具有納米線的發光顯示設備的製作方法

2023-09-21 12:28:55

專利名稱：具有納米線的發光顯示設備的製作方法
技術領域：
本發明的一個實施方式涉及具有納米線的發光顯示設備。
背景技術：
由於已經被廣泛用作主要的平面顯示設備的液晶顯示設備不使用自發光元件，額外的發光兀件(例如，背光源(backlight))對於液晶顯不設備是需要的。由於上述結構,液晶顯示器在厚度或者被簡化的結構上有限制。由於被設想用於克服液晶顯示設備的上述限制的有源矩陣有機發光設備(AMOLED)採用了自發光的有機發光設備，不需要背光源或者彩色濾光片(filter)。由於上述原因，有源矩陣有機發光設備具有簡單的結構以及高的光提取效率。儘管自發光元件有上述優點，但是由於材料限制，到目前為止很難採用AMOLED。由於材料易受水分影響的特點，封裝過程應該是必要的，以及除了真空沉積過程之外沒有用於製造元件的特定過程。為了克服上述限制，材料已經被擴展為高分子材料，並且已經發現了另一方法，例如噴墨方法、雷射誘導熱成像(LITI)方法等，然而，滿足特點的方法以及元件的壽命還沒有被泛化。

發明內容
將由本發明的一個實施方式實現的技術解決方案將提供具有納米線發光元件的發光顯示設備，其中納米線形成在具有不同功函數的電極之間，以當電流施加於該納米線時發射光。將由本發明的另一實施方式實現的技術解決方案將提供具有納米線發光元件的發光顯示設備，其中發光元件和電晶體以及電容由該納米線製造，以使製造過程能夠被簡化。將由本發明的另一實施方式實現的技術解決方案將提供具有納米線發光元件的發光顯示設備，該納米線發光元件利用具有半導體的功能和發光功能的納米線發光電晶體，以簡化製造過程並與驅動電路部分比較增加一個發光區域。根據本發明，所述發光顯示設備包括被電連接到第一電源線的發光元件；被電連接到所述發光元件和第二電源線的驅動電晶體；被電連接到所述驅動電晶體、所述第二電源線和數據線的電容；以及被電連接在所述驅動電晶體、所述數據線、以及掃描線之間的開關電晶體。這裡，所述發光元件由納米線製成。所述發光元件還包括覆蓋所述納米線的一端和該一端的內圓周表面和外圓周表面、並且被電連接到所述第一電源線的第一電極；以及覆蓋所述納米線的另一端和該另一端的內圓周表面和外圓周表面、並且被電連接到所述第二電源線的的第二電極。這裡，所述第一電極具有不同於所述第二電極的功函數。所述第一電極與所述第二電極齊平，並且在水平方向與所述第二電極隔開。
所述發光元件還包括在所述納米線下面形成的第一電極；以及在所述納米線上面形成的第二電極。這裡，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。所述第一電極不與所述第二電極齊平，並且在垂直方向與所述第二電極隔開。所述發光元件包括至少一個第一電極；以及在水平方向與所述第一電極隔開、並且包圍所述第一電極的至少三個側表面的第二電極，以及所述納米線形成在所述第一電極和所述第二電極之間。這裡，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。彩色濾光片被進一步形成在所述發光元件之上或之下。所述驅動電晶體或者開關電晶體包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對應於所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的第二納米線；被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。所述驅動電晶體或者所述開關電晶體包括第二納米線；覆蓋所述第二納米線的柵絕緣層；在對應於所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述第二納米 線的另一端的第二電極。所述驅動電晶體或者所述開關電晶體包括第二納米線；被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述第二納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對應於所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。所述電容包括在襯底上形成的第二納米線；包圍所述第二納米線的絕緣層；包圍所述絕緣層的第一電極；以及被連接到通過所述絕緣層暴露的所述第二納米線的第二電極。一個凹槽在對應於絕緣體的襯底的一個區域上形成。所述電容包括第二納米線；被連接到所述第二納米線的第一電極；覆蓋所述第二納米線的絕緣層；以及在對應於所述第二納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。所述納米線由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5: Tb, Y2Si2O7: Tb, Y2O2S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, CdS:Mn、BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn, YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)的混合物或化合物形成，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3 :Eu+2的混合物或者化合物形成，或者從由ZnO, ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進一步添加到所述第二納米線。第二納米線是由從ZnO、ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進一步添加。所述驅動電晶體的所述第一電極和所述第二電極或者所述開關電晶體的所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數。否則，所述驅動電晶體和所述開關電晶體的第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數，以及遮光構件(member)進一步形成在所述驅動電晶體或者所述開關電晶體之上或者之下。根據本發明的一個實施方式的所述發光顯示設備包括被電連接到第一電源線和第二電源線的納米線發光電晶體；被電連接到所述納米線發光電晶體、所述第二電源線、以及數據線的電容；被電連接到所述納米線發光電晶體、所述數據線、所述電容、以及掃描線的開關電晶體。所述納米線發光電晶體包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對應於所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述納米線的另一端的第二電極。這裡，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。 所述納米線發光電晶體包括納米線；覆蓋所述納米線的柵絕緣層；在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。這裡，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。所述納米線發光電晶體包括納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；被連接到所述納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極，這裡，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。所述開關電晶體包括柵電極；覆蓋所述柵電極的柵絕緣層；在對應於所述柵電極的柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及被連接到所述納米線的另一端的第二電極。所述開關電晶體包括納米線；覆蓋所述納米線的柵絕緣層；在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極；覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體；貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。所述開關電晶體包括納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；被連接到所述納米線的另一端的第二電極；覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。所述電容包括在所述襯底上形成的納米線；包圍所述納米線的絕緣層；包圍所述絕緣層的第一電極；以及被連接到通過所述絕緣層暴露的所述納米線的第二電極。所述襯底具有一個在對應於所述絕緣體的襯底的區域上形成的凹槽。所述電容包括納米線；被連接到所述納米線的第一電極；覆蓋所述納米線的絕緣層；以及在對應於所述納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。所述第一電極被電連接到所述第一電源線，以及所述第二電極被電連接到所述第二電源線。這裡，所述第一電極的功函數大於所述第二電極的功函數。
