使用相變存儲器的內容可尋址存儲單元和存儲器的製作方法

2023-09-21 09:08:30

專利名稱：使用相變存儲器的內容可尋址存儲單元和存儲器的製作方法
使用相變存儲器的內容可尋址存儲單元和存儲器 技術領域示例實施例關注於內容可尋址存儲器(CAM)單元和CAM，例如，使 用相變存儲器的CAM單元和CAM。
背景技術：
CAM可以接收外部數據，將所接收的外部數據與其中存儲的內部數據 進行比較以確定所述外部數據是否與所述內部數據對應，並基於所述比較結 果輸出地址。所述CAM的每個單元可以包括比較器邏輯電路。可以將輸入 到所述CAM的數據與存儲在所述CAM的每個單元中的數據進行比較，而 從所述CAM輸出的地址可以代表匹配結果。所述CAM可以用於其中需要 迅速搜索圖案、列表和或圖像數據的應用，例如，搜尋引擎和查找表。發明內容根據示例實施例， 一種包含在CAM中的CAM單元可以包括相變存儲 器件、連接器(connector )、和/或顯現器(developer )。所述相變存儲器件可 以配置用於存儲數據。所述相變存儲器件可以具有可根據所存儲的數據的邏 輯電平而變化的電阻。所述連接器可以配置用於控制向所述相變存儲器件寫 數據以及從所述相變存儲器件讀數據。所述顯現器可以配置用於在其中將存 儲在所述相變存儲器件中的數據與搜索數據進行比較的搜索模式下控制從 所述相變存儲器件讀數據。根據另一個示例實施例，CAM可以包括匹配線、搜索線對、第一和第二CAM單元、和/或第一和第二比較器。所述搜索線對可以包括搜索線和反轉搜索線。所述第一 CAM單元可以包括第 一相變存儲器件和第 一顯現器。所述第一 CAM單元可以配置用於在搜索模式下通過從所述第一顯現器向所述第 一相變存儲器件施加第 一顯現電流而將存儲在所述第 一相變存儲器件 中的數據與通過所述反轉搜索線輸入的反轉搜索數據進行比較。所述第二CAM單元可以包括第二相變存儲器件和第二顯現器。所述第二 CAM單元
可以配置用於在所述搜索模式下通過從所述第二顯現器向所述第二相變存 儲器件施加第二顯現電流而將存儲在所述第二相變存儲器件中的數據與通 過所述搜索線輸入的搜索數據進行比較。所述第一比較器可以配置用於響應 於所述反轉搜索數據和存儲在所述第一 CAM單元中的數據而連接或斷開通 往或來自第一電壓源的匹配線。所述第二比較器可以配置用於響應於所述搜索數據和存儲在所述第二 CAM單元中的數據而連接或斷開通往或來自所述第一電壓源的匹配線。


通過參照附圖詳細描述示例實施例，示例實施例的上面和其它特徵和優 點將變得更加顯而易見。附圖意在描繪示例實施例，而不應被解釋為限制權 利要求書意圖的範圍。除非明確註明，附圖不應被認為是按比例繪製。圖l是相位隨機存取存儲器(PRAM)的示例電路圖；圖3A是說明圖2中所示的CAM的寫操作的表； 圖3B是說明圖2中所示的CAM的讀操作的表； 圖3C是說明圖2中所示的CAM的搜索操作的表； 圖4是才艮據另 一個示例實施例的包含CAM單元的CAM的電路圖； 圖5是是根據另 一個示例實施例的其中多個CAM單元可以共享顯現器 的CAM結構的電路圖。
具體實施方式
這裡公開詳細的示例實施例。然而，這裡公開的特定結構和功能細節僅 僅代表描述示例實施例的目的。相反，示例實施例可以以許多可替換的形式 具體化，而不應當被解讀為僅僅限於這裡闡述的實施例。從而，雖然示例實施例可以有各種變體和可替換形式，在附圖中作為示 例展示其實施例，而且將在這裡對其進行詳細描述。然而，應當理解，不打 算將示例實施例限制為公開的特定形式，相反，示例實施例將涵蓋落入示例 實施例範圍內的全部變體、等價物、以及可替換選擇。附圖描述中始終以相 似的數字指示相似的元件。應當理解，儘管這裡可能使用術語"第一"、"第二"等等來描述各種元 件，這些元件不應當為這些術語所限制。