接合構件、軟釺焊材料、焊膏、成形焊料、助焊劑塗布材料和釺焊接頭的製作方法

2023-09-20 05:50:30 3

本發明涉及接合構件、軟釺焊材料、焊膏、成形焊料、助焊劑塗布材料和釺焊接頭。

背景技術：

近年來，由於小型信息設備的發達，所搭載的電子部件正在迅速小型化。電子部件根據小型化的要求，為了應對連接端子的窄小化、安裝面積的縮小化，正在應用在背面設置有電極的球柵陣列封裝(以下，稱為「bga」。)。

在利用bga的電子部件中，例如有半導體封裝體。在半導體封裝體中，具有電極的半導體晶片被樹脂密封。半導體晶片的電極上形成有焊料凸塊。該焊料凸塊通過將焊料球接合於半導體晶片的電極而形成。對於利用bga的半導體封裝體，利用加熱而熔融了的焊料凸塊與印刷基板的導電性焊盤接合，從而搭載於印刷基板。另外，為了應對進一步的高密度安裝的要求，開發了將半導體封裝體沿高度方向堆疊而成的三維高密度安裝。

然而，在進行了三維高密度安裝的半導體封裝體中應用bga時，由於半導體封裝體的自重，焊料球有時會被壓碎。如果發生這種情況，則變得無法保持基板之間的適當空間。

因此，研究了使用焊膏將cu球、cu芯球等電接合在電子部件的電極上的焊料凸塊。使用cu球而形成的焊料凸塊在將電子部件安裝於印刷基板時，即使半導體封裝體的重量施加於焊料凸塊，也能夠利用在軟釺料的熔點下不熔融的cu球等支撐半導體封裝體。因此，不會由於半導體封裝體的自重而壓碎焊料凸塊。此處，cu芯球是指用sn鍍層、ni鍍層、sn-ag-cu鍍層等覆蓋cu球的表面而得到的。

例如，專利文獻1中記載了一種連接端子用球，其是使含錫-銀-銅鍍層形成於直徑10～1000μm的由金屬或合金構成的球體而得到的，該含錫-銀-銅鍍層是銀的含量為0.5～3.4mass％、銅的含量為0.3～0.8mass％、餘量實質上由錫和不可避免的雜質組成的。專利文獻2中記載了一種連接端子用球，其在直徑10～1000μm的由cu構成的芯球的表面上具有由ni構成的基底鍍層，並在該基底鍍層的表面鍍覆以質量％計ag：0.3～2.0％、cu：0.05～1.0％、餘量由sn和不可避免的雜質組成的軟釺料層。

另外，作為保持基板之間的空間的接合構件，除了以cu球作為芯的接合構件以外，也開發了以樹脂等作為芯的接合構件。專利文獻3中記載了一種導電性顆粒，其具有：由樹脂形成的基材顆粒、配置於基材顆粒的表面上的銅層和配置於銅層的表面上的軟釺料層。專利文獻4中記載了一種導電性顆粒，其具有樹脂顆粒和配置於樹脂顆粒的表面上的導電層。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開5036265號

專利文獻2：日本特開4831502號

專利文獻3：日本特開2013-152867號公報

專利文獻4：日本特開2014-29855號公報

技術實現要素：

發明要解決的問題

然而，在上述專利文獻1～4中記載的連接端子用球等中，存在如下問題。即，覆蓋上述cu球等的表面的軟釺料鍍層、ni鍍層等通過晶粒尺寸容易生長的溼式鍍覆方法而形成。因此，因生長的晶粒導致球形度降低，有製作的cu芯球等無法得到理想的球形度的問題。特別是，cu芯球等的直徑越小，晶粒的平均粒徑為一定，因此，越容易產生球形度降低變得顯著的問題。

另外，cu芯球中，使用添加ag的物質作為覆蓋芯的鍍層，近年來，以降低成本作為目的，謀求低ag組成的鍍層。專利文獻1中記載了：使用球徑為230μm以下的cu芯球時將球形度設為0.95以下，為了滿足上述球形度，較多地設定鍍覆膜的ag的添加量。因此，存在無法滿足低ag組成的條件的問題。

另外，進行溼式鍍覆時，會產生濃度梯度。對於sn系軟釺料鍍層，使用ag等貴金屬進行鍍覆時，cu球側容易析出ag。如此，鍍層的表面側的ag變少，成為接近sn100％的鍍覆狀態。特別是在低ag組成中該傾向顯著。若ag等除sn以外的元素少，則軟釺料鍍層中的晶粒生長，球形度降低。因此，如上所述，在使用低ag組成的cu芯球中，存在因晶粒生長導致球形度降低的問題。

因此，本發明是鑑於上述課題而完成的，其目的在於，提供球形度高的接合構件、軟釺焊材料、焊膏、成形焊料、助焊劑塗布材料和釺焊接頭。

用於解決問題的方案

本發明人等發現：通過使含ni覆蓋層、軟釺料覆蓋層的晶粒的平均粒徑減小，能夠提高接合材料和軟釺焊材料的球形度。在此，本發明如下所述。

(1)一種接合材料，其特徵在於，具備：用於確保接合物與被接合物之間的間隔的球狀的芯；和，含有ni且覆蓋前述芯的含ni覆蓋層，前述含ni覆蓋層的晶粒的平均粒徑為1μm以下，前述接合材料的球徑為1～230μm，且球形度為0.95以上。

(2)根據上述(1)所述的接合材料，其特徵在於，前述含ni覆蓋層含有光亮劑。

(3)根據上述(1)或(2)中任一項所述的接合材料，其特徵在於，前述芯由球狀的cu、ni、ag、bi、pb、al、sn、fe、zn、in、ge、sb、co、mn、au、si、pt、cr、la、mo、nb、pd、ti、zr、mg的金屬單質、合金、金屬氧化物、或金屬混合氧化物、或者樹脂材料構成。