所述柵電極由透明導電氧化物或者不透明金屬形成。所述納米線由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5: Tb, Y2Si2O7: Tb, Y2O2S: Tb, ZnO: Ag, ZnO: Cu, Ga, CdS:Mn、BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn, YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)的混合物或化合物形成，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3 :Eu+2的混合物或者化合物形成，或者從由ZnO、ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進一步添加到所述納米線。所述開關電晶體或者所述電容的所述納米線是由從ZnO、ln203、SnO2> SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS> ZnSe> CdS> CdSe 組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物形成。為從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、 Ga組成的組中選擇出的任意一者或者它們的混合物或者化合物的摻雜物可以被進一步添加到所述開關電晶體或者所述電容的所述納米線。所述開關電晶體的所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數。而不是互不相同的功函數，遮光構件形成在所述開關電晶體之上或者之下。本發明的一個實施方式提供了利用納米線發光元件的所述發光顯示設備，其中納米線形成在具有不同功函數的電極之間，以在電流被施加於納米線時發出特定顏色的光，並因此所述發光顯示設備具有簡單的結構，而不使用具有複雜結構的、且在傳統的液晶顯示設備中採用的背光源和彩色濾光片。此外，本發明的另一個實施方式提供了所述發光顯示設備，其中所述發光元件和所述電晶體以及所述電容由納米線製造，並因此不需要使用複雜的過程(如真空沉積)以及工具(如，用於製造過程的精細(fine)金屬掩膜)。另外，本發明的又一個實施方式提供了利用具有半導體功能和發光功能的所述納米線發光電晶體的所述發光顯示設備，以使製造工程能夠被簡化以及與驅動電路部分相比能夠增加一個發光區域。此外，本發明的又一個實施方式提供了對水分或者空氣不敏感的發光顯示設備，以使發光特性能夠僅由稀薄保護層維持。


圖Ia是示出了根據本發明的一個實施方式的發光顯示設備的平面視圖，圖Ib是示出了圖Ia的(紅藍綠)RGB像素的平面視圖，以及圖Ic是示出了另一個RGB像素的橫截面視圖；圖2是示出了根據本發明的一個實施方式的具有納米線的發光顯示設備的電路圖；圖3a和圖3b是分別示出了根據本發明的另一個實施方式的具有臥式和立式發光元件的發光顯示設備的像素的平面視圖；圖4a和圖4b是示出了根據本發明的又一個實施方式的臥式發光元件的平面視圖；圖5a和圖5b是示出了根據本發明的又一個實施方式的臥式發光元件的平面視圖和橫截面視圖；圖6a和圖6b是示出了根據本發明的又一個實施方式的立式發光元件的平面視圖和橫截面視圖；圖7a是示出了根據本發明的另一個實施方式的納米線底部柵電晶體的橫截面視 圖，以及圖7b是示出了根據本發明的又一個實施方式的納米線底部柵電晶體的橫截面視圖；圖8是示出了根據本發明的另一個實施方式的納米線頂部柵電晶體的橫截面視圖；圖9是示出了根據本發明的又一個實施方式的納米線頂部柵電晶體的橫截面視圖；圖10是示出了根據本發明的又一個實施方式的納米線電容的橫截面視圖；圖11是示出了根據本發明的又一個實施方式的電容的橫截面視圖；圖12是示出了根據本發明的一個實施方式的具有納米線發光電晶體的發光顯示設備的電路圖；圖13a和圖13b是示出了根據本發明的又一個實施方式的底部柵納米線發光電晶體的平面視圖和橫截面視圖，以及根據圖13c是示出了本發明的又一個實施方式的納米線底部柵電晶體(開關電晶體)的橫截面視圖；圖14是示出了根據本發明的又一個實施方式的頂部柵納米線發光電晶體的橫截面視圖；圖15是示出了根據本發明的又一個實施方式的頂部柵納米線發光電晶體的橫截面視圖。
具體實施例方式在下文中，本發明的示例性實施方式將通過參考附圖被詳細的描述。以下示例性實施方式被描述是為了使本領域的普通技術人員能夠具體化(embody)和實踐本發明。這裡，具有類似的結構以及執行類似的功能的元件在整個說明書中由相同的參考數字指示。另外，「一部分被電連接到另一部分」的表達不僅包括所述部分和所述另一部分被直接地互相連接的情況，而且還包括所述部分和所述另一部分通過布置於二者之間的另一個元件而互相連接的情況。圖Ia是示出了根據本發明的一個實施方式的發光顯示設備的平面視圖，圖Ib是示出了圖Ia的RGB像素的平面視圖，以及Ic是示出了另一個RGB像素的橫截面視圖。如圖Ia所示，根據本發明的一個實施方式的發光顯示設備10包括顯示區域11，非顯示區域12，驅動驅動器13，以及外部連接部分14。NXM個數量的像素15在顯示區域11上形成，並且每一個像素15由三個像素(紅(R)，綠(G)，藍(B)像素)組成。這裡，從R、G和B像素髮出的光的顏色取決於形成納米線的材料。如圖Ib所示，根據本發明的一個實施方式的所述像素15可以由納米線15a、電路和導線截面15b組成。所述納米線15a是發出紅色光、藍色光和綠色光中的一者的部分，所述電路和所述導線截面15b是在其上被提供用來驅動和控制所述納米線的電晶體、電容和導線的部分。如圖Ic所示，根據本發明的另一個實施方式的RGB像素可以包括發出白色光的納米線150a、電路和導線截面15b。為了顯示紅色、綠色和藍色光中的每一個，此時，RGB彩色濾光片17可以被排列在發出所述白色光的納米線150a之上或之下。因此，儘管所述納米線150a發出白色光，但由於所述RGB彩色濾光片17被排列在所述納米線之上或之下，利用 上述的顯示設備能夠顯示彩色光。沒有被說明的參考數字16指示襯底。圖2是示出了根據本發明的一個實施方式的具有納米線的發光顯示設備的電路圖。如圖2所示，根據本發明的一個實施方式的具有納米線的發光顯示設備20包括第一電源線Vdd，發光元件LED，驅動電晶體Tl，第二電源線Vss，電容C，開關電晶體T2，數據線Vdata和掃描線Sn。 例如，所述第一電源線Vdd供應約5V的電壓。與傳統的AMOLED相比，具有所述納米線的所述發光元件LED以低電流運行，並因此供應5伏的電力到所述第一電源線Vdd是足夠的。然而，本發明並不限於上述。換句話說，比上述電壓更高或者更低的電壓都可以通過第一電源線Vdd被供應給具有所述納米線的所述發光元件。具有所述納米線的所述發光元件LED包括多個由無機發光材料形成的納米線，被電連接到所述納米線的一端的第一電極以及被電連接到所述納米線的另一端的第二電極。這裡，所述第一電極被電連接到第一電源線Vdd。因此，所述第一電極可以是陽極。所述第二電極被電連接到所述驅動電晶體Tl。因此，所述第二電極可以是陰極。具有所述納米線、且如上述描述那樣進行構建的所述發光元件LED的多種結構將在下文被描述。所述驅動電晶體Tl被電連接到所述發光元件LED。所述驅動電晶體Tl包括第一電極，第二電極和柵電極。所述驅動電晶體Tl的所述第一電極(源電極或者漏電極)被電連接到所述發光元件LED的所述第二電極。所述驅動電晶體Tl的所述第二電極(漏電極或者源電極)被電連接到所述第二電源線Vss。所述驅動電晶體Tl的所述柵電極被電連接到所述電容C以及所述開關電晶體T2。另一方面，上述驅動電晶體Tl還可以包括所述納米線。這種驅動電晶體Tl的多種結構將在下文被描述。所述第二電源線Nss供應比被所述第一電源線Vdd供應的電壓更低的電壓。例如，所述第二電源線Vss可以供應地電壓。然而，本發明並不限於上述。換句話說，比所述地電壓更高或者更低的電壓可以通過第二電源線Vss被供應給具有所述納米線的所述發光元件 LED。所述電容C被電連接到所述驅動電晶體Tl、所述開關電晶體T2和所述第二電源線Vss。所述電容C具有第一電極和第二電極。所述電容C的所述第一電極被電連接到所述驅動電晶體Tl和所述開關電晶體T2的柵電極。所述電容C的所述第二電極被電連接到第二電源線Vss和所述驅動電晶體Tl的所述第二電極。與此同時，上述電容C還可以包括所述納米線。所述電容C的多種結構將在下文被描述。所述開關電晶體T2被電連接到所述驅動電晶體Tl、所述電容C、所述數據線Vdate和所述掃描線Sn。所述開關電晶體T2包括第一電極、第二電極和柵電極。所述開關電晶體T2的所述第一電極被電連接到所述驅動電晶體Tl的所述柵電極以及所述電容C的所述第一電極。所述開關電晶體T2的所述第二電極被電連接到所述數據線Vdata。所述開關電晶體T2的所述柵電極被電連接到所述掃描線Sn。與此同時，上述開關電晶體T2還可以包括所述納米線。所述開關電晶體T2的多種結構將在下文被描述。所述數據線Vdata供應數據信號。由數據線Vdata供應的數據通過所述開關電晶體T2被保存在所述電容C中。所述掃描線Sn供應掃描信號。所述開關電晶體T2被通過所述掃描線Sn而供應的所述掃描信號打開。另外，當所述開關電晶體T2如上面描述的那樣被打開時，通過所述數據線Vdata而供應的數據被保存在所述電容C中。 