這些術語僅僅用於將元件彼此相互 區分。例如，可以將第一元件稱為第二元件，而且類似地，可以將第二元件 稱為第一元件，而不背離示例實施例的範圍。如這裡所使用的，術語"和/ 或"包括相關的列出的項目的一個或多個的任何和全部組合。應當理解，當元件被稱為"連接"或"耦接"到另一個元件時，其可以 直接連接或耦接到該另一個元件，或者可以存在中間元件。相反地，當元件 被稱為"直接連接"或"直接耦接"到另一個元件時，則不存在中間元件。 應當以類似的方式解釋用於描述元件之間關係的其它詞彙(例如，"在...之 間，，與"直接在...之間"、"相鄰"與"直接相鄰"等等)。這裡使用的術語僅僅用於描述特定實施例的目的，而無意限制示例實施 例。如這裡所使用的，單數形式"一"、"一個"、以及"該，，意在同樣包括 複數形式，除非上下文明確地另外指出。還應當理解，術語"包括"和/或"包 含"當在這裡使用時，表明存在所稱的特徵、整數、步驟、操作、元件、和 /或組件，但並不排除存在或附加一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、 元件、組件、和/或其群組。還應當注意，在某些可替換的實施方式中，所提到的功能/動作可能不以 附圖中註明的次序發生。例如，依賴於所涉及的功能/動作，相繼展示的兩幅 附圖可能實際上基本同時地執行或者可能有時以相反次序執行。相位隨機存取存儲器(PRAM)可以是可使用其電阻可以根據例如因溫度變化所致的相變而變化的例如鍺-銻-碲的相變材料來存儲數據的非易失性 存儲器。圖1是PRAM的示例電路圖。參照圖1,該PRAM的個體單元C可以 包括相變材料GST。個體單元C可以進一步包括連接到相變材料GST的P-N 二極體D。相變材料GST可以連接到位線BL以及P-N 二極體D的P結。 可以將字線WL連接到P-N 二極體D的N結。依賴於用於存儲數據的溫度 或加熱時間，該PRAM的個體單元C的相變材料GST可以處於結晶或非結 晶狀態。相變材料可能需要大約90(TC左右的溫度以產生相變，例如可以通 過使用流過該PRAM的電流的焦耳加熱來得到該溫度。下面將說明該PRAM的示例寫操作。可以向相變材料施加電流以將相 變材料加熱到高於相變材料的熔化溫度，其可以接著被突然冷卻。從而，相 變材料將在非結晶狀態下存儲數據'T，。例如，該狀態可以與復位狀態對應。
可以將相變材料加熱到高於其結晶溫度，維持給定時間期間，並冷卻。從而， 相變材料將在結晶狀態下存儲數據"0"。例如，該狀態可以與置位狀態對應。該PRAM的讀操作可以使用位線和字線來選擇特定存儲單元並向該特定存儲單元中的相變材料施加電流。可以使用該電流根據因相變材料的電阻改變所致的電壓變化來區分"1"和"0"。圖2是根據示例實施例的包含CAM單元的CAM 200的示例電路圖。 參照圖2， CAM200可以包括匹配線ML、包含搜索線SL和反轉搜索線/SL 的搜索線對、第一CAM單元210、第二CAM單元220、第一比較器250、 和/或第二比較器260。第一 CAM單元210可以包括存儲第一數據DATA1的第一相變存儲器 件GST1、以及第一顯現器TRLDEV。第一顯現器TR1—DEV在其中可將存 儲在第一相變存儲器件GST1中的第一數據DATA1與通過反轉搜索線/SL輸 入的反轉搜索數據/SD進行比較的搜索模式下將向第一相變存儲器件GST1 施加第一顯現電流II—DEV。第二 CAM單元220可以包括存儲第二數據 DATA2的第一相變存儲器件GST2、以及第二顯現器TR2—DEV。第二顯現 器TR2—DEV在其中可將存儲在第二相變存儲器件GST2中的第二數據 DATA2與通過搜索線SL輸入的搜索數據SD進行比較的搜索模式下將向第 二相變存儲器件GST2施加第二顯現電流12—DEV。