光電子半導體器件及其製造方法與流程

2023-09-21 17:37:40 1

提出一種器件和一種用於製造器件的方法。

技術實現要素：

目的在於，提出一種具有高的機械穩定性的可簡化製造的器件。此外，提出一種用於製造這種器件的低成本的方法。

根據器件的至少一個實施方式，該器件具有半導體本體，所述半導體本體具有有源層。特別地，有源層是pn結區域。在此，有源層能夠構成為層或者構成為多個層的層序列。在所述器件運行時，有源層例如發射電磁輻射，例如在可見、紫外或者紅外光譜範圍中的電磁輻射。替選地，有源層在器件運行時能夠吸收電磁輻射並且將該電磁輻射轉換為電信號或電能。

此外，半導體本體能夠具有第一傳導載流子類型的第一半導體層和第二傳導載流子類型的第二半導體層，其中有源層例如設置在第一半導體層和第二半導體層之間。特別地，半導體本體僅具有半導體層。半導體本體的層能夠藉助於外延法逐層地施加到生長襯底上。隨後能夠將生長襯底從半導體本體移除或者打薄，使得器件例如不具有生長襯底。

半導體本體具有第一主面，所述第一主面優選構成為器件的輻射穿透面。輻射穿透面能夠是結構化的，由此提高輻射耦合輸出效率或輻射耦合輸入效率。特別地，半導體本體的第一主面通過第一半導體層的表面形成。半導體本體具有背離第一主面的第二主面，所述第二主面例如通過第二半導體層的表面形成。特別地，第一主面和第二主面沿著豎直方向對半導體本體限界。

將豎直方向理解為如下方向，所述方向橫向於，尤其垂直於有源層的主延伸平面取向。例如，豎直方向垂直於半導體本體的第一主面和/或第二主面。與此相反，將橫向方向理解為如下方向，所述方向沿著，尤其平行於有源層的主延伸平面伸展。豎直方向和橫向方向優選彼此垂直地設置。

根據器件的至少一個實施方式，半導體本體具有至少一個凹部。凹部尤其從第二主面穿過第二半導體層和有源層延伸到第一半導體層中。將凹部理解為半導體本體的開口，所述開口尤其以不貫穿半導體本體的方式構成。換言之，通過凹部構成半導體本體中的盲孔，所述盲孔沿著橫向方向例如在整個環周上由半導體本體包圍。半導體本體能夠具有多個這種凹部。為了構成用於從第二主面的一側電接觸第一半導體層的穿通接觸部，凹部能夠通過能導電的材料填充。器件能夠具有多個這種穿通接觸部。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有第一金屬層。第一金屬層例如設置在半導體本體的朝向第二主面的一側上。第一金屬層能夠具有一個或多個開口。特別地，穿通接觸部沿著豎直方向延伸穿過第一金屬層的開口。在半導體本體的俯視圖中，第一金屬層和一個或多個穿通接觸部尤其不重疊。第一金屬層例如僅局部地覆蓋半導體本體或有源層。第一金屬層例如是電鍍沉積的金屬層。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有第二金屬層。第一金屬層至少局部地設置在半導體本體和第二金屬層之間。優選地，第二金屬層具有第一子區域和與第一子區域在橫向上間隔開的第二子區域。第一子區域尤其與穿通接觸部電連接，以電接觸第一半導體層。例如在此，第一子區域與第一金屬層電絕緣。

第二金屬層的第一子區域與器件的第一電極性相關聯。特別地，第一金屬層與器件的第二電極性相關聯，所述第二電極性與第一電極性不同。在器件運行時，第一金屬層和第二金屬層的第一子區域由此具有不同的極性。例如，第一金屬層設置用於p側接觸器件，而第二金屬層的第一子區域設置用於n側接觸器件。第二金屬層的第二子區域能夠與第一金屬層電連接，從而尤其與器件的第二電極性相關聯。第二子區域例如局部地與第一金屬層直接相鄰。第二子區域能夠經由第一金屬層與第二半導體層電連接。