(4)根據上述(1)～(3)中任一項所述的接合材料，其特徵在於，前述含ni覆蓋層含有co、fe中的至少1種以上作為添加元素。

(5)根據上述(1)～(4)中任一項所述的接合材料，其特徵在於，α射線量為0.0200cph/cm2以下。

(6)一種軟釺焊材料，其特徵在於，具備：用於確保接合物與被接合物之間的間隔的球狀的芯；和，軟釺料覆蓋層，其具有在前述芯層非熔融的溫度下熔融的熔點，以sn作為主要成分，含有0～2質量％的ag，且覆蓋前述芯，前述軟釺料覆蓋層的晶粒的粒徑為3μm以下，前述軟釺焊材料的球徑為1～230μm，且球形度為0.95以上。

(7)根據上述(6)所述的軟釺焊材料，其特徵在於，前述軟釺料覆蓋層含有光亮劑。

(8)根據上述(6)或(7)所述的軟釺焊材料，其特徵在於，前述芯由球狀的cu、ni、ag、bi、pb、al、sn、fe、zn、in、ge、sb、co、mn、au、si、pt、cr、la、mo、nb、pd、ti、zr、mg的金屬單質、合金、金屬氧化物、或金屬混合氧化物、或者樹脂材料構成。

(9)根據上述(6)～(8)中任一項所述的軟釺焊材料，其特徵在於，前述軟釺料覆蓋層含有cu、bi、in、zn、ni、co、fe、pb、p、ge、ga、sb中的至少1種以上作為添加元素。

(10)根據上述(6)～(9)中任一項所述的軟釺焊材料，其特徵在於，α射線量為0.0200cph/cm2以下。

(11)一種焊膏，其特徵在於，其使用了上述(1)～(5)中任一項所述的接合材料或上述(6)～(10)中任一項所述的軟釺焊材料。

(12)一種成形焊料，其特徵在於，其使用了上述(1)～(5)中任一項所述的接合材料或上述(6)～(10)中任一項所述的軟釺焊材料。

(13)一種助焊劑塗布材料，其特徵在於，其使用了上述(1)～(5)中任一項所述的接合材料或上述(6)～(10)中任一項所述的軟釺焊材料。

(14)一種釺焊接頭，其特徵在於，其使用了上述(1)～(5)中任一項所述的接合材料或上述(6)～(10)中任一項所述的軟釺焊材料。

發明的效果

根據本發明，將接合材料的含ni覆蓋層的晶粒的粒徑設為1μm以下、或將軟釺料覆蓋層的晶粒的粒徑設為3μm以下，因此可以使接合材料和軟釺焊材料的球形度為0.95以上。由此，可以防止將接合材料和軟釺焊材料搭載到電極上時的位置偏移。

附圖說明

圖1為示出本發明的一個實施方式的ni鍍層球10和cu芯球30的構成例的圖。

具體實施方式

以下，一邊參照附圖一邊詳細地說明本公開內容的優選實施方式。需要說明的是，作為本發明的接合材料的一例針對ni鍍層cu球10進行說明，作為本發明的軟釺焊材料的一例針對cu芯球30進行說明。另外，本說明書中，關於ni鍍層cu球10和cu芯球30的組成的單位(ppm、ppb、以及％)在沒有特別指定的情況下表示相對於ni鍍層cu球10和cu芯球30的質量的比例(質量ppm、質量ppb、以及質量％)。

(1)關於ni鍍層cu球10

如圖1所示，本發明的ni鍍層cu球10具備：cu球12、和覆蓋cu球12的ni鍍層14。ni鍍層14的晶粒的平均粒徑為1μm以下。ni鍍層cu球10的球徑為1～230μm，且球形度為0.95以上。通過採用這種構成，能夠防止將ni鍍層cu球10搭載到電極上時的位置偏移，能夠防止自動對位性變差。

需要說明的是，以下，針對芯為cu球的情況進行說明，只要本發明的芯為球狀即可，不僅為cu單質的組成，也可以是以cu為主要成分的合金組成。在cu球由合金構成時，cu的含量為50質量％以上。另外，作為成為芯的球，除cu以外，還可以由ni、ag、bi、pb、al、sn、fe、zn、in、ge、sb、co、mn、au、si、pt、cr、la、mo、nb、pd、ti、zr、mg的金屬單質、合金、金屬氧化物、或者金屬混合氧化物構成，也可以由樹脂材料構成。

·ni鍍層cu球10的球徑：1～230μm

通過將ni鍍層cu球10的球徑設在1～230μm的範圍，可以確保基板之間的一定空間，也可以防止回流焊時電子部件的相鄰電極(端子)彼此發生短路。另外，通過將ni鍍層cu球10的球徑設在1～230μm的範圍，可以應對基板的微小化、電子部件的電極的窄間距化的要求，也可以應對電子部件的小型化、高集成化。需要說明的是，前述球徑表示直徑。

·ni鍍層cu球10的球形度：0.95以上

通過使本發明的ni鍍層cu球10的球形度為0.95以上，可以防止將ni鍍層cu球10搭載到電極而進行回流焊時的ni鍍層cu球10的位置偏移，可以防止自動對位性變差。ni鍍層cu球10的球形度更優選為0.990以上。本發明中，通過使ni鍍層14的晶粒的平均粒徑為超過0μm且1μm以下的範圍，可以將ni鍍層cu球10的球形度控制在0.95以上。