在上文中，由兩個電晶體和一個電容(2TR 1CAP)組成的所述發光顯示電路20作為示例被闡述。然而，用於改善所述發光顯示設備的性能的所有已知的或者將要被知道的所述發光顯示電路會很自然地被採用。圖3a和圖3b是分別示出了根據本發明的另一個實施方式的具有臥式和立式發光元件的發光顯示設備的像素的平面視圖。如圖3a所示，具有臥式發光元件的所述發光顯示設備的像素30包括具有以水平方向形成的納米線的發光元件31，被電連接到所述發光元件31的驅動電晶體32，電容33和開關電晶體34。這裡，為了提高所述光提取效率，所述臥式發光元件31具有最大的尺寸或者區域，且其結構將在下文被闡述。如圖3b所述，具有立式發光元件的所述發光顯示設備的像素40包括具有以垂直方向形成的納米線的發光元件41，被電連接到所述發光元件41的驅動電晶體42，電容43和開關電晶體44。這裡，為了提高所述光提取效率，所述立式發光元件41具有最大的尺寸或者區域，且其結構將在下文被闡述。在上文中，由兩個電晶體和一個電容組成的像素30、40的像素布局作為示例被闡述。然而，用於改善所述像素的性能的所有已知的或者將要被知道的所有像素的布局會很自然地被採用。圖4a和圖4b是示出了根據本發明的又一個實施方式的臥式發光元件的平面視圖。如圖4a所示，根據本發明的另一個實施方式的臥式發光元件31包括具有粗略的(rough) 「丄」形狀的第一電極31a (或者第二電極)；與所述第一電極31a隔開、並且包圍所述第一電極31a的粗略的「 H 」形狀的第二電極31b (或者第一電極);以及在所述第一電極31a和所述第二電極31b之間形成的、並且被電連接到所述第一電極31a和所述第二電極31b的多個納米線31c。如圖4b所示，根據本發明的另一個實施方式的臥式發光元件31包括具有粗略的「 _U_ 」形狀的第一電極31a』(或者第二電極)；與所述第一電極31a』隔開、並且包圍所述第一電極31a』的粗略的「Π」形狀的第二電極31b』(或者第一電極);以及在所述第一電極31a』和所述第二電極31b』之間形成的多個納米線31c』。
在根據本發明的另一個實施方式的所述臥式發光元件31、31』中，由於以上結構，儘可能多的納米線被形成並且被排列在所述第一電極和所述第二電極之間，並且被電連接所述第一電極和所述第二電極，因此所述光提取效率被最大化。圖5a和圖5b是示出了根據本發明的又一個實施方式的臥式發光元件的平面視圖和橫截面視圖。如圖5a和圖5b所不,根據本發明的又一個實施方式的發光兀件310包括在襯底310上形成的多個納米線313 ;覆蓋所述納米線313的一端部分以及該一端部分的內圓周表面和外圓周表面的第一電極311 ;以及覆蓋所述納米線313的另一端部分以及該另一端部分的內圓周表面和外圓周表面的第二電極312。這裡，所述第一電極311可以被電連接到第一電源線，以及所述第二電極312可以被電連接到第二電源線。另外，所述第一電極311和所述第二電極312可以彼此齊平，並且在水平方向彼此分開。所述襯底301可以從陶瓷襯底、矽襯底、晶圓襯底、玻璃襯底、聚合物襯底和它們的等價物之中選擇。特別的是，在具有所述納米線的所述發光元件被提供在透明的發光顯示設備中的情況下，所述襯底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃襯底可以由矽氧化 物形成。另外，所述聚合物襯底可以由聚合物形成，例如聚對苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺。在圖中沒有被說明的參考數字302指示緩衝層。所述第一電極311以薄層的形狀形成，並且可以被用作陽極。另外，所述第一電極311同時覆蓋所述納米線313的一端部分以及所述納米線的一端部分的內圓周表面和外圓周表面，以使所述第一電極被電連接到所述納米線313。所述第一電極311可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個金屬來形成。另外，所述第一電極311可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物來形成。多個納米線313被提供用來形成具有一定厚度的薄層。不言而喻，這樣的納米線313被電連接到所述第一電極311和所述第二電極322。另外，所述納米線313可以被排列，使得納米線的縱向並行於或者垂直於所述第一電極311 (或者所述第二電極)的縱向。換句話說，所述納米線313可以被形成使得所述納米線在第一電極311 (或者所述第二電極)的縱向中從所述第一電極311 (或者所述第二電極)的一端穿到另一端，或者在向外的方向中，所述納米線可以被定向為從所述第一電極311 (或者所述第二電極)的平面向外。所述納米線313以具有長度大於直徑的線的形狀形成。所述納米線的直徑大概是lnm-300nm,以及長度大概是2nm_500 μ m。所述納米線313的所述薄層的厚度的均勻性與所述納米線313的所述直徑成反比。另一方面，如果所述納米線313的所述直徑約大於300nm，所述納米線313的所述薄層的厚度被部分地增加，以使所述納米線313的薄層的平整度被破壞。與此同時，所述納米線311由無機發光材料形成。根據顏色，各種螢光粉可以作為無機發光材料被使用。例如，例如CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg)P2O7:Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4:Eu、(Ca, Sr) S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu, Bi 的混合物或者化合物的螢光粉(其是紅色的螢光粉)可以作為無機發光材料被使用。
另外，例如ZnS:Tb、ZnS:Ce, Cl、ZnS:Cu, Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2Si05:Tb、Y2Si2O5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag、ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10O17 = Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn, YBO23: Ce, Tb、Ba2Si04:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu中的每一個的螢光粉(其是綠色的螢光粉)或者它們的混合物或者化合物可以作為無機發光材料被使用。而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS :Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2Si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca)10(P04)6Cl2:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27 = Eu 中的每一個的螢光粉(其是藍色的螢光粉)或者它們的混合物或者化合物可以作為無機發光材料被使用。另外，例如YAG (釔、鋁、石榴石)的白色螢光粉可以作為無機發光材料被使用。而且，作為無機發光材料，利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O :Eu+2的混合物或者化合物可以被採用。另外，白色光可以通過混合ZnO+SnO和以上無機發光材料被得到。這裡，所述無機發光材料包括形成物質的主體(host)和在所述物質中作為發光中心的摻雜物。總的來說，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C (包括金剛石)P、B_C、B-P (BP6)、B-Si、Si-C, Si-Ge, Si-Sn 和 Ge_Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO、PbS、PbSe、PbTe, CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr, AgKBeSiN2, CaCN2,ZnGeP2,CdSnAs2,ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4,Ge3N4, Al2O3, Al2Co的物質可以被應用於形成半導體納米線。基本上，特別的是，由例如Zn。、In2O3' SnO2, SiGe、GaN, InP、InAs, Ge、GaP、GaAs,GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個、或者它們的混合物或者化合物的材料形成的納米線通過添加單獨的摻雜物而具有半導體的功能和發光功能。當然，通過調整所述摻雜物的組分，適當地調整發出的光的顏色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一個、或者它們的混合物或者化合物可以被應用為摻雜物，然而，本發明不僅限於上述材料。與此同時,平坦化(planarizing)層(沒有示出)可被進一步形成在所述納米線313之間的間隔之中或之上。