光記錄媒體及其製造方法

2023-09-18 10:01:15 2

專利名稱：：光記錄媒體及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及光記錄媒體及其製造方法。詳細說就是涉及具有無機記錄膜的光記錄媒體。
背景技術：
：近年來期待有能夠記錄大容量信息的高密度記錄的光記錄媒體。例如為了適應該要求而策劃有蘭光碟(Blu-rayDisc(註冊商標)BD，以下被叫做BD)的規格，能夠把高清晰度圖象向光記錄媒體上錄象、保存。若把高清晰度的通常再生速度設定為一倍速時，則在BD-R(Blu-rayDisc-Recordable)的規格verl.l中已經對應到達兩倍速的記錄。作為能夠對應上述規格的光記錄媒體，例如提案有具備由包含鈦(Ti)的第一記錄膜和包含鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜構成的無機記錄膜的光記錄媒體(例如參照專利文獻1)。該光記錄媒體由四層膜的少的層數構成，並且由四層膜構成的同時還具有寬的功率界限和非常高的耐久性。專利文獻1:日本特開2006-281751號公報但該光記錄媒體在作為0.1mm厚度的光透射層而使用紫外線固化樹脂(以下叫做UV樹脂)時，有耐久性惡化的問題。這被認為是由以下所示的理由造成。由形成光透射層的UV樹脂的收縮等而以被記錄變形的部分作為起點，產生有多數微細裂紋，大氣中的水分從這些裂紋侵入，在存在有水的部位鍺(Ge)就擴散並凝聚。當無機記錄膜中的鍺(Ge)擴散並凝聚，則無機記錄膜的惡化進展。
發明內容因此，本發明的目的在於提供一種能夠提高耐久性的光記錄媒體及其製造方法。本發明者等為了提高具有無機記錄膜的光記錄媒體的耐久性而進行了銳意研究，結果發現把錫(Sn)作為添加劑向包含鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜中添加則能夠提高耐久性，以致完成本發明。本發明的第一發明是具有無機記錄膜的光記錄媒體，其中，無機記錄膜具備包含鈦(Ti)的第一記錄膜、包含鍺(Ge)和錫(Sn)的氧化物的第二記錄膜。本發明的第二發明是具有無機記錄膜的光記錄媒體的製造方法，其中，具備形成包含鈦(Ti)的第一記錄膜的工序、形成包含鍺(Ge)和錫(Sn)的氧化物的第二記錄膜的工序。本發明中，當照射記錄光，則第二記錄膜所含有的氧分離，在第一記錄膜與第二記錄膜的界面處形成氧含有量多的Ge層。即第二記錄膜被分離成光學常數不同的保存穩定性高的穩定的兩層。由此，在照射再生光時則被記錄光照射過的部分和沒被記錄光照射的部分的反射光量有變化，所以能夠得到良好的信號特性。第一記錄膜在記錄前後幾乎沒有物理特性的變化，出現促進與第二記錄膜的界面處的反應的所謂催化的作用。如以上說明的那樣，根據本發明，由於第二記錄膜包含鍺(Ge)和錫(Sn)的氧化物，所以能夠提高光記錄媒體的耐久性。圖1是表示本發明第一實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖；圖2是表示本發明第二實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖；圖3是表示本發明第三實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖；圖4是表示比較例l-l、實施例1-11-6的Sn含有量與記錄靈敏度Pwo、功率界限的關係的曲線；圖5是表示比較例1-1、實施例1-1~1-6的Sn含有量與2T信號的振幅值R8H*I2pp/I8H的關係的曲線；圖6是表示實施例2-l2-6的Sn02膜的膜厚度與功率界限的關係的曲線；圖7是表示實施例3-1~3-6的Sn02膜的膜厚度與功率界限的關係的曲線。