降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法及銅互連結構製造方法
2023-11-04 03:34:47 2
專利名稱：降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法及銅互連結構製造方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造領域，尤其涉及降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法及其對應的銅互連結構製造方法。
背景技術：
在現有技術中，利用雙大馬士革工藝製作銅互連結構的方法包括以下步驟在襯底表面形成阻擋層；在阻擋層表面形成一層銅籽晶層；利用電鍍工藝在金屬籽晶層表面形成銅金屬層；利用化學機械拋光(CMP)平坦化銅金屬層。現有技術中電鍍銅的裝置的結構示意圖請參考圖I,包括充滿硫酸銅溶液18的
電鍍容器11 ;電鍍容器11的一面設置有作為陽極的銅片16，在銅片16相對的另一面設置有作為陰極的晶圓12，所述銅片16和晶圓12完全浸沒在硫酸銅溶液18中；外電源17的正極電連接銅片16，外電源17的負極利用環形電極電連接在晶圓12的邊緣位置121。在電鍍過程中，銅片16發生氧化反應形成金屬銅離子，所述金屬銅離子在晶圓12的表面被還原成金屬銅原子並沉積形成銅金屬層，在晶圓12表面沉積銅金屬的速率與電流密度的大小有關。由於容器中間硫酸銅溶液的電阻15加晶圓邊緣到晶圓中心的電阻13之和比容器邊緣硫酸銅溶液的電阻14要大，晶圓中心位置122的電流密度比晶圓邊緣位置121的電流密度要小，晶圓中心位置122的銅沉積速度比晶圓邊緣位置121的銅沉積速度要小，導致最後在晶圓中心位置的銅金屬層比在晶圓邊緣位置的銅金屬層要薄，這就是所謂的邊緣效應(terminal effect)。隨著半導體器件集成度的不斷增加、特徵尺寸的不斷減小，銅籽晶層的厚度也在不斷減小，銅籽晶層的電阻會不斷增大，晶圓邊緣到晶圓中心的電阻值也會不斷增大，受到邊緣效應的影響也更大，更難控制銅金屬層的均勻性。而且，相對於200mm的晶圓，300mm的晶圓會因為更大的半徑，晶圓邊緣到晶圓中心的電阻更大，受到邊緣效應的影響也更大，也更難控制銅金屬層的均勻性。公開號為US2005/0153548的美國專利文件公開了一種在銅電鍍工藝中降低邊緣效應的方法，流程圖請參考圖2，具體包括步驟S101，在刻蝕好的介質層表面形成阻擋層；步驟S102，在阻擋層表面形成銀籽晶層，形成銀籽晶層的方法為把形成有阻擋層的晶圓放入含有NH3和AgNO3的溶液，在加熱的條件下，利用一種還原劑在旋轉的晶圓表面形成銀籽晶層；步驟S103，利用電鍍工藝在銀籽晶層表面形成一層銅；步驟S104，對晶圓進行退火處理，然後用化學機械平坦(CMP)工藝清除額外的銅，形成銅互連層。由於銀的電阻率(1.5μ Ω / cm)低於銅的電阻率(I. 6 μ Ω/cm),利用銀做籽晶層可降低籽晶層的電阻，有利於減小銅在電鍍時受邊緣效應(terminaleffect)的影響。但是銀的電阻率比銅的電阻率並沒有相差太多，籽晶層電阻值的降低幅度有限，並且銀的價格比銅的價格高得多，不利於控制生產成本，而且所述現有技術需要增加額外的工藝步驟(把晶圓放入溶液中進行反應，旋轉晶圓等)和額外的用於還原反應的物質(AgNO3、還原劑等)，更容易造成晶圓沾汙，且提高了工藝複雜度和生產成本。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種能大幅減小金屬籽晶層的電阻，降低銅電鍍工藝中的邊緣效應的方法及其對應的銅互連結構製造方法。為解決上述問題，本發明技術方案提供了一種降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法，包括以下步驟在基底表面形成第一金屬籽晶層；對所述第一金屬籽晶層進行退火處理；在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層；
