遺體防腐設備和遺體防腐方法
2023-09-10 00:36:20
專利名稱：遺體防腐設備和遺體防腐方法
技術領域：
本發明涉及遺體防腐設備和遺體防腐方法。死者的遺體在交付火葬之前的期間，必須強有力抑制外觀惡化、以及內臟等腐爛所引起的惡臭產生和吐血。
本發明涉及能夠防止這樣的遺體的外觀惡化、內臟腐爛所引起的惡臭產生和吐血的遺體防腐設備和遺體防腐方法。
背景技術：
死者的遺體如果直接放置的話，將會發生遺體的腐爛。特別是遺體內部的消化道和各種內臟器官等內臟很容易發生腐爛，一旦發生內臟的腐爛，就會產生惡臭，同時由於腐爛氣體的產生以及腹部的肌肉和脂肪對內臟的壓迫，腐爛的內臟可能會從遺體的口中排出而發生所謂的吐血，所以防止內臟的腐爛是非常重要的。
一直以來，使用乾冰等從外部冷卻遺體來抑制內臟的腐爛，但是近年來，為了防止內臟腐爛的進行，開發了防腐處置的技術(例如特開2002-53401號和特開2000-95601號以下稱為現有例1、2)。
現有例1的技術是涉及用於將消毒液等從鼻孔注入遺體內部的遺體用流體注入管的技術，如果使用了這樣的遺體用流體注入管，就能夠將消毒液供給易於腐爛的胃和腸等消化道，和遺體表面一樣，消化道內部也能夠使用消毒液來消毒。
此外，現有例2的技術是涉及使用具有防腐作用的屍體防腐液(エンバ一ミング液)置換遺體血液的遺體保存方法的技術，屍體防腐液取代血液而被充填於遺體各組織的血管內，所以通過屍體防腐液能夠防止遺體各組織的腐爛，使遺體能夠長期保存。
但是，現有例1的技術雖然能夠在某種程度上防止消化道的腐爛，但消毒液等的防腐作用最多不過數小時左右而已，在交付火葬之前不能防止內臟等的腐爛。而且，消毒液等僅僅供給了消化道，不能對消化道以外的內臟器官，例如肝臟、胰腺、腎臟等內臟器官進行消毒，所以不能抑制這些內臟器官發生腐爛。
如果使用現有例2的技術處理遺體，即使數周也能夠防止遺體的腐爛，但是遺體的處理非常耗時，成本也很高。而且，從遺體處理到遺體火葬之間的時間最多不過3～4天左右，數周以上的遺體防腐處理與處理目的相比，是做了過剩的處理，成本相對於所要的效果顯得過高了。而且，用屍體防腐液置換血液必須採用外科的手法，所以會損傷遺體，而且必須具有醫生等的專門技術才能進行處理。
此外，在現有例1、2的技術中，實施處理者必須接觸遺體才能進行操作，但是在遺體上不僅有死後附著的雜菌，而且還存在有死者生前所保留的病毒等，由於接觸遺體使實施處理者有感染這些雜菌和病毒等的危險性。該問題也同樣存在於用乾冰冷卻遺體的情況。
發明內容
鑑於上述情況，本發明的目的是提供在從遺體處理到火葬之間的期間，不僅能夠防止遺體表面、而且還能防止遺體內臟的腐爛，且不損傷遺體、不需要專門的技術也能對遺體進行防腐處理，而且能夠強有力防止與遺體接觸的遺體防腐設備和遺體防腐方法。
作為第1發明的遺體防腐設備，是用於防止遺體腐爛所使用的設備，其特徵在於，該設備具有由預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，使組織的溫度上升達到使構成遺體內部組織的蛋白質凝固的溫度以上，並將組織的溫度保持在蛋白質凝固的溫度以上的遺體加熱手段；和冷卻經由該遺體加熱手段進行了電磁波加熱的遺體的遺體冷卻手段。
作為第2發明的遺體防腐設備，其特徵在於，在第1發明中，具有對遺體內部供給包含具有殺菌作用的成分的處理劑的內部殺菌手段。
作為第3發明的遺體防腐設備，其特徵在於，在第2發明中，所述內部殺菌手段具有將包含具有殺菌作用的成分的處理劑注入遺體的消化道內部或者遺體的腹壁與消化道之間的空間內的處理液供給部。
作為第4發明的遺體防腐設備，其特徵在於，在第1發明中，所述設備具有對遺體表面進行殺菌處理的殺菌手段。
作為第5發明的遺體防腐設備，其特徵在於，在第4發明中，上述殺菌手段具有充滿高濃度臭氧的氣體的滅菌槽。
作為第6發明的遺體防腐方法，是防止遺體的腐爛的方法，其特徵在於，通過由預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，使組織的溫度上升達到使構成遺體內部組織的蛋白質凝固的溫度以上，並將組織的溫度保持在蛋白質凝固的溫度以上，電磁波加熱之後將遺體冷卻。
作為第7發明的遺體防腐方法，其特徵在於，在第6發明中，對遺體進行電磁波加熱之前或之後，將含有在遺體內具有殺菌作用的成分的處理劑注入遺體內部。