符號說明1基板2無機記錄膜2a第一記錄膜2b第二記錄膜3電介體膜3a第一電介體膜3b第二電介體膜4光透射層5透明導電膜10光記錄i某體11凹凸面Gin凹槽Gon凸槽具體實施方式以下參照本發明的實施例。(1)第一實施例光記錄媒體的結構圖1是表示本發明第一實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖。該光記錄媒體10是所謂的追記型光記錄媒體，具有在基板1上順次層合無機記錄膜2、電介體膜3和光透射層4的結構。在該第一實施例的光記錄々某體10中，通過從光透射層4側向無機記錄膜2照射雷射而能夠進行信息信號的記錄或再生。例如把具有400nm以上410nm以下範圍波長的雷射，通過具有0.84以上0.86以下的範圍數值孔徑的物鏡聚光而從光透射層4側向無機記錄膜2照射，進行信息信號的記錄或再生。作為這種光記錄媒體IO例如能夠舉出BD-R。以下順次說明構成光記錄媒體10的基板1、無機記錄膜2、電介體膜3和光透射層4。(基板)基板l具有在中央形成開口(以下叫做中心孔)的圓環形狀。該基板l的一主面是凹凸面11,無機記錄膜2成膜在該凹凸面11上。以下^L凹凸面11中的凹部叫做凹槽Gin，把凸部叫做凸槽Gon。作為該凹槽Gin和凸槽Gon的形狀例如能夠舉出螺旋狀、同心圓狀等各種形狀。凹槽Gin和/或凸槽Gon例如為了附加地址信息而被製成擺動的(蟲它4亍)。基板1的徑(直徑)例如選擇為120mm。基板1的厚度若考慮剛性選擇時優選是0.3mm1.3mm,更好是0.6mm1.3mm,例如選擇為l.lmm。中心孔的徑(直徑)例如選擇為15mm。作為基板1的材料例如能夠使用塑料材料或玻璃，從成本的觀點看優選是使用塑料材料。作為塑料材料例如能夠使用聚碳酸酯類樹脂、聚烯烴類樹脂、丙烯酸類樹脂等。(無機記錄膜)無機記錄膜2包括在基板1的凹凸面11上順次層合的第一記錄膜2a和第二記錄膜2b。第一記錄膜2a設置在基板1的凹凸面11側，第二記錄膜2b設置在電介體膜3側。第一記錄膜2a把鈦(Ti)作為主要成分包含。從改善功率界限的觀點看，第一記錄膜2a優選把錳(Mn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)等低導熱性金屬作為添加劑包含。低導熱性金屬的含有量優選是1~40%原子、更好是230%原子、最優選是528%原子。從調整記錄靈敏度的觀點看，第一記錄膜2a優選包含微量的氮(N)。第一記錄膜2a的膜厚度優選是1050nm。第二記錄膜2b包含的主要成分是鍺(Ge)的氧化物。第二記錄膜2b中鍺(Ge)的氧化物的含有量優選是88~97%原子、更好是卯97°/。原子、最優選是90~95%原子。從提高耐久性的觀點看，第二記錄膜2b包含的添加劑是錫(Sn)。第二記錄膜2b中錫(Sn)的含有量優選是3~12%原子、更好是310%原子、最優選是5~10%原子。這是由於在3%以上原子時則能夠得到優良的耐久性，在12%以下原子時則能夠得到優良的信號特性的緣故。只要第一記錄膜2a把鈦(Ti)作為主要成分、第二記錄膜2b把鍺(Ge)的氧化物作為主要成分，基本上就能夠得到良好的記錄特性。從提高調製度和載體的載波噪聲比(以下叫做C/N)等的觀點看，第二記錄膜2b的吸收係數k優選是0.15以上0.90以下、更好是0.20以上0.70以下、最優選是0.25以上0.60以下。第二記錄膜2b的膜厚度優選是10~35nm。本說明書的吸收係數k是在波長410nm中的吸收係數。該吸收係數k能夠使用偏振光橢圓率測量儀(魯多魯伏公司製造(小K少:7社制)，商品名AutoEL-462P17)如下所述地求出。使用偏振光橢圓率測量儀測定由橢圓偏振光的相位角A與橢圓的振幅強度比求出的正切V,根據由表面測量儀(Tencor社制，商品名P15)求出的膜厚度來求複合折射率N和吸收係數k。利用市場銷售的偏振光橢圓率測量儀附屬的解析軟體使用最小二乘法等進行該作業。(電介體膜)電介體膜3與無機記錄膜2相接設置，對無機記錄膜2進行光學和機械保護，即，用於提高耐久性以及進行抑制記錄時無機記錄膜2的變形即鼓起等。