第一比較器250可以響應於反轉搜索數據/SD和存儲在第一 CAM單元 210的第一相變存儲器件GST1中的第一數據DATA1而連接或斷開通往或來 自第一電壓VSS的源的匹配線ML。第二比較器260可以響應於搜索數據 SD和存儲在第二 CAM單元220的第二相變存儲器件GST2中的第二數據 DATA2而連接或斷開通往或來自第一電壓VSS的源的匹配線ML。第一比較器250可以包括第一電晶體TR1和第二電晶體TR2。可以響 應於反轉搜索數據/SD而導通或關斷第一電晶體TR1。可以響應於存儲在第 一相變存儲器件GST1中的第一數據DATA1而導通或關斷第二電晶體TR2。 根據示例實施例，第二電晶體TR2的閾電壓將高於施加到第一相變存儲器件 GST1的最小電壓而且低於施加到第一相變存儲器件GST1的最大電壓。從 而，可以根據存儲在第一相變存儲器件GST1中的第一數據DATA1的邏輯 電平而導通或關斷第二電晶體TR2。第二比較器260可以包括第三電晶體TR3和第四電晶體TR4。第二比
較器260可以具有與第一比較器250相同的結構和操作，而且將略去其更詳 細的i兌明。根據反轉搜索數據/SD的邏輯電平，第一顯現器TR1-DEV可以向第一 相變存儲器件GST1施加或者不施加第 一顯現電流II—DEV。第一顯現器TR1-DEV可以是第一顯現電晶體TR1-DEV，例如如圖2中 所示。可以根據反轉搜索數據/SD的邏輯電平而導通或關斷第一顯現電晶體 TR1-DEV。類似地，第二顯現器TR2-DEV可以是第二顯現電晶體TR2-DEV, 例如如圖2中所示。可以根據搜索數據SD的邏輯電平而導通或關斷第二顯 現電晶體TR2-DEV。第.一顯現電晶體TR1-DEV的導通電阻將大於第一相變存儲器件GST1 的最小電阻而且小於第一相變存儲器件GST1的最大電阻，而第二顯現晶體 管TR2-DEV的導通電阻將大於第二相變存儲器件GST2的最小電阻而且小 於第二相變存儲器件GST2的最大電阻。分別從第一和第二顯現器TR1-DEV和TR2-DEV輸出的第一和第二顯 現電流I1_DEV和12一DEV將大於用於從第一和第二相變存儲器件GST1和 GST2讀數據所需的最小電流而且小於影響第一和第二相變存儲器件GST1 和GST2的狀態的電流。第一和第二顯現器TR1-DEV和TR2-DEV可以為包含在CAM 200中的 其它CAM單元所共享。例如，第一和第二顯現器TR1-DEV和TR2-DEV可 以在搜索模式下控制從包含在其它CAM單元中的相變存儲器件讀數據的操 作。第一 CAM單元210還可以包括第一連接器TR1—ACC,而第二 CAM單 元220還可以包括第二連接器TR2—ACC。第一連接器TR1—ACC可以在向 第一相變存儲器件GSTl寫數據的寫模式下向第一相變存儲器件GSTl提供 寫電流，而且可以在從第一相變存儲器件GSTl讀數據的讀模式下向第一相 變存儲器件GSTl提供讀電流。類似地，第二連接器TR2—ACC可以在向第 二相變存儲器件GST2寫數據的寫模式下向第二相變存儲器件GST2提供寫 電流，而且可以在從第二相變存儲器件GST2讀數據的讀模式下向第二相變 存儲器件GST2提供讀電流。CAM 200還可以包括字線WL以及至少一條位線BL1和BL2。CAM 200可以在寫才莫式下啟用字線WL並分別向位線BL1和BL2施加