在半導體本體的俯視圖中，第一金屬層和第二子區域一起覆蓋有源層的總面積的例如至少90％，優選至少95％。第一金屬層和第二金屬層例如一起完全地覆蓋整個有源層。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件沿著橫向方向在第二金屬層的第一子區域和第二子區域之間具有中間空間。在俯視圖中，中間空間由第一金屬層至少部分地，優選完全地跨越。沿著橫向方向，第二金屬層能夠伸出第一金屬層。有源層或者整個半導體本體例如不具有如下部位，所述部位不由第一金屬層或者第二金屬層機械支撐。

在器件的至少一個實施方式中，該器件具有半導體本體、第一金屬層和第二金屬層，其中第一金屬層設置在半導體本體和第二金屬層之間。半導體本體在背離第一金屬層的一側上具有第一半導體層，在朝向第一金屬層的一側上具有第二半導體層，並且具有設置在第一半導體層和第二半導體層之間的有源層。所述器件具有穿通接觸部，所述穿通接觸部尤其沿著豎直方向延伸穿過第二半導體層和有源層，以對第一半導體層電接觸。第二金屬層具有第一子區域和與第一子區域通過中間空間橫向間隔開的第二子區域，其中第一子區域與穿通接觸部電連接。在俯視圖中，第一金屬層在橫向上完全地跨越中間空間。在此，第二金屬層的第一子區域與器件的第一電極性相關聯，而第一金屬層與器件的第二電極性相關聯，所述第二電極性與第一電極性不同。

在橫向上完全地跨越中間空間尤其意味著：第一子區域和第二子區域在中間空間的部位處至少沿著橫向方向由第一金屬層完全跨越。特別地，在俯視圖中，第一金屬層覆蓋整個中間空間的至少60％，例如至少80％或者至少90％，例如大約95％。優選的是，整個中間空間不具有如下部位，所述部位不由第一金屬層和/或第二金屬層覆蓋。通過第一金屬層橫向地完全跨越或者覆蓋中間空間對器件起到機械穩定的作用，使得尤其在中間空間的部位處在很大程度上或者完全地防止可能的機械薄弱部位。在此，第一金屬層能夠構成為器件的進行機械穩定的層，優選構成為器件的自承式的層。換言之，第一金屬層構成為獨立的層，所述獨立的層即使在沒有其它層機械支撐的情況下相對於其自身重量也可以是機械穩定的。

在此，第一金屬層能夠構成為是連貫的。例如，第一金屬層沿著豎直方向具有在5μm和50μm之間的厚度，其中包括邊界值。優選地，第一金屬層的厚度在5μm和30μm之間，其中包括邊界值，例如在5μm和15μm之間，其中包括邊界值。藉助於第一金屬層的這種設計方案，即使在中間空間的部位處也確保了器件的足夠的機械穩定性。

第二金屬層能夠構成為器件的進行機械穩定的層。特別地，第二金屬層相對於第一金屬層具有更大的厚度。例如，第二金屬層的厚度在10μm和200μm之間，其中包括邊界值，例如在10μm和100μm之間，尤其在50μm和100μm之間，其中包括邊界值。特別地，第二金屬層的厚度是第一金屬層的厚度的2倍，例如4倍或者10倍大。例如，第二金屬層的厚度與第一金屬層的厚度的比值在2和10之間，其中包括邊界值，例如在5和10之間，其中包括邊界值。

由於在橫向上，尤其完全地覆蓋有源層，器件的有源層的任何區域都由第一金屬層或第二金屬層機械支撐。由此，在製造器件時實現更高的產量。特別地，避免在進行分割時例如因機械負荷而在器件處引起的損壞。在其它加工過程中，例如在尤其通過蝕刻法或者雷射剝離法移除生長襯底時，在焊接、結構化、運輸或者安置時，所述器件也是明顯更耐抗的。

根據所述器件的至少一個實施方式，第二金屬層由成形體，例如由電絕緣的灌封料橫向限界。第一子區域和第二子區域優選嵌入成形體中。例如，第一子區域和第二子區域分別沿著橫向方向在所有側上鄰接於成形體。成形體能夠一件式地，例如連貫地構成。中間空間至少部分地，尤其完全地由成形體的材料填充。第二金屬層的在橫向上間隔開的子區域因此能夠通過成形體保持在一起從而與成形體一起形成器件的在機械上尤其穩定的載體。