需要說明的是，本發明中，球形度表示與圓球的差距。球形度例如通過最小平方中心法(lsc法)、最小區域中心法(mzc法)、最大內切圓中心法(mic法)、最小外切圓中心法(mcc法)等各種方法求出。詳細而言，球形度是指，例如將500個各ni鍍層cu球10的直徑除以長徑時算出的算術平均值，值越接近作為上限的1.00表示越接近圓球。本發明中的長徑的長度和直徑的長度是指通過mitutoyocorporation制的ultraquickvision、ultraqv350-pro測定裝置測定的長度。

cu球12在將ni鍍層cu球10用於焊料凸塊時，在軟釺焊的溫度下不會熔融而殘留，確保基板之間的間隔。即，cu球12即使因回流焊處理而使其周圍的軟釺料鍍層等熔融，仍會作為支柱發揮作用，由此可以將電子部件的半導體封裝體(接合物)與印刷基板(被接合物)之間維持一定空間。因此，對於本發明的cu球12來說，採用球形度高且球徑的偏差較少的球。

·cu球12的球形度：0.95以上

構成本發明的cu球12從控制焊點高度的觀點出發，球形度優選為0.95以上。cu球12的球形度低於0.95時，cu球12成為不規則形狀，因此在形成凸塊時形成高度不均勻的凸塊，發生接合不良的可能性升高。球形度更優選為0.990以上。需要說明的是，cu球12的球形度的定義等與上述ni鍍層cu球10的球形度的定義等相同，因此省略詳細說明。

·cu球12的純度：99.9％以上且99.995％以下

通過使cu球12的純度為上述範圍，可以在cu中確保充分量的雜質元素的晶核，可以使cu球12的晶粒變小。另一方面，若雜質元素少，則相應地成為晶核的雜質元素少，顆粒生長不受抑制地具有一定方向性地生長，故cu球12的晶粒變大。對於cu球12的純度的下限值沒有特別的限制，從抑制α射線量，且抑制因純度的降低所導致的cu球12的電導率、熱導率的劣化的觀點出發，優選為99.9％以上。

·u：5ppb以下，th：5ppb以下

u和th為放射性元素，為了抑制軟錯誤，需要抑制它們的含量。為了將ni鍍層cu球10的α射線量設為0.0200cph/cm2以下，需要使u和th的含量分別為5ppb以下。另外，從抑制現在或將來的高密度安裝中的軟錯誤的觀點出發，u和th的含量優選分別為2ppb以下。

·雜質元素的含量的總計：1ppm以上

構成本發明的cu球12含有sn、sb、bi、zn、as、ag、cd、ni、pb、au、p、s、in、co、fe、u、th等作為雜質元素，總計含有1ppm以上的雜質元素的含量。需要說明的是，作為雜質元素的pb和bi的含量優選儘量低。

·α射線量：0.0200cph/cm2以下

構成本發明的cu球12的α射線量從抑制軟錯誤的觀點出發，優選為0.0200cph/cm2以下。這是在電子部件的高密度安裝中軟錯誤不會成為問題的水平的α射線量。α射線量從抑制進一步的高密度安裝中的軟錯誤的觀點出發更優選為0.0010cph/cm2以下。

·ni鍍層14(含ni覆蓋層)

作為構成本發明的含ni覆蓋層，除了雜質以外將由ni單質構成的ni鍍層14覆蓋於cu球12。ni鍍層14具有在ni鍍層球10向電極接合時可以降低cu向軟釺料中擴散的功能。由此，可以抑制cu球12的cu腐蝕，並抑制cu球12中的cu與接合時所使用的焊膏中的金屬元素發生反應而生成金屬間化合物。在ni鍍層14中，可以添加例如co、fe的元素。另外，芯為ni單質時，通過覆蓋ni鍍層，可以提高芯的球形度。

·ni鍍層14的晶粒的平均粒徑：超過0μm且1μm以下

ni鍍層14的晶粒的平均粒徑為超過0μm且1μm以下。通過將晶粒的平均粒徑設在超過0μm且1μm以下的範圍，可以減少ni鍍層14的表面的凹凸，可以實現ni鍍層14的表面的平滑化。由此，可以使ni鍍層cu球10的球形度為0.95以上。本發明中，為了將ni鍍層14的晶粒的平均粒徑設為上述範圍，例如在鍍液中添加光亮劑而形成ni鍍層14，由此使ni鍍層14中含有光亮劑。通過在ni鍍層14中添加光亮劑，可以調整(抑制)鍍覆的生長方向，可以將晶粒的平均粒徑控制為超過0μm且1μm以下。若增加向形成ni鍍層14時使用的鍍液中的光亮劑的添加量，則可以更加促進ni鍍層14的晶粒的平均粒徑的微細化，因此，可以提供高球形度的cu芯球30。但是，若在軟釺料鍍覆後的cu芯球30的表面大量殘留光亮劑，則鍍層中的光亮劑會促進軟釺料的氧化，將cu芯球30接合於電極上時，會阻礙軟釺料鍍層34在電極上潤溼擴展。因此，軟釺料鍍層34形成後的cu芯球30優選通過在水、弱酸性水溶液、ipa等有機溶劑中進行攪拌而清洗。經過清洗工序的cu芯球30的殘留於軟釺料鍍層34的表面的光亮劑被清洗，因此接合時的潤溼擴展性變良好。由此，可以提供球形度高、接合時的軟釺料潤溼性良好的cu芯球30，可以防止將cu芯球30接合於電極上時的位置偏移，可以防止自動對位性變差。