作為第8發明的遺體防腐方法，其特徵在於，在第7發明中，對遺體進行電磁波加熱之前或之後，對遺體表面進行殺菌處理。
根據第1發明，如果使用預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，由於遺體的組織等自己發熱，所以內臟等遺體內部的組織的溫度用電磁波加熱將會達到例如60度或以上，如果將該溫度保持規定的時間，構成遺體內部組織的蛋白質就會發生凝固，而且，附著於遺體內部的組織的雜菌也能夠被殺滅或者減少。這樣，即使中止了電磁波加熱而使遺體的溫度降低，也能夠抑制附著於組織上的雜菌的繁殖速度，所以能夠延緩遺體內部組織的腐爛速度。此時，遺體內部組織以外的部分，即遺體表面組織的溫度雖然也升高，但是由於遺體表面和外界的空氣接觸，所以該溫度低於遺體內部的溫度。因此，如果調整電磁波的頻率和電磁波加熱的時間，就能夠防止構成遺體表面組織的蛋白質的凝固，換言之，能夠在防止遺體表面變色或變焦等損傷的同時，只使構成遺體內部組織的蛋白質發生凝固。此外，電磁波加熱後將遺體冷卻，如果內臟的溫度冷卻到例如20度或以下的話，內臟的溫度處於易於繁殖雜菌的溫度區域(20～40度左右)的時間就能夠縮短，所以即使在遺體內部的所有組織沒有完全凝固的情況下，也能夠延緩未凝固的組織的腐爛速度。因此，在火葬之前的期間，不會使遺體外觀發生惡化，且能夠防止遺體內部組織的腐爛。此外，由於僅僅是將遺體用電磁波加熱、之後進行冷卻，所以不需要特別的技術，有了該裝置，任何人都能夠做遺體的處理。
根據第2發明，由於能夠對遺體內部的組織進行殺菌處理，所以進一步延緩了遺體內部組織的腐爛。
根據第3發明，由於能夠用處理劑對遺體的消化道內部或腹壁的內面進行殺菌處理，所以進一步延緩了遺體內部組織的腐爛。
根據第4發明，由於能夠使用殺菌手段對遺體表面進行殺菌處理，所以能夠延緩遺體表面腐爛等引起的損傷，並防止和遺體接觸的死者家屬感染雜菌等。
根據第5發明，臭氧從遺體的毛孔等侵入遺體的組織等，所以能夠防止遺體的表面再次附著雜菌，能夠延緩遺體表面腐爛等所引起的損傷。
根據第6發明，如果使用預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，由於遺體的組織等自己發熱，內臟等遺體內部組織的溫度用電磁波加熱將會達到例如60度或以上，將該溫度保持規定的時間的話，構成遺體內部組織的蛋白質就會發生凝固，而且，附著於遺體內部的組織的雜菌也能被殺滅或者減少。這樣，即使中止了電磁波加熱使遺體的溫度降低，也能夠抑制附著於組織上的雜菌的繁殖速度，所以能夠延緩遺體內部組織的腐爛速度。此時，遺體內部的組織以外的部分，即遺體表面組織的溫度雖然也升高，但是由於遺體表面和外界的空氣接觸，所以該溫度低於遺體內部的溫度。因此，如果調整電磁波的頻率和電磁波加熱時間，就能夠防止構成遺體表面組織的蛋白質的凝固，換言之，能夠在防止遺體表面變色或變焦等損傷的同時，只使構成遺體內部組織的蛋白質發生凝固。此外，電磁波加熱後將遺體冷卻，如果內臟的溫度冷卻到例如20度或以下的話，內臟的溫度處於易於繁殖雜菌的溫度區域(20～40度左右)的時間就能夠縮短，所以即使在遺體內部的所有組織沒有完全凝固的情況下，也能夠延緩未凝固組織的腐爛速度。因此，在火葬之前的期間，不會使遺體的外觀發生惡化，且能夠防止遺體內部組織的腐爛。此外，由於僅僅是將遺體用電磁波加熱、之後進行冷卻，所以不需要特別的技術，採用該方法，任何人都能夠做遺體的處理。
根據第7發明，由於能夠使用處理劑對遺體的內部進行殺菌處理，所以進一步延緩了由遺體內部的組織的腐爛所引起的損傷。
根據第8發明，由於使用殺菌手段能夠對遺體表面進行殺菌處理，所以能夠延緩遺體表面腐爛等引起的損傷，並防止和遺體接觸的死者家屬感染雜菌等。
圖1是本實施形態的遺體防腐設備1的簡略說明圖。
圖2是加熱室1b的簡略側面圖。
圖3是冷卻室1c的簡略說明圖。
圖4是殺菌室1a的簡略說明圖。
圖5(A)是圖2的VA-VA線向視圖；圖5(B)是圖3的VB-VB線向視圖，託盤T被傳送帶2c所支持時的簡略說明圖；圖5(C)是圖3的VB-VB線向視圖，託盤T浸漬於冷卻槽21內時的簡略說明圖。
圖中的符號說明1 遺體防腐設備10遺體加熱手段20遺體冷卻手段30殺菌手段31滅菌槽