根據納米線313的電特性，介電層或者導電層可以被形成作為平坦化層。如果所述納米線313具有電導率，由於電荷不被累積在所述納米線的表面，介電層或者絕緣層可以被形成作為所述平坦化層。另外，所述納米線313沒有電導率，由於當低電壓被激勵(excited)時電荷被累積在所述納米線的表面，為了保護電荷的積累，導電層可以被形成作為平坦化層。所述平坦化層填補在所述納米線313之間的間隔，使整個納米線能夠被平坦化。所述平坦化層可以由介電材料、高分子樹脂或者氧化物形成。所述第二電極312也以具有一定厚度的薄層的形狀形成，並且具有與第一電極311相反的極性。換句話說，如果第一電極311是陽極，所述第二電極312可以被用作陰極。所述第二電極312被電連接到納米線313。也就是說，所述第二電極312同時覆蓋所述納米線313的另一端以及該另一端的內圓周表面和外圓周表面，以使所述第二電極312被電連接到所述納米線313。另外，所述第二電極312可以是由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一者形成的金屬層。而且，所述第二電極312可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。同時，如果所述第一電極311的功函數與所述第二電極312的功函數不同，那麼很難從所述納米線313發光。因此，如果第一電極311被用作陽極，則所述第一電極311優選地由從具有相對高的功函數的銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個形成。上述材料的所述功函數大約是4. 9eV,是相對高的功函數。另外，如果所述第二電極312被用作陰極，所述第二電極312優選地由從具有相對低的功函數的鋁和與它的等價物之中選擇出的一個形成。上述材料的功函數大概是4. IeV,是相對低的功函數。此外，在由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO )、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)形成的所述第一電極311被用作陰極的情況下，為了保持所述第一電極和所述第二電極312之間的功函數的不同，鎂和鋁可以在形成所述第一電極311之前預先被沉積。另外，所述第一電極311與所述第二電極312齊平,並且所述第一電極311和所述第二電極312在水平方向被相互分開，以使所述臥式發光元件310被實現。此外，在上述臥式發光兀件310的情況中,雙向發光結構能夠被獲得,其中通過該雙向發光結構,光在向上的方向和向下的方向中被發出，並且通過在所述發光元件之上或者之下額外形成不透明的反射層，所述發光方向能被調整成僅在一個方向中發光。圖6a和圖6b是示出了根據本發明的又一個實施方式的立式發光元件的平面視圖和橫截面視圖。如圖6a和圖6b所不,根據本發明的又一個實施方式的立式發光兀件410包括納米線413、在所述納米線413下面形成的第一電極411、以及在所述納米線413上面形成的第二電極412。如上述描述的，所述納米線413、所述第一電極411和所述第二電極412由相同的材料形成。另外，所述第一電極411的功函數不同於上述納米線413的第二電極的功函數，以在納米線413上生成發光現象。另外，所述第一電極411與所述第二電極412不齊平，並且所述第一電極和所述第二電極在垂直方向被互相分開，以使所述立式發光兀件310被提供。在上述立式發光兀件410的情況中，由於分別形成所述第一電極411和所述第二電極412的位置能夠被相互交換，根據發光的方向，透明陽極電極(例如，由ΙΤ0/ΙΖ0等形成)以及不透明陰極電極(例如，由鋁形成)能夠被恰當的排列以確定發光的方向。所述附圖中沒有被說明的參考數字414指示絕緣層。下面闡述的本發明的又一個實施方式闡述了所述發光元件和所述驅動電晶體，所述開關電晶體和所述電容由納米線組成。因此，根據本發明的所述發光顯示設備能利用公共納米線實現多個元件(所述發光元件，所述驅動電晶體，所述開關電晶體和所述電容)，並因此，本領域的技術人員能夠理解這個結構明顯地簡化了製造過程。
在下文中，由所述納米線形成的所述驅動電晶體、所述開關電晶體和所述電容的結構將被闡述。這裡，由於所述驅動電晶體和所述開關電晶體具有相同的結構，應該理解的是底部柵電晶體或者頂部柵電晶體被視為所述驅動電晶體和所述開關電晶體。另外，與具有上面提到的發光特性的納米線相同種類的納米線被採用。換句話說，該納米線是由例如ZnO, ln203、SnO2, SiGe、GaN、InP, InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個或者它們的混合物或者化合物的材料形成的。毫無疑問，摻雜物被添加到上述材料中，所述摻雜物可以是Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga的中一者或者它們的混合物或者化合物。與此同時，由於以下被描述的電晶體的第一電極和第二電極沒有不同，發光現象基本不發生。因此，不必要的發光現象在所述電晶體的運行期間不會被產生。然而，儘管所述第一電極和具有彼此不同的功函數的所述第二電極被使用，通過在所述電晶體之上或者在所述電晶體之下形成遮光構件，可以阻止從所述電晶體發出的光被散發到所述發光設備之外。
圖7a是示出了根據本發明的另一個實施方式的納米線底部柵電晶體的橫截面視圖，以及圖7b是示出了根據本發明的又一個實施方式的納米線底部柵電晶體的橫截面視圖。如圖7a所示，根據被發明的另一個實施方式的納米線底部柵電晶體510包括在襯底501的緩衝層502上形成的柵電極511 ;覆蓋所述柵電極511的柵絕緣層512 ;在對應於所述柵電極511的所述柵絕緣層512上形成的納米線512 ;被連接到納米線513的一端的第一電極514 ;以及被連接到所述納米線513的另一端的第二電極515。這裡，所述第一電極514和所述第二電極515可以是由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個金屬形成的金屬層。另外，所述第一電極514和所述第二電極515可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。另外，由於被布置在所述第一電極514和第二電極515之間、且被電連接到所述第一電極514和第二電極515的所述納米線不應該發光，因此優選的是所述第一電極514和所述第二電極515由具有相同功函數的材料形成。例如，如果所述第一電極514由鋁形成，那麼所述第二電極515也由鋁形成。如圖7b所示，根據本發明的又一個實施方式的遮光構件516可以進一步在底部柵電晶體510a之上或者之下形成。如上文所述，在具有彼此不同的功函數的所述第一電極514和所述第二電極515被使用的情況下，所述納米線513能夠發光。然而，通過遮光構件516可以阻止從所述納米線513發出的光被散發到所述發光設備之外。基本上，上述遮光構件可以被提供在下面介紹的驅動電晶體和開關電晶體中。圖8是示出了根據本發明的另一個實施方式的納米線頂部柵電晶體的橫截面視圖。根據本發明的另一個實施方式的頂部柵電晶體610包括在襯底601的緩衝層602上形成的納米線611 ;覆蓋所述納米線611的柵絕緣層612 ;在對應於所述納米線611的所述柵絕緣層612上形成的柵電極613 ;覆蓋所述柵電極613和對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層612的層間絕緣體614 ;貫穿所述層間絕緣體614並通過其貫穿部分而被連接到所述納米線611的一端的第一電極615 ；以及貫穿所述層間絕緣體614並通過其貫穿部分而被連接到所述納米線611的另一端的第二電極616。這裡，所述第一電極615和所述第二電極616可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線611發光，所述第一電極615和所述第二電極616分別由具有相同的功函數的材料形成。圖9是示出了根據本發明的又一個實施方式的頂部柵電晶體的橫截面視圖。如圖9所示，根據本發明的又一個實施方式的頂部柵電晶體710包括在襯底701的緩衝層702上形成的納米線711 ;被連接到所述納米線711的一端的第一電極712 ;被連接到所述納米線711的另一端的第二電極712 ;覆蓋所述納米線711、所述第一電極712和所述第二電極712的柵絕緣層714 ;以及在對應於所述納米線711的所述柵絕緣層714上形成的柵電極715。這裡，所述第一電極712和所述第二電極713可以由與上文所述的材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線711發光，所述第一電極712和所述第二電極713分·別由具有相同的功函數的材料形成。圖10是示出了根據本發明的又一個實施方式的電容的橫截面視圖。如圖10所示，根據本發明的又一個實施方式的電容810包括在具有其上形成的凹槽803且具有一定深度的襯底801上形成的納米線811 ;包圍所述納米線811的絕緣層812 ;包圍所述絕緣層812的第一電極813 ;以及被連接到通過絕緣層812暴露的所述納米線811的第二電極814。這裡，由於所述納米線811被電連接到所述第二電極814，所述納米線811阻止所述第一電極811形成一個電容。