根據所述器件的至少一個設計方案，第一金屬層和/或第二金屬層是電鍍沉積的金屬層。特別地，金屬層具有如下金屬，如鎳、銅或者其它金屬。作為電鍍沉積的金屬層，第一金屬層和第二金屬層能夠分別具有第一金屬和至少一種另外的材料。第一金屬的份額尤其為第一金屬層和/或第二金屬層的至少90原子百分比，例如至少95或98原子百分比。例如，金屬層關於其材料構成為，使得第一金屬層與第二金屬層相比具有更高的彈性模量，和/或第二金屬層與第一金屬層相比具有更高的熱導率。例如，第一金屬層具有鎳，而第二金屬層具有銅。金屬層的這種設計方案在保持器件的足夠的機械穩定性以及通過第二金屬層的高效散熱的情況下減小了器件的結構高度。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有能導電的層，所述能導電的層設置在第一金屬層和第二金屬層之間。特別地，能導電的層構成為鏡層，並且在此能夠具有金屬。在此，能導電的層在俯視圖中至少局部地覆蓋有源層。沿著豎直方向，能導電的層在第二半導體層側面延伸，使得所述能導電的層在橫向上包圍第二半導體層或有源層。在側面或者在背側從半導體本體射出的電磁輻射，由此能夠再次朝向器件的有源層的方向或者朝向輻射穿透面的方向向回反射，由此提高器件的效率。能導電的層尤其能夠構成為金屬層堆，所述金屬層堆具有反射輻射的鏡層。

能導電的層能夠具有第一子層和第二子層，所述第二子層在橫向上與第一子層間隔開，其中第一子層例如與第二金屬層的第一子區域電連接，而第二子層與第二金屬層的第二子區域電連接。特別地，能導電的層的子層同樣通過位於第二金屬層的子區域之間的中間空間橫向地彼此間隔開。例如，在中間空間的區域中形成能導電的層的溝槽，使得能導電的層由於溝槽被劃分為兩個彼此分開的子層。例如，能導電的層在電鍍覆層法中用作為用於待施加的第二金屬層的種子層(英語是：seedlayer)。第二金屬層的第一子區域能夠鄰接於能導電的層的第一子層，而第二子區域能夠鄰接於第二子層。

例如，第二金屬層的第一子區域經由能導電的層的第一子層與穿通接觸部電連接。第一子區域能夠鄰接於第一子層，其中第一子層同樣能夠鄰接於穿通接觸部。在俯視圖中，穿通接觸部尤其與第二金屬層的第一子區域重疊。在此，穿通接觸部能夠沿著豎直方向從能導電的層的第一子層穿過第一金屬層、第二半導體層和有源層延伸到第一半導體層中，由此在電接觸第一半導體層時能夠棄用在器件的半導體本體和載體之間的耗費的重新布線平面。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有絕緣層，所述絕緣層至少局部地設置在第一金屬層和第二金屬層之間。為了電絕緣，絕緣層例如連貫地設置在第一金屬層和第二金屬層的第一子區域之間。絕緣層能夠具有一個第一開口或者多個第一開口，其中穿通接觸部延伸穿過第一開口。沿著橫向方向，穿通接觸部尤其由絕緣層圍繞，使得防止穿通接觸部和第一金屬層或第二半導體層之間的或者有源層之間的電短路。在此，絕緣層能夠完全地覆蓋凹部的內壁。在此，絕緣層能夠局部地延伸穿過第一金屬層。絕緣層和第一金屬層尤其在凹部的區域中具有共同的開口，其中穿通接觸部例如從能導電的層穿過共同的開口延伸至第一半導體層。

此外，絕緣層能夠具有一個第二開口或多個第二開口，其中第二金屬層的第二子區域能夠延伸穿過第二開口，以對第一金屬層電接觸。在此，第二子區域能夠在第二開口中鄰接於第一金屬層。也可行的是，能導電的層，例如反射輻射的含金屬的層，在第二開口中設置在第一金屬層和第二金屬層的第二子區域之間。

