提高晶片內部rc震蕩器精度的裝置及其使用方法
2023-09-21 04:23:15
專利名稱：提高晶片內部rc震蕩器精度的裝置及其使用方法
技術領域：
本發明涉及一種用于振蕩器的裝置及其使用方法，具體涉及一種用於 提高振蕩器精度的裝置及其使用方法。
背景技術：
IC晶片內部RC震蕩器，由於受生產工藝、工作溫度、工作電壓等因 素的影響，往往會造成相同的電路設計，同一批次或不同批次的晶片，RC 震蕩器的輸出頻率一致性不好，在一個很大的頻率輸出範圍裡，這樣就會 造成晶片的工作頻率不穩定。為了解決頻率偏移的問題，而在不能改變生 產工藝或其他因素的條件下，採用本發明能有效的改善RC震蕩器在正常 工作時輸出頻率的大範圍偏移問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種提高晶片內部RC震蕩器的輸 出精度的裝置及其使用方法。
為了解決以上技術問題，本發明提供了一種提高晶片內部RC震蕩器 精度的裝置，包括RC振蕩器；非揮發性存儲器，用於存儲目標頻率的修 正數據；與非揮發性存儲器和RC震蕩器相連接的控制器，用於讀寫非揮 發性存儲器內的修正數據；RC震蕩器內的電阻為可編程電阻，由控制器 控制可編程電阻的阻值，通過改變可編程電阻的阻值來改變RC震蕩器的 輸出頻率精度。通過讀取非揮發性存儲器內的修正數據，控制可編程電阻的阻值，本 發明能有效的保證RC震蕩器輸出一個比較穩定的頻率，從而減少了因各
種因數造成的RC震蕩器輸出頻率偏差，從而達到提高RC輸出精度的目的。
提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置的使用方法，包括以下步驟
只有在在測試模式下才可以對非揮發性存儲器修正區進行改寫操作，
正常模式下不能對其做任何的操作；
在測試模式下，確定RC震蕩器的初始頻率，計算出達到目標頻率的 修正數據，寫該數據到非揮發性存儲器區；
在系統正常工作模式下讀修正數據，送該數據給RC振蕩器，RC振蕩 器利用這修正數據調整RC震蕩器的可編程電阻的阻值，從而調整RC振蕩 器輸出頻率，提高輸出頻率的精度。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明。
圖1是本發明實施例中裝置的示意圖2是本發明實施例所述方法的邏輯流程圖。
具體實施例方式
如圖1所示，為了方便說明，本實施例藉助某晶片系統的應用來敘述， 系統結構如圖1，包括RC振蕩器；非揮發性存儲器，用於存儲目標頻率 的修正數據；與非揮發性存儲器和RC震蕩器相連接的控制器，用於讀寫 非揮發性存儲器內的修正數據；RC震蕩器內的電阻為可編程電阻，由控 制器控制可編程電阻的阻值，通過改變可編程電阻的阻值來改變RC震蕩 器的輸出頻率精度。所述可編程電阻由至少兩級電阻單元構成，所述的至少兩級電阻單元之間串聯連接，每個電阻單元都有一個開關與其並聯在一 起，通過控制這些開關的開或關，從而控制整個可編程電阻阻值的大小。
對非易失性存儲器，本實施例採用EEPROM作為存儲器，在EEPROM 裡寫數據期間，RC振蕩器使能打開，RC振蕩器震蕩輸出，EEPROM利用這 個RC振蕩器記錄寫操作的時間，如果RC振蕩器輸出不穩定，在一個很大 的頻率範圍裡，那麼當記錄相同的頻率個數時，花費的擦寫時間就不一致， 或者說就會在一個很大的時間範圍裡。根據本實施例，就能夠利用這種修 正的方法將RC振蕩器的輸出控制在一個理想的頻率範圍裡，從而保證擦 寫時間不會發生大的偏移。
本實施例使用方法如下
1、 在矽片級，利用測試腳，設置晶片進入測試模式。
2、 送擦寫命令給晶片，測試晶片的EEPROM擦寫時間，確定RC振蕩 器的輸出頻率，和理想的輸出頻率比較，確定修正的數據，將該4位的數 據寫入可編程存儲器(OTP)區。