具體實施例方式
本發明的遺體防腐設備，是在從死亡到火葬之間的期間用於防止遺體腐爛而處理遺體的設備，其特點是不用做特別的外科處理，不僅能夠防止遺體表面的腐爛，也能夠防止內臟的腐爛。
圖1是本實施形態的遺體防腐設備1的簡略說明圖。如圖1所示，本實施形式的遺體防腐設備1依次設有具有對遺體表面進行殺菌處理的殺菌手段30的殺菌室1a、具有對遺體內部進行電磁波加熱而進行防腐處理的遺體加熱手段10的加熱室1b、具有對以加熱手段10加熱後的遺體進行冷卻處理的遺體冷卻手段20的冷卻室1c。
各室之間彼此氣密性密閉，殺菌室1a與加熱室1b之間，和加熱室1b與冷卻室1c之間分別設有搬運部3b和3c。該搬運部3b和3c能夠連通或者氣密性阻斷殺菌室1a與加熱室1b之間，和加熱室1b與冷卻室1c之間，例如，具有上下開閉的門等。此外，在殺菌室1a內設有能夠連通或者氣密性阻斷內部與外部的搬入部3a，在冷卻室1c內設有能夠連通或者氣密性阻斷內部與外部的搬出部3d。這裡的搬運部3b、3c和上述搬運部3b、3c實質上是相同的。
另外，搬入部3a、搬出部3d和搬運部3b、3c不局限於上述結構，只要是能夠連通或者氣密性阻斷各室之間和各室與外部之間的結構就行，沒有特別的限定。
此外，在各室內，設有搬送承載遺體的託盤T的搬送手段之傳送帶2a～2c。設於殺菌室1a和加熱室1b內的傳送帶2a和2b，其結構能夠在打開搬運部1d而使殺菌室1a與加熱室1b相連通的狀態時，使託盤T連同遺體從殺菌室1a通過搬運部3b運送到加熱室1b。具體來講，兩個傳送帶2a、2b的上面(和託盤T的下面接觸的面)高度相同，並且，兩個傳送帶2a、2b的相鄰接端之間被設置為，在託盤T處於由傳送帶2a支持重量的狀態時，託盤T的前端就位於傳送帶2b之上了。
此外，設於冷卻室1c的傳送帶2c與傳送帶2b之間相對的設置和傳送帶2a、2b之間相對的設置實質上相同，其結構是能夠在打開搬運部3c並使加熱室1b與冷卻室1c相連通的狀態下，使託盤T連同遺體從加熱室1b通過搬運部1e運送到冷卻室1c。
因為具有上述結構，本實施形態的遺體防腐設備1能夠進行以下遺體處理。
如圖1(A)所示，首先，將遺體承載於託盤T上，由擔架ST搬送到殺菌室1a的搬入部3a。然後，打開搬入部3a的門，使殺菌室1a內部和外部連通，遺體保持在託盤T之上，由搬入部3a移載到傳送帶2a上。然後，在傳送帶2a的驅動下，遺體被搬入到殺菌室1a內，移動到殺菌位置III。此後，搬入部3a的門關閉，使殺菌室1a內和外部之間被氣密性密閉，在該狀態下以殺菌手段30對遺體表面進行殺菌處理。
殺菌處理結束後，搬運部3b的門打開，使殺菌室1a與加熱室1b之間連通。然後，傳送帶2a和2b運轉，將遺體連同託盤T一起搬送，通過搬運部3b從傳送帶2a移載到傳送帶2b上。於是遺體就從殺菌室1a移到了加熱室1b。然後，遺體被搬運到加熱位置I後，搬運部3b的門就被關閉，使加熱室1b與殺菌室1a之間被氣密性密閉，在該狀態下以遺體加熱手段10對遺體進行電磁波加熱，通過加熱對遺體內部進行防腐處理。
防腐處理結束後，搬運部3c的門就被打開，使加熱室1b與冷卻室1c之間連通。然後，傳送帶2b和2c運轉，將遺體連同託盤T一起搬送，通過搬運部3c從傳送帶2b移載到傳送帶2c上。於是遺體就從加熱室1b移到了冷卻室1c。然後，遺體被搬送到遺體冷卻位置II後，搬運部3c的門就被關閉，使冷卻室1c內與加熱室1b之間被氣密性密閉，在該狀態下以冷卻手段20對用加熱手段10加熱後的遺體進行遺體冷卻處理。
冷卻處理一結束，搬出部3d的門就被打開，使冷卻室1c和外部之間相連通。然後，傳送帶2c運轉，將遺體連同託盤T一起向搬出部3d搬送。如果搬出部3d旁邊設置有擔架ST，就通過搬出部3d，從傳送帶2c移載到擔架ST上，遺體處理結束。
如上所述，通過本實施形態的遺體防腐設備1，以殺菌手段30對遺體表面進行殺菌處理，所以能夠延緩遺體表面因腐爛等引起的損傷，通過遺體加熱手段10能夠用電磁波加熱使構成遺體內部組織的蛋白質凝固，所以能夠延緩遺體內部組織的腐爛速度。然後，通過遺體冷卻手段20將遺體冷卻，能夠使電磁波加熱後的遺體內部溫度處於易於繁殖雜菌的溫度區域(20～40度左右)的時間縮短，所以能夠延緩遺體內部組織的腐爛速度。因此，在火葬之前的期間，不會使遺體外觀發生惡化，能夠防止遺體內部組織的腐爛。而且，由於只採用殺菌手段30、遺體加熱手段10和遺體冷卻手段20來處理遺體，所以遺體處理不需要特別技術，有了該裝置，任何人都能夠進行遺體的處理。