作為該電介體膜3的材料，例如能夠使用SiN、ZnS-Si02、AIN、A1203、Si02、Si02-Cr2OrZr02(以下叫做SCZ)等。優選使用ZnS-Si02。這是由於能夠提高記錄信號的S/N,能夠得到良好的信號特性的緣故。電介體膜3的膜厚度優選是10~100nm的範圍。(光透射層)光透射層4例如是樹脂塗鍍型或片貼合型的光透射層4。在此，樹脂塗鍍型的貼合層4是表示由樹脂塗鍍法形成的光透射層4，片貼合型的光透射層4是表示由片貼合法形成的光透射層4。樹脂塗鍍法和片貼合法在後面敘述。光透射層4的厚度優選是從10~177Mm的範圍內選才奪，例如選擇為100|im。通過把這種薄的光透射層4與例如0.85左右的高NA(numericalaperture)化的物鏡進行組合而能夠實現高密度記錄。光透射層4的內徑(直徑)例如選擇為是22.7mm。樹脂塗鍍型的光透射層4是把UV樹脂等感光性樹脂固化而成的樹脂保護層。片貼合型的光透射層例如包括具有圓環形狀的光透射性片(膜)和用於把該光透射性片向基板1貼合的粘接層。粘接層例如由UV樹脂或壓壽文性粘4妾劑(PressureSensitiveAdhesive:PSA，以下叫啦文PSA)構成。光透射性片和樹脂保護層優選由對於記錄和再生所使用的雷射的吸收能夠低的材料構成，具體地優選由透射率百分之九十以上的材料構成。作為光透射性片的材料例如能夠舉出聚碳酸酯類樹脂、聚烯烴類樹脂(例如澤歐乃科絲(f'才氺、;/夕7)(登錄商標))等。作為樹脂保護層的材料例如能夠舉出紫外線固化型的丙烯酸類樹脂。光透射性片的厚度優選在0.3mm以下，更好是從3177mm的範圍內選才奪。如上所述，把包含鈦(Ti)的第一記錄膜2a和包含鍺(Ge)氧化物的第二記錄膜2b作為無機記錄膜2而具備的光記錄媒體10，在記錄時第二記錄膜2b被分離成氧含有量不同的兩層的情況成為記錄的機理。利用第一記錄膜2a與第二記錄膜2b鄰接而產生這種第二記錄膜2b的分離。在該氧分離中第一記錄膜2a的表面擔任著重要的作用，第一記錄膜2a表面的Ti氧化物吸收記錄光即蘭色光等，認為是出現光催化效果成為記錄原理。這從使用不包含鈦(Ti)的材料而例如使用以鋁(A1)、銀(Ag)為主要成分的合金，或在第一記錄膜2a與第二記錄膜2b之間僅形成數nm的SiN、ZnS-Si02等惰性絕緣電介體膜時，第二記錄膜2b完全不分離而調製度極端低下，從得到這樣的實驗結果就間接地進行了證實。由於是這種記錄機理，所以向第二記錄膜2b添加添加劑則對鍺(Ge)與氧(0)的分離影響大。由於向第一記錄膜2a添加添加劑而使光催化效果改變，所以向第一記錄膜2a添加添加劑而給予記錄特性的影響大。且如後所述，通過把透明導電膜鄰接形成在第二記錄膜2b的某一個主面上，對功率界限等記錄特性產生有影響。光記錄媒體的製造方法下面說明本發明第一實施例光記錄媒體製造方法的一例。(基板的成型工序)首先成型在一主面形成有凹凸面11的基板1。作為基板1的成型方法例如能夠使用射出成型(噴射)法、光聚合物法(2P法PhotoPolymerization)等。(第一記錄膜的成膜工序)接著把基板1運送到具備例如包含主要成分的Ti的靶的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊濺射耙，在基板1上成膜第一記錄膜2a。以下表示該成膜工序中成膜條件的一例。到達真空度5.0x10-5Pa環境0.10.6Pa接通電力l~3kW氣體種類Ar氣體和N2氣體Ar氣體流量1040sccmN2氣體流量110sccm(第二記錄膜的成膜工序)接著把基板1運送到具備例如由鍺(Ge)構成的靶和由錫(Sn)構成的靶的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊賊射靶，在第一記錄膜2a上成膜第二記錄膜2b。