鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法
2023-09-12 15:10:40 1
鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法
【專利摘要】本發明提供了一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括矽片去損傷並制絨、清洗；磷擴散；背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗；背面氧化鋁/氮化矽疊層薄膜生長；正面氮化矽減反射薄膜生長；背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾；背面印刷背電極和鋁層，正面印刷銀柵線；燒結，測試。本發明的電池背面點接觸採用燒穿型的鋁漿同時實現薄膜開孔，鋁矽接觸且接觸處形成局域鋁背場，這樣就將兩步工藝步驟（薄膜上雷射開孔，鋁漿燒結與矽接觸）縮短為一步（採用燒穿薄膜的鋁漿，無需先行薄膜開孔）完成，省去了雷射設備的投資，充分利用了閒置的印刷設備，具有現實意義。
【專利說明】鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於晶體矽太陽能電池製造領域，涉及到一種晶體矽太陽能電池背面鈍化以及背面金屬化燒穿局部薄膜的技術，特別涉及一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸晶體矽太陽能電池的製備方法。
【背景技術】
[0002]在能源匱乏、資源短缺以及環境汙染等問題日益突出的背景下，利用自然資源太陽能發電，已被當作解決全球變暖以及化石燃料枯竭問題的對策，受到世界各國的青睞。然而較高的生產成本制約著其應用範圍，且隨著政府補貼大幅削減，降低電池片的生產成本，提高發電效率成為各生產廠家迫在眉睫的問題。
[0003]現代化太陽能電池工業化生產朝著高效低成本化方向發展，背鈍化與金屬化區域局域重摻雜技術相結合作為高效低成本發展方向的代表，其優勢在於:
(1)優異的背反射器:由於電池背面介質膜的存在使得內背反射從常規全鋁背場65%增加到92-95%。一方面增加的長波光的吸收，另一方面尤其對未來薄片電池的趨勢提供了技術上的保證；
(2)介質薄膜優越的背面鈍化技術:由於背面介質膜的良好的鈍化作用，介質薄膜區域的背面複合速率降低至10-50cm/s。
[0004]雖然該電池結構，澳大利亞新南威爾斯大學早在上世紀九十年代就已經提出，並且獲得世界紀錄25%的晶矽太陽電池，但是一種適合工業化生產的工藝方法並沒有確定。
【發明內容】
[0005]發明目的:本發明的目的在於針對目前現有技術中的不足，提出一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法。
[0006]技術方案:為實現上述目的，本發明採取了如下的技術方案:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)娃片去損傷並制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體，對選擇的P型娃片去損傷後在鹼液下進行表面絨面化，然後在酸性條件下進行化學清洗，除去表面雜質；
(2)磷擴散:對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，擴散自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗；
(4)在矽片的背面氧化鋁/氮化矽疊層薄膜生長；
(5)在矽片的正面氮化矽減反射薄膜生長；
(6)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾；
(7)背面印刷背電極和鋁層，正面印刷銀柵線；
(8)燒結，測試:燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸。[0007]優選的，步驟I中選擇的P型矽片其電阻率為0.5-6 ohm*cm，對矽片的制絨、清洗具體為:用質量分數為0.5-10%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在45-100°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為0.5-30%的氫氟酸進行清洗。
[0008]優選的，步驟2中磷擴散採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在600-900°C的溫度下，採用P0C13對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，使P型晶體矽方阻為20_150ohm/sq。
[0009]優選的，步驟3中的背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗的方法，是採用在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
[0010]優選的，步驟4中的電池背面氧化鋁/氮化矽疊層薄膜生長採用SiNx、SiCx或TiOx進行鈍化，所述的氧化鋁薄膜的厚度為Ι-lOOnm，氮化矽膜的厚度為10_200nm。
[0011]優選的，步驟5中採用PECVD (等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反射薄膜，其中氮化矽減反射膜的厚度為50-120nm，所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0012]優選的，步驟6中背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為30um-lmm，間距為50um-2mm0
[0013]優選的，步驟6中燒穿型鋁漿採用絲網印刷的方法或PVD (物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法來印刷。
[0014]優選的，步驟7中背電極及鋁背場的印刷可以在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷Al漿並烘乾，直接利用LFC (雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場。
[0015]有益效果:採用上述技術方案的本發明具有以下優點:
具體而言，與現有技術相比，本發明採取的技術方案具有以下突出的優勢:
1、本發明步驟簡單、易於操作，是一種可量產高效晶矽太陽能電池的製備方法，其主要特點為在商業化的工業設備基礎上，充分利用目前企業生產線已具備的常規電池生產設備，充分減少設備投資，且不增加電池每瓦製造成本；
2、採用本發明技術方案製備出的單晶電池轉換效率批次平均效率達到20.3%。且光衰減，正面主柵，背面電極和鋁背場拉力，以及組件端可靠性測試均符合TUV標準；
3、本發明的電池背面點接觸採用燒穿型的鋁漿同時實現薄膜開孔，鋁矽接觸且接觸處形成局域鋁背場，這樣就將兩步工藝步驟(薄膜上雷射開孔，鋁漿燒結與矽接觸)縮短為一步(採用燒穿薄膜的鋁漿，無需先行薄膜開孔)完成，這對於對於目前光伏行業產能過剩，設備線閒置的狀況而言，該生產背鈍化電池的方法省去了雷射設備的投資，充分利用了閒置的印刷設備，具有現實意義。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本發明的晶體矽太陽電池的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結合附圖並通過具體的實施例對本發明做進一步闡述。
[0018]圖1是採用本發明的技術方案製備出的晶體矽太陽電池的結構示意圖，圖中:1-正面Ag電極、2-SiNx減反膜、3-磷擴散層、4-P型矽基體、5-氧化鋁/保護膜、6-背面非燒穿型Al層、7-燒穿型局域鋁層。
[0019]實施例1:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為0.5ohm.cm，對選擇的P型矽片去損傷後用質量分數為0.5%的氫氧化鉀溶液在45°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為0.5%的氫氟酸進行清洗,除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在600°C的溫度下，採用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體娃方阻為25ohm/sq,擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為
0.5%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約25nm；