而且，在遺體防腐設備1內的處理能夠完全自動化，所以能夠強有力減少操作者與遺體之間的接觸，降低操作者感染雜菌等的可能性。
此外，在殺菌室1a內的傳送帶2a上設有承載遺體的託盤T，所以能夠通過傳送帶2a～2c將遺體依次移動到各室1a～1c，然後在各室內分別進行處理，因此遺體的處理能夠自動化。而且，各處理分別在各自的室內進行，所以能夠同時處理較多的遺體，因此能夠效率很高地進行處理。
另外，搬送手段不局限於傳送帶，只要是能夠將託盤T和遺體共同通過搬入部3a、搬出部3d和搬運部3b、3c而移動的裝置就行，沒有特別的限定。
例如，在搬出部3d附近設有能夠卷取繩索的絞車等，從絞車發出的繩索一端連接於設在搬入部3a的外部的託盤T的前端，那麼通過絞車卷取繩索就能夠使託盤T從殺菌室1a向冷卻室1c移動。在這種情況下，託盤T做成能在設於各室內的軌道上移動的結構，或者是將託盤T承載於能夠在地面上行進的有車輪的臺車上等，使託盤T能夠順利移動。而且，在使用有車輪的臺車等的情況時，如果在臺車上設有電動機等動力的話就能夠使臺車自動行進。
另外，為了執行將遺體搬送入殺菌室1a和從冷卻室1c搬出的遺體送取，如果設有傳送帶CV的話就能夠使人執行的操作進一步減少，所以較為合適(圖1(B))。
另外，也可以做成如下的結構以殺菌室1a、加熱室1b、冷卻室1c的順序移動之後，再一次從冷卻室1c向加熱室1b和殺菌室1a內移動，通過搬入部3a從遺體防腐設備1搬出到外部。在這種情況下，在冷卻室1c內不必設有搬出部3d，在搬出部3d側不必設有傳送帶CV，所以既能夠使設備的結構簡單化，又由於是從遺體防腐設備1的一側執行搬入和搬出，所以能夠使設備更加緊湊。
在上述的實施形態中，其結構是以殺菌室1a、加熱室1b、冷卻室1c的順序將遺體搬送處理的，但是各室的順序可以是遺體通過加熱室1b向冷卻室1c搬送，也可以將殺菌室1a設在加熱室1b和冷卻室1c之間或者是在冷卻室1c之後。在這種情況下，在執行最初處理的室內設有搬入部3a，在執行最後處理的室內設有搬出部3d，連接各室之間設有搬運部3b、3c就不必說了。
此外，以本實施形態的遺體防腐設備1對遺體進行處理之前，對遺體表面以熱水處理或者以酒精消毒等的情況下，可以不設殺菌室1a和殺菌手段30。而且，如後所述，在遺體冷卻手段20中，也同時對遺體表面進行殺菌的情況下，也不必特別設有殺菌室1a和殺菌手段30。
而且，也可以做成如下的結構將遺體加熱手段10、遺體冷卻手段20、殺菌手段30全部設於同一室內，以傳送帶等搬送手段將遺體在殺菌位置III、加熱位置I、冷卻位置II之間順次移動，在此情況下，就不需要搬運部1d、1e了，而且傳送帶等搬送手段的構造也能夠簡單化，所以能夠使設備的結構簡單化，降低設備的成本。這樣，就不必在室內移動遺體，例如，一直承載於同一個處理臺上以各手段執行各處理，那麼就不需要在上述各位置間移動的搬送手段，所以能夠進一步使設備的結構簡單和緊湊。
此外，當執行處理時，在不必和外部保持氣密性密閉的情況時，例如，處理時遺體尚未發生惡臭或者在遺體處理時沒有使用限制向大氣中排放的物質的情況等就可以，執行該處理的室內沒有氣密結構也可以。這樣，在該室內設有搬入部3a或搬出部3d時，搬入部3a或搬出部3d是只具有能夠連通該室與外部之間的功能的結構，例如，單純的貫通孔等就可以。同樣，如果相互連接的室之間彼此不必氣密阻斷的話，搬運部可以是只具有能夠連通兩室之間的功能的結構。在此情況下，也不需要有氣密結構的室或有氣密結構的搬入部等，所以能夠進一步使設備的結構簡單化，降低設備的成本。
而且，當執行處理時，在不必與外界保持氣密性密閉的情況下，也可以將執行該處理的手段設置為暴露於大氣中的狀態，在該情況下不需要室本身，所以能夠進一步使設備的結構簡單化，還可以降低設備的成本。
下面，對設於各室內的處理手段加以詳細說明。
首先，對遺體加熱手段10加以說明。
圖2是加熱室1b的簡略側面圖。圖5(A)是圖2的VA-VA線向視圖、圖5(B)是圖3的VB-VB線向視圖，託盤T被傳送帶2c支持時的簡略說明圖、圖5(C)是圖3的VB-VB線向視圖，託盤T浸漬於冷卻槽21內時的簡略說明圖。