·光亮劑

作為在形成ni鍍層14的鍍液中添加的光亮劑，例如可以使用：醛化合物、縮合環化合物、酮類、希夫(schiff)縮合化合物類、水溶性高分子等。

作為醛化合物，例如可以使用：脂肪族醛、芳香族醛等。具體而言，可舉出：1-萘甲醛、2-萘甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、乙醛、水楊醛、2-噻吩甲醛、3-噻吩甲醛、鄰甲氧基苯甲醛、間甲氧基苯甲醛、對甲氧基苯甲醛、水楊醛烯丙醚、苯甲醛、2,4,6-三氯苯甲醛、對硝基苯甲醛、糠醛(furfural)、2-羥基-1-萘甲醛、3-苊並醛(acenaphthoaldehyde)、苯亞甲基丙酮、伸二氫吡啶基丙酮(pyridylideneacetone)、亞糠基丙酮(furfurylideneacetone)、肉桂醛、甲氧基苯甲醛、巴豆醛、丙烯醛、戊二醛、三聚乙醛(paraldehyde)、香草醛、戊醛、對羥基苯甲醛、2-羥基-1-萘甲醛、4-羥基-1-萘甲醛、2-氯-1-萘甲醛、4-氯-1-萘甲醛、2-噻吩羧醛、3-噻吩羧醛、2-糠醛(furaldehyde)、3-糠醛、3-吲哚縮醛、鄰苯二醛、甲醛、丙醛(propanal)、丁醛、異丁醛、戊醛(pentanal)、己醛、丙醛(propionaldehyde)、正戊醛、丁二醛(succindialdehyde)、己醛(caproaldehyde)、異戊醛、鈴蘭醛(lilyaldehyde)、2-氯苯甲醛、2,4-二氯苯甲醛、4-甲基-1-萘甲醛、2-氯-1-萘甲醛、4-氯-1-萘甲醛、丙烯醛(allylaldehyde)、苄基巴豆醛、乙二醛、1-苯亞甲基-7-庚醛、2,4-己二烯醛、藜蘆醛(veratraldehyde)、對甲苯甲醛、2,4-二氯苯甲醛、2,6-二氯苯甲醛、2,4-二氯苯甲醛、單羥基苯甲醛、二羥基苯甲醛、α-萘甲醛、β-萘甲醛等。

作為縮合環化合物，例如可以使用：三嗪類、三唑類、苯並噻唑類等。具體而言，可舉出：三嗪、咪唑、吲哚、喹啉、2-乙烯基吡啶、苯胺、菲咯啉、新亞銅試劑(neocuproine)、吡啶甲酸、硫脲類、n-(3-羥基亞丁基)-p-對氨基苯磺酸、n-亞丁基對氨基苯磺酸、n-亞肉桂基對氨基苯磺酸、2,4-二氨基-6-(2′-甲基咪唑基(1′))乙基-1,3,5-三嗪、2,4-二氨基-6-(2′-乙基-4-甲基咪唑基(1′))乙基-1,3,5-三嗪、2,4-二氨基-6-(2′-十一烷基咪唑基(1′))乙基-1,3,5-三嗪、水楊酸苯酯、苯並噻唑、2-巰基苯並噻唑、2-甲基苯並噻唑、2-氨基苯並噻唑、2-氨基-6-甲氧基苯並噻唑、2-甲基-5-氯苯並噻唑、2-羥基苯並噻唑、2-氨基-6-甲基苯並噻唑、2-氯苯並噻唑、2,5-二甲基苯並噻唑、5-羥基-2-甲基苯並噻唑、2-(甲基巰基)苯並噻唑、2-羥基苯並噻唑、2-氯苯並噻唑、6-硝基-2-巰基苯並噻唑、2-苯並噻唑硫代乙酸等。

作為酮類，例如可以使用：脂肪族酮類、芳香族酮類等。具體而言，可舉出：亞糠基丙酮、大茴香叉丙酮(anisylideneacetone)、苯亞甲基甲基異丁酮、3-氯苯亞甲基丙酮、伸二氫吡啶基丙酮、糠叉基丙酮(furfurylidineacetone)、噻吩亞甲基丙酮(thenylideneacetone)、苯亞甲基乙醯丙酮、亞苄基丙酮、4-(1-萘基)-3-丁烯-2-酮、4-(2-呋喃基)-3-丁烯-2-酮、4-(2-苯硫基)-3-丁烯-2-酮、苯乙酮、2,4-二氯苯乙酮、3,4-二氯苯乙酮、苯亞甲基苯乙酮、乙烯基苯基酮等。

作為希夫縮合化合物類，例如可舉出：鄰甲苯胺、乙醛與鄰甲苯胺的反應產物、乙醛與苯胺的反應產物、羥醛(aldol)與鄰硝基苯胺的反應產物、單乙醇胺與鄰香草醛的反應物等。

作為水溶性高分子，例如可舉出：聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、明膠等。

需要說明的是，作為光亮劑，除上述示例以外，還可以使用下述材料。例如可以使用：α-萘酚、β-萘酚、β-萘磺酸、聚蛋白腖(polypeptone)、菲咯啉系化合物、聯吡啶(dipyridyl)、羥醛、乙醯丙酮、胺-醛縮合物、亞異丙基丙酮(mesityloxide)、異佛爾酮、二乙醯、3,4-己二酮、薑黃素、2-肉桂基噻吩(cinnamylthiophene)、2-(ω-苯甲醯基)乙烯呋喃、丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、巴豆酸、丙烯-1,3-二羧酸、肉桂酸、鄰甲苯胺、間甲苯胺、對甲苯胺、鄰氨基苯胺、對氨基苯胺、鄰氯苯胺、對氯苯胺、2,5-氯甲基苯胺、3,4-氯甲基苯胺、n-單甲基苯胺、4,4′-二氨基二苯基甲烷、n-苯基-α-萘基胺、n-苯基-β-萘基胺、甲基苯並三唑、1,2,3-三嗪、1,2,4-三嗪、1,3,5-三嗪、1,2,3-苯並三嗪、鄰苯二酚、對苯二酚、間苯二酚、聚乙烯亞胺、乙二胺四乙酸二鈉、乙二醛、2-氧基-3-甲氧基苯甲醛等。

