡德·F·卡格, 彼得·米勒, 黑克·賴爾, 沃爾特·裡斯, 比特·魯斯塔勒, 保羅·塞德勒, 羅蘭·W·威德默 申請人:國際商業機器公司