如圖5(A)所示，在加熱室1b內設有一對傳送帶2b、2b。這對傳送帶2b、2b二者之間的間隔被設置為窄於上述託盤T的寬。
如圖2和圖5(A)所示，在上述一對傳送帶2b、2b之間，在一對傳送帶2b、2b對遺體的搬送通路的上方和下方，設置有遺體加熱手段10的一對電極部11、11。該一對電極部11、11能夠產生高頻率的電力，並具有圖中未示出的與高頻率發生裝置相連接的電極12。
該一對電極部11、11分別被遺體加熱手段10的電極移動手段14所控制，通過該電極移動手段14被設為可以相互接近或者遠離。這樣，當遺體被置於加熱室1a的加熱位置I的狀態時，如果將一對電極部11、11相接近或遠離，其結構就能夠通過一對電極部11、11夾住或離開遺體的腹部。
另外，電極移動手段14，只要是能夠將一對電極部11、11相互接近或遠離從而夾住或離開遺體腹部的結構，例如氣缸或者鏈環機構等就行，不做特別的限定。
因此，如果以電極移動手段14將一對電極部11、11相互接近的話，一對電極部11、11就能夠將遺體夾住，在該狀態下，通過高頻率發生裝置產生的高頻率電力，就能夠對遺體組織施加高頻率(1MHz～100MHz)的電磁波。這樣，以該電磁波對組織進行電磁波加熱，因為遺體的組織等自己發熱，所以就能夠使內臟等遺體內部組織的溫度升高。例如，13.56MHz的電磁波以1000～2000W的功率施加30分鐘或以上的電磁波加熱，就能夠使遺體內部組織溫度達到60度或以上。這樣，如果將該狀態保持5分鐘以上，最好5～20分鐘，即保持遺體內部溫度為60度或以上5～20分鐘，那麼就能夠使構成遺體內部組織的蛋白質發生凝固。而且，遺體內部組織處於以相對於體內為高溫的60度的溫度加熱5～20分鐘的狀態，所以能夠消滅或者減少附著於遺體內部組織的雜菌。所以，即使中止電磁波加熱使遺體內部溫度降低，也能夠抑制附著於組織的雜菌的繁殖速度，延緩遺體內部組織的腐爛速度。
此時，遺體內部以外的組織，即遺體表面組織的溫度雖然也升高，但是遺體表面與外部空氣(加熱室1b內的空氣)和電極部11相接觸，處於被外部空氣等所冷卻的狀態。所以，遺體表面溫度能夠低於遺體內部溫度，能夠在防止構成遺體表面組織的蛋白質的凝固，換言之，防止遺體表面變色或者變焦的損傷的同時，只使構成遺體內部組織的蛋白質發生凝固。特別是，如果採用電磁波頻率1～100MHz的高頻率、功率1000～2000W左右的電磁波加熱30～60分鐘左右，能夠更確實地防止遺體表面變色或者變焦的損傷。
另外，電極部11與遺體表面相接觸的部分具有能夠通過循環冷卻水的周知的墊子13。該墊子13的結構，其結構是以例如聚氨酯薄片等耐水性材料製成袋狀，以1～3％左右的鹽水等具有傳導性的液體作為循環冷卻水供給其內部。因此，當處於以電極部11施加電磁波的狀態時，通過墊子13能夠冷卻遺體表面，所以即使向遺體施加電磁波的時間較長也能夠防止遺體表面溫度升高，能夠確實地防止遺體表面的損傷。而且，由於能夠向遺體施加電磁波的時間長，或者功率強，所以遺體的深層部位能夠得到確實的加熱。特別是，上述的墊子只是向袋內注入冷卻循環水，柔軟性較高，所以和僅僅以電極12構成電極部11的情況相比，電極部11能夠和遺體緊密接觸。這樣，由於遺體腹部整體能夠施加均勻的電磁波，所以能夠防止遺體局部溫度異常升高。
此外，遺體表面的冷卻方法不局限於上述設有墊子的方法，也可以採用向遺體腹部吹5℃左右的冷風的冷卻方法、在電極內設有能夠流過冷卻水的冷卻水通路、提高電極的遺體冷卻作用的方法等方法。
此外，如果只以電極12或外界大氣就能夠將遺體表面充分冷卻的話，也可以不設墊子等遺體表面冷卻手段。
另外，以一對電極部11、11夾住遺體時，即以1MHz～100MHz的電磁波對遺體進行電磁波加熱時，讓一對電極部11、11的每一個都直接接觸遺體是必要的，因此，作為承載遺體的託盤T，使用在遺體腹部所處位置被製成下方的電極部11能夠通過的貫通孔Th的結構，也可以在託盤T的中央部，即只在遺體腹部所處位置的部分使用導電材料，託盤T的其他部分以絕緣體製成，那麼託盤T自身能作為電極來使用。在該情況下，當託盤T處於加熱位置II時，託盤T上的以導電材料製成的部分與高頻率發生裝置相連接的結構一形成，託盤T和上方的電極部11之間就能夠產生電磁波。而且，由於只在遺體腹部所處的位置使用導電材料，所以能夠防止向遺體腹部以外的部分供給電磁波，能夠只對腹部進行有效的加熱。另外，可以不設下方的電極部11和移動下方的電極部11的電極移動手段14，所以能夠使遺體加熱手段10的結構簡單化，能夠使全部設備的結構簡單和緊湊。