第一數據DATA1和第二數據DATA2。第一連接器TR1—ACC可以響應於字 線WL的啟用而操作以向第一相變存儲器件GST1提供與施加到位線BL1 的第 一數據DATA1的邏輯電平對應的寫電流。類似地，第二連接器TR2—ACC 可以響應於字線WL的啟用而操作以向第二相變存儲器件GST2提供與施加 到位線BL2的第二數據DATA2的邏輯電平對應的寫電流。CAM 200可以在讀模式下啟用字線WL並向位線BL1和BL2提供讀電 流。第一和第二連接器TR1—ACC和TR2—ACC可以響應於字線的啟用而操 作以輸出從第一和第二相變電阻器GST1和GST2讀出的數據。在搜索模式下將不啟用字線WL。第一連接器TR1-ACC可以是第一連接電晶體TR1-ACC,例如如圖2中 所示。第一連接電晶體TR1-ACC可以具有連接到字線WL的柵極、連接到 位線BL1的第一端、以及連接到第一相變電阻器GST1的第二端。類似地， 第二連接器TR2-ACC可以是第二連接電晶體TR2-ACC,例如如圖2中所示。 第二連接電晶體TR2-ACC可以具有連接到字線WL的柵極、連接到位線BL2 的第一端、以及連接到第二相變電阻器GST2的第二端。第一和第二顯現器TR1-DEV和TR2-DEV可以分別提供第一和第二顯 現電流Il一DEV和12一DEV，在搜索模式下其可以小於對第一和第二相變存 儲器件GST1和GST2的寫電流或讀電流。CAM 200例如可以是三態CAM等等。圖3A是說明圖2中所示的CAM的寫操作的表。參照圖3A,當圖2中 所示的CAM200在寫模式下操作時，當分別通過第一位線BL1和第二位線 BL2施加的第一數據DATA1和第二數據DATA2分別為0和1時，0將被寫 到CAM 200 ，而當第 一數據DATA1為1且第二數據DATA2為0時，1將被 寫到CAM 200。圖3B是說明圖2中所示的CAM的讀操作的表。參照圖3B,當圖2中 所示的CAM200在讀模式下操作時，當分別存儲在第一相變存儲器件GST1 和第二相變存儲器件GST2中的第一數據DATA1和第二數據DATA2分別為 0和1時，將從CAM 200讀出0,而當第 一數據DATA1為1且第二數據DATA2 為0時，被從CAM200讀出1。圖3C是說明圖2中所示的CAM的搜索操作的表。現在將對在搜索模 式的初始階,殳將匹配線預充電到邏輯高電平時圖2中所示的CAM 200的示
例搜索操作進行說明。當搜索數據SD為0時，將操作第一 CAM單元210，而且將不操作第 二 CAM單元220。例如，假定所述第一顯現器包括第一顯現電晶體 TR1—DEV,第一顯現電晶體TR1_DEV將被導通，而第二顯現電晶體 TR2—DEV將被關斷。從而，將向第一相變存儲器件GST1提供第一顯現電 流II—DEV,並讀取存儲在第 一相變存儲器件GST1中的第 一數據DATA1 。 當搜索數據SD為O時，第一電晶體TRl將被導通。當第一數據DATA1為0時，第二電晶體TR2將被關斷。例如，當搜索 數據SD和第一數據DATA1均為0時，第一電晶體TR1將被導通且第二晶 體管TR2將被關斷。從而，匹配線ML將不連接到第一電壓VSS (例如， 地電壓VSS)的源，而且將維持邏輯高電平。於是，可以確定搜索數據SD 與第 一數據DATA 1彼此匹配。當第一數據DATA1為1時，第二電晶體TR2將被導通。例如，當搜索 數據SD為0而第一數據DATA1為1時，第一電晶體TR1和第二電晶體TR2 將均被導通。從而，匹配線ML將連接到地電壓VSS的源並變成邏輯低電 平。於是，可以確定搜索數據SD與第一數據DATA1不匹配。當搜索數據SD為1時，將操作第二 CAM單元220,而且將不操作第 一CAM單元210。例如，第一顯現電晶體TR1—DEV將被關斷，而第二顯 現電晶體TR2一DEV將被導通。從而，將向第二相變存儲器件GST2提供第 二顯現電流I2一DEV，並讀取存儲在第二相變存儲器件GST2中的第二數據 DATA2。當搜索數據SD為1時，第三電晶體TR3將被導通。當第二數據DATA2為0時，第四電晶體TR4將被關斷。例如，當搜索 數據SD為1而第二數據DATA2為0時，第三電晶體TR3將被導通且第四 電晶體TR4將被關斷。從而，匹配線ML將不連接到地電壓VSS的源，而 且將維持邏輯高電平。於是，可以確定搜索數據SD與第二數據DATA2彼 此匹配。當第二數據DATA2為1時，第四電晶體TR4將被導通。例如，當搜索 數據SD和第二數據DATA2均為1時，第三電晶體TR3和第四電晶體TR4 將均被導通。從而，匹配線ML將連接到地電壓VSS的源並變成邏輯低電 平。於是，可以確定搜索數據SD與第二數據DATA2不匹配。圖4是才艮據另 一個示例實施例的包含CAM單元410和420的CAM 400