·ni鍍層cu球10的製造方法

接著，針對本發明的ni鍍層cu球10的製造方法的一例進行說明。首先，準備如陶瓷那樣的耐熱性的板即底部設有呈半球狀的多個圓形的槽的耐熱板。接著，將切斷成為材料的cu細線而得到的碎片形狀的cu材料(以下稱為「碎片材料」。)逐個投入到耐熱板的槽內。

接著，將槽內投入了碎片材料的耐熱板在填充有還原性氣體、例如氨分解氣體的爐內升溫至1100～1300℃，進行加熱處理30～60分鐘。此時，若爐內溫度達到cu的熔點以上，則碎片材料熔融而形成球狀。然後，使爐內冷卻，cu球12在耐熱板的槽內成形。冷卻後，也可以將成形的cu球12在低於cu的熔點的溫度即800～1000℃下再次進行加熱處理。

另外，作為其他方法，有以下的方法：自設置於坩堝底部的孔口滴下熔融cu，將該液滴冷卻，對cu球12進行造球的霧化法；利用熱等離子體，將cu切割金屬加熱至1000℃以上進行造球的方法。可以將如此造球而成的cu球12在800～1000℃的溫度下進行再加熱處理30～60分鐘。另外，也可以在對cu球12進行造球前將作為cu球12的原料的cu材料在800～1000℃下進行加熱處理。

對於作為cu球12的原料的cu材料，例如可以使用：顆粒、線、柱等。從不會過度降低cu球12的純度的觀點出發，cu材料的純度可以為99.9～99.99％。

進而，使用高純度的cu材料時，可以將熔融cu的保持溫度與以往同樣地降低至1000℃左右，而不進行上述加熱處理。如此，前述加熱處理可以根據cu材料的純度而適當省略、變更。

接著，在製作的cu球12的表面形成ni鍍層14。作為在cu球12的表面形成ni鍍層14的方法，可以採用公知的電鍍法等方法。具體而言，針對ni鍍層的浴種，使用ni金屬塊調整ni鍍層液，在該調整的ni鍍層液中浸漬cu球12而進行電析，由此在cu球12的表面形成ni鍍層14。需要說明的是，作為形成ni鍍層14的其他方法，也可以採用公知的化學鍍法等。鍍覆處理後，通過在大氣中、n2氣氛中進行乾燥，可以獲得本發明的ni鍍層cu球10。

(2)關於cu芯球30

接著，針對本發明的cu芯球30進行說明。以下，cu芯球30的截面結構與上述ni鍍層cu球10的截面結構類似，因此與ni鍍層cu球10同樣地參照附圖(圖1)進行說明。如圖1所示(符號在括號內)，本發明的cu芯球30具備：cu球32、和覆蓋cu球32的軟釺料鍍層(軟釺料覆蓋層)34。需要說明的是，針對cu芯球30與上述ni鍍層cu球10通用的部分省略詳細說明。

cu芯球30的球徑為1～230μm，且球形度為0.95以上。軟釺料鍍層34以sn作為主要成分，含有0～2質量％的ag，且晶粒的平均粒徑為3μm以下。本發明中，為了使軟釺料鍍層34的晶粒的平均粒徑為上述範圍，例如通過在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層34，可以使軟釺料鍍層34中含有光亮劑。通過在軟釺料鍍層34中添加光亮劑，可以調整(抑制)鍍層的生長方向，可以將晶粒的平均粒徑控制在超過0μm且3μm以下。若增加在形成軟釺料鍍層34時使用的鍍液中的光亮劑的添加量，則能夠更加促進軟釺料鍍層34的晶粒的平均粒徑的微細化，因此能夠提供高球形度的cu芯球30。但是，若在軟釺料鍍覆後的cu芯球30的表面大量殘留光亮劑，則鍍覆中的光亮劑會促進軟釺料的氧化，將cu芯球30接合到電極上時，會阻礙軟釺料鍍層34在電極上潤溼擴展。因此，軟釺料鍍層34形成後的cu芯球30優選進行清洗。經過清洗工序的cu芯球30的殘留於軟釺料鍍層34的表面的光亮劑被清洗，因此接合時的潤溼擴展性變得良好。由此，可以提供球形度高、接合時的軟釺料潤溼性良好的cu芯球30，可以防止將cu芯球30搭載到電極上時的位置偏移，可以防止自動對位性變差。

·軟釺料鍍層34(軟釺料覆蓋層)

軟釺料鍍層34在cu球32未熔融的溫度帶(溫度範圍)內具有熔點。軟釺料鍍層34可以製成sn單質的組成，也可以製成以sn作為主要成分的無鉛軟釺料合金的合金組成，也可以製成sn-pb軟釺料合金的組成。作為無鉛軟釺料組成的一例，例如可舉出：sn、sn-ag合金、sn-cu合金、sn-bi合金、sn-ag-cu合金、sn-in合金、以及在它們中添加規定的合金元素而成的物質。作為添加的合金元素，例如可舉出：bi、in、zn、ni、co、fe、pb、p、ge、ga、sb等。需要說明的是，本發明中的以sn作為主要成分的無鉛軟釺料合金的sn的含量為40質量％以上，優選sn為80％以上，更優選sn為90％以上。軟釺料鍍層34也可以為多層。

·軟釺料鍍層34中含有的ag：0～2.0質量％

通過使軟釺料鍍層34中添加的ag為上述範圍，可以不使用ag、或與以往相比較低地抑制ag的含量，可以實現更低成本化。

·cu芯球的製造方法

針對與上述ni鍍層cu球10通用的內容省略說明，僅對不同的部分進行說明。利用上述方法製作cu球32，然後在cu球32的表面形成軟釺料鍍層34。例如有如下方法：公知的轉筒滾鍍等電鍍法；與鍍覆槽連接的泵使鍍覆槽中的鍍液產生高速紊流，並利用鍍液的紊流在cu球32上形成軟釺料鍍層34的方法；在鍍覆槽中設置振動板，並使其以規定的頻率振動而對鍍液進行高速紊流攪拌，利用鍍液的紊流在cu球32上形成軟釺料鍍層34的方法等。鍍覆處理後，通過在大氣中、n2氣氛中進行乾燥，可以獲得本發明的cu芯球30。