此外，在使用300～3000MHz的微波對遺體進行電磁波加熱的情況下，可以設有能夠將微波向規定方向照射的高頻發熱電極以取代電極。此時，不必將高頻發熱電極與遺體緊密接觸，所以不需要移動高頻發熱電極的移動手段，能夠使遺體加熱手段10的結構簡單化。
如上所述，遺體加熱手段10是只以一對電極部11、11將遺體夾住而施加電磁波，或者以高頻發熱電極對遺體進行微波照射的遺體電磁波加熱，即，能夠執行遺體內部的防腐處理，所以不需要特別的技術，任何人都能夠做遺體處理。
下面，對遺體冷卻手段20加以說明。
圖3是冷卻室1c的簡略說明圖。如圖5(B)所示，在加熱室1b內，設有一對傳送帶2c、2c。該一對傳送帶2c、2c，被設置為沿著與行進方向即遺體的搬送方向相垂直的方向，能夠相互接近或離開。而且，一對傳送帶2c、2c被設置為在二者相接近的狀態時(圖5(B))，二者之間的間隔窄於上述託盤T的寬，在二者相離開的狀態時(圖5(C))，二者之間的間隔寬於上述託盤T的寬。
在上述一對傳送帶2c、2c之間，在一對傳送帶2c、2c對遺體的搬送路徑的下方，設有遺體冷卻手段20之冷卻槽21。該冷卻槽21設在上述傳送帶2c上的冷卻位置II的下方。在該冷卻槽21內充滿了冷媒CM，例如酒精、液氮，或氮氣、氟利昂等冷卻用的氣體。
另外，在圖3中，符號26表示安裝於冷卻室1c的頂棚內的遺體冷卻手段20之託盤保持手段25的氣缸26。該多個氣缸26在一對傳送帶2c、2c上的處於冷卻位置II的託盤T的前端或後端的約垂直上方，分別各設有2個，每一個都設置為杆26a朝向下方的狀態。在設於託盤T的前端或後端的2個氣缸26的杆26a的前端之間，設有能夠相對於水平和杆26a旋轉的旋轉軸27，連接臂28的根基端固定於在該旋轉軸27上。該連接臂28的前端具有鉤子連接部28a，旋轉軸27一旋轉，連接部28a就會上下搖動。所以，連接臂28的結構為，當處於託盤T位於一對傳送帶2c、2c上的冷卻位置II的狀態時，保持氣缸26收縮使連接部28a向下方搖動，就會使連接部28a連接在託盤T上，保持氣缸26收縮使連接部28a向上方搖動，就會使連接部28a離開託盤T。
因此，一對傳送帶2c、2c將承載遺體的託盤T移動到冷卻位置II，當託盤保持手段25的全部氣缸26處於收縮狀態時，使全部連接臂28的連接部28a向下方搖動，全部連接臂28的連接部28a就會連接於託盤T上。在該狀態下，如果使一對傳送帶2c、2c相遠離的話，一對傳送帶2c、2c就會向託盤T的側方和外方移動，託盤T就處於僅以託盤保持手段25所支持的狀態。
然後，如果使全部的氣缸26伸長的話，氣缸26的杆26a就和連接臂28共同向下方移動，託盤T也向下方移動。這樣一來，託盤T和承載於託盤T上的遺體就能夠進入冷卻槽21內，浸漬於冷卻槽21內的冷媒CM內，所以遺體能夠被冷媒CM所冷卻(圖5(C))。這樣，遺體在冷媒CM中浸漬規定時間後，內臟的溫度就能夠冷卻到例如20度或以下，所以就能夠縮短內臟處於易於繁殖雜菌的溫度區域(20～40度左右)的時間。那麼，即使在遺體內部的所有組織沒有完全凝固的情況下，也能夠延緩未凝固組織的腐爛速度。另外，由於冷媒CM也能夠通過遺體的口等進入遺體內部，所以能夠確實地冷卻遺體內部。
而且，在使用液氮等極低溫的冷媒CM時，由於在非常短的時間內就能將遺體冷卻，所以能夠使處於易於繁殖雜菌的溫度區域的時間非常短，能夠進一步延緩未凝固組織的腐爛速度。
冷卻結束後，使託盤保持手段25的全部氣缸26收縮，一對傳送帶2c、2c處於相接近的狀態時，使全部的連接臂28向上方搖動就能夠使託盤T承載於一對傳送帶2c、2c之上，所以託盤T就能夠和遺體共同被一對傳送帶2c、2c所搬送。
此外，託盤保持手段25不局限於上述的結構，只要是在一對傳送帶2c、2c相遠離的狀態時能夠支持託盤T，升降託盤T使其浸漬於冷卻槽21內的結構就可以。
此外，由於只要能將託盤T浸漬於冷卻槽21內就可以，所以也可以升降冷卻槽自身來代替升降託盤T，將託盤T浸漬於冷卻槽21內的方法沒有特別限定。
