一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料及其製備方法
2023-09-17 19:36:35 1
專利名稱:一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料及其製備方法
技術領域:
本發明屬於膜技術領域,特別涉及採用胺化和磺化或氧化反應製備的同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料的製備方法。
背景技術:
美國《高分子通報》(Polymer Bulletin 1998,41569-575)報導了將磺化聚苯乙烯與對位氨基苯酸共混製備離聚物的研究。該方法以磺化聚苯乙烯中的磺酸基為陽離子基團的來源,以對位氨基苯酸中的氨基為陰離子基團的來源,由於它是採用機械混合的方法製備的有機膜材料,存在宏觀相分離的現象,並且耐溫性較差,所以應用價值有限。
美國專利US 7,005,489報導了將過渡金屬的4-10個荷正電基團與2個雜原子螯合,其中的1個雜原子含有荷負電基團,得到可用作烯烴聚合的兩性離子對金屬材料。由於這種方法製備的雜化材料中有機成分含量少,柔韌性不高,所以它難以應用於膜技術領域。
美國專利US 7,160,953報導了在含有垂懸官能團的基質表面通過自由基聚合的方法製備兩性離子對聚合物材料,該材料可用作表面塗層。但由於這種方法製備的是有機物材料,其耐溫性較差,而且需要基質作為支撐體,所以應用價值有限,不能用作製備離子交換膜的材料。
發明內容
本發明提出一種利用胺化和磺化或氧化反應的方法製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料的製備方法,以克服現有技術的上述缺陷,為兩性離子對膜材料的製備提供一條新的途徑。
一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,是在惰性氣氛或空氣中,以矽烷偶聯劑和二醇反應,或以矽烷偶聯劑與有機胺和二醇反應,生成的高分子胺類衍生物為原料,按摩爾比矽烷偶聯劑與溶劑之比為1∶2~20,用溶劑溶解原料至得到含有雜化前驅體的溶液;其特徵在於在0-90℃的溫度下,對上述製得的雜化前驅體進行胺化反應使其含有一種陰離子交換基團,然後再進行磺化或氧化反應使其含有一種陽離子交換基團,即得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料;或先對上述製得的雜化前驅體溶液進行磺化或氧化反應,使其含有一種陽離子交換基團,然後再進行胺化反應,使其含有一種陰離子交換基團,也得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料;所述原料矽烷偶聯劑為含有氨烴基、芳基、環氧基或巰基的矽氧烷或滷矽烷,其化學式為[XR1YR2]PSiX4-p,或[XYR1]pSiY″4-p,式中X、Y分別為伯胺、仲胺、芳基、巰基或環氧基團,R1和R2分別為含0-10和1-10個碳的烷基或芳基;Y″為1-5個碳的烷氧基或滷素;p的取值範圍為1-3的整數;所述有機胺指乙二胺、聯苯胺、對苯二胺、二氨基二苯醚、N,N-二羥乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺或三丁胺;所述二醇指乙二醇、丁二醇、己二醇、聚乙二醇或聚乙烯醇;所述高分子胺類衍生物指聚氨酯、聚醚、聚醯胺、聚醯亞胺、聚矽氧烷與聚脲共聚物或聚矽氨酯;所述溶劑指N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、四氫呋喃(THF)、二甲亞碸(DMSO)、正丁醇、異丁醇、四氯化碳、氯仿、苯或甲苯;所述溶劑溶解方法指水解、胺解