3、 設置晶片在正常工作模式，晶片上電復位後，在正常工作模式下， 當第一次對IC做讀或寫操作，必須保證在"停"信號之前，利用時鐘信 號將0TP區的4位的數據讀出(實際只需要4個時鐘信號就可以)送RC 振蕩器，從而修正RC振蕩器的輸出頻率在理想的範圍裡，保證擦寫時 間在一個比較小的偏移範圍裡。
4、 只要系統不掉電，晶片就不再會去讀0TP區的4位數據， 一直保 存前面的修正值，直到晶片掉電。
5、 當晶片掉電重新上電，做步驟3同樣的動作，那麼又可以讀出OTP區的數據，對RC振蕩器做修正動作。
本發明並不限於上文討論的實施方式。以上對具體實施方式
的描述旨在於為了描述和說明本發明涉及的技術方案。該描述不應用作窮盡或限定本發明的保護範圍。基於本發明啟示的顯而易見的變換或替代也應當被認為落入本發明的保護範圍。以上的具體實施方式
用來揭示本發明的最佳實施方法，以使得本領域的普通技術人員能夠應用本發明的多種實施方式以及多種替代方式來達到本發明的目的。
權利要求
1、一種提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置，包括RC振蕩器；其特徵在於，還包括非揮發性存儲器，用於存儲目標頻率的修正數據；與非揮發性存儲器和RC震蕩器相連接的控制器，用於讀寫非揮發性存儲器內的修正數據；RC震蕩器內的電阻為可編程電阻，由控制器控制可編程電阻的阻值，通過改變可編程電阻的阻值來改變RC震蕩器的輸出頻率精度。
2、 如權利要求1所述的提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置，其特徵 在於，所述非揮發性存儲器的一個以上比特位用於存儲提高RC震蕩器精 度的調整數據。
3、 如權利要求1所述的提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置，其特徵 在於，所述可編程電阻由至少兩級電阻單元構成，所述的至少兩級電阻單 元之間串聯連接，每個電阻單元都有一個開關與其並聯在一起，通過控制 這些開關的開或關，從而控制整個可編程電阻阻值的大小。
4、 如權利要求1所述的提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置的使用方 法，其特徵在於，包括以下步驟只有在在測試模式下才可以對非揮發性存儲器修正區進行改寫操作， 正常模式下不能對其做任何的操作-,在測試模式下，確定RC震蕩器的初始頻率，計算出達到目標頻率的 修正數據，寫該數據到非揮發性存儲器區；在系統正常工作模式下讀修正數據，送該數據給RC振蕩器，RC振蕩器利用這修正數據調整RC震蕩器的可編程電阻的阻值，從而調整RC振蕩器輸出頻率，提高輸出頻率的精度。
5、如權利要求4所述的提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置的使用方 法，其特徵在於，系統上電，在正常工作模式下讀一次修正數據，只要系 統不掉電就不會再去讀該數據，系統掉電後再上電，又需要重新讀該數據， 讀該數據的時鐘是利用對晶片進行讀寫的串行通信的時鐘。
全文摘要
本發明公開了一種提高晶片內部RC震蕩器精度的裝置，包括RC振蕩器；非揮發性存儲器，用於存儲目標頻率的修正數據；與非揮發性存儲器和RC震蕩器相連接的控制器，用於讀寫非揮發性存儲器內的修正數據；RC震蕩器內的電阻為可編程電阻，由控制器控制可編程電阻的阻值，通過改變可編程電阻的阻值來改變RC震蕩器的輸出頻率精度。通過讀取非揮發性存儲器內的修正數據，控制可編程電阻的阻值，本發明能有效的保證RC震蕩器輸出一個比較穩定的頻率，從而減少了因各種因素造成的RC震蕩器輸出頻率偏差，從而達到提高RC輸出精度的目的。
文檔編號H03B5/04GK101686036SQ20081004380
公開日2010年3月31日 申請日期2008年9月25日 優先權日2008年9月25日
發明者鳴 周 申請人:上海華虹Nec電子有限公司