此外，在以酒精或者液氮作為冷媒CM來使用的情況下，託盤T和遺體共同浸漬於冷卻槽21內的冷媒CM內時，遺體有浮於冷媒CM的可能性，但是如果設有可以覆蓋託盤T和與之共同下降的遺體的籠子24，或者設有將遺體固定於託盤T上的帶子，就能夠防止遺體的上浮，以冷媒CM將遺體確實地冷卻。
另外，如果使用酒精等具有殺菌作用的物質作為冷媒CM的話，遺體只要被浸漬於冷媒CM中，就能夠在遺體冷卻的同時也進行了遺體表面的殺菌，所以，也可以不設殺菌手段30和殺菌室1a。此外，在冷媒CM侵入遺體內部的情況下，能夠在遺體冷卻的同時也執行了遺體內部的殺菌。另外，在以酒精作為冷媒CM時，不但可將遺體浸漬於冷媒CM中，也可以用酒精向遺體噴霧，此時，通過酒精的蒸發熱也能夠將遺體冷卻。
另外，遺體冷卻方法，不局限於如上所述的將遺體浸漬於冷媒CM中的方法，只要是能夠將內臟溫度降低到例如20度或以下，可以以極低溫的冷媒或者冷氣吹向遺體而將遺體冷卻，也可以將冷卻室1c做成內部溫度保持在5～10度以下的低溫室，以冷卻室1c內的冷空氣將遺體冷卻，最好根據處理遺體的季節和環境等以最合適的方法進行冷卻。所以，在遺體不浸漬於冷卻槽21內的冷媒CM中的情況下，就不必設冷卻槽21和託盤保持手段25，此外，搬送手段也可以採用只有託盤T搬送功能的傳送帶等一般的搬送手段。這樣，就能夠將遺體冷卻手段20和冷卻室1c的結構簡單化，能夠使全部設備的結構簡單和緊湊。
如上所述，遺體冷卻手段20隻需以託盤保持手段25將遺體和託盤T共同浸漬於冷媒CM中就能夠將遺體冷卻，所以不需要特別技術，任何人都能夠做遺體的處理。
下面，對殺菌手段30加以說明。
圖4是殺菌室1a的簡略說明圖。如圖所示，在殺菌室1a內設有一對傳送帶2a、2a。該一對傳送帶2a、2a是與上述一對傳送帶2c、2c實質相同的結構，即，被設置為能夠相互接近或遠離，在二者相接近的狀態時(參照圖5(B))，二者之間的間隔窄於上述託盤T的寬，在二者相遠離的狀態時(參照圖5(C))，二者之間的間隔寬於上述託盤T的寬。
如圖4所示，在殺菌室1a內，設有向位於殺菌位置III的遺體照射紫外線的例如殺菌燈等的殺菌手段30之紫外線照射手段32。
因此，當一對傳送帶2c、2c將承載遺體的託盤T移動到殺菌位置III後，由紫外線照射手段32照射出的紫外線就能夠對遺體表面殺菌。這樣，就能夠延緩遺體表面腐爛等引起的損傷，能預防和遺體接觸的死者家屬感染雜菌等。
如圖4所示，在上述一對傳送帶2a、2a之間，一對傳送帶2a、2a搬送遺體的通路下方和殺菌位置III的下方，設有內部容納有臭氧的殺菌手段30之滅菌槽31。
而且，在殺菌室1a內，設有和上述冷卻室1c內所設有的遺體冷卻手段20之託盤保持手段25實質相同的結構殺菌手段30之託盤保持手段35。即，託盤保持手段35的結構是，在處於殺菌位置III的託盤T的前端或後端的約垂直上方分別各設有的2個氣缸36、兩個氣缸36的杆36a的前端之間所設有的能夠旋轉的旋轉軸37、和根基端固定於該旋轉軸37上並在其前端具有鉤子的連接部38a的連接臂38。
因此，只要運作一對傳送帶2a、2a和託盤保持手段35，託盤T和承載於託盤T上的遺體就能夠進入滅菌槽31內，浸漬於滅菌槽31內的臭氧中，所以也能夠通過臭氧對遺體殺菌(參照圖4、圖5(C))。
而且，一旦浸漬於臭氧中，臭氧就能夠從口等侵入遺體內部，所以也能夠以臭氧對遺體內部進行殺菌。因此，如果滅菌槽內的氣壓高於大氣壓，臭氧就從遺體的毛孔等侵入遺體的組織等，所以就能夠防止雜菌等再次附著於遺體表面，延緩因遺體表面腐爛等引起的損傷。滅菌槽31內的氣壓高於大氣壓的方法，能夠通過將殺菌室1a建成密閉結構，使用泵等將加壓壓縮的臭氧從外部送入來實現。
此外，滅菌槽31內的臭氧供給方法沒有特別限定，例如，可以以配管等方法來供給使用特別設有的臭氧發生裝置所產生的臭氧。
特別是，因為以紫外線照射手段32所照射出來的紫外線將殺菌室1a內的氧氣轉化為臭氧，所以也可以作為以該臭氧來供給滅菌槽31內的臭氧的結構。在該情況下，為了使設備操作者等不必直接暴露於紫外線下，防止紫外線外漏的密閉結構是必要的。
另外，也可以做成殺菌室1a內全部充滿高壓臭氧的結構，在這種情況下，可以不設滅菌槽31和託盤保持手段35，此外，搬送手段也可以採用只有託盤T搬送功能的傳送帶等一般的搬送手段。這樣，就能夠將殺菌手段30和殺菌室1a的結構簡單化，能夠使全部設備的結構簡單和緊湊。
