共模噪聲濾波器的製作方法

2023-11-09 22:49:27

本發明涉及用於數字設備、av設備、信息通信終端等各種電子設備的小型且薄型的共模噪聲濾波器。

背景技術：

參照附圖對現有的共模噪聲濾波器進行說明。圖11是現有的共模噪聲濾波器的分解立體圖。如圖11所示，現有的共模噪聲濾波器層疊多個絕緣體層1a～1g，並具有第1線圈2和第2線圈3。第1線圈2將螺旋狀的第1線圈導體4a以及第2線圈導體4b進行連接而構成。第2線圈3將螺旋狀的第3線圈導體5a以及第4線圈導體5b進行連接而構成。構成第1線圈2的線圈導體(第1線圈導體4a、第2線圈導體4b)、和構成第2線圈3的線圈導體(第3線圈導體5a、第4線圈導體5b)交替配置。而且，使第1線圈導體4a和第3線圈導體5a磁耦合而形成了第1共模濾波器部6。進而，使第2線圈導體4b和第4線圈導體5b磁耦合而形成了第2共模濾波器部7。通過將第1共模濾波器部6和第2共模濾波器部7串聯連接，從而現有的共模噪聲濾波器確保了高共模阻抗，去除了共模噪聲。

另外，作為與本申請的發明相關的在先技術文獻信息，例如，已知專利文獻1。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：jp特開2002-373810號公報

技術實現要素：

本發明的一方式的共模噪聲濾波器具有：層疊的多個絕緣體層；第1線圈，其形成於多個絕緣體層，並由螺旋狀的第1線圈導體以及螺旋狀的第2線圈導體構成；和第2線圈，其形成於多個絕緣體層，並由螺旋狀的第3線圈導體以及螺旋狀的第4線圈導體構成。此外，配置為如下(1)(2)兩種方式中的任意方式：(1)配置第1～第4線圈導體，使得第1線圈和第2線圈交替地配置；或(2)配置為由第1線圈導體和第2線圈導體夾著第3線圈導體以及第4線圈導體。進而，使第1線圈導體與第3線圈導體磁耦合而形成第1共模濾波器部，使第2線圈導體與第4線圈導體磁耦合而形成第2共模濾波器部。進而，將第1共模濾波器部和第2共模濾波器部串聯連接。進而，在俯視下，使電流在第1共模濾波器部中的第1線圈導體以及第3線圈導體中流動的第1方向、與電流在第2共模濾波器部中的第2線圈導體以及第4線圈導體中流動的第2方向為相反方向。

根據該構成，本發明的一方式的共模噪聲濾波器能夠在2個頻帶中使共模噪聲衰減。

附圖說明

圖1是實施方式1中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖2是實施方式1中的共模噪聲濾波器的立體圖。

圖3是實施方式1中的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

圖4是對實施方式1中的共模噪聲濾波器與現有的共模噪聲濾波器的共模衰減特性進行比較的圖。

圖5是實施方式1中的共模噪聲濾波器的變形例的分解立體圖。

圖6是實施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖7是實施方式2中的共模噪聲濾波器的變形例的分解立體圖。

圖8是對實施方式1中的共模噪聲濾波器與實施方式2中的共模噪聲濾波器的差動信號損耗進行比較的圖。

圖9是對實施方式1中的共模噪聲濾波器的模式變換特性進行比較的圖。

圖10是實施方式3中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖11是現有的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

具體實施方式

在說明本發明的實施方式之前，先說明發明人(們)注意到的圖11所示的現有的共模噪聲濾波器中的課題。

近年來，不僅是可攜式信息終端，在tv等也開始搭載wifi，為了確保其接收靈敏度，使用了抑制來自內部電路的輻射噪聲的噪聲濾波器。特別是，期望例如在2.4ghz附近和5ghz附近這兩個頻帶具有高共模噪聲衰減量的共模噪聲濾波器。

但是，在圖11所示的共模噪聲濾波器中，只能獲得僅使第1共模濾波器部6以及第2共模濾波器部7串聯連接的頻率特性。因此，在共模噪聲進來時基於自諧振的衰減極點只為一個。因此，在自諧振的頻率以外的頻帶中無法衰減，不能在2個頻帶中使共模噪聲衰減。