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為150nm;
(7)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為IOOnm ；
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為IOOum,間距為500 um,並烘乾；
(9)在矽片的背表面採用燒穿型鋁漿絲網印刷的方法或PVD(物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法印刷背電極及鋁背場，在矽片的前表面印刷柵線；在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷Al漿並烘乾，直接利用LFC (雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為450°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0020]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0021]實施例2:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為2ohm.cm，對選擇的P型矽片去損傷後用質量分數為5%的氫氧化鈉溶液在80°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為1%的氫氟酸進行清洗，除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在800°C的溫度下，採用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層，使P型晶體娃方阻為100ohm/sq,擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為1%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約IOnm；
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為120nm;
(7)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為80nm ；
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為300um,間距為900 um,並烘乾；
(9)在矽片的背表面採用燒穿型鋁漿絲網印刷的方法或PVD(物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法印刷背電極及鋁背場，在矽片的前表面印刷柵線；在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷Al漿並烘乾，直接利用LFC (雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為650°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0022]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0023]實施例3:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為3ohm*cm,對選擇的p型娃片去損傷後用質量分數為2.5%的氫氧化鉀溶液在65°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為5%的氫氟酸進行清洗,除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在700°C的溫度下，採用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體娃方阻為50ohm/sq,擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為5%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約50nm；
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為IOOnm;
(7)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為65nm ；
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為600um,間距為Imm,並烘乾；
(9)在矽片的背表面採用燒穿型鋁漿絲網印刷的方法或PVD(物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法印刷背電極及鋁背場，在矽片的前表面印刷柵線；在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷Al漿並烘乾，直接利用LFC (雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為800°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0024]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0025]實施例4:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為40hm*cm，對選擇的P型矽片去損傷後用質量分數為7.5%的氫氧化鈉溶液在70°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為15%的氫氟酸進行清洗,除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在750°C的溫度下，採用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體娃方阻為75ohm/sq,擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為15%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為50nm ；
(6)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約65nm；
(7)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為45nm ；
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為900um,間距為300 um,並烘乾；
(9)在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷燒穿型Al漿並烘乾，直接利用LFC(雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為400°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0026]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0027]實施例5:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為5ohm.cm，對選擇的P型矽片去損傷後用質量分數為8%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在85°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為25%的氫氟酸進行清洗，除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在850°C的溫度下，採用POCl3對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，使P型晶體矽方阻為125ohm/Sq，擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的；
(3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為25%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為105nm ；