需要說明的是，本發明的cu芯球30也可以在形成軟釺料鍍層34之前，預先利用其他金屬的鍍層(中間層)覆蓋cu球32的表面。例如，通過預先利用ni鍍層、co鍍層等覆蓋cu球32的表面，在向電極接合時，可以減少cu向軟釺料中的擴散，因此可以抑制cu球32的cu腐蝕。另外，構成鍍層的金屬不限於單一金屬，也可以為由ni、co等中組合2種元素以上的合金。進而，中間層也可以為多層。

另外，本發明的ni鍍層球10和cu芯球30也可以用於使它們分散於軟釺料中的焊膏、成形焊料。焊膏和成形焊料使用例如組成為sn-ag-cu的軟釺料合金，但本發明並不限定於該軟釺料合金。另外，本發明的ni鍍層球10和cu芯球30也可以用於電子部件的釺焊接頭。

本發明的ni鍍層球10和cu芯球30也可以用於形成將電極之間接合的釺焊接頭。本例中，例如將使焊料凸塊安裝到印刷基板的電極上的結構稱為釺焊接頭。另外，焊料凸塊是指例如在半導體晶片的電極上安裝ni鍍層球10和cu芯球30的結構。

另外，也可以形成利用助焊劑層覆蓋上述ni鍍層球10和cu芯球30的最表面的助焊劑塗布材料。由此，可以抑制保存時等ni鍍層球10等的金屬表面的氧化。助焊劑層可以由單一或多個化合物形成的單層構成。另外，助焊劑層也可以由多個化合物形成的多個層構成。

[實施例a]

以下，對本發明的實施例進行說明，但本發明並不限定於此。本實施例中，製作利用ni鍍層覆蓋cu球的表面的ni鍍層cu球，分別測定製作的ni鍍層cu球的晶粒的平均粒徑和球形度。

·ni鍍層cu球的製作

準備純度為例如99.995％以下的cu顆粒等，將準備的材料投入至坩堝中，然後使坩堝的溫度升溫至1200℃，進行加熱處理45分鐘。接著，自設置於坩堝底部的孔口滴下熔融cu的液滴，將滴下的液滴冷卻，從而造球為球形度為0.990以上的cu球。接著，在通過造球而獲得的cu球的表面形成ni鍍層而製作ni鍍層cu球。ni鍍層的膜厚設為單側2μm。

作為光亮劑，使用糖精。糖精是在製備鍍液時以濃度成為3g/l的方式使用的。

·球形度

ni鍍層cu球的球形度使用cnc圖像測定系統來測定。具體而言，使用mitutoyocorporation制的ultraquickvision、ultraqv350-pro測定裝置。本實施例中，通過上述測定裝置測定cu芯球的長徑的長度和直徑的長度，算出將500個各cu芯球的直徑除以長徑的值的算術平均值而求出球形度。值越接近作為上限的1.00表示越接近圓球。

·ni鍍層的晶粒的平均粒徑

構成ni鍍層cu球的ni鍍層的晶粒的平均粒徑使用sem(掃描型電子顯微鏡)來測定。詳細而言，隨機提取3個ni鍍層cu球，利用sem拍攝提取的3個ni鍍層cu球。然後，在拍攝的各ni鍍層cu球的各sem圖像中提取特定範圍的圖像，自提取的各圖像中進一步選擇10個晶粒(3×10粒)。接著，利用實際測量測出選擇的各晶粒的長邊，將該測量值換算為原倍率並算出3×10個晶粒的粒徑的算術平均，將該算出值作為ni鍍層的晶粒的平均粒徑。需要說明的是，晶粒也可以使用電腦自動測定。

表1示出實施例1a～5a和比較例1a～5a中的ni鍍層cu球的ni鍍層的晶粒的平均粒徑和球形度的結果。需要說明的是，表1中，將ni鍍層cu球的ni鍍層的晶粒的平均粒徑在閾值1μm以下的情況以「○」表示，將晶粒的平均粒徑超過1μm的情況以「×」表示。另外，將cu芯球的球形度在閾值0.95以上的情況以「○」表示，將球形度低於0.95的情況以「×」表示。

實施例1a～5a中，在鍍液中添加光亮劑而形成ni鍍層，分別使用球徑為30μm、50μm、75μm、100μm、230μm的ni鍍層cu球。比較例1a～5a中，在鍍液中未添加光亮劑而形成ni鍍層，分別使用球徑為30μm、50μm、75μm、100μm、230μm的ni鍍層cu球。參考例1、3、5中，在鍍液中添加光亮劑而形成ni鍍層，分別使用球徑為250μm、350μm、600μm的ni鍍層cu球。參考例2、4、6中，在鍍液中未添加光亮劑而形成ni鍍層，分別使用球徑為250μm、350μm、600μm的ni鍍層cu球。

[表1]

如實施例1a～5a所示，在ni鍍層cu球的球徑為230μm以下，且ni鍍層中含有光亮劑的情況下，ni鍍層的晶粒的平均粒徑成為1μm以下，ni鍍層cu球的球形度達到0.95以上。由此，確認到：實施例1a～5a的ni鍍層cu球滿足球形度的條件。

另一方面，如比較例1a～5a所示，在ni鍍層cu球的球徑為230μm以下，且在ni鍍層中也不含有光亮劑的情況下，ni鍍層的晶粒的平均粒徑超過1μm，ni鍍層cu球的球形度低於0.95。由此，確認到：比較例1a～5a的ni鍍層cu球不滿足本發明的球形度的條件，不適用於本發明的ni鍍層cu球。