本實施方式所涉及的共模噪聲濾波器能夠在2個頻帶中使共模噪聲衰減。

(實施方式1)

以下，參照圖1～圖3對本發明的實施方式1所涉及的共模噪聲濾波器進行說明。

圖1是本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器的分解立體圖，圖2是本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器的立體圖，圖3是本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

如圖1所示，本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器從下方起依次層疊有絕緣體層11a～11g。本實施方式的共模噪聲濾波器具有：層疊的多個絕緣體層(絕緣體層11a～11g)；和第1線圈12，形成於多個絕緣體層，由螺旋狀的第1線圈導體14以及螺旋狀的第2線圈導體15構成。還具有：第2線圈13，形成於多個絕緣體層，由螺旋狀的第3線圈導體16以及螺旋狀的第4線圈導體17構成。而且，配置第1線圈導體14、第2線圈導體15、第3線圈導體16以及第4線圈導體17，使得第1線圈12和第2線圈13交替地配置。具體而言，從上方起依次排列配置了第1線圈導體14、第3線圈導體16、第2線圈導體15、第4線圈導體17。

而且，使第1線圈導體14與第3線圈導體16磁耦合而形成了第1共模濾波器部18。此外，使第2線圈導體15與第4線圈導體17磁耦合而形成了第2共模濾波器部19。

而且，第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19被串聯連接。

另外，在俯視時，使電流在第1共模濾波器部18中的第1線圈導體14以及第3線圈導體16中流動的第1方向、與電流在第2共模濾波器部19中的第2線圈導體15以及第4線圈導體17中流動的第2方向成為相反方向。關於第1～第4線圈導體14～17的纏繞方向的詳情在後面敘述。

進而，在本實施方式的共模噪聲濾波器中，使第1共模濾波器部18中的第1線圈導體14以及第3線圈導體16的匝數、與第2共模濾波器部19中的第2線圈導體15以及第4線圈導體17的匝數不同。

具體而言，第1共模濾波器部18中的第1線圈導體14以及第3線圈導體16的匝數均為3，而第2共模濾波器部19中的第2線圈導體15以及第4線圈導體17的匝數均為1。即，在本實施方式中，第1共模濾波器部18中的第1線圈導體14以及第3線圈導體16的匝數多於第2共模濾波器部19中的第2線圈導體15以及第4線圈導體17的匝數。

另外，在本說明書中，所謂「匝數」，設為完全環繞一周的數量，將尾數捨去。

在上述構成中，從下方起依次層疊了絕緣體層11a～11g。絕緣體層11b～11f由非磁性體的材料構成為片狀，例如cu-zn鐵氧體、玻璃陶瓷等絕緣性的非磁性材料。而且，絕緣體層11a、11g由cu-ni-zn鐵氧體等絕緣性的磁性材料構成為片狀。另外，也可以由非磁性材料來構成所有的絕緣體層11a～11g。

進而，在絕緣體層11b～11f的內部形成第1、第2線圈12、13，此外，由螺旋狀的第1線圈導體14以及螺旋狀的第2線圈導體15構成了第1線圈12，並由螺旋狀的第3線圈導體16以及螺旋狀的第4線圈導體17構成了第2線圈13。

而且，第1～第4線圈導體14～17分別通過將銀等導電材料鍍覆或印刷成螺旋狀而形成。

第1線圈導體14形成於絕緣體層11e的上表面，第2線圈導體15形成於絕緣體層11c的上表面，第3線圈導體16形成於絕緣體層11d的上表面，第4線圈導體17形成於絕緣體層11b的上表面。

構成第1線圈12的第1、第2線圈導體14、15和構成第2線圈13的第3、第4線圈導體16、17交替地層疊。在本實施方式中，由於沿上下方向對第1～第4線圈導體14～17進行了層疊，因此也能夠實現節省空間。進而，通過在俯視時將第1線圈導體14和第3線圈導體16的一部分配置於大致相同的位置，並且將電流流動的方向設為同一方向而使其進行磁耦合，從而形成了第1共模濾波器部18。同樣地，通過在俯視時將第2線圈導體15和第4線圈導體17的一部分配置於大致相同的位置，並且將電流流動的方向設為同一方向而使其進行磁耦合，從而形成了第2共模濾波器部19。