在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。可選的，所述第一金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金。可選的，所述第一金屬籽晶層厚度為IOnm 40nm。可選的，所述退火處理為低溫退火工藝。可選的，當所述第一金屬籽晶層的材料為銅時，所述退火處理的工藝參數為退火溫度為150°C 400°C，退火時間為30s 180s，所述退火處理過程中O2含量小於5ppm。可選的，所述第二金屬層籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金。可選的,所述第二金屬籽晶層厚度為5nm 20nm。本發明技術方案還提供一種銅互連結構製造方法，包括提供襯底，在所述襯底表面形成介質層；在所述介質層內形成溝槽；在所述介質層表面、所述溝槽的側壁和底部形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成第一金屬籽晶層；對所述第一金屬籽晶層進行退火處理；在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層；在所述第二金屬籽晶層表面形成填充所述溝槽的銅金屬層；平坦化銅金屬層、第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層、阻擋層直至暴露出介質層，形成銅互連結構。可選的，所述第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層的材料為銅。可選的，所述退火處理的工藝參數為退火溫度為150°C 400°C，退火時間為30s 180s,所述退火處理過程中O2含量小於5ppm。與現有技術相比，本發明具有以下優點在阻擋層表面形成兩層金屬籽晶層，並對所述第一金屬籽晶層進行退火處理。經過退火處理後所述第一金屬籽晶層的金屬晶粒會凝集成團，從而使所述第一金屬籽晶層內晶界變少。由於晶界會造成載流子的散射，所以晶界的電阻率遠大於晶粒內部的電阻率，晶界的減少使得所述第一金屬籽晶層的電阻減小，從而所述第一金屬籽晶層和第二金屬籽晶層的總電阻也減小，降低了銅電鍍工藝中的邊緣效應。本發明利用現有的銅互連製造工藝，將現有的沉積金屬籽晶層的工藝替換為沉積第一金屬籽晶層並對第一金屬籽晶層進行退火處理，在所述第一金屬籽晶層表面沉積第二金屬籽晶層三個步驟，即可達到降低銅電鍍工藝中的邊緣效應的目的，沒有增加工藝複雜度。
圖I是現有技術中電鍍銅的裝置的結構示意圖；圖2是現有技術中降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法的流程示意圖；圖3是本發明的降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法的流程示意圖；圖4是本發明銅互連結構製造方法的流程示意圖；圖5至圖11是本發明銅互連結構製造方法的剖面結構示意圖。
具體實施例方式在現有的銅互連製造工藝中，隨著金屬籽晶層厚度的減小，所述金屬籽晶層的電阻在不斷增大，電鍍生成的銅金屬層的均勻性變差。為了減小金屬籽晶層的電阻，提高電鍍生成的銅金屬層的均勻性，發明人通過在阻擋層表面形成兩層金屬籽晶層，並對第一金屬籽晶層進行退火處理，使得第一金屬籽晶層的電阻減小，從而整個金屬籽晶層的總電阻也會相應減小，提高了電鍍生成的銅金屬層的均勻性。下面結合附圖對本發明的具體實施例進行詳細說明。本發明提供一種降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法，具體流程圖請參照圖3，包括以下步驟步驟S201，在基底表面形成第一金屬籽晶層；步驟S202，對所述第一金屬籽晶層進行退火處理；步驟S203，在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層；步驟S204，在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。執行步驟S201,在基底表面形成第一金屬籽晶層。