這裡，所述第一電極813和所述第二電極814可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線811發光，所述第一電極813和所述第二電極814分別由具有相同的功函數的材料形成。沒有被描述的參考數字802指示緩衝層。毫無疑問，基本上，儘管在所述第一電極813和所述第二電極814之間有不用的功函數，但由於所述電容不是電流元件，所述光不被發出。換句話說，相互之間具有不同的功函數的所述第一電極813和所述第二電極814可以在電容上被使用。圖11是示出了根據本發明的又一個實施方式的電容的橫截面視圖。如圖11所示，根據本發明的又一個實施方式的電容910包括在襯底901上形成的納米線911 ;被電連接到所述納米線911的第一電極912 ;覆蓋所述納米線911的絕緣層913;以及在對應於所述納米線911的所述絕緣層913上形成的第二電極914。這裡，由於所述納米線911也被電連接到所述第一電極912，所述納米線911阻止所述第二電極914形成一個電容。所述第一電極912和所述第二電極914可以由與上文所述材料相同的材料形成。另外，為了不允許所述納米線911發光，所述第一電極912和所述第二電極914分別由具有相同的功函數的材料形成。圖12是示出了根據本發明的又一個實施方式的具有納米線發光電晶體的發光顯示設備的電路圖。如圖12所示，根據本發明的又一個實施方式的發光顯示設備50包括第一電源線Vdd,納米線發光電晶體LED Tl，第二電源線Vss，電容C，開關電晶體T2，數據線Vdate和掃描線Sn。例如，所述第一電源線Vdd供應大約5V的電壓。這裡，與傳統的AMOLED相比，由於所述納米線發光電晶體LED Tl以低電流運行，5V的電壓足夠用於將被供應到所述第一電源線Vdd的電力。然而，本發明不限於此。換句話說，比上述電壓更高或者更低的電壓也可以通過第一電源線Vdd被供應給所述納米線發光電晶體LED Tl。所述納米線發光電晶體LED Tl被電連接到所述第一電源線Vdd。所述納米線發光電晶體LED Tl包括第一電極、第二電極和柵電極。所述納米線發光電晶體LED Tl的所述第一電極(源電極或者漏電極)被電連接到所述第一電極線Vdd。所述納米線發光電晶體LED Tl的所述第二電極(漏電極或者源電極)被電連接到所述第二電源線Vss。所述納米線發光電晶體LEDTl的所述柵電極被電連接到所述電容C和所述開關電晶體T2。與此同時，所述納米線發光電晶體LED Tl包括具有半導體功能和發光功能的納米線。換句話說，所述納米線發光電晶體LED Tl在例如Vgs > Vth的情況下被打開。此時，發出規定顏色的光。上述納米線發光電晶體LED Tl的詳細結構將在下文被描述。 所述第二電源線Vss提供比從第一電源線Vdd提供的電壓更低的電壓。例如，所述第二電源線Vss能提供地電壓。然而，本發明不限於此。換句話說，比所述地電壓更高或者更低的電壓也能夠通過第二電源線Vss被供應給所述納米線發光電晶體LED Tl。所述電容C被電連接到所述納米線發光電晶體LED Tl、所述開關電晶體T2和所述第二電源線Vss。所述電容C具有第一電極和第二電極。所述電容C的所述第一電極被電連接到所述納米線發光電晶體LED Tl和所述開關電晶體T2的柵電極。所述電容C的所述第二電極被電連接到所述第二電源線Vss和所述納米線發光電晶體LED Tl的第二電極。上述電容C可以包括所述納米線。這種電容C的多種結構將在下文再一次被描述。所述開關電晶體T2被電連接到所述納米線發光電晶體LED Tl、所述電容C、所述數據線Vdata和所述掃描線Sn。所述開關電晶體T2包括第一電極、第二電極和柵電極。所述開關電晶體T2的所述第一電極被電連接到所述納米線發光電晶體LED Tl的柵電極和所述電容C的所述第一電極。所述開關電晶體T2的所述第二電極被電連接到數據線Vdata。所述開關電晶體T2的所述柵電極被電連接到所述掃描線Sn。與此同時，上述開關電晶體T2也可以包括所述納米線。這樣開關電晶體T2本質上與所述納米線發光電晶體LED Tl是相同的。在所述開光電晶體T2中，所述第一電極的功函數與第二電極的功函數相同。然而，在所述納米線發光電晶體LED Tl中，所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。所述數據線Vdata供應數據信號。由數據線Vdata供應的數據通過所述開關電晶體T2被保存在所述電容C中。所述掃描線Sn供應掃描信號。所述開關電晶體T2由通過所述掃描線Sn供應的所述掃描信號打開。另外，當開關電晶體T2如上文描述的那樣被打開時，通過所述數據線Vdata供應的數據被保存在所述電容C中。在上文，儘管通過示例示出了由兩個電晶體和一個電容(2TR 1CAP)組成的所述發光顯示電路20，但是用於改善發光顯示設備的性能的所有已知的或者將要知道的發光顯示電路可以被應用。圖13a和圖13b是示出了根據本發明的又一個實施方式的底部柵納米線發光電晶體的平面視圖和橫截面視圖，以及圖13c是示出了根據本發明的又一個實施方式的納米線底部柵電晶體(開關電晶體)的橫截面視圖。如圖13a和13b所示，根據本發明的又一個實施方式的底部柵納米線發光電晶體1010包括在襯底1001的緩衝層1002上形成的柵電極1011 ;覆蓋所述柵電極1011的柵絕緣層1012 ;在對應於所述柵電極1011的所述柵絕緣層1012上形成的納米線1013 ;被連接到所述納米線1013的一端的第一電極1014 ;以及被連接到所述納米線1013的另一端的第二電極1015。所述襯底1001可以是從陶瓷襯底、矽晶圓襯底、玻璃襯底、聚合物襯底和它們的等價物中選擇出的一個。特別的是，在所述襯底被應用在雙向發光顯示設備中的情況下，所述襯底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃襯底可以由矽氧化物形成。另外，所述聚合物襯底可以由聚合物材料形成，例如聚對苯二甲酸乙二醇脂(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚醯亞胺。所述柵電極1011在所述襯底1001的所述緩衝層襯底1001上形成。在從所述顯示設備發出的光被向上散發的情況下，這個柵電極1011可以由不透明反射金屬形成。例 如，所述柵電極1011可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個不透明發射金屬形成。另外，在從所述顯示設備發出的光被向下或者向兩方向散發的情況下，這個柵電極1011可以由透明導電氧化物形成。例如，柵第二電極1011可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0 )、銦鋅氧化物(ΙΖ0 )、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。所述柵絕緣層1012覆蓋所述柵電極1012和對應於所述外圍柵電極的緩衝層1012。所述柵絕緣層1012可以是從傳統的氧化層、氮化層和它們的等價物之中選擇出的一者。所述納米線1013在對應於所述柵電極1011的所述柵絕緣層1012上形成。這樣納米線1013具有發光功能和半導體功能。多個納米線1013被提供以在所述柵絕緣層1012上形成具有一定厚度的薄層。毫無疑問的是，所述納米線1013被電連接到在下文被描述的第一電極1014和第二電極1015。另外，所述納米線1313可以被排列使得所述納米線的縱向平行於或者垂直於所述第一電極1014 (或者所述第二電極)的縱向。換句話說，所述納米線1013可以被形成使得所述納米線在第一電極1014 (或者第二電極)的縱向方向中從所述第一電極1014 (或者第二電極)的一端貫穿到另一端，或者在向外的方向中，所述納米線可以被定向為從所述第一電極1014 (或者第二電極)的平面表面向外。所述納米線1013以具有比直徑大的長度的線的形狀形成。所述納米線的直徑大概是lnm-300nm,並且長度大概是2nm_500 μ m。所述納米線313的所述薄層的厚度的均勻性與所述納米線1013的直徑成反比。另一方面，如果所述納米線1013的直徑約大於300nm，那麼所述納米線1013的所述薄層的厚度被部分地增加以使所述納米線1013的所述薄層的