進而，電流在第1共模濾波器部18的第1、第3線圈導體14、16中流動的方向、和電流在第2共模濾波器部19的第2、第4線圈導體15、17中流動的方向成為相反方向。在共模噪聲進來時，在圖1中，在俯視時在第1、第3線圈導體14、16中電流順時針流動的情況下，在第2、第4線圈導體15、17中電流逆時針流動。因此，第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19不像現有例那樣進行彼此增強的磁耦合，而作為共模噪聲濾波器整體，不會獲得較大的磁耦合。

而且，第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導體14、16的匝數(圈數)多於第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導體15、17的匝數(圈數)。此時，第1～第4線圈導體14～17的各導體間間距大致相同，第2、第4線圈導體15、17與第1、第3線圈導體14、16在俯視時對置。

另外，優選第2、第4線圈導體15、17的匝數為第1、第3線圈導體14、16的匝數的1/3～2/3。

進而，根據所希望的特性，可以使第2、第4線圈導體15、17的位於最外側的部分與第1、第3線圈導體14、16的位於最外側的部分對置，也可以使第2、第4線圈導體15、17的位於最內側的部分與第1、第3線圈導體14、16的位於最內側的部分對置。

此外，第1線圈導體14以及第2線圈導體15經由分別形成於絕緣體層11d、11e的第1通孔電極20a而彼此連接，從而構成第1線圈12。進而，第3線圈導體16以及第4線圈導體17經由分別形成於絕緣體層11c、11d的第2通孔電極20b而彼此連接，從而構成第2線圈13。

另外，形成於絕緣體層11d的第1通孔電極20a、和形成於絕緣體層11e的第1通孔電極20a在俯視時分別設置於相同位置。同樣地，形成於絕緣體層11c的第2通孔電極20b和形成於絕緣體層11d的第2通孔電極20b也在俯視時分別設置於相同位置。此外，第1通孔電極20a、第2通孔電極20b在各絕緣體層的規定位置，用雷射開孔，並在該孔填充銀而形成。

另外，在本實施方式中，絕緣體層由絕緣體層11a～11g(7張片材)構成，各絕緣體層11a～11g的數量並不限於圖1所示的數量。

於是，通過上述構成，從而如圖2所示，形成共模噪聲濾波器的主體部21。此外，在主體部21的兩端面，設置第1～第4外部電極22a～22d，而且第1～第4外部電極22a～22d各自與第1～第4線圈導體14～17連接。進而，第1～第4外部電極22a～22d通過在主體部21的端面印刷銀而形成。此外，在第1～第4外部電極22a～22d的表面通過鍍覆而形成了鍍鎳層，進而，在鍍鎳層的表面通過鍍覆而形成了錫、焊料等低熔點金屬鍍覆層。

如上所述在本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器中，形成為電流在第1共模濾波器部18的第1、第3線圈導體14、16中流動的方向、和電流在第2共模濾波器部19的第2、第4線圈導體15、17中流動的方向成為相反方向。由此，能夠在共模噪聲進來時在2個頻帶中得到共模噪聲衰減量。更優選為，使第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導體14、16的匝數、與第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導體15、17的匝數不同，因而在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產生不同的頻率特性，由此，能夠在共模噪聲進來時在2個頻帶中得到共模噪聲衰減量。

即，由於第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的磁通量的產生方向相反，所以不會像現有技術那樣產生第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19彼此增強那樣的磁耦合。因此，由於在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產生不同的頻率特性，所以能夠獲得如下效果：能夠在2個頻帶中得到共模噪聲衰減量。