根據所述器件的至少一個實施方式，電流分布層設置在半導體本體和第一金屬層之間。電流分布層構成為是能導電的並且例如局部地鄰接於第一金屬層。

根據所述器件的至少一個實施方式，能導電的連接層設置在半導體本體和第一金屬層之間。特別地，連接層構成為是反射輻射的。連接層尤其鄰接於半導體本體，例如鄰接於第二半導體層。在此，連接層能夠經由第一金屬層與第二金屬層的第二子區域電連接。因此，第二半導體層尤其經由連接層、電流分布層、第一金屬層和第二子區域是可外部電接觸的。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有擴散阻擋層，所述擴散阻擋層例如設置在連接層和電流分布層之間。藉助於擴散阻擋層能夠防止：金屬原子或金屬離子從電流分布層或者金屬層遷移到連接層中，遷移到半導體本體中從而遷移到有源層中並且損壞有源層。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件具有鈍化層，所述鈍化層設置在第一金屬層和半導體本體之間。鈍化層能夠具有一個開口或者多個開口，第一金屬層延伸穿過所述開口，例如延伸至電流分布層或者連接層。在俯視圖中，電流分布層能夠完全地覆蓋鈍化層的所述一個或多個開口。特別地，鈍化層沿著橫向方向包圍連接層、擴散阻擋層和電流分布層。在此，鈍化層沿著豎直方向例如從第一金屬層延伸直至半導體本體並且尤其鄰接於絕緣層。沿著豎直方向，第一金屬層例如設置在鈍化層和絕緣層之間。關於第一金屬層、連接層、擴散阻擋層和電流分布層，鈍化層能夠局部地用作為封裝層。然而，鈍化層能夠構成為絕緣層的一部分或者是可選的。

根據所述器件的至少一個實施方式，該器件在第二金屬層的第一子區域和第二子區域上在背側構成為是可電接觸的。換言之，所述器件能夠在器件的背離輻射穿透面的背側上可與外部的電壓源電接觸。因此，輻射穿透面尤其不具有電接觸部或者印製導線。

在用於製造一個或多個在上文中所描述的器件的方法的一個實施方式中，提供半導體本體，例如外延生長半導體本體。在半導體本體上構成第一金屬層，例如藉助於電鍍的沉積方法構成。在此，第一金屬層能夠電鍍沉積到能導電的種子層上，所述種子層尤其構成在鈍化層的背離半導體本體的一側上。此外，能導電的層，尤其含金屬的鏡層，構成在第一金屬層的背離半導體本體的一側上。絕緣層能夠事先構成至少用於在能導電的層和第一金屬層之間的部分的電絕緣。第二金屬層例如電鍍地施加到能導電的層上。

在此，能導電的層能夠局部地與穿通接觸部電連接。特別地，能導電的層具有第一子層和與第一子層在橫向上間隔開的第二子層，其中例如第一子層與穿通接觸部電連接。第二子層能夠與第一金屬層電連接。特別地，第二金屬層的第一子區域和與第一子區域通過中間空間在橫向上彼此間隔開的第二子區域電鍍地施加到第一子層或第二子層上。在俯視圖中，中間空間尤其由第一金屬層跨越從而至少沿著橫向方向完全被覆蓋。特別地，在俯視圖中，第一金屬層能夠完全地覆蓋中間空間。在此，第一子區域尤其經由第一子層與穿通接觸部電連接。第二子區域例如能夠直接地或者經由第二子層與第一金屬層電連接。

根據所述方法的至少一個實施方式，藉助於電絕緣的灌封料灌封第二金屬層。在此，第一子區域和第二子區域優選嵌入到灌封料中，使得所述第一子區域和第二子區域至少沿著橫向方向在所有側上由灌封料包圍。位於第一子區域和第二子區域之間的中間空間至少部分地，優選完全地，由灌封料的材料填充。

所述方法尤其適合於製造之前描述的器件。結合所述器件描述的特徵因此也能夠用於所述方法並且反之亦然。

附圖說明

下面結合圖1至3所闡述的實施例中得出所述器件的其它優點和優選的實施方式。附圖示出：

圖1示出器件的一個實施例的示意圖，

圖2示出器件的所述實施例的橫向剖面的示意圖，以及

圖3示出器件的另一實施例的示意圖。

相同的、類似的或者起相同作用的元件在附圖中設有相同的附圖標記。附圖分別是示意圖從而不一定是按比例的。更確切地說，為了進行說明能夠誇張大地示出相對小的元件和尤其層厚度。