所述基底為表面形成有阻擋層的基片，所述基片可以為多層基片(如覆蓋有介質層和金屬層的矽襯底)、單層基片、絕緣體上矽基片、含有電路的基片等，所述阻擋層材料可以為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鎢中的一種或幾種，其作用是為了防止後續形成的金屬層與基片的介質層發生反應，阻止所述金屬材料和介質材料之間互相擴散，並使得介質層和金屬層之間有較好的粘附性。所述阻擋層沉積在介質層表面，可以為單層結構或多層疊加結構。形成所述阻擋層的工藝為常規沉積工藝，包括物理氣相沉積(PVD)、金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)
坐寸ο所述的第一金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金，從成本、電阻率、工藝成熟度等各方面綜合考慮，本發明實施例的第一金屬籽晶層的材料為銅。形成所述第一金屬籽晶層的工藝為物理氣相沉積(PVD)工藝，形成的第一金屬籽晶層的厚度為IOnm 40nm，由於利用PVD沉積金屬籽晶層的技術為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。執行步驟S202，對所述第一金屬籽晶層進行退火處理。由於晶粒的晶界會散射載流子，電阻較大，而晶粒內部電阻較小，所以金屬籽晶層電阻的大小主要與晶界的數量即晶粒的數量有關。所述第一金屬籽晶層內的晶粒經過退火處理後會凝聚成團，晶粒的數量會明顯減小，使得金屬籽晶層電阻也減小，電阻減小幅度可達到10% 20%。所述退火工藝是採用低溫退火工藝。本實施例中採用的退火工藝為將形成有第一金屬籽晶層的晶圓放入150°C 400°C的退火爐中退火30s 180s，退火爐中氣體的O2含量小於5ppm。退火溫度之所以要設置在150°C 400°C之間，是因為如果退火溫度低於150°C，就會導致金屬籽晶層的晶粒不能凝聚成團，從而無法減少晶粒的數量，不能實現降低金屬籽晶層電阻的目的；如果溫度高於400°C，會導致晶圓上前端製作的器件失效。O2的含量之所以要小於5ppm,由於高的O2的含量會使金屬籽晶層表面發生氧化，反而提高了金屬籽晶層的電阻。本實施例中，退火爐中的氣體為氮氣、氫氣的混合氣體，可選的，對第一金屬籽晶層的退火處理也可在真空環境中進行。執行步驟S203,在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層。
由於第一金屬籽晶層的晶粒經過退火處理後凝聚成團，所述第一金屬籽晶層的表面變得非常粗糙，直接在第一金屬籽晶層上電鍍銅金屬層會導致電鍍的銅金屬層與籽晶層之間粘附性很差，容易與籽晶層脫離；並且直接在粗糙的金屬籽晶層表面電鍍銅金屬層會產生空洞，影響銅互連的電性能和可靠性。因此，有必要在退火後的第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層。所述的第二金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金，從成本、電阻率、工藝成熟度等各方面綜合考慮，本發明實施例的第二金屬籽晶層的材料為銅。形成所述第二金屬籽晶層的工藝為物理氣相沉積(PVD)工藝，形成的第二金屬籽晶層的厚度為5nm 20nmo當第一金屬籽晶層和第二金屬籽晶層的總厚度和現有技術中形成的金屬籽晶層的厚度相同，且籽晶層的材料相同時，由於第一金屬籽晶層的電阻降低，所述第一金屬籽晶層和第二金屬籽晶層的總電阻比現有技術中金屬籽晶層的電阻要小，並且所述第一金屬籽晶層越厚，第二金屬籽晶層越薄，總的電阻也就越小。但由於所述第二金屬籽晶層是用來覆蓋粗糙的第一金屬籽晶層表面，形成光滑的金屬籽晶層表面，所以第二金屬籽晶層不能太薄，因此本實施例中的所述第二金屬籽晶層的厚度大於等於5nm。執行步驟S204，在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層的工藝為電鍍工藝，具體請參考圖1，所述電鍍工藝包括將形成有第二金屬籽晶層的晶圓和銅陽極沉浸於硫酸銅溶液中，所述晶圓電連接外電源的負極，所述銅陽極電連接外電源的正極，位於銅陽極的銅原子發生氧化反應形成金屬銅離子，位於第二金屬籽晶層表面附近的金屬銅離子進行還原反應，生成的銅原子沉積在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。