接下來，對共模衰減特性進行說明。

圖4是對本發明的實施方式1中的共模噪聲濾波器與現有的共模噪聲濾波器的共模衰減特性進行比較的圖。

從圖4可知，在現有技術中，僅在1個頻帶中得到了衰減量，而在本發明的實施方式1中，能夠在2個頻帶中得到衰減量。

進而如圖1所示，絕緣體層11e、11f(第1絕緣體層)僅與第1～第4線圈導體14～17中的第1、第3線圈導體14、16的雙方或任意一方接觸。此外，絕緣體層11b、11c(第2絕緣體層)僅與第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導體15、17的雙方或任意一方接觸。而且，只要使絕緣體層11e、11f的介電常數與絕緣體層11b、11c的介電常數不同，則更加優選。由於介電常數的不同從而在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產生不同的頻率特性，因此能夠在2個頻帶中得到衰減量。絕緣體層11d由於與構成第1共模濾波器部18的第3線圈導體16以及構成第2共模濾波器部19的第2線圈導體15的雙方的線圈導體接觸，故而不適用。

另外，如圖5所示，也可以在匝數比第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導體14、16少的第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導體15、17中，在其層疊方向的外側(下方)不形成磁性體(絕緣體層11a)。即，僅在所述多個絕緣體層的上方側以及下方側中的形成有匝數較多的線圈導體(第1、第3線圈導體14、16)的一側，形成了磁性體11g。通過該構成，能夠防止在第2共模濾波器部19中產生基於磁性體的磁損耗以及介電損耗，因此能夠防止匝數較少一方的第2共模濾波器部19的頻率特性中的共模噪聲的衰減極點的頻率處的阻抗下降，能夠得到較高的共模衰減量。

(實施方式2)

以下，參照附圖對本發明的實施方式2所涉及的共模噪聲濾波器進行說明。

圖6、圖7是本發明的實施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。另外，在該本發明的實施方式2中，針對與上述的本發明的實施方式1同樣的構成，賦予同一符號並省略說明。

如圖6、圖7所示，在本發明的實施方式2中，與上述的本發明的實施方式1不同之處在於如下方面。

僅是第2線圈導體15和第4線圈導體17層疊的順序進行了調換這一點不同。另外，伴隨調換第2線圈導體15和第4線圈導體17層疊的順序，線圈導體的迂迴方法在實施方式1和實施方式2中多少有些不同。

如圖6、圖7所示，配置為由構成第1線圈12的第1線圈導體14和第2線圈導體15夾著構成第2線圈13的第3線圈導體16以及第4線圈導體17。

另外，實施方式2中的共模噪聲濾波器的電路示意圖與圖3所示的本發明的實施方式1的電路示意圖相同。

在如上構成的本實施方式2的共模噪聲濾波器中，相鄰的第3線圈導體16以及第4線圈導體17由於構成了第2線圈13，因而成為同電位。因此，第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間(特別是構成第1共模濾波器部18的第3線圈導體16與構成第2共模濾波器部19的第4線圈導體17之間)的雜散電容減少。故而，即使輸入差動信號，對於流經第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的信號，也能夠抑制因其間的雜散電容而引起的劣化。因此，在本實施方式的共模噪聲濾波器中，在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19中，差動信號的平衡分別變得良好。結果，不僅能夠在2個頻帶中得到衰減量，而且所輸入的差動信號成分變換為共模並輸出的比例降低，此外，也不會發生差動信號的損耗劣化的情況。

進而，在本發明的實施方式1、2中，優先為將構成第1線圈12的線圈導體14、15的整體的長度(第1線圈12的線路長度)和構成第2線圈13的線圈導體16、17的整體的長度(第2線圈13的線路長度)設為實質上相等。通過該構成，即使輸入差動信號，通過第1線圈12的2個線圈導體14、15的各信號間、以及通過第2線圈13的2個線圈導體16、17的各信號間的、振幅以及相位的差動平衡也不會太偏離理想狀態。因此，差動信號的平衡變好，也不會發生差動信號的損耗劣化的情況，並且所輸入的差動信號成分變換為共模噪聲並輸出的比例降低。