另外，如參考例1a～6a所示，在ni鍍層cu球的球徑超過230μm的情況下，相對於ni鍍層的晶粒的尺寸，cu球的球徑相對變大，因此無論ni鍍層中是否含有光亮劑，ni鍍層cu球的球形度均達到0.95以上。由此，確認到：參考例1a～6a的ni鍍層cu球即使不含有光亮劑，也能夠確保需要的球形度，因此不會產生本發明的課題。

[實施例b]

接著，製作利用軟釺料鍍層覆蓋cu球的表面的cu芯球，分別測定製作的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和球形度。具體而言，在上述球形度為0.990以上的cu球的表面覆蓋含有光亮劑的由sn或sn-ag-cu合金形成的軟釺料鍍層，從而製作cu芯球。將本實施例中使用的cu芯球的球徑、構成cu芯球的cu球的球徑、球形度和cu球的ni鍍層後的球徑示於下述表2。需要說明的是，cu芯球的球形度、晶粒的平均粒徑中使用的裝置等與上述實施例a的情況相同，因此省略詳細說明。

[表2]

作為光亮劑，本例的情況，使用市售的yukenindustryco.,ltd.制的methussfcb-71a(表11中a液)和methusscb-71b(表11中b液)，且製備鍍液時，a液以成為100ml/l的濃度、b液以成為20ml/l的濃度使用。

表3示出實施例1b～6b和比較例1b～5b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。實施例1b～6b中，使用球徑為50μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，實施例1b中設為sn：100％，實施例2b中設為cu：0.5％、sn：餘量，實施例3b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例4b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例5b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例6b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

比較例1b～5b中，使用球徑為50μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，比較例1b中設為sn：100％，比較例2b中設為cu：0.5％、sn：餘量，比較例3b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例4b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例5b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

參考例1b、2b中，使用球徑為50μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例1b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例2b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。參考例3b、4b中，使用球徑為50μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例3b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例4b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表3]

表4示出實施例7b～12b和比較例6b～10b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。實施例7b～12b中，使用球徑為100μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，實施例7b中設為sn：100％，實施例8b中設為cu：0.5％，sn：餘量，實施例9b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例10b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例11b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例12b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

比較例6b～10b中，使用球徑為100μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，比較例6b中設為sn：100％，比較例7b中設為cu：0.5％、sn：餘量，比較例8b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例9b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例10b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

參考例5b、6b中，使用球徑為100μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例5b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例6b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。參考例7b、8b中，使用球徑為100μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例7b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例8b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表4]

表5示出實施例13b～18b和比較例11b～15b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。實施例13b～18b中，使用球徑為140μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，實施例13b中設為sn：100％，實施例14b中設為cu：0.5％、sn：餘量，實施例15b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例16b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例17b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例18b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

比較例11b～15b中，使用球徑為140μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，比較例11b中設為sn：100％，比較例12b中設為cu：0.5％、sn：餘量，比較例13b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例14b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例15b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

參考例9b、10b中，使用球徑為140μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例9b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例10b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。參考例11b、12b中，使用球徑為140μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例11b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例12b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表5]

表6示出實施例19b～24b和比較例16b～20b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。實施例19b～24b中，使用球徑為200μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，實施例19b中設為sn：100％，實施例20b中設為cu：0.5％、sn：餘量，實施例21b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例22b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例23b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例24b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

比較例16b～20b中，使用球徑為200μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，比較例16b中設為sn：100％，比較例17b中設為cu：0.5％、sn：餘量，比較例18b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例19b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例20b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

參考例13b、14b中，使用球徑為200μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例13b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例14b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。參考例15b、16b中，使用球徑為200μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例15b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例16b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表6]

表7示出實施例25b～30b和比較例21b～25b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。實施例25b～30b中，使用球徑為230μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，實施例25b中設為sn：100％，實施例26b中設為cu：0.5％、sn：餘量，實施例27b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例28b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例29b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，實施例30b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

比較例21b～25b中，使用球徑為230μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，比較例21b中設為sn：100％，比較例22b中設為cu：0.5％、sn：餘量，比較例23b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例24b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，比較例25b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量。

參考例17b、18b中，使用球徑為230μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例17b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例18b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。參考例19b、20b中，使用球徑為230μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例19b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例20b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表7]

表8示出參考例21b～36b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。參考例1b～8b中，使用球徑為240μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。參考例9b～16b中，使用球徑為240μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例21b、29b中設為sn：100％，參考例22b、30b中設為cu：0.5％、sn：餘量，參考例23b、31b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例24b、32b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例25b、33b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例26b、34b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例27b、35b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例28b、36b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表8]

表9示出參考例37b～52b中的cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度的結果。參考例37b～44b中，使用球徑為400μm的cu芯球，在鍍液中添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。參考例45b～52b中，使用球徑為400μm的cu芯球，在鍍液中不添加光亮劑而形成軟釺料鍍層。另外，對於cu芯球的組成來說，參考例37b、45b中設為sn：100％，參考例38b、46b中設為cu：0.5％、sn：餘量，參考例39b、47b中設為ag：0.1％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例40b、48b中設為ag：0.5％、cu：0.5％、sn：餘量，

參考例41b、49b中設為ag：1％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例42b、50b中設為ag：2％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例43b、51b中設為ag：2.5％、cu：0.5％、sn：餘量，參考例44b、52b中設為ag：3％、cu：0.5％、sn：餘量。

[表9]

需要說明的是，表3～表9中，將cu芯球的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑在閾值3μm以下的情況以「○」表示，將晶粒的平均粒徑超過3μm的情況以「×」表示。另外，將cu芯球的軟釺料鍍層的球形度在閾值0.95以上的情況以「○」表示，將球形度低於0.95的情況以「×」表示。