以下表示該成膜工序中成膜條件的一例。到達真空度5.0x10-5Pa環境0.1~0.6Pa接通電力l~3kW氣體種類Ar氣體和02氣體Ar氣體流量24sccm02氣體流量9sccm(電介體膜的成膜工序)接著把基板1運送到具備例如由ZnS-Si02構成的靶的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊濺射靶，在第二記錄膜2b上成膜電介體膜3。以下表示該成膜工序中成膜條件的一例。到達真空度5.0xlO-5Pa環境0.1~0.6Pa接通電力14kW氣體種類Ar氣體Ar氣體流量6sccm(光透射層的形成工序)接著在電介體膜3上形成光透射層4。作為光透射層4的形成方法例如能夠使用樹脂塗鍍法、片粘接法等，從降低成本的觀點看優選是樹脂塗鍍法。所謂樹脂塗鍍法是把UV樹脂等感光樹脂自旋塗鍍在電介體膜3上，通過向感光樹脂照射UY光等的光而形成作為樹脂保護層的光透射層4。所謂片粘接法是使用粘接劑把光透射性片貼合在基板1上的凹凸面11側而形成光透射層4。作為片粘接法例如能夠使用片樹脂粘接法和片PSA粘接法等。所謂片樹脂粘接法是使用塗布在電介體膜3上的UV樹脂等感光樹脂，把光透射性片貼合在基板1上的凹凸面11側，這樣來形成光透射層4。片PSA粘接法通過使用預先均勻塗布在該片一主面上的壓敏性粘接劑(PSA)而把光透射性片貼合在基板1上的凹凸面11側，這樣來形成光透射層4。利用以上的工序能夠得到圖1所示的光記錄媒體10。如上所述，根據本發明的第一實施例，由於第二記錄膜2b包含有錫(Sn)，所以能夠提高具有樹脂塗鍍型或貼合型光透射層4的光記錄媒體10的耐久性，特別是能夠提高具有樹脂塗鍍型光透射層4的光記錄媒體10的耐久性。由於僅通過把第一記錄膜2a、第二記錄膜2b、電介體膜3和光透射層4順次層合在基板1上就能夠形成光記錄媒體10,所以能夠實現具有單純膜結構的高記錄密度的光記錄媒體10。即，能夠提供廉價的高記錄密度的光記錄媒體10。(2)第二實施例圖2是表示本發明第二實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖。第二實施例是在上述第一實施例中把電介體膜3由第一電介體膜3a和第二電介體膜3b構成。在與上述第一實施例相同的部分付與相同的符號而省略其說明。第一電介體膜3a被設置在無機記錄膜2側，第二電介體膜3b被設置在光透射層4側。第一電介體膜3a和第二電介體膜3b例如由相互不同的材料和/或組成的電介體所構成。作為第一電介體膜3a的材料，從成膜速度等觀點看優選使用ZnS-Si02。第一電介體膜3a的膜厚度例如是10100nm。作為第二電介體膜3b的材料，從抑制光透射層4惡化等的觀點看，優選使用SiN、SCZ等穩定的電介體。若使用這種穩定的電介體，則在作為光透射層4而使用貼合型的結構時，能夠抑制第一電介體膜3a所包含的硫磺(S)等成分與光透射層4的PSA等反應而使光透射層4惡化和耐久性降低。在作為光透射層4而使用樹脂塗鍍型的結構時，能夠抑制由樹脂固化時的收縮而引起的耐久性降低。第二電介體膜3b的膜厚度例如在l~10nm的範圍。下面說明本發明第二實施例光記錄i某體製造方法的一例。該光記錄媒體的製造方法是在上述第一實施例中代替電介體膜的成膜工序而具備第一電介體膜和第二電介體膜的成膜工序。以下表示第一電介體膜和第二電介體膜成膜條件的一例。(第一電介體膜的成膜工序)把基板1運送到具備例如由ZnS-Si02構成的靶的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊濺射靶，在第二記錄膜2b上成膜第一電介體膜3a。以下表示該成膜工序中成膜條件的一例。到達真空度5.0xlO-5Pa環境0.1~0.6Pa接通電力14kW氣體種類Ar氣體Ar氣體流量Gsccm(第二電介體膜的成膜工序)接著把基板1運送到具備例如由SCZ構成的靶的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊濺射靶，在第一電介體膜3a上成膜第二電介體膜3b。