、醇解或開環反應;所述胺化反應是指在0-90℃的溫度下,將上述雜化前驅體加入到過量滷代烴溶液中反應2-48小時,在分子鏈上得到陰離子交換基團;其摩爾比為雜化前驅體中胺基的含量∶滷代烴=1∶2-8;所述滷代烴指碘甲烷、溴乙烷、氯乙烷、1,2-二溴乙烷、1,2-二氯乙烷或它們的混合物;所述磺化反應是指在0-90℃的溫度下,將分子鏈中的苯基、環氧基團轉變成磺酸或亞磺酸基團;所用的磺化試劑指發煙硫酸、氯磺酸、焦硫酸或焦亞硫酸,及其焦硫酸或焦亞硫酸的鹽;所述氧化反應是指將分子鏈中的巰基氧化形成磺酸或亞磺酸基團;所用的氧化劑指過氧化氫、高錳酸鉀、重鉻酸鉀或次氯酸。
所述原料用溶劑溶解得到的溶液中,再加入水和催化劑,其摩爾比為矽烷偶聯劑∶溶劑∶水∶催化劑=1∶2-20∶0.01-8∶0.001-0.01,至得到含有雜化前驅體的溶液,所述催化劑指鹽酸、硫酸、醋酸、磷酸、三甲胺、三乙胺或辛酸亞錫。
在所述原料用溶劑溶解得到的溶液中,再加入Si、Ti或Zr的醇鹽,其摩爾比矽烷偶聯劑∶溶劑∶醇鹽=1∶2-20∶0.01-10,至得到含有雜化前驅體的溶液。
本發明中,在惰性氣氛或空氣中,以矽烷偶聯劑和二醇反應,或以矽烷偶聯劑與有機胺和二醇反應,生成的高分子胺類衍生物為原料,按摩爾比矽烷偶聯劑與溶劑之比為1∶2~20,用溶劑溶解原料也可以直接得到含有雜化前驅體的溶液。
所述無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,特徵在於用所述含有雜化前驅體的溶液在基體上塗膜,再對塗膜層進行磺化或氧化和胺化反應,也可以得到無機-有機雜化兩性離子對膜材料;其過程是在0-90℃的溫度下,將塗膜層浸入pH=1-12的0-70%的水溶液中,在相對溼度為60-90%的環境中,用氧化劑將其氧化,或先用發煙硫酸將其磺化,然後再進行胺化反應;所述基體包括Al2O3、二氧化矽或二氧化鈦陶瓷,或聚乙烯膜、聚四氟乙烯板、滌綸布、錦綸布、玻璃纖維布、尼龍布或無紡布;所述塗膜方法包括刮膜、噴灑、浸漬、流動或旋轉塗覆。
所述方法製備的無機-有機雜化兩性離子對膜材料,包括以矽烷偶聯劑或矽烷偶聯劑與有機胺和二醇反應生成的含有-NH-和/或-N-鍵的高分子胺類衍生物為分子主鏈,側鏈含有芳基、環氧基或/和巰基;其特徵在於在該膜材料中陽離子交換基團排列在分子主鏈的兩側或分布在分子主鏈上;而陰離子交換基團始終位於分子主鏈上,與陽離子交換基團形成兩性離子對結構;其結構式可表達如下(1)陽離子交換基團排列在分子主鏈的兩側, (2)陽離子交換基團分布在分子主鏈上, 與美國《高分子通報》(Polymer Bulletin 1998,41569-575)報導的以磺化聚苯乙烯與對位氨基苯酸為原料,再共混製備離聚物的方法相比,本發明的製備方法簡單,操作過程安全、清潔,產物無宏觀相分離現象產生,可以用作製備離子交換膜的材料。
與美國專利US 7,005,489報導的以過渡金屬的荷正電基團與部分雜原子螯合得到荷負電基團,製備含有荷正電基團和負電基團的雜化兩性離子對金屬材料的方法相比,本發明的製備方法簡單,膜材料的熱穩定性較高,荷電容量大,可以用來製備離子交換膜用於溶液中帶電離子的分離和回收。
與美國專利US 7,160,953報導的在含有垂懸官能團的基質表面通過自由基聚合製備兩性離子對聚合物材料的方法相比,本發明的製備方法簡單,膜材料的柔軟性較好,耐溫性較高,可以滿足離子交換膜對膜材料性能的要求。
具體實施例方式以下通過具體實施例進一步詳細說明本發明一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料及其製備方法。