的示例電路圖。除了 CAM單元410和420可以不包括顯現器之外，CAM 400 的CAM單元410和420可以與圖2中所示的CAM 200的CAM單元210和 220類似。因此，下面將僅僅說明CAM 400與圖2中所示的CAM 200不同的部分。參照圖4,第一 CAM單元410可以包括第一相變存儲器件GST1和/或 第一連接器TR1一ACC。第一連接器TRl—ACC在向第一相變存儲器件GST1 寫數據的寫模式下將通過位線BL1向第一相變存儲器件GST1提供寫電流。 此外，第一連接器TRl—ACC在從第一相變存儲器件GST1讀數據的讀模式 下將通過位線BL1向第一相變存儲器件GST1提供寫電流或讀電流。第一連接器TRl—ACC在將存儲在第一相變存儲器件GST1中的數據與 搜索數據進行比較的搜索模式下將通過位線BL1向第一相變存儲器件GST1 -提供比寫電流和讀電流小的顯現電流。雖然圖2中所示的CAM單元210和220是通過顯現器TRl—DEV和 TR2—DEV向所述相變存儲器件提供顯現電流，但是圖4中所示的CAM單 元4io和420將通過連接器TRl—ACC和TR2—ACC以及字線BL1和BL2 向所述相變存儲器件提供顯現電流圖5是是根據示例實施例的其中多個C AM單元可以共享顯現器的C AM 結構的電路圖，參照圖5，顯現器(例如，TRl—DEV)可以向多個相變存儲 器件GST11和GST21提供顯現電流II—DEV。從而，多個CAM單元GST11 和GST21將不需要其自己各自的顯現器。雖然圖5示出兩個CAM單元可以共享單個顯現器，但是共享單個顯現 器的CAM單元的數量並不限於2。如上所述，根據示例實施例的CAM和CAM單元將具有相對更快的數 據搜索速率。已經這樣描述了示例實施例，顯然其也可以以許多方式有所變化。這樣 的變化不應被認為是背離示例實施例意圖的精神和範圍，而且本領域技術人 員顯然可知，意圖將全部這樣的變化的包括在所附權利要求書的範圍之內。對相關申請的交叉引用本申請要求於2006年9月19日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請 No. 2006-0090705的優先權，其全部內容通過參照而^皮合併於此。
權利要求
1.一種包含在將其中存儲的數據與通過搜索線輸入其中的搜索數據進行比較的內容可尋址存儲器中的內容可尋址存儲器單元，所述內容可尋址存儲器單元包括相變存儲器件，配置用於存儲數據。所述相變存儲器件具有根據所存儲的數據的邏輯電平而變化的電阻；和顯現器，配置用於在其中將存儲在所述相變存儲器件中的數據與搜索數據進行比較的搜索模式下控制從所述相變存儲器件讀數據。
2. —種內容可尋址存儲器，包括 匹配線；搜索線對，包括搜索線和反轉搜索線；如權利要求l中所要求的第一內容可尋址存儲器單元，包括第一相變存 儲器件和第一顯現器，所述第一內容可尋址存儲器單元配置用於在搜索模式 下通過從所述第一顯現器向所述第一相變存儲器件施加第一顯現電流而將 存儲在所述第一相變存儲器件中的數據與通過所述反轉搜索線輸入的反轉 搜索數據進行比較；如權利要求l中所要求的第二內容可尋址存儲器單元，包括第二相變存 儲器件和第二顯現器，所述第二內容可尋址存儲器單元配置用於在搜索模式 下通過從所述第二顯現器向所述第二相變存儲器件施加第二顯現電流而將 存儲在所述第二相變存儲器件中的數據與通過所述搜索線輸入的搜索數據 進行比較；第一比較器，配置用於響應於所述反轉搜索數據和存儲在所述第一內容 可尋址存儲器單元中的數據而連接或斷開通往或來自第一電壓源的匹配線； 以及第二比較器，配置用於響應於所述搜索數據和存儲在所述第二內容可尋 址存儲器單元中的數據而連接或斷開通往或來自所述第一電壓源的匹配線。
3. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一和第二顯現 器根據所述反轉搜索數據和所述搜索數據的邏輯電平而分別向所述第 一 和 第二相變存儲器件施加或者不施加所述第一和第二顯現電流。
4. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一和第二顯現 器分別包括根據所述反轉搜索數據和所述搜索數據的邏輯電平而導通或關 斷的第 一和第二顯現電晶體。
5. 如權利要求4所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一顯現電晶體 的導通電阻大於所述第一相變存儲器件的最小電阻且小於所述第一相變存 儲器件的最大電阻，而所述第二顯現電晶體的導通電阻大於所述第二相變存 儲器件的最小電阻且小於所述第二相變存儲器件的最大電阻。
6. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一和第二顯現器以大於能夠從所述第一和第二相變存儲器件讀數據的最小電流而且小於 影響所述第一和第二相變存儲器件的狀態的電流的量分別向所述第一和第 二相變存儲器件提供所述第 一和第二顯現電流。
7. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一和第二顯現器件讀數據的操作。
8. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一內容可尋址 存儲器單元包括第一連接器，其在用於向所述第 一相變存儲器件寫數據的寫 模式下向所述第 一相變存儲器件提供寫電流，而且在用於從所述第 一相變存 儲器件讀數據的讀模式下向所述第 一相變存儲器件提供讀電流，而所述第二 內容可尋址存儲器單元包括第二連接器，其在用於向所述第二相變存儲器件 寫數據的寫模式下向所述第二相變存儲器件提供寫電流，而且在用於從所述 第二相變存儲器件讀數據的讀模式下向所述第二相變存儲器件提供讀電流。
9. 如權利要求8所述的內容可尋址存儲器，進一步包括 字線；和至少一條位線，其中在寫模式下，啟用所述字線，向所述至少一條位線施加數據，而且所述 第一和第二連接器分別向所述第一和第二相變存儲器件提供與施加到所述至少一條位線的數據的邏輯電平對應的寫電流，而且在讀模式下，啟用所述字線，向所述至少一條位線提供讀電流，而且所 述第 一和第二連接器分別輸出從第 一和第二相變存儲器件讀出的數據。
10. 如權利要求9所述的內容可尋址存儲器，其中在搜索模式下不啟用 所述字線。
11. 如權利要求8所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一連接器包括 第一連接電晶體，其具有連接到所述字線的柵極、連接到所述位線的第一端、 以及連接到所述第 一相變存儲器件的第二端，而所述第二連接器包括第二連 接電晶體，其具有連接到所述字線的柵極、連接到所述位線的第一端、以及 連接到所述第二相變存儲器件的第二端。
12. 如權利要求8所述的內容可尋址存儲器，其中所述第一和第二顯現 器以小於寫電流或讀電流的量在搜索模式下分別向所述第 一和第二相變存 儲器件提供所述第 一和第二顯現電流。
13. 如權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其中所述內容可尋址存儲 器是三態內容可尋址存儲器。