以下表示該成膜工序中成膜條件的一例。到達真空度5.0x10-5Pa環境0.1~0.6Pa接通電力l3kW氣體種類Ar氣體Ar氣體流量15sccm如上所述，根據本發明第二實施例，由於在第二記錄膜2b中添加了錫(Sn),且把電介體膜3由第一電介體膜3a和第二電介體膜3b構成，所以與第一實施例相比更能夠提高耐久性。(3)第三實施例圖3是表示本發明第三實施例光記錄媒體一結構例的概略剖面圖。第三實施例是在上述第一實施例中在無機記錄膜2與電介體膜3之間具備透明導電膜5。在與上述第一實施例相同的部分付與相同的符號而省略其說明。透明導電膜5優選把Sn02和111203的至少一種作為主要成分包含。透明導電膜5的膜厚度優選是l5nm。在lnm以上則能夠把功率界限變寬廣，在5nm以下則能夠得到優良的記錄靈敏度。下面說明本發明第三實施例光記錄媒體製造方法的一例。該光記錄媒體的製造方法是在上述第一實施例中在第二記錄膜的成膜工序後且在電介體膜的成膜工序前具備透明導電膜的成膜工序。以下表示透明導電膜5成膜條件的一例。(透明導電膜的成膜工序)把基板1運送到具備例如由Sn02構成的耙的真空室內，把真空室內抽真空到規定的壓力。然後一邊向真空室內導入處理氣體一邊賊射靶，在第二記錄膜2b上成膜透明導電膜5。到達真空度5.0xl(T5Pa環境0.卜0.6Pa接通電力l~3kW氣體種類Ar氣體Ar氣體流量24sccm如上所述，根據本發明第三實施例，由於在第二記錄膜2b中添加了錫(Sn)，且在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置了透明導電膜5，所以膜總數是35層左右，能夠提高功率界限等記錄特性和耐久性。通過適當地調整膜厚度和添加劑,.能夠從低線速度記錄到高線速度記錄把功率界限、2T的振幅和反射率等基本的記錄再生特性最優化。通過調製包含鍺(Ge)氧化物的第二記錄膜2b的氧含有量和膜厚度以及包含鈦(Ti)的第一記錄膜2a的膜厚度等，即使在把光記錄媒體10高記錄靈敏度化的情況下，也能夠抑制記錄功率界限變狹窄。由於在把鍺(Ge)的氧化物作為記錄材料時記錄原理基本上是熱記錄，所以記錄靈敏度的線速度依賴性是某一定比，功率界限等記錄特性的線速度依賴性少。因此，為了提高高線速度記錄時的記錄靈敏度，即使在低線速度也對提高靈敏度有效，這時，在確保廣的功率界限寬度時，即使在低線速度也同樣確保功率界限寬廣成為提高整體特性的指標。[實施例]以下通過實施例具體說明本發明，但本發明並不僅限定於這些實施例。以下實施例中與上述實施形式對應的部分^R付與相同符號。本實施例的光記錄媒體10是與BD光學系統對應設計的光記錄媒體，具體說就是符合使用數值孔徑0.85的兩組物鏡和波長405nm的蘭紫色半導體雷射光源的光碟記錄再生裝置而設計的光記錄媒體。本實施例作為評價光記錄媒體的裝置是使用BD盤檢查機(帕魯絲特科(八。!77亍:y夕)工業林式會社制，商品名ODU-IOOO)。光源波長是405.2nm。記錄時的線速度是19.67m/s(4倍速記錄4x)或9.83m/s(2倍速記錄2x),再生時的線速度是4.92m/s(1倍速)，信道位長度74.50nm(直徑12cm的光碟中是25GB的記錄密度)。調製方式是17PP,最短標記即2T標記的標記長度是0.149ym，8T標記的標記長度是0.596mm,磁軌間距是0.32Mm。跳動測定是通過帕魯絲特科(八°、乂7亍、乂夕)工業抹式會社制的均衡設定規格標準來測定通過極限均衡器後的信號跳動。記錄靈敏度Pwo的測定是從低功率向高功率側進行功率掃描，把系統能夠容許的過功率側和欠功率側的記錄功率值的中心作為Pwo。對於功率界限的測定有幾個規定的方法，但本實施例把通過了極限均衡器後的跳動值在8.5%以下範圍作為記錄靈敏度的界限，把該功率範圍用最佳功率去除所得的值定義為功率界限。