(6)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約85nm；
(7)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為175nm;
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為750mm,間距為1.5mm,並烘乾；
(9)在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷燒穿型Al漿並烘乾，直接利用LFC(雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為700°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0028]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0029]實施例6:
一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，包括以下步驟:
(1)矽片去損傷並制絨、清洗:選擇156mmP型單晶矽片為基體材料，其電阻率為60hm*cm，對選擇的P型矽片去損傷後用質量分數為10%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在95°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為30%的氫氟酸進行清洗，除去表面雜質；
(2)磷擴散:採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在600-900°C的溫度下，採用POCl3對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，使P型晶體矽方阻為150ohm/Sq，擴散後自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的； (3)雷射(532nm，綠光)利用PSG作為摻雜源實現選擇性發射結，雷射摻雜區的方阻為55ohm/sq ；
(4)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗:採用溼法在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃(雖然僅僅在矽片的正面進行磷擴散形成磷矽玻璃，但是磷矽玻璃會滲透進入矽片的背面)，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為30%的氫氟酸溶液清洗；
(5)在矽片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化矽減反膜，減反膜的厚度為120nm ；
(6)在矽片的背表面生長氧化鋁鈍化膜，膜的厚度約IOOnm；
(7)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜，疊層膜的厚度為200nm;
(8)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾:在矽片的背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為I臟，間距為2臟,並烘乾；
(9)在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷燒穿型Al漿並烘乾，直接利用LFC(雷射燒結法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場，然後在在矽片的前表面印刷柵線；
(10)燒結，測試:在燒結爐中進行燒結，燒結的溫度為800°C，形成完整的電池片N+PP+結構，燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸，結束後，對製備出的電池進行性能測試。
[0030]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0031]採用上述實施的技術方案製備出的單晶電池轉換效率批次平均效率達到20.3%。且光衰減，正面主柵，背面電極和鋁背場拉力，以及組件端可靠性測試均符合TUV標準。
[0032]以上所述是本發明的較為優選的實施例，應當指出:對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，對本發明的各種等價形式的修改均落於本申請所附權利要求所限定的範圍。
【權利要求】
1.一種鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:包括以下步驟: (I)娃片去損傷並制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體，對選擇的P型娃片去損傷後在鹼液下進行表面絨面化，然後在酸性條件下進行化學清洗，除去表面雜質； (2 )磷擴散:對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，擴散自然形成的磷矽玻璃作為電池正面的掩膜，實現背面去除發射結以及拋光的目的； (3)背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗； (4)在矽片的背面氧化鋁/氮化矽疊層薄膜生長； (5)在矽片的正面氮化矽減反射薄膜生長； (6)背面印刷燒穿型鋁漿，烘乾； (7)背面印刷背電極和鋁層，正面印刷銀柵線； (8)燒結，測試:燒結過程中鋁漿燒穿背面薄膜，形成局域鋁背場且與矽襯底形成良好的歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟I中選擇的P型娃片其電阻率為0.5-6 ohm*cm,對娃片的制絨、清洗具體為:用質量分數為0.5-10%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在45-100°C下對P型矽片表面進行化學腐蝕，製備出金字塔形狀的絨面，隨後用質量分數為0.5-30%的氫氟酸進行清洗。
3.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟2中磷擴散採用管式磷擴散的方法，具體是在擴散爐中在600-900°C的溫度下，採用POC13對矽片的正面進行磷擴散形成η型層，使P型晶體矽方阻為20-150ohm/sq0
4.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟3中的背面磷矽玻璃去除，並實現背面拋光，去除磷矽玻璃並清洗的方法，是採用在線滾輪式設備，背面去除磷矽玻璃，實現背面拋光，然後去除正面磷矽玻璃，然後採用質量分數為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
5.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟4中的電池背面氧化鋁/氮化矽疊層薄膜生長採用SiNx、SiCx或TiOx進行鈍化，所述的氧化鋁薄膜的厚度為Ι-lOOnm，氮化矽膜的厚度為10_200nm。
6.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟5中採用PECVD的方法生長氮化矽減反射薄膜，其中氮化矽減反射膜的厚度為50-120nm,所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
7.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟6中背面印刷點陣的燒穿型鋁漿，點的直徑為30um-lmm，間距為50um-2mm0
8.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟6中燒穿型鋁漿採用絲網印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷。
9.根據權利要求1所述的鋁漿燒穿局部薄膜的背鈍化點接觸太陽能電池的製備方法，其特徵在於:步驟7中背電極及鋁背場的印刷可以在電池背面的疊層膜生長結束後，印刷Al漿並烘乾，直接利用LFC工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場。
【文檔編號】H01L31/18GK103996743SQ201410219821
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月23日 優先權日:2014年5月23日
【發明者】夏正月, 高豔濤, 崔會英, 錢亮, 何銳, 陳同銀, 劉仁中, 董經兵, 張雪, 謝烜, 張斌, 邢國強 申請人:奧特斯維能源（太倉）有限公司