實施例1.以反應物比例PEG-1000∶苯胺甲基三乙氧基矽烷(ND-42)∶溴乙烷=1∶2∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料採用裝有磁子攪拌器、具有氮氣入口和滴液漏鬥的250ml三頸燒瓶,加入N,N-二甲基甲醯胺(DMF),在氮氣氣氛中分別加入聚乙二醇(PEG-1000)和二異氰酸酯(TDI)的DMF溶液,然後在攪拌下滴加苯胺甲基三乙氧基矽烷(ND-42)溶液,在35℃下攪拌反應。反應進行6小時後,加入發煙硫酸(20%SO3)進行磺化反應,洗滌數次後乾燥,以除去未反應物,得到一種含有陽離子交換(酸性)基團的雜化前體;將該荷電雜化前體溶於DMF中,再加入溴乙烷反應24小時,使分子鏈上嫁接烷基,得到陰離子交換(鹼性)基團,製備成同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料。將該無機-有機雜化膜材料製成塗膜液制膜即可得到無機-有機雜化兩性離子對膜。
紅外測試表明在~2270cm-1處的-NCO的吸收峰消失,表明封端反應順利進行,在1230cm-1處出現的是SO2特徵吸收峰,3433cm-1處是-OH和-NH的吸收峰。胺化反應以後,在1500cm-1處的吸收峰消失,表明胺化反應確實發生。1100cm-1處是Si-O-Si和Si-O-C的特徵峰,說明該材料中存在無機組分Si,所以它是無機-有機雜化材料。
TGA和DrTGA熱分析結果表明雜化兩性離子對膜材料的初始熱降解溫度約為295℃;熱降解溫度約為420℃;而只含有磺酸基的荷負電雜化膜材料的初始熱降解溫度約為100℃,其熱降解溫度約為315℃;可見雜化兩性離子對膜材料的熱穩定性比含有磺酸基的荷負電雜化膜材料的熱穩定性明顯提高。
提取少量樣品滴加在矽片上進行SEM形貌觀察,掃描電鏡觀測結果表明含有磺酸基的荷負電雜化膜材料以及雜化兩性離子對膜材料製成的雜化膜的表面平整均勻,有機和無機組分相容性很好,沒有明顯的相分離現象,因此它們適合於製備離子交換膜。
綜上所述本實施例得到的雜化材料是同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
實施例2.以反應物比例PEG-1000∶苯胺甲基三乙氧基矽烷(ND-42)∶溴乙烷=1∶2∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料採用與實施例1同樣的裝置和操作過程,只是改變磺化與胺化反應的順序,即在60℃下,採用先胺化反應,然後再進行磺化反應的實驗步驟,由此也可得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
TGA和DrTGA熱分析結果表明雜化膜材料的初始熱降解溫度約為300℃,熱降解溫度約為405℃;而含有胺基的荷正電雜化膜材料的熱降解溫度為370℃;由此可見,雜化兩性離子對膜材料的熱穩定性比只含有胺基的荷正電雜化膜材料的熱穩定性明顯提高。
提取少量樣品滴加在矽片上進行SEM形貌觀察,掃描電鏡觀測結果表明不荷電的雜化材料以及含有胺基的荷正電雜化膜材料的表面平整均勻;而經歷先胺化反應,然後再磺化所製備的雜化兩性離子對膜材料的表面有許多均勻、大小不一的圓環;這主要是由於雜化材料中的陰、陽離子基團的荷電容量不同,導致兩性離子對之間的靜電作用力不同而造成的。
綜上所述本實施例得到的雜化材料是同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