平整度被破壞。與此同時，所述納米線1311由無機發光材料形成。根據顏色，螢光粉可以用作無機發光材料。例如，例如CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3:Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y3O3: Eu、YV04:Eu, Bi中的每一個的螢光粉(其是紅色的螢光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無機發光材料。另夕卜，例如ZnS:Tb(主體;摻雜物)、ZnS:Ce, Cl、ZnS:Cu, Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag, ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2Si04:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu中的每一個的螢光粉(其是綠色的螢光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無機發光材料。而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2Si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca)10(P04)6Cl2:Eu、BaMgAlltlO17:Eu、BaMg2Al16O27 = Eu 中的每一個的螢光粉(其是藍 色的螢光粉)或者它們的混合物或者化合物可以用作無機發光材料。另外，例如YAG (釔、鋁、石榴石)的白色螢光粉可以用作無機發光材料。而且，作為無機發光材料，利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或者化合物可以被應用。另外，白色光可以通過混合ZnO+SnO和以上無機發光材料被得到。換句話說，所述無機發光材料包括形成物質的主體和在所述物質中作為發光中心的摻雜物。另外，這種無機發光材料在電晶體中的半導體活動層和半導體通道區上形成。總的來說，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C (包括金剛石)P、B_C、B-P (BP6)、B-Si,Si-C, Si-Ge, Si-Sn 和 Ge_Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb,BN/BP/BAs,AlN/AlP/AlAs/AlSb,GaN/GaP/GaAs/GaSb,InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO、PbS、PbSe、PbTe, CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr,AgKBeSiN2, CaCN2,ZnGeP2,CdSnAs2,ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4,Ge3N4, Al2O3, Al2Co的物質可以用於形成所述半導體納米線。基本上，特別的是，由例如Zn。、In2O3' SnO2, SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS, ZnSe, CdS, CdSe中的每一個、或者它們的混合物或者化合物的材料形成的納米線通過添加單獨的摻雜物而具有半導體的功能和發光功能。當然，通過調整所述摻雜物的組分，適當地調整發出的光的顏色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一個、或者它們的混合物或者化合物可以用作摻雜物，然而，本發明不僅限於上述材料。與此同時，平坦化層(沒有示出)可以被進一步形成在所述納米線1013之間的間隔之中或者之上。根據納米線1313的電特性，介電層或者導電層可以被形成作為平坦化層。如果所述納米線1013具有電導率，由於電荷不被累積在所述納米線的表面，介電層或者絕緣層可以被形成作為所述平坦化層。另外，如果所述納米線1013沒有電導率，由於在低電壓被激勵時電荷被累積在所述納米線的表面，因此為了防止電荷的積累，導電層可以被形成作為平坦化層。所述平坦化層填補在所述納米線1013之間的間隔，以使整個納米線能夠被平坦化。所述平坦化層可以由介電材料、高分子樹脂或者氧化物形成。所述第一電極1014以薄層的形狀形成，並且可以用作源電極(或者漏電極)。而且，所述第一電極1014同時覆蓋所述納米線1013的一端和該一端的內圓周表面和外圓周表面，使得所述第一電極被電連接到所述納米線1013。所述第一電極1014可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個金屬形成。另外，所述第一電極1014可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(Sn02)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。所述第二電極1015也以具有一定厚度的薄層的形狀形成，並且具有與第一電極1014相反的極性。換句話說，如果第一電極1014是源電極，所述第二電極1015可以被用作漏電極(或者源電極)。所述第二電極1015被電連接到納米線1013。也就是說，所述第二電極1015同時覆蓋所述納米線1013的另一端以及該另一端的內圓周表面和外圓周表面，以使所述第二電極被電連接到所述納米線1013。另外，所述第二電極1015可以被形成作為由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個形成的金屬層。另外，所述第二電極1015可以由從銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。·
同時，如果所述第一電極1014的功函數不與所述第二電極1015的功函數不同，那麼很難從所述納米線1013發光。舉一個例子，第一電極1014可以由從具有相對高的功函數的銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(Sn02)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個形成。上述材料的功函數大概是4. 9eV，其是相對高的工作函數。同時，所述第二電極312可以由從具有相對低的功函數的鋁和它的等價物之中選擇出的一個形成。上述材料的功函數大概是4. leV，其是相對低的功函數。此外，在例如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)等的材料被用於同時形成所述第一電極1014和所述第二電極1015的情況下，為了產生所述第一電極1014和所述第二電極312之間的功函數的差，鎂和鋁可以在形成任意一個電極之前預先被沉積。另外，所述第一電極1014與所述第二電極1015齊平,並且所述第一電極和所述第二電極在水平方向相互分開，以使所述臥式納米線發光電晶體LED Tl被實現。此外，在上述臥式納米線發光電晶體LED Tl的情況中，雙向發光結構能夠被獲得，其中通過該雙向發光結構，光在向上的方向和向下的方向被發出，並且通過形成較低的柵電極1011作為不透明的反射金屬層或者在所述納米線發光電晶體上額外形成不透明的金屬反射層，所述發光方向能被調整成僅在一個方向中發光。如圖13c所示，單獨的遮光構件1016可以被進一步形成在根據本發明的又一個實施方式的底部柵電晶體IOlOa (開關電晶體)之上或者之下。如上文描述的，如果具有不同的功函數的第一電極1014和第二電極1015被應用，所述納米線1013能夠發光。然而，由於所述遮光構件1016，阻止從所述納米線1013發出的光被散發到所述顯示設備的外面是可能的。當然，在這種開關電晶體中，如果具有相同的功函數的第一電極和所述第二電極被應用，抑制光如上文被發出是可能的。圖14是示出了根據本發明的又一個實施方式的頂部柵納米線發光電晶體的橫截面視圖。
如圖14所示，頂部柵納米線發光電晶體1110包括在襯底1101的緩衝層1102上形成的納米線1111 ;覆蓋所述納米線1111的柵絕緣層1112 ;在對應於所述納米線1111的所述柵絕緣層1112上形成的柵電極1113 ;覆蓋所述柵絕緣電極1113和對應於外圍柵電極1113的所述柵絕緣層1112的層間絕緣體1114 ;貫穿所述層間絕緣體1114並且通過其貫穿部分被連接到所述納米線1111的一端的第一電極1115 ;以及貫穿所述層間絕緣體1114並且通過其貫穿部分被連接到所述納米線1111的另一端的第二電極1116。這裡，所述納米線1111由具有發光功能和半導體功能的上述材料形成，以及第一電極1115和第二電極1116可以由上述材料形成。當然，為了使所述納米線1111能夠具有發光功能和半導體功能，所述第一電極1114和所述第二電極1115分別由功函數彼此不同的材料形成。 圖15是示出了根據本發明的又一個實施方式的頂部柵納米線發光電晶體的橫截面視圖。如圖15所示，頂部柵納米線發光電晶體1210包括在襯底1201的緩衝層1202上形成的納米線1211 ;被連接到所述納米線1211的一端的第一電極1212 ;被連接到所述納米線1211的另一端的第二電極1212 ;覆蓋所述納米線1211、所述第一電極1212和所述第二電極1212的柵絕緣層1214 ;以及在對應於所述納米線1211的所述柵絕緣層1214上形成的柵電極1215。這裡，所述納米線1211由具有發光功能和半導體功能的上述材料形成，以及第一電極1212和第二電極1213可以由上述材料形成。當然，為了使所述納米線1211能夠具有發光功能和半導體功能，所述第一電極1212和所述第二電極1213分別由功函數彼此不同的材料形成。另一方面，圖12所示的所述開關電晶體T2具有實質上與上文描述的納米線發光電晶體1010、1110和1210的結構相同的結構。除了第一電極和第二電極由相同的材料形成(即，所述第一電極和第二電極由具有相同的功函數的材料形成)以阻止所述開關電晶體T2的所述納米線發光，所述開關電晶體具有與納米線發光電晶體1010、1110和1210的結構相同的結構。舉一個例子，在所述開關電晶體T2中的第一電極和第二電極可以由從鋁(Al)、錫(Sn)、鎢(W)、金(Au)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)和它們的等價物之中選擇出的一個金屬形成。另外，所述第一電極和所述第二電極可以由從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物、錫氧化物(SnO2)、銦氧化物(In2O3)和它們的等價物之中選擇出的一個透明導電氧化物形成。如上文所描述的，所述第一電極和所述第二電極由具有相同功函數的材料形成，以阻止被布置在所述第一電極和所述第二電極之間、並且被電連接到所述第一電極和所述第二電極的所述納米線發光。例如，如果第一電極由鋁形成，所述第二電極也由鋁形成。另夕卜，如果第一電極由銦錫氧化物形成，所述第二電極也由銦錫氧化物形成。毫無疑問的，圖12所示的所述開關電晶體T2可以具有與所述納米線發光電晶體1010、1110和1210的結構完全相同的結構。換句話說，具有不同功函數的所述第一電極和所述第二電極能夠被應用。同時，像所述納米線發光電晶體1010、1110和1210那樣，所述開關電晶體T2發出規定顏色的光。通過在所述開關電晶體T2之上或者之下形成單獨的遮光構件，阻止從所述納米線513發出的光被散發到外面是可能的(見圖13c)。上述說明書僅僅描述了用於實施根據本發明的具有納米線的發光顯示設備的一個示例，本發明不限於上述實施方式，並且本領域的技術人員可以在不偏離本發明所附的權利要求書所要求的範圍內對本發明進行 修改。