具體實施方式

在圖1中示意性地示出器件的第一實施例。器件100具有載體1和設置在載體上的半導體2。半導體2具有第一半導體層21、第二半導體層22和設置在第一半導體層和第二半導體層之間的有源層23。第一半導體層21、第二半導體層22和有源層23能夠分別具有一個或多個摻雜層或者未摻雜的層。有源層23尤其是半導體本體的pn結區域。特別地，半導體本體具有iii-v族半導體材料或者ii-vi族半導體材料或者由所述半導體材料構成。例如，第一半導體層和/或第二半導體層具有gan層、gap層或者gaas層。這些層能夠附加地具有鋁和/或銦，並且例如構成為algan層、inalgan層或者inalgap層。第一半導體層21和第二半導體層22例如能夠構成為是n型或者p型的或者相反。例如，第二半導體層22構成為是p型的。器件100尤其不具有生長襯底。

所述器件具有輻射穿透面101和背離輻射穿透面的背側102。輻射穿透面101結構化地構成。特別地，輻射穿透面101通過半導體本體2的第一主面201，例如通過第一半導體層21的主面構成。也可行的是，輻射穿透面101通過設置在第一半導體層21上的可透射輻射的層的表面構成。特別地，器件100可經由背側102從外部電接觸。因此，器件100能夠構成為可表面安裝的器件。

在圖1中，連接層8、擴散阻擋層7、電流分布層5、鈍化層90、第一金屬層3、絕緣層9和能導電的層6至少部分地以給定的順序設置在半導體本體2和載體1之間。原則上可行的是，棄用電流分布層5。

載體1具有第二金屬層4。第二金屬層包含第一子區域41和與第一子區域41橫向地在空間上間隔開的第二子區域42。中間空間40構成在第一子區域41和第二子區域42之間，使得第一子區域41和第二子區域42電絕緣。

載體1還具有成形體10。成形體10尤其電絕緣地構成。成形體10例如構成為灌封料。具有第一子區域41和第二子區域42的第二金屬層4由成形體10尤其橫向地在整個環周上包圍。在此，第一子區域41和第二子區域42尤其沿著橫向方向鄰接於成形體10。中間空間40例如藉助成形體的電絕緣材料完全填充。第二金屬層4的子區域41和42尤其通過成形體10機械穩定地彼此保持在一起。沿著橫向方向，第二金屬層4例如不延伸至器件100的邊緣並且在橫向方向上尤其完全地嵌入成形體10中。在橫向方向上，成形體10例如在半導體本體2的第一半導體層21處終止。成形體10的這種設計方案提高了第二金屬層4的機械固緊從而提高了器件100的穩定性。

第一金屬層3設置在半導體本體2和第二金屬層4之間。在俯視圖中，第一金屬層3至少沿著橫向方向完全地跨越中間空間40。特別地，第一金屬層3覆蓋整個中間空間40的至少60％，例如至少80％或者至少90％，例如大約95％。特別地，第一金屬層3構成為器件的進行機械穩定的層。在此，第一金屬層3具有至少5μm的，尤其至少10μm的豎直厚度。例如，第一金屬層的厚度在5μm和50μm之間，其中包括邊界值，例如在5μm和30μm之間或者在10μm和20μm之間。由於第一金屬層3至少在橫向上完全地覆蓋中間空間40，所述器件在中間空間40的區域中不具有機械薄弱部位。第一金屬層3尤其構成為是連貫的。在俯視圖中，半導體本體2尤其完全地覆蓋第一金屬層3。沿著橫向方向，第一金屬層3由絕緣層9包圍。

第二金屬層4能夠構成為器件100的進行機械穩定的層。特別地，第二金屬層4，例如在與第一金屬層3重疊的區域中，具有如下豎直厚度，所述豎直厚度例如至少恰好為第一金屬層3的厚度，優選是第一金屬層的厚度的至少2倍，例如4倍或者10倍大。優選地，在俯視圖中，第一金屬層3和第二金屬層4一起完全覆蓋有源層。尤其，藉助於完全地覆蓋有源層23，有源層23的任何區域都由進行機械穩定的金屬層3和4機械支撐，使得器件100尤其機械穩定地構成。