另外，滅菌槽31內所容納的物質不局限於臭氧，只要是酒精、臭氧水、二氧化碳水、亞鋅粗摻蘇打水(對應日文為次亜鉛粗餐ソ一ダ水)等有殺菌作用的物質就可以，沒有特別限定。
此外，在本實施形態的遺體防腐設備1中，也可以設有向遺體內部供給含有殺菌作用的成分的內部殺菌手段。例如，作為內部殺菌手段，如果具有以例如穿孔針等中空的管狀材料製成的注入部，和能夠向該注入部內供給例如酒精、臭氧水、二氧化碳水、亞鋅粗摻蘇打水等含有殺菌作用成分的處理劑的處理劑供給部，和將注入部刺入遺體的注入部移動手段，就能夠將注入部刺入遺體內，使其前端配置至消化道內部和遺體腹壁與消化道之間的空間，之後，處理劑供給部將處理劑供給注入部，就能夠將處理劑通過注入部內而供給其前端所配置到的地方。
這樣，就能夠對消化道內部的殘留物和消化道等腹腔內的內臟器官進行殺菌，所以能夠進一步延緩腹腔內部組織的腐爛。而且，由於是將注入部刺入來供給處理劑，所以也能夠將處理劑供給不能通過口等供給處理劑的遺體腹壁和消化道之間的空間，因此能夠進一步提高遺體內部的殺菌效果。
另外，雖然作為內部殺菌手段的注入處理劑的工作在任何時候進行都可以，但是如果在遺體加熱處理後將處理劑注入的話，就能夠抑制加熱處理後殘留的遺體內部的雜菌的繁殖。
另外，內部殺菌手段不局限於上述結構，只要是能夠將處理劑供給消化道內部和遺體腹壁與消化道之間的空間的結構就行，沒有特別限定。
此外，也可以以手工操作將處理劑供給遺體內部，在這種情況下，能夠根據遺體的體形準確地將處理劑注入所希望的地方。
本發明的遺體防腐設備，在遺體處理後到火葬之間的期間，不僅能夠防止遺體表面，而且也能防止遺體內臟的腐爛，不損傷遺體，沒有專門技術也能夠對遺體進行防腐處理。
權利要求
1.一種遺體防腐設備，其是用於防止遺體腐爛所使用的設備，其特徵在於，該設備具有由預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，使組織的溫度上升達到使構成遺體內部組織的蛋白質凝固的溫度以上，並將組織的溫度保持在蛋白質凝固的溫度以上的遺體加熱手段；和冷卻經由該遺體加熱手段進行了電磁波加熱的遺體的遺體冷卻手段。
2.如權利要求1所述的遺體防腐設備，其特徵在於，具有對遺體內部供給包含具有殺菌作用的成分的處理劑的內部殺菌手段。
3.如權利要求2所述的遺體防腐設備，其特徵在於，所述內部殺菌手段具有將包含具有殺菌作用的成分的處理劑注入遺體的消化道內部或遺體的腹壁與消化道之間的空間內的處理液供給部。
4.如權利要求1所述的遺體防腐設備，其特徵在於，所述設備具有對遺體表面進行殺菌處理的殺菌手段。
5.如權利要求4所述的遺體防腐設備，其特徵在於，所述殺菌手段具有充滿高濃度臭氧氣體的滅菌槽。
6.一種遺體防腐方法，其是防止遺體的腐爛的方法，其特徵在於，通過由預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，使組織的溫度上升達到使構成遺體內部組織的蛋白質凝固的溫度以上，並將組織的溫度保持在蛋白質凝固的溫度以上，電磁波加熱之後將遺體冷卻。
7.如權利要求6所述的遺體防腐方法，其特徵在於，對遺體進行電磁波加熱之前或之後，將含有在遺體內具有殺菌作用的成分的處理劑注入遺體內部。
8.如權利要求7所述的遺體防腐方法，其特徵在於，對遺體進行電磁波加熱之前或之後，對遺體表面進行殺菌處理。
全文摘要
本發明提供一種遺體防腐設備和遺體防腐方法，從遺體處理到火葬之間的期間，不僅能夠防止遺體表面，而且還能防止遺體內臟的腐爛、不損傷遺體、不需要專門的技術也能夠對遺體進行防腐處理。該設備是用於防止遺體腐爛所使用的設備，具有用預定頻率的電磁波對遺體進行電磁波加熱，使組織的溫度上升達到使構成遺體內部組織的蛋白質凝固的溫度以上，並將組織的溫度保持在蛋白質凝固的溫度以上的遺體加熱手段(10)，和冷卻由該遺體加熱手段(10)進行了電磁波加熱的遺體的遺體冷卻手段(20)。在火葬之前的期間，不會使遺體外觀發生惡化，能夠防止遺體內部組織的腐爛，而且，不需要特別的技術，任何人都能夠做遺體的處理。
文檔編號A01N1/00GK1819765SQ20048000074
公開日2006年8月16日 申請日期2004年8月31日 優先權日2004年8月31日
發明者岡本晃, 山本泰司 申請人:奧費斯伊奇瑪魯哈奇株式會社, 山本比你他株式會社