實施例3.以反應物比例巰丙基三甲氧基矽烷∶N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷∶溴乙烷=1∶1∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料量取N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷和巰丙基三甲氧基矽烷,分別溶解於DMF中,加入溴乙烷,在60℃下進行胺化反應;調節N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷和巰丙基三甲氧基矽烷以及溴乙烷的摩爾比為1∶1∶4,在30℃條件下繼續攪拌6小時,至得到溶膠-凝膠,產物在70℃乾燥,即可製得含有一種陰離子交換基團的雜化前驅體。以此雜化前驅體為原料,溶解在DMF中,然後用過氧化氫(30%)溶液對巰丙基進行氧化反應,使其生成一種陽離子交換基團,再進行紅外光譜分析,並測定陰、陽離子交換基團的含量。
紅外光譜測試結果是1100cm-1處是Si-O-C和Si-O-Si的強吸收峰,2556cm-1巰基的特徵峰消失,1140-1105cm-1處新出現的寬峰是磺酸基的吸收峰。用溴乙烷胺化以後,在1500cm-1附近的峰消失,表明胺化反應的進行,說明分子鏈上成功嫁接了烷基。由於該雜化材料中同時含有胺基和磺酸基兩種不同的鹼性和酸性基團,它們可以分別進行陰、陽離子交換,並且產物中含有無機成分矽,所以是無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
測得所製備的雜化材料的陰離子交換容量為0.2-0.6(mmol/g),陽離子的交換容量為0.18-0.95(mmol/g);熱穩定性可達350℃。
綜上所述,本實例合成了同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料,且與有機高分子材料相比(一般使用溫度低於100℃),熱穩定性更高。
實施例4.以反應物比例巰丙基三甲氧基矽烷∶N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷∶溴乙烷=1∶1∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料採用與實施例3同樣的裝置和操作過程,只是改變氧化與胺化反應的順序,即採用先氧化反應,然後在60℃下再進行胺化反應的實驗步驟,也可以得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
實施例5.以反應物比例巰丙基三甲氧基矽烷∶γ-氨丙基三甲氧基矽烷∶氯乙烷=1∶1∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料採用與實施例3同樣的裝置和操作過程以及相同的配比關係,在製備荷正電雜化前驅體過程中,用γ-氨丙基甲基三甲氧基矽烷來代替N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷,用氯乙烷來代替溴乙烷;在相同的反應溫度下,採用同樣的胺化和氧化反應步驟,即可得到無機-有機雜化兩性離子對膜材料;陰離子交換容量為0.4mmol/g,陽離子交換容量為1.2mmol/g。
由此可見,本實例合成了同時含有陰、陽離子交換基團的雜化兩性離子對膜材料。
實施例6.以反應物比例巰丙基三甲氧基矽烷∶γ-氨丙基三甲氧基矽烷∶鈦酸正丁酯∶碘甲烷=1∶1∶1∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料量取γ-氨丙基三甲氧基矽烷和巰丙基三甲氧基矽烷,分別溶解於N,N-二甲基甲醯胺(DMF)中,加入鈦酸正丁酯攪拌均勻,然後加入碘甲烷在80℃下進行胺化反應;調節γ-氨丙基三甲氧基矽烷和巰丙基三甲氧基矽烷以及鈦酸正丁酯和碘甲烷的摩爾比為1∶1∶1∶4,在25℃條件下繼續攪拌6小時,至得到溶膠,產物在150℃乾燥,即可製得含有一種陰離子交換基團的荷電雜化前驅體。將此荷電雜化前驅體溶解在DMF中,然後用過氧化氫對巰丙基進行氧化使其生成磺酸基,得到一種陽離子交換基團,再進行紅外光譜分析,並測定其陰、陽離子基團的含量。