另外，在振幅、調製度等的測定中，使用特科突魯尼科思(X夕卜口二夕X')社制的數字示波器TDS7104。本實施例的吸收係數k使用偏振光橢圓率測量儀(魯多魯伏社制，商品名AutoEL-462P17)如下地求出。使用偏振光橢圓率測量儀測定根據橢圓偏振光的相位角A與橢圓的振幅強度比求出的正切W,根據由厚度儀(Tencor社制，商品名P15)求出的膜厚度來求複合折射率N和吸收係數k。吸收係數k是在波長410nm中的吸收係數。實施例1-11-6,比4交例1-1實施例1-1~1-6、比較例1-1向由鍺(Ge)的氧化物構成的第二記錄膜2b添加錫(Sn)來製作光記錄媒體IO,評價其特性。首先利用射出成型來製作厚度l.lmm的聚碳酸酯基板(以下叫做PC基板)1。該PC基板1上形成有具有凹槽Gin和凸槽Gon的凹凸面11。該凹槽Gin的深度是20nm，磁軌間距是0.32ym。然後使用成膜裝置(Unaxis公司製造，商品名Sprinter)把膜厚度22nm的TiMnN膜2a、膜厚度25nm的GeOSn膜2b、膜厚度52nm的ZnS-Si02膜3a、膜厚度4nm的S^N4膜3b順次在PC基板1上成膜。然後把UV樹脂向SbN4膜3b上旋轉塗鍍，並通過照射UV光而使UY樹脂固化，形成光透射層4。該光透射層4的厚度是lOO)am。通過如上的方法，得到目的的光i己錄i某體10。具體的成膜次序如下。(TiMnN膜的成膜工序)首先把真空室內抽真空後，一邊向真空室內導入Ar氣體和N2氣體一邊濺射TiMn靶，把膜厚度22nm的TiMnN膜2a在PC基板1上成膜。該TiMn靶中的錳(Mn)含有量是20%原子。以下表示該成膜工序的成膜條件。到達真空度5.0xl(T5Pa環境0.2Pa接通電力3kWAr氣體流量30seemN2氣體流量Gsccm(GeOSn膜的成膜工序)然後把真空室內抽真空後，一邊向真空室內導入Ar氣體和02氣體一邊利用反應性濺射來共濺射Ge靶和Sn靶，把膜厚度25nm的GeOSn膜2b在TiMnN膜2a上成膜。把GeOSn膜2b中氧(O)的含有量調製成使GeOSn膜2b的吸收係數k成為0.67。把GeOSn膜2b的組成調製成如表1所示那樣的GeOSn膜2b中的錫(Sn)的含有量在0~13%原子範圍、GeOSn膜2b中的GeOx(0<x<2)的含有量在87~100%原子範圍。以下表示該成膜工序的成膜條件。為了改變錫(Sn)的含有量而製作多個樣品，由使用三個靶的共濺射來在TiMnN膜2a上進行成膜。配合希望的錫(Sn)的含有量調製氧(O)的含有量，以使在成膜後測定吸收係數大致在0.67。到達真空度5.0xl(T5Pa環境0.2Pa接通電力Ge靶(兩個靶)0.4kW，Sn靶0.1~0.5kWAr氣體流量30sccm氧氣體流量30~40sccm(ZnS-Si02膜的成膜工序)接著把真空室內抽真空後，一邊向真空室內導入Ar氣體一邊濺射ZnS-Si02靶，把膜厚度52nm的ZnS-Si。2膜3a在GeOSn膜2b成膜。調製ZnS-Si。2膜3a的組成以使ZnS-Si。2膜3a的組成比(原子比)成為ZnS:Si。2是80:20。以下表示該成膜工序的成膜條件。到達真空度5.0×10－5Pa環境0.1Pa接通電力lkWAr氣體流量6sccm(Si3N4膜的成膜工序)接著把真空室內抽真空後，一邊向真空室內導入Ar氣體和N2處理氣體一邊賊射Si耙，把膜厚度4nm的Si3NJ^3b在ZnS-Si02膜3a上成膜。以下表示該成膜工序的成膜條件。到達真空度5.0xl(T5Pa環境0.3Pa接通電力4kWAr氣體流量50sccmN2氣體流量37sccm〈跳動的評價〉把上述那樣得到的光記錄媒體IO按上述條件以4x進行記錄、以lx進行再生來求跳動，結果是對於所有的錫(Sn)的含有量都能夠得到底跳動-6.5%的良好記錄特性。〈記錄靈敏度和功率界限的評價〉求出光記錄媒體10的記錄靈敏度Pwo和功率界限。