權利要求
1.一種發光顯示設備，該發光顯示設備包括； 被電連接到第一電源線的發光元件； 被電連接到所述發光元件和第二電源線的驅動電晶體； 被電連接到所述驅動電晶體、所述第二電源線、以及數據線的電容；以及 被電連接在所述驅動電晶體、所述數據線、以及掃描線之間的開關電晶體， 其中所述發光元件由納米線製成。
2.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述發光元件還包括 第一電極，該第一電極覆蓋所述納米線的一端以及該一端的內圓周表面和外圓周表面，並且該第一電極被電連接到所述第一電源線；以及 第二電極，該第二電極覆蓋所述納米線的另一端以及該另一端的內圓周表面和外圓周表面，並且該第二電極被電連接到所述第二電源線， 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
3.根據權利要求2所述的發光顯示設備，其中所述第一電極與所述第二電極齊平，並且所述第一電極在水平方向上與所述第二電極隔開。
4.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述發光元件還包括 在所述納米線之下形成的第一電極；以及 在所述納米線之上形成的第二電極， 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
5.根據權利要求4所述的發光顯示設備，其中所述第一電極不與所述第二電極齊平，並且所述第一電極在垂直方向上與所述第二電極隔開。
6.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述發光元件包括 至少一個第一電極；以及 第二電極，該第二電極在水平方向上與所述第一電極隔開，並且該第二電極包圍所述第一電極的至少三個側表面， 其中所述納米線形成在所述第一電極與所述第二電極之間，並且 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
7.根據權利要求6所述的發光顯示設備，該發光顯示設備還包括在所述發光元件之上或之下形成的彩色濾光片。
8.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述驅動電晶體或所述開關電晶體包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對應於所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的第二納米線； 被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。
9.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述驅動電晶體或所述開關電晶體包括 第二納米線； 覆蓋所述第二納米線的柵絕緣層；在覆蓋所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述第二納米線的一端的第一電極；以及 貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極。
10.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述驅動電晶體或所述開關電晶體包括 第二納米線； 被連接到所述第二納米線的一端的第一電極； 被連接到所述第二納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述第二納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對應於所述第二納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。
11.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述電容包括 在襯底上形成的第二納米線； 包圍所述第二納米線的絕緣層； 包圍所述絕緣層的第一電極；以及 被連接到通過所述絕緣層暴露的所述第二納米線的第二電極。
12.根據權利要求11所述的發光顯示設備，其中所述襯底具有在該襯底對應於所述絕緣層的區域上形成的凹槽。
13.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述電容包括 第二納米線； 被連接到所述第二納米線的第一電極； 覆蓋所述第二納米線的絕緣層；以及 在對應於所述第二納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。
14.根據權利要求I所述的發光顯示設備，其中所述納米線由下列的混合物或化合物形成CaS: Eu>ZnS: Sm>ZnS:Mn>Y2O2S: Eu>Y2O2S: Eu, Bi ^Gd2O3: Eu> (Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu, Mn、CaLa2S4:Ce, SrY2S4:Eu, (Ca, Sr) S:Eu, SrS:Eu, Y203Eu, YVO4:Eu, Bi, ZnS: Tb, ZnS:Ce, Cl,ZnS: Cu, Al、Gd2O2SiTb, Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3: Tb, Zn、SrGa2S4: Eu, Y2Si05:Tb、Y2Si207:Tb、Y2O2S:Tb> ZnO:Ag、ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4) 4C12:Eu, Mn、YBO3:Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu, (Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu,(Ba, Sr)Al2O4:Eu> Sr2Si308、2SrCl2:Eu、SrS:Ce> ZnS:Tm、ZnS:Ag, Cl> ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn>YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12: Eu、BaMgAlltlO17: Eu、BaMg2Al16O27: Eu、YAG (釔、鋁、石榴石)，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或化合物形成，或者由從由 Zn。、In203、Sn02、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS> ZnSe> CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
15.根據權利要求8至13中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述第二納米線由從由 Zn。、ln203、Sn02、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe> CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
16.根據權利要求14所述的發光顯示設備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
17.根據權利要求15所述的發光顯示設備，其中所述第二納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
18.根據權利要求8-10中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數。