即，在圖11所示的現有的共模噪聲濾波器中，在差動信號通過共模噪聲濾波器內部時有可能產生共模噪聲。特別是，智慧型電話、個人計算機等所搭載的wifi等無線功能具有2.4ghz頻帶、5ghz頻帶的通信頻帶，在差動信號具有2.4ghz～5ghz的頻率分量的情況下，該差動信號成分的一部分會被變換為2.4ghz～5ghz的共模噪聲。於是，由於該共模噪聲而導致wifi等無線功能的接收靈敏度劣化。因此，需要極力抑制差動信號成分變換為共模噪聲的比例，本發明的共模噪聲濾波器在這一點上發揮非常有效的作用。

接下來，參照圖8、圖9來說明對線路長度不同的情況進行了比較的結果。

在圖8、圖9中，由實施方式1(條件1)所示的曲線圖是在參照圖1說明的實施方式1中的第1線圈12、第2線圈13的線路長度相同的條件下測定的結果。由實施方式1(條件2)所示的曲線圖是在第1線圈12、第2線圈13的線路長度不同的條件下測定的結果。由實施方式2所示的曲線圖是在參照圖6說明的實施方式2中的第1線圈12、第2線圈13的線路長度相同的條件下測定的結果。

圖8是對上述3個條件下的差動信號損耗進行了比較的圖。

圖9是對上述3個條件下的從差動模式向共模的模式變換特性進行了比較的圖。

從圖8、圖9可知，本發明的實施方式2中的共模噪聲濾波器相比於本發明的實施方式1中第1線圈12、第2線圈13的線路長度不同的情況、本發明的實施方式1中第1線圈12、第2線圈13的線路長度相同的情況當中的任意情況，在高頻區域中差動信號的損耗均不會發生劣化，差動信號成分被變換為共模的比例也較低。

此外，相比於第1線圈12、第2線圈13的線路長度不同的情況，更優選將第1線圈12、第2線圈13的線路長度設為相同。進而，如圖6所示，配置為由構成第1線圈12的第1線圈導體14和第2線圈導體15夾著構成第2線圈13的第3線圈導體16、第4線圈導體17，與如圖1所示對第1線圈導體14、第2線圈導體15、第3線圈導體16以及第4線圈導體17進行配置使得第1線圈12和第2線圈13交替地配置的方式相比，在抑制差動信號成分變換為共模這一點上優選。

此外，也可以將位於第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層11d(第3絕緣體層)的厚度設為比其他絕緣體層的厚度厚。另外也存在絕緣體層11d由多張絕緣體層形成的情況。此時，將多張絕緣體層集中作為絕緣體層11d。將對形成絕緣體層11d的多個絕緣體層整體進行合計的厚度考慮為位於第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層的厚度(第3絕緣體層的厚度)。

此外，也可以將位於第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層11d(第3絕緣體層)的介電常數設為比其他絕緣體層的介電常數小。

通過設為這種構成，從而第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的雜散電容減少，因而即使輸入差動信號，對於流經第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的信號，也能夠抑制因其間的雜散電容而引起的劣化。因此，在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19中差動信號的平衡分別變得良好，也不會發生差動信號的損耗劣化的情況，並且所輸入的差動信號成分被變換為共模噪聲並輸出的比例降低。

(實施方式3)

以下，參照附圖對本發明的實施方式3所涉及的共模噪聲濾波器進行說明。

圖10是本發明的實施方式3中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。另外，在實施方式3中，針對具有與上述的實施方式1、2同樣的構成的要素，賦予同一符號並省略說明。

在實施方式3中，與參照圖6說明的實施方式2不同之處在於，在第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間，配置有由第5線圈導體23和第6線圈導體24構成的第3共模濾波器部25。而且，第1線圈導體14和第2線圈導體15經由第5線圈導體23連接。此外，第3線圈導體16和第4線圈導體17經由第6線圈導體24連接。

使電流在第3共模濾波器部25中的第5線圈導體23和第6線圈導體24中流動的方向、與電流在第1共模濾波器部18中的第1線圈導體14和第3線圈導體16中流動的方向成為相反方向。於是，第5線圈導體23與第1線圈導體14以及第2線圈導體15連接，所以構成第1線圈12的一部分。進而，第6線圈導體24與第3線圈導體16以及第4線圈導體17連接，所以構成第2線圈13的一部分。