紅外光譜測試分析表明900-1150cm-1處是Si-O-Ti的強吸收峰,1100cm-1處是Si-O-C和Si-O-Si的強吸收峰,2556cm-1巰基的特徵峰消失,1140-1105cm-1處新出現的寬峰是磺酸基的吸收峰。
測得所製備的雜化兩性離子膜材料的陰離子交換容量為0.1-0.4(mmol/g),陽離子交換容量為0.3-0.8(mmol/g);熱穩定性可達350℃。
綜合上述,本實例合成了同時含有陰陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料,並且其熱穩定性較高。
實施例7.以反應物比例巰丙基三甲氧基矽烷∶N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基矽烷∶溴乙烷=1∶1∶4製備同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜採用與實施例3同樣的裝置和操作過程以及相同的配比關係,製備雜化前驅體溶液;然後取一直徑5-10cm,表面平均孔徑為0.2-1μ的三氧化二鋁板在該溶液中浸15分鐘,在室溫和空氣溼度為80%下放置30分鐘,然後放入烘箱,常壓下以10℃/h的速度升溫至70℃,保溫1小時,再升溫至100℃下保溫1小時,冷卻至室溫,得到表層為淡黃色或深棕色的膜片。將該膜片在35℃下,30%過氧化氫水溶液中浸泡12小時進行氧化反應,充分洗滌乾燥,即可在膜中得到一種陽離子交換基團;然後再將該膜片在90℃下浸泡在過量的溴乙烷溶液中進行胺化反應,可以在膜中得到一種陰離子交換基團。
將上述得到的膜片進行清洗,乾燥後,重複上述浸塗和乾燥步驟,可得到浸塗一次以及多次的雜化兩性離子對膜,由此可製備厚度不同的膜片。
用常規的反滴定法測定膜片的陰、陽離子交換容量,結果如表1所示。
表1.陰、陽離子交換容量
綜上所述,本實施例得到的是無機-有機雜化兩性離子對膜,所以合成的膜材料是無機-有機雜化兩性離子對膜材料。
本發明上述實施方式中涉及到的物料的量,溫度,時間,濃度等參數均可在±15%範圍內浮動。
權利要求
1.一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,是在惰性氣氛或空氣中,以矽烷偶聯劑和二醇反應,或以矽烷偶聯劑與有機胺和二醇反應,生成的高分子胺類衍生物為原料,按摩爾比矽烷偶聯劑與溶劑之比為1∶2~20,用溶劑溶解原料至得到含有雜化前驅體的溶液;其特徵在於在0-90℃的溫度下,對上述製得的雜化前驅體進行胺化反應使其含有一種陰離子交換基團,然後再進行磺化或氧化反應使其含有一種陽離子交換基團,即得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料;或先對上述製得的雜化前驅體溶液進行磺化或氧化反應,使其含有一種陽離子交換基團,然後再進行胺化反應,使其含有一種陰離子交換基團,也得到同時含有陰、陽離子交換基團的無機-有機雜化兩性離子對膜材料;所述原料矽烷偶聯劑為含有氨烴基、芳基、環氧基或巰基的矽氧烷或滷矽烷,其化學式為 [XR1YR2]PSiX4-p,或[XYR1]pSiY″4-p,式中X、Y分別為伯胺、仲胺、芳基、巰基或環氧基團,R1和R2分別為含0-10和1-10個碳的烷基或芳基;Y″為1-5個碳的烷氧基或滷素;p的取值範圍為1-3的整數;所述有機胺指乙二胺、聯苯胺、對苯二胺、二氨基二苯醚、N,N-二羥乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺或三丁胺;所述二醇指乙二醇、丁二醇、己二醇、聚乙二醇或聚乙烯醇;所述高分子胺類衍生物指聚氨酯、聚醚、聚醯胺、聚醯亞胺、聚矽氧烷與聚脲共聚物或聚矽氨酯;所