14. 如權利要求1所述的內容可尋址存儲器單元，進一步包括 連接器，配置用於控制向所述相變存儲器件寫數據以及從所述相變存儲器件讀數據。
15. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述顯現器根 據所述搜索數據的邏輯電平而向所述相變存儲器件施加或者不施加電流。
16. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述顯現器包 括根據所述搜索數據的邏輯電平而導通或關斷的顯現電晶體。
17. 如權利要求16所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述顯現晶體 管的導通電阻大於所述相變存儲器件的最小電阻且小於所述相變存儲器件 的最大電阻。
18. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述顯現器以 大於能夠從所述相變存儲器件讀數據的最小電流量而且小於影響所述相變 存儲器件的狀態的電流量的量向所述相變存儲器件提供顯現電流。
19. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述顯現器為 包含在所述內容可尋址存儲器中的其它內容可尋址存儲器單元所共享，而且 在搜索模式下控制從包含在其它內容可尋址存儲器單元中的相變存儲器件 讀數據的操作。
20. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述連接器分 別在用於向所述相變存儲器件寫數據的寫模式或用於從所述相變存儲器件 讀數據的讀模式下向所述相變存儲器件提供寫電流或讀電流，而且所述顯現 器以小於寫電流或讀電流的量在搜索模式下向所述相變存儲器件提供顯現電流。
21. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中在搜索模式下 不操作所述連接器。
22. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述連接器包 括連接電晶體，其向所述相變存儲器件提供寫電流或讀電流。
23. 如權利要求14所述的內容可尋址存儲器單元，其中所述內容可尋 址存儲器單元用於三態內容可尋址存儲器中。
24. —種包含在將其中存儲的數據與通過搜索線輸入其中的搜索數據進 行比較的內容可尋址存儲器中的內容可尋址存儲器單元，所述內容可尋址存 儲器單元包括相變存儲器件，配置用於存儲數據。所述相變存儲器件具有根據所存儲 的數據的邏輯電平而變化的電阻；連接器，配置用於分別在用於向所述相變存儲器件寫數據的寫模式或用 於從所述相變存儲器件讀數據的讀模式下向所述相變存儲器件提供寫電流 或讀電流，以及用於在其中將存儲在所述相變存儲器件中的數據與搜索數據 進行比較的搜索模式下向所述相變存儲器件提供小於寫電流和讀電流的顯 現電流。
全文摘要
根據示例實施例，一種包含在內容可尋址存儲器(CAM)中的CAM單元可以包括相變存儲器件、連接器、和/或顯現器。所述相變存儲器件可以配置用於存儲數據。所述相變存儲器件可以具有可根據所存儲的數據的邏輯電平而變化的電阻。所述連接器可以配置用於控制向所述相變存儲器件寫數據以及從所述相變存儲器件讀數據。所述顯現器可以配置用於在其中將存儲在所述相變存儲器件中的數據與搜索數據進行比較的搜索模式下控制從所述相變存儲器件讀數據。
文檔編號G11C15/00GK101149971SQ20071015477
公開日2008年3月26日 申請日期2007年9月19日 優先權日2006年9月19日
發明者李光振, 金杜應 申請人:三星電子株式會社