第一金屬層3和第二金屬層4能夠分別是電鍍沉積的金屬層。所述第一金屬層和第二金屬層能夠具有相同的金屬，例如鎳或者銅。特別地，所述第一金屬層和第二金屬層也能夠具有不同的材料。例如，第一金屬層3與第二金屬層4相比具有更高的彈性模量。第二金屬層4與第一金屬層3相比例如具有更高的熱導率。例如，第一金屬層3具有鎳，而第二金屬層4具有銅。

在第一金屬層3和第二金屬層4之間設置有絕緣層9。藉助於所述絕緣層9，第一金屬層3與第二金屬層4的第一子區域41電絕緣。在此，絕緣層9構成為是連貫的。可行的是，附著層(未示出)設置在第一金屬層3和絕緣層9之間。所述附著層能夠藉助於覆層方法，例如藉助於蒸鍍，施加到第一金屬層3上。特別地，附著層具有鈦或鉻。藉助於附著層，能夠實現附著層和絕緣層9之間的高的機械穩定性。

絕緣層9和第一金屬層3具有共同的開口91，穿通接觸部24延伸穿過所述開口。此外，絕緣層9具有至少一個第二開口92，第二金屬層4的第二子區域42延伸穿過第一金屬層3。

特別地，第二金屬層4是電鍍沉積到絕緣層9上的金屬層。在施加第二金屬層4之前，能夠將能導電的層6施加到絕緣層9上。在第二開口92的區域中，第一金屬層3和能導電的層6例如直接電接觸。該能導電的層6隨後能夠被結構化，使得中間空間40例如不具有能導電的層6。能導電的層6例如在電鍍覆層法中尤其用作為用於具有子區域41和42的第二金屬層的種子層(英語是：seedlayer)。

能導電的層6優選構成為鏡層。例如，所述鏡層具有金屬，例如鋁、銠、鈀、銀或者金。在器件100運行時，能導電的層6朝向輻射透射面101反射電磁輻射。特別地，能導電的層6反射如下輻射的頻譜的入射到所述能導電的層上的份額的至少60％，優選至少80％，尤其優選至少90％，所述輻射是由有源層23在器件運行時產生的輻射。在圖1中，能導電的層6沿著橫向方向延伸超過第二半導體層22和有源層23。沿著橫向方向，所述能導電的層尤其由第二金屬層4或成形體10限界並且尤其完全地在環周上被包圍。由此，能導電的層6能夠被保護免受環境影響，如溼氣或氧。

在半導體本體2和電流分布層5之間設置有擴散阻擋層7。該層尤其防止金屬原子或者金屬離子從電流分布層5、能導電的層6、第一金屬層3或從第二金屬層4遷移到連接層8中從而遷移到有源層23中，進而防止所述有源層的可能的損壞。

連接層8設置在半導體本體2和擴散阻擋層7之間，其中連接層8是能導電的並且優選構成為是反射輻射的，例如由ag、al、pd、rh、au、ito、zno構成。在半導體本體2的俯視圖中，能導電的層6和連接層8一起例如完全地覆蓋有源層23。能導電的層6和連接層8的這種設計方案提高了器件100的輻射耦合輸出效率。

所述器件具有鈍化層90，所述鈍化層沿著橫向方向，尤其在整個環周上包圍連接層8、擴散阻擋層7和電流分布層5。能導電的層6和絕緣層9在器件的邊緣處具有梯級並且構成為，使得第二半導體層22和有源層23局部地由絕緣層9或者能導電的層6包圍。因此，側向於器件100的背側102射出的輻射能夠由能導電的層6朝向輻射穿透面101的方向向回反射。在此，絕緣層9例如構成為對於在器件100運行時產生的輻射是可透射的。

半導體本體2具有凹部25。凹部25從半導體本體2的第二主面202穿過第二半導體層22和有源層23延伸到第一半導體層21中。在凹部25中構成有穿通接觸部24。在此，穿通接觸部24沿著橫向方向尤其在整個環周上由絕緣層9包圍。穿通接觸部24具有能導電的材料，例如金屬。穿通接觸部24經由能導電的層6與第二金屬層4的第一子區域41電連接。穿通接觸部24和能導電的層6能夠具有相同的、能導電的材料或者不同的材料。穿通接觸部24尤其與能導電的層6直接電接觸。也可行的是，器件100具有多個穿通接觸部24，以電接觸第一半導體層21，由此實現在第一半導體層21內部的尤其均勻的電流分布。