即，本實施方式的共模噪聲濾波器具有：第3共模噪聲濾波器部25，具有第5線圈導體23以及第6線圈導體24。而且，在第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間，配置形成第1線圈12的第5線圈導體23以及形成第2線圈13的第6線圈導體24。第1線圈導體14和第2線圈導體15經由第5線圈導體23連接。第3線圈導體16和第4線圈導體17經由第6線圈導體24連接。

此外，第1線圈導體14和第2線圈導體15通過第1通孔電極20a、第5線圈導體23、位於第5、第6線圈導體23、24的外側的第3通孔電極20c以及迂迴用導體26a而連接。

此外，第3線圈導體16和第4線圈導體17通過第2通孔電極20b、第6線圈導體24、位於第6線圈導體24的外側的第4通孔電極20d以及迂迴用導體26b而連接。另外，第5線圈導體23形成於絕緣體層11j的上表面，第6線圈導體24形成於絕緣體層11i的上表面，迂迴用導體26a、26b形成於絕緣體層11h的上表面。

即，根據該構成，通過調整第3共模濾波器部25的第5線圈導體23、第6線圈導體24的長度，從而能夠將構成第1線圈12的線圈導體的整體的長度設為與構成第2線圈13的線圈導體的整體的長度大致相等。

在本實施方式中，第5線圈導體23形成為第1線圈12的一部分。(參照圖3以及圖10參照。另外，在圖3中，第5線圈導體23未圖示。)第5線圈導體23經由第3通孔電極20c與第2線圈導體15連接。而且，第3通孔電極20c設置於與將第5線圈導體23作為一部分的第1線圈12連接的第2外部電極22b的附近。

同樣地，第6線圈導體24形成為第2線圈13的一部分。(參照圖3以及圖10參照。另外，在圖3中，第6線圈導體24未圖示。)第6線圈導體24經由第4通孔電極20d與第4線圈導體17連接。而且，第4通孔電極20d設置於與將第6線圈導體24作為一部分的第2線圈13連接的第3外部電極22c的附近。

另外，在本實施方式中，雖然將第3通孔電極20c設置在第2外部電極22b的附近，但也可以設置在第1外部電極22a的附近。此外，雖然將第4通孔電極20d設置在第3外部電極22c的附近，但也可以設置在第4外部電極22d的附近。

由此，第3通孔電極20c、第4通孔電極20d分別形成在成為同電位的外部電極附近，因此能夠確保第5線圈導體23、第6線圈導體24與外部電極的絕緣可靠性。

即，在本實施方式的共模噪聲濾波器中，第5線圈導體23與第1線圈導體14的連接、以及第5線圈導體23與第2線圈導體15的連接，分別通過通孔電極20a、20c來進行。此外，第6線圈導體24與第3線圈導體16的連接、以及第6線圈導體24與第4線圈導體17的連接，分別通過通孔電極20b、20d來進行。與第5線圈導體23連接的通孔電極20a、20c的至少一部分，設置在連接了第1線圈12的外部電極22a或外部電極22b附近。進而，與第6線圈導體24連接的通孔電極20b、20d的至少一部分，設置在連接了第2線圈13的外部電極22c或外部電極22d附近。

另外，在上述的本發明的實施方式1～3中的共模噪聲濾波器中，針對將第1線圈12、第2線圈13各設置一個的情況進行了說明，但也可以設置兩個以上而設為陣列類型。

此外，針對將第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19各設置一個的情況進行了說明，但也可以設置兩個以上，使得在更多的頻帶得到衰減量。

進而，為了提高磁耦合，也可以在絕緣體層11b～11f的中央部形成磁性部。

產業上的可利用性

本發明所涉及的共模噪聲濾波器能夠在2個頻帶中得到衰減量。特別是在作為數字設備、av設備、信息通信終端等各種電子設備的噪聲對策而使用的小型且薄型的共模噪聲濾波器等中有用。

符號說明

11a～11g絕緣體層

12第1線圈

13第2線圈

14第1線圈導體

15第2線圈導體

16第3線圈導體

17第4線圈導體

18第1共模濾波器部

19第2共模濾波器部

23第5線圈導體

24第6線圈導體

25第3共模濾波器部