由於利用電鍍形成銅金屬層的工藝為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。所述外電源的負極是電連接在晶圓的邊緣，由於晶圓邊緣到晶圓中心的電阻的存在，晶圓邊緣的電流密度比晶圓中心的電流密度要大，由此會造成形成的銅金屬層的均勻性變差。利用所述減小金屬籽晶層電阻的方法，金屬籽晶層的電阻明顯減小，晶圓邊緣到晶圓中心的電阻也隨之減小，晶圓中心的電流密度與晶圓邊緣的電流密度的差距也隨之縮小，形成的銅金屬層的均勻性就能得到改善，從而降低銅電鍍工藝中的邊緣效應。本發明還提供一種銅互連結構製造方法，具體流程圖請參照圖4，包括以下步驟步驟S301，提供襯底，在所述襯底表面形成介質層；步驟S302，在所述介質層內形成溝槽；步驟S303，在所述介質層表面、所述溝槽的側壁和底部形成阻擋層；步驟S304，在所述阻擋層表面形成第一金屬籽晶層；步驟S305，對所述第一金屬籽晶層進行退火處理；步驟S306，在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層；步驟S307，在所述第二金屬籽晶層表面形成填充所述溝槽的銅金屬層；步驟S308，平坦化銅金屬層、第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層、阻擋層直至暴露出介質層，形成銅互連結構。圖5至圖11為本發明中銅互連結構製造方法的剖面結構示意圖。請參考圖5，執行步驟S301，提供襯底100，在所述襯底100表面形成介質層110。所述襯底100可以為多層基片(如覆蓋有介質層和金屬層的矽襯底)、單層基片、絕緣體上矽基片、含有電路的基片等。由於本發明目的是降低金屬籽晶層的電阻，因此襯底的類型不應過分限制本發明的保護範圍。
所述介質層110是用於對晶片上的導線和導線之間的隔離，介質層的厚度為IOOnm到4000nm。所述介質層110可以是形成金屬層前的介質層，也可以是金屬層間介質層。所述介質層110的材料通常為氧化矽或者摻雜的氧化矽，在130nm及以下工藝時，介質層110 —般選用低k介質材料。形成所述介質層110的工藝為常規沉積工藝，包括物理氣相沉積(PVD)、化學氣相帶沉積(CVD)、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)等。由於形成介質層的工藝為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。請參考圖6，執行步驟S302，在所述介質層110內形成溝槽120。在所述介質層110內形成溝槽120的工藝包括在介質層110表面形成光刻膠層(未圖示)，經曝光顯影工藝後，光刻膠層內形成溝槽的開口圖形；以光刻膠為掩膜，沿開口圖形採用幹法刻蝕技術在介質層110內刻蝕出溝槽120。在其他實施例中，在所述介質層表面形成光刻膠圖形之前，通常還會在所述介質層表面形成底部反射層(未示出)，所述底部反射層的作用主要為防止光線通過光刻膠後在晶圓界面發生反射，避免反射的光線與入射光發生幹涉，使得光刻膠曝光不均勻。請參考圖7，執行步驟S303，在所述介質層110表面、所述溝槽120的側壁和底部表面形成阻擋層130。所述阻擋層的作用是為了防止後續形成的金屬層與阻擋層下的介質層發生反應，阻止所述金屬材料和介質材料之間互相擴散，並使得介質層和金屬層之間有較好的粘附性。所述阻擋層沉積在介質層表面，可以為單層結構或多層疊加結構。阻擋層材料可以為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鎢中的一種或幾種，形成所述阻擋層的工藝為常規沉積工藝，包括物理氣相沉積(PVD)、金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)等。在本實施例中，阻擋層130採用雙層疊加結構，所述介質層110表面、所述溝槽120的側壁和底部表面，利用PVD工藝沉積形成一層鉭，然後採用MOCVD工藝在鉭層表面形成氮化鉭。