把其結果表示在表l和圖4。從表1和圖4了解到，錫(Sn)的含有量在013%原子的範圍內則記錄靈敏度Pwo和功率界限對Sn的添加依賴性少，能夠得到良好的特性。〈振幅值的評價〉求出再生時2T信號的振幅值R8H*I2pp/18H。把其結果表示在表2和圖5。該振幅值R8H*I2pp/I8H被按BD-R規格定義。表示2T信號的反射率的變動量，R8H是RF信號的8T區間反射率、12pp是2T振幅的檢測電壓值、18H是8T區間的檢測電壓值。從表2和圖5了解到，隨著錫(Sn)含有量的增加而R8H*I2pp/I8H變小，在錫(Sn)的含有量12%原子處則降低到規格值0.36%左右。因此，GeOSn膜2b中錫(Sn)的含有量優選是12%原子以下，更好是10%原子以下。〈耐久性的評價〉然後把對於得到光記錄媒體10的耐久性試驗如下進行。首先在恆溫槽中把光記錄媒體10在80°C、85%RH(相對溼度)下保持400小時，然後進行SER(SymbolErrorRate)的測定和顯微鏡觀察。其結果是在錫(Sn)的含有量不到3%原子的光記錄媒體10中SER的上升變大，利用顯微鏡觀測到多個10|am大的白點。在3。/。原子以上的光記錄媒體10中則利用顯微鏡觀測不到白點，錫(Sn)的含有量越多則SER越低。因此，添加錫(Sn)對提高耐久性有效，其添加量優選是3。/。原子以上，更好是5。/。原子以上。根據以上的評價和從提高信號特性與耐久性的觀點看，錫(Sn)的含有量優選是312%原子，更好是310%原子，最優選是510。/。原子。[表l]tableseeoriginaldocumentpage16[表2]tableseeoriginaldocumentpage16在實施例2-l2-6中，製作在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置有透明導電膜5的光記錄媒體10,評價其特性。在GeOSn膜2b成膜後不暴露在大氣中，在如表3所示那樣把膜厚度05nm的SnOJ莫5進行成膜，接著不暴露在大氣中地4巴ZnS-SiOJI3a成膜，除此以外則與實施例1-2相同，得到光記錄媒體IO。具體的Sn02膜的成膜條件如下。到達真空度5.0xlO-5Pa環境0.2Pa接通電力SnO2靶0.4kWAr氣體流量10sccm膜厚度由濺射時間調製。〈功率界限的評價〉把上述那樣得到的光記錄媒體10以4x進行記錄、以lx進行再生來求光記錄媒體10的功率界限。把其結果表示在表3和圖6。從表3和圖6了解到Sn02膜5的膜厚度越厚則功率界限越有擴展的傾向。〈記錄靈敏度的評價〉把上述那樣得到的光記錄媒體10以2x進行記錄、以lx進行再生來求光記錄媒體10的記錄靈敏度Pwo。其結果是了解到當Sn02膜3的膜厚度是5nm以下時，能夠滿足2x規格的記錄靈敏度7mW。對於Sn02膜的膜厚度是6nm以上的光記錄媒體10以2x進行記錄、以lx進行再生來同樣地求記錄靈敏度Pwo,確認當Sn02膜的膜厚度是6nm以上時，不能滿足2x規格的記錄靈壽丈度7mW。根據以上的評價結果和從功率界限的觀點看，優選在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置透明導電膜5。從功率界限和記錄靈敏度的觀點看，在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置透明導電膜5的同時，優選把其膜厚度設定在15nm的範圍內。[表3]tableseeoriginaldocumentpage17實施例2-3230.8實施例2-4332.5實施例2-5433.5實施例2-6535.0實施例3-l3-6在實施例3-1~3-6中，製作在無機記錄膜2與第一電介體膜3a之間設置有透明導電膜5，且作為第二電介體膜3b的電介體使用SCZ的光記錄媒體io,評價其特性。