述溶劑指N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、四氫呋喃(THF)、二甲亞碸(DMSO)、正丁醇、異丁醇、四氯化碳、氯仿、苯或甲苯;所述溶劑溶解方法指水解、胺解、醇解或開環反應;所述胺化反應是指在0-90℃的溫度下,將上述雜化前驅體加入到過量滷代烴溶液中反應2-48小時,在分子鏈上得到陰離子交換基團;其摩爾比為雜化前驅體中胺基的含量∶滷代烴=1∶2-8;所述滷代烴指碘甲烷、溴乙烷、氯乙烷、1,2-二溴乙烷、1,2-二氯乙烷或它們的混合物;所述磺化反應是指在0-90℃的溫度下,將分子鏈中的苯基、環氧基團轉變成磺酸或亞磺酸基團;所用的磺化試劑指發煙硫酸、氯磺酸、焦硫酸或焦亞硫酸,及其焦硫酸或焦亞硫酸的鹽;所述氧化反應是指將分子鏈中的巰基氧化形成磺酸或亞磺酸基團;所用的氧化劑指過氧化氫、高錳酸鉀、重鉻酸鉀或次氯酸。
2.如權利要求1所述無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,特徵在於在所述原料用溶劑溶解得到的溶液中,再加入水和催化劑,其摩爾比為矽烷偶聯劑∶溶劑∶水∶催化劑=1∶2-20∶0.01-8∶0.001-0.01,至得到含有雜化前驅體的溶液,所述催化劑指鹽酸、硫酸、醋酸、磷酸、三甲胺、三乙胺或辛酸亞錫。
3.如權利要求1所述無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,特徵在於在所述原料用溶劑溶解得到的溶液中,再加入Si、Ti或Zr的醇鹽,其摩爾比矽烷偶聯劑∶溶劑∶醇鹽=1∶2-20∶0.01-10,至得到含有雜化前驅體的溶液。
4.如權利要求1所述無機-有機雜化兩性離子對膜材料製備方法,特徵在於用所述含有雜化前驅體的溶液在基體上塗膜,再對塗膜層進行磺化或氧化和胺化反應,也可以得到無機-有機雜化兩性離子對膜材料;其過程是在0-90℃的溫度下,將塗膜層浸入pH=1-12的0-70%的水溶液中,在相對溼度為60-90%的環境中,用氧化劑將其氧化,或先用發煙硫酸將其磺化,然後再進行胺化反應;所述基體包括Al2O3、二氧化矽或二氧化鈦陶瓷,或聚乙烯膜、聚四氟乙烯板、滌綸布、錦綸布、玻璃纖維布、尼龍布或無紡布;所述塗膜方法包括刮膜、噴灑、浸漬、流動或旋轉塗覆。
5.權利要求1所述方法製備的無機-有機雜化兩性離子對膜材料,包括以矽烷偶聯劑或矽烷偶聯劑與有機胺和二醇反應生成的含有-NH-和/或-N-鍵的高分子胺類衍生物為分子主鏈,側鏈含有芳基、環氧基或/和巰基;其特徵在於在該膜材料中陽離子交換基團排列在分子主鏈的兩側或分布在分子主鏈上;而陰離子交換基團始終位於分子主鏈上,與陽離子交換基團形成兩性離子對結構;其結構式可表達如下(1)陽離子交換基團排列在分子主鏈的兩側, (2)陽離子交換基團分布在分子主鏈上,
全文摘要
本發明一種無機-有機雜化兩性離子對膜材料及其製備方法,其特徵是在0-90℃的溫度下,對雜化前驅體進行胺化反應使其含有一種陰離子交換基團,然後再進行磺化或氧化反應使其含有一種陽離子交換基團,即得到同時含有陰、陽離子交換基團的雜化兩性離子對膜材料;或採用先對雜化前驅體進行磺化或氧化反應,然後再胺化的實驗步驟。在該材料中陽離子交換基團排列在分子主鏈的兩側或分布在分子主鏈上,而陰離子交換基團始終位於分子主鏈上,與陽離子交換基團形成兩性離子對結構;該材料的柔軟性較好,耐溫性較高,其陰、陽離子交換容量與製備工藝有關;它可以用作製備離子交換膜的材料,用於電解質與非電解質的分離、分級以及多價離子的選擇性分離。
文檔編號B01D69/12GK101091878SQ200710021240
公開日2007年12月26日 申請日期2007年4月15日 優先權日2007年4月15日
發明者劉俊生, 程新星 申請人:合肥學院