請參考圖8，執行步驟S304，在阻擋層130表面形成第一金屬籽晶層140。所述的第一金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金，在本實施例中，第一金屬籽晶層的材料為銅。形成所述第一金屬籽晶層的工藝為物理氣相沉積(PVD)工藝，形成的第一金屬籽晶層的厚度為IOnm 40nm,由於PVD沉積金屬籽晶層為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。執行步驟S305，對所述第一金屬籽晶層進行退火處理。所述退火工藝是採用低溫退火工藝。本實施例中採用的退火工藝為將形成有第一金屬籽晶層的晶圓放入150°C 400°C的退火爐中退火30s 180s，退火爐中氣體的O2含量小於5ppm。退火溫度之所以要設置在150°C 400°C之間，是因為如果退火溫度低於150°C，就會導致金屬籽晶層的晶粒不能凝聚成團，從而無法減少晶粒的數量，不能實現降低金屬籽晶層電阻的目的；如果溫度高於400°C，會導致晶圓上前端製作的器件失效。O2的含量之所以要小於5ppm,由於高的O2的含量會使金屬籽晶層表面發生氧化，反而提高了金屬籽晶層的電阻。本實施例中，退火爐中的氣體為氮氣、氫氣的混合氣體，可 選的，對第一金屬籽晶層的退火處理也可在真空環境中進行。請參考圖9，執行步驟S306，在所述第一金屬籽晶層140表面形成第二金屬籽晶層150。由於第一金屬籽晶層140的晶粒經過退火處理後凝聚成團，所述第一金屬籽晶層140的表面變得非常粗糙，直接在第一金屬籽晶層140上電鍍銅金屬層會導致電鍍的銅金屬層與籽晶層之間粘附性很差，容易與籽晶層脫離；並且直接在粗糙的金屬籽晶層表面電鍍銅金屬層會產生空洞，影響銅互連的電性能和可靠性。因此，有必要在退火後的第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層。所述的第二金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金，在本實施例中，第二金屬籽晶層的材料為銅。形成所述第二金屬籽晶層的工藝為物理氣相沉積(PVD)工藝，形成的第二金屬籽晶層的厚度為5nm 20nm。請參照圖10，執行步驟S307，在所述第二金屬籽晶層150表面形成填充所述溝槽120的銅金屬層160。在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層的工藝為電鍍工藝。所述電鍍工藝包括將形成有第二金屬籽晶層的晶圓和銅陽極沉浸於硫酸銅溶液中，所述晶圓電連接外電源的負極，所述銅陽極電連接外電源的正極，位於銅陽極的銅原子發生氧化反應形成金屬銅離子，位於第二金屬籽晶層表面附近的金屬銅離子進行還原反應，生成的銅原子沉積在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。由於電鍍形成銅金屬層的工藝為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。所述外電源的負極是電連接在晶圓的邊緣，由於晶圓邊緣到晶圓中心的電阻的存在，晶圓邊緣的電流密度比晶圓中心的電流密度要大，由此會造成形成的銅金屬層的均勻性變差。利用所述減小金屬籽晶層電阻的方法，金屬籽晶層的電阻明顯減小，晶圓邊緣到晶圓中心的電阻也隨之減小，晶圓中心的電流密度與晶圓邊緣的電流密度的差距也隨之縮小，由於降低銅電鍍工藝中的邊緣效應，形成的銅金屬層的均勻性就能得到改善。請參照圖11，執行步驟S308，平坦化銅金屬層、第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層、阻擋層直至暴露出介質層，形成銅互連結構。平坦化銅金屬層160、第一金屬籽晶層140、第二金屬籽晶層150、鈍化層130和直至暴露出介質層110的工藝為化學機械拋光工藝，具體步驟包括先去除預定厚度的銅金屬層160，使銅金屬層160與第二金屬籽晶層150的頂部接近齊平；然後對第二金屬籽晶層150、第一金屬籽晶層140和阻