在ZnS-Si02膜3a成膜後不暴露在大氣中，並把膜厚度4nm的SCZ膜3b進行成膜,除此以外則與實施例2-1~2-6相同，得到光記錄媒體IO。具體的SCZ膜3b的成膜條件如下。到達真空度5.0xl(T5Pa環境0.2Pa接通電力SCZ耙2.0kWAr氣體流量15sccm膜厚度由濺射時間調製。〈功率界限的評價〉把上述那樣得到的光記錄媒體10以4x進行記錄、以lx進行再生來求光記錄媒體10的功率界限。把其結果表示在表4和圖7。從表4和圖7了解到Sn02膜5的膜厚度越厚則功率界限越有擴展的傾向。即了解到與光透射層4之下設置的第二電介體膜3b的種類無關，能夠得到與實施例2同樣的效果。〈記錄靈敏度的評價〉把上述那樣得到的光記錄媒體10以2x進行記錄、以lx進行再生來求光記錄媒體10的記錄靈敏度Pwo。其結果是了解到當SnOJ莫3的膜厚度是5nm以下時，能夠滿足2x規格的記錄靈敏度7mW。對於Sn02膜的膜厚度是6nm以上的光記錄媒體10以2x進行記錄、以lx進行再生來同樣地求記錄靈敏度Pwo,確認當Sn02膜的膜厚度是6nm以上時，不能滿足2x規格的記錄靈敏度7mW。根據以上的評價結果和從功率界限的觀點看，優選在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置透明導電膜5。從功率界限和記錄靈敏度的觀點看，在無機記錄膜2與電介體膜3之間設置透明導電膜5,並且優選把其膜厚度設定在15nm的範圍內。[表4]Sn02膜的厚度網功率界限[%]實施例3-1026.2實施例3-2128.0實施例3-3229,5實施例3-433.5實施例3-5435.0實施例3-6537.5以上具體地說明了本發明的實施方式和實施例，但本發明並不限定於上述的實施方式和實施例，根據本發明的技術思想可進行各種變更。例如上述實施方式和實施例中所舉的數值說到底不過是例子，根據需要也可以使用與它不同的數值。上述實施方式和實施例的各結構，只要不脫離本發明的主旨則能夠相互組合。上述實施方式和實施例對於具有單層無機記錄膜的光記錄媒體說明了適用本發明的例，但本發明對於具有兩層以上無機記錄膜的光記錄媒體也能夠適用。上述實施方式和實施例對於無機記錄膜上具有光透射層並且通過乂人該光透射層側向無機記錄膜照射雷射而進行信息信號的記錄或再生的光記錄媒體適用本發明的情況為例進行說明，但本發明並不限定於該例。例如對於在基板上具有無機記錄膜並且通過從基板側向無機記錄膜照射雷射而進行信息信號的記錄或再生的光記錄媒體，或對於把兩片基板進行貼合併且從一片基板側向基板之間的無機記錄膜照射雷射而進行信息信號的記錄或再生的光記錄媒體，也能夠適用本發明。權利要求1、一種光記錄媒體，其具有無機記錄膜，其特徵在於，所述無機記錄膜具備包含鈦Ti的第一記錄膜、包含鍺Ge和錫Sn的氧化物的第二記錄膜。2、如權利要求1所述的光記錄媒體，其特徵在於，所述第二記錄膜中錫Sn的含有量是312%原子。3、如權利要求1所述的光記錄媒體，其特徵在於，還具備有設置在所述第二記錄膜上的透明導電膜和設置在所述透明導電膜上的電介體膜。4、如權利要求3所述的光記錄媒體，其特徵在於，所述透明導電膜包含錫Sn的氧化物。5、如權利要求3所述的光記錄媒體，其特徵在於，所述透明導電膜的膜厚度是15nm。6、一種光記錄媒體的製造方法，該光記錄媒體具有無機記錄膜，其特徵在於，具備形成包含鈦Ti的第一記錄膜的工序、形成包含鍺Ge和錫Sn的氧化物的第二記錄膜的工序。全文摘要提供一種能夠提高耐久性的光記錄媒體及其製造方法。光記錄媒體是具有無機記錄膜的光記錄媒體，無機記錄膜具備包含鈦(Ti)的第一記錄膜、包含鍺(Ge)和錫(Sn)的氧化物的第二記錄膜。第一記錄膜中錫(Sn)的含有量是3～12％原子。文檔編號G11B7/243GK101271707SQ200810087228公開日2008年9月24日申請日期2008年3月24日優先權日2007年3月23日發明者佐飛裕一,池田悅郎,酒井武光申請人:索尼株式會社