如實施例1b～30b所示，在cu芯球的球徑為230μm以下，且在軟釺料鍍層中含有光亮劑的情況下、ag的添加量為2％(低ag)以下的情況下，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑低於3μm，cu芯球的球形度達到0.95以上。由此，確認到：實施例1b～實施例30b的cu芯球滿足本發明的球形度的條件。

另一方面，如比較例1b～5b、6b～10b、11b～15b、16b～20b、21b～25b所示，在cu芯球的球徑為230μm以下，ag的添加量為2％以下的情況下(低ag的情況)、在軟釺料鍍層中不含有光亮劑的情況下，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑超過3μm，cu芯球的球形度低於0.95。由此，確認到：對於比較例1b～5b、6b～10b、11b～15b、16b～20b、21b～25b的cu芯球，由於在軟釺料鍍層中不含有光亮劑，因此不滿足本發明的球形度的條件。

與此相對，如參考例1b～4b、5b～8b、9b～12b、13b～16b、17b～20b所示，在cu芯球的球徑為230μm以下，且ag的添加量為2.5％以上的情況下，無論在軟釺料鍍層中有無光亮劑的添加，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑均低於3μm，cu芯球的球形度達到0.95以上。由此，確認到：對於參考例1b～4b、5b～8b、9b～12b、13b～16b、17b～20b的cu芯球，即使在軟釺料鍍層中不含有光亮劑，也能確保需要的球形度，不會產生本發明的課題。

另外，如參考例21b～52b所示，在cu芯球的球徑超過230μm的情況下，無論軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑是否低於3μm，cu芯球的球形度均達到0.95以上。由此，確認到：參考例1b～32b的cu芯球中，cu芯球的球徑超過230μm的情況下，即使在軟釺料鍍層中不含有光亮劑、ag，也能確保需要的球形度，因此不會產生本發明的課題。

[實施例c]

接著，在cu基板上形成ni鍍層，自sem圖像測定形成的ni鍍層的晶粒的平均粒徑。此時，逐漸增加在鍍液中的光亮劑的添加量，測定各光亮劑的添加量下的ni鍍層的晶粒尺寸。ni鍍層的厚度設為5μm。作為光亮劑，使用糖精。需要說明的是，ni鍍層的晶粒的平均粒徑的測定中使用的裝置等與上述實施例a相同，因此省略詳細說明。

表10分別示出鍍液中添加的光亮劑的添加量、根據各光亮劑的添加量形成於cu基板上的ni鍍層的sem圖像和ni鍍層的晶粒的平均粒徑。需要說明的是，ni鍍層的晶粒的平均粒徑的算出方法與實施例a的算出方法相同，因此省略詳細說明。

[表10]

如表10所示，可知：若在鍍液中增加光亮劑的添加量，則隨之ni鍍層的晶粒的平均粒徑微細化。可知：在鍍液中添加光亮劑的情況下，ni鍍層的晶粒的平均粒徑全部為1μm以下，ni鍍層的表面平滑化。另一方面，可知：在鍍液中不添加光亮劑的情況下，ni鍍層的晶粒的平均粒徑超過1μm，ni鍍層的表面未平滑化。

另外，針對形成有cu：0.7％、sn：餘量的軟釺料鍍層的cu芯球、和形成有cu：1％、sn：餘量的軟釺料鍍層的cu芯球，與前述實驗方法同樣地製作各球徑的cu芯球，在與前述實驗方法相同的條件下測定晶粒的平均粒徑和cu芯球的球形度，但是無論有無光亮劑的添加，均可見與前述實驗結果相同的傾向。

接著，在cu基板上形成軟釺料鍍層，自sem圖像測定形成的軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑。此時，逐漸增加鍍液中的光亮劑的添加量，測定利用各光亮劑的添加量下的軟釺料鍍層的晶粒尺寸。軟釺料鍍層的厚度設為5μm。軟釺料鍍層使用組成為sn-cu的軟釺料合金。作為光亮劑，使用市售的yukenindustryco.,ltd.制的methussfcb-71a(表11中a液)和methussfcb-71b(表11中b液)。

需要說明的是，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑的測定中使用的裝置等與上述實施例a相同，省略詳細說明。

表11分別示出鍍液中添加的光亮劑的添加量、根據各光亮劑的添加量形成於cu基板上的軟釺料鍍層的sem圖像和軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑。需要說明的是，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑的算出方法與實施例a的算出方法相同，因此省略詳細說明。

[表11]

如表11所示，可知：若逐漸增加鍍液中的光亮劑的添加量，則隨之軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑微細化。可知：在鍍液中添加光亮劑的情況下，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑全部為3μm以下，軟釺料鍍層的表面平滑化。另一方面，可知：在鍍液中不添加光亮劑的情況下，軟釺料鍍層的晶粒的平均粒徑超過3μm，軟釺料鍍層的表面未平滑化。

需要說明的是，本發明的保護範圍並不限定於上述實施方式，在不脫離本發明的主旨的範圍內，包含對上述實施方式加以各種變更的方案。例如，本發明中，通過ni鍍層(軟釺料鍍層)中含有光亮劑使晶粒的平均粒徑控制在1μm(3μm)以下，但並不限定於此。例如，與基準密度相比較低地設定鍍覆處理時的電流密度、且與通常相比長時間實施鍍覆處理、或與鍍液的關係中使電源波形最優化，由此可以使ni鍍層(軟釺料鍍層)的晶粒的平均粒徑控制在1μm(3μm)以下。

附圖標記說明

10ni鍍層cu球(接合材料)

12、32cu球

14ni鍍層(含ni覆蓋層)

34軟釺料鍍層(軟釺料覆蓋層)

30cu芯球(軟釺焊材料)