19.根據權利要求8-10中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，該發光顯示設備還包括在所述驅動電晶體或所述開關電晶體之上或之下形成的遮光構件。
20.一種發光顯示設備，該發光顯示設備包括； 被電連接到第一電源線和第二電源線的納米線發光電晶體； 被電連接到所述納米線發光電晶體、所述第二電源線、以及數據線的電容； 被電連接到所述納米線發光電晶體、所述數據線、所述電容、以及掃描線的開關電晶體。
21.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述納米線發光電晶體包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對應於所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述納米線的另一端的第二電極， 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
22.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述納米線發光電晶體包括 納米線； 覆蓋所述納米線的柵絕緣層； 在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的另一端的第二電極， 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
23.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述納米線發光電晶體包括 納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極； 被連接到所述納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極， 其中所述第一電極的功函數不同於所述第二電極的功函數。
24.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述開關電晶體包括 柵電極； 覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在對應於所述柵電極的所述柵絕緣層上形成的納米線；被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 被連接到所述納米線的另一端的第二電極。
25.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述開關電晶體包括 納米線； 覆蓋所述納米線的柵絕緣層； 在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極； 覆蓋所述柵電極以及對應於外圍柵電極的所述柵絕緣層的層間絕緣體； 貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的一端的第一電極；以及 貫穿所述層間絕緣體、並且被連接到所述納米線的另一端的第二電極。
26.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述開關電晶體包括 納米線； 被連接到所述納米線的一端的第一電極； 被連接到所述納米線的另一端的第二電極； 覆蓋所述納米線、所述第一電極和所述第二電極的柵絕緣層；以及 在對應於所述納米線的所述柵絕緣層上形成的柵電極。
27.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述電容包括 在所述襯底上形成的納米線； 包圍所述納米線的絕緣層； 包圍所述絕緣層的第一電極；以及 被連接到通過所述絕緣層暴露的所述納米線的第二電極。
28.根據權利要求27所述的發光顯示設備，其中所述襯底具有在該襯底對應於所述絕緣層的區域上形成的凹槽。
29.根據權利要求20所述的發光顯示設備，其中所述電容包括 納米線； 被連接到所述納米線的第一電極； 覆蓋所述納米線的絕緣層；以及 在對應於所述納米線的所述絕緣層上形成的第二電極。
30.根據權利要求21-23中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述柵電極由透明導電氧化物或不透明金屬形成。
31.根據權利要求21-29中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述納米線由下列的混合物或化合物形成CaS:Eu、ZnS: Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu, Bi、Gd2O3: Eu、(Sr, Ca, Ba, Mg) P207 : Eu, Mn、CaLa2S4: Ce、SrY2S4: Eu、(Ca, Sr) S: Eu、SrS: Eu、Y2O3: Eu、YVO4: Eu, Bi、ZnS: Tb、ZnS: Ce, Cl、ZnS: Cu, Al、Gd2O2S: Tb、Gd2O3: Tb, Zn、Y2O3:Tb, Zn、SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2SiTb, ZnO:Ag, ZnO:Cu, Ga、CdS:Mn,BaMgAl10017:Eu, Mn、(Sr, Ca, Ba) (Al, Ga)2S4:Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu, Mn、YBO3: Ce, Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba, Sr) 2Si04:Eu、Ba2 (Mg, Zn) Si2O7:Eu、(Ba, Sr) Al2O4:Eu、Sr2Si3O8^2SrCl2:Eu>SrS: Ce, ZnS: Tm, ZnS:Ag, Cl、ZnS:Te、Zn2si04:Mn、YSi05:Ce、(Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6C12:Eu、BaMgAl10O17: Eu > BaMg2Al16O27: Eu、YAG (宇乙、招、石槽石)，或者由利用通過合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-IAl2O3:Eu+2的混合物或化合物形成,或者由從由ZnO、ln203、SnO2>SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe 組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
32.根據權利要求21-29中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述納米線由從由 ZnO> ln203、SnO2> SiGe> GaN> InP、InAs> Ge、GaP> GaAs> GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe>CdS> CdSe組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物形成。
33.根據權利要求31所述的發光顯示設備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
34.根據權利要求32所述的發光顯示設備，其中所述納米線還包含摻雜物，所述摻雜物是從由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga組成的組中選擇的任意一者或者它們的混合物或化合物。
35.根據權利要求24-26中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，其中所述第一電極和所述第二電極具有相同的功函數。
36.根據權利要求24-26中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，該發光顯示設備還包括在所述開關電晶體之上或之下形成的遮光構件。
37.根據權利要求21-23中任意一項權利要求所述的發光顯示設備，該發光顯示設備還包括在所述納米線發光電晶體之上或之下形成的彩色濾光片。
全文摘要
本發明涉及一種具有納米線的發光顯示設備，目的是提供一種具有在電流通過時發光的納米線的發光顯示設備。為此，本發明公開了一種發光顯示設備，包括被電連接到第一電源線的發光元件；被電連接在發光元件和第二電源線之間的驅動電晶體；被電連接在驅動電晶體、第二電源線、以及數據線之間的電容；被電連接在驅動電晶體、數據線、以及掃描線之間的開關電晶體，其中發光元件由納米線製成。此外，本發明公開了一種發光顯示設備，包括被電連接在第一電源線和第二電源線之間的納米線發光電晶體；被電連接在納米線發光電晶體、第二電源線、以及數據線之間的電容；被電連接在納米線發光電晶體、數據線、電容、以及掃描線之間的開關電晶體。
文檔編號B82B1/00GK102884651SQ201180013258
公開日2013年1月16日 申請日期2011年3月2日 優先權日2010年3月8日
發明者朱祥玄, 徐美淑 申請人:京畿大學校產學協力團