所述器件100經由背側102，意即，在背側上構成為是可電接觸的。因此，器件100能夠經由第一子區域41和第二子區域42與外部的電壓源電連接。在此，半導體本體2尤其完全地覆蓋第二金屬層4的第一子區域和第二子區域41和42。在圖1中，器件100在背側102上具有第一接觸層410和第二接觸層420，所述第一接觸層與第一子區域41直接電接觸，所述第二接觸層與第二金屬層4的第二子區域42直接電接觸。在載體1的俯視圖中，半導體本體2尤其完全地覆蓋第一接觸層和第二接觸層410和420。在半導體本體2的俯視圖中，接觸層410和420例如完全地覆蓋第一子區域41或第二子區域42，或者尤其分別伸出這些子區域41和42。第一接觸層410尤其構成為n型接觸層，而第二接觸層420例如構成為p型接觸層。

在圖2中，器件100的橫剖面沿著在圖1中表明的線aa』示出。

器件100具有第一金屬層3的和絕緣層9的共同的開口91，穿通接觸部24延伸穿過所述開口，以電接觸第一半導體層21。在圖2中示出兩個這種共同的開口。與此不同，器件100能夠僅具有一個或者多於兩個的這種開口91。在此，金屬層3具有開口30，在所述開口中設置有絕緣層9，以用於在穿通接觸部24和第一金屬層3之間的電絕緣。因此，在共同的開口91中，穿通接觸部24沿著橫向方向在整個環周上由絕緣層9包圍。

沿著豎直方向，穿通接觸部24從尤其構成為鏡層的能導電的層6穿過第一金屬層3的開口，尤其穿過共同的開口91，延伸至第一半導體層21。能導電的層6具有第一子層61和與第一子層61在橫向上間隔開的並且電絕緣的第二子層62。特別地，子層61和62通過處於中間空間40的區域中的溝槽60在空間上彼此分開。溝槽60能夠由電絕緣材料，例如由成形體10的材料填充。例如，第二金屬層4的第一子區域41直接經由第一子層61與穿通接觸部24電連接。因此，第一子區域41、第一子層61和穿通接觸部24與器件100的第一極性，例如n側的極性相關聯。

在圖2中，鈍化層90具有多個開口93，第一金屬層3延伸穿過所述開口，以電接觸第二半導體層22。第一金屬層3尤其與第二金屬層4的第二子區域42電連接。在此，第二子區域42在鈍化層90的開口93中能夠鄰接於第一金屬層3並且鄰接於能導電的層6的第二子層62。也可行的是，第二子層62沿著豎直方向設置在第一金屬層3和第二子區域42之間。因此，第二子區域42、第二子層62和第一金屬層3與器件100的第二極性相關聯，所述第二極性與第一極性不同，例如是p側的極性。

在通過aa』表示的豎直高度中，第一金屬層3沿著橫向方向由能導電的層6以及由第二金屬層4包圍。成形體10沿著橫向方向對器件100限界，其中第二金屬層4由成形體10在橫向上在整個環周上包圍。

在圖3中，示意性地示出器件100的另一實施例。該實施例基本上對應於在圖1中示出的實施例。與此不同，整個半導體本體2連同第一半導體層21在橫向方向上由絕緣層9限界。在此，整個半導體本體2由絕緣層9和/或成形體10橫向包圍。沿著豎直方向，絕緣層9尤其與半導體本體2齊平。第一金屬層3和第二金屬層4能夠一起完整地覆蓋整個半導體本體2。

通過在器件的背側上使用金屬層，能夠機械穩定器件並且同時經由子區域進行外部電接觸，所述金屬層具有第一子區域和通過中間空間與第一子區域橫向間隔開的第二子區域。通過構成跨越中間空間的另一金屬層和設置在這些金屬層之間的能導電的層，器件能夠設計為不具有機械薄弱部位並且不具有設置在器件的半導體本體和載體之間的耗費的重新布線平面，所述能導電的層具有適當的造型。

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本發明不受到根據實施例對本發明的描述的局限。更確切地說，本發明包括每個新的特徵以及特徵的每個組合，這尤其包含權利要求中的特徵的組合，即使該特徵或者該組合本身未詳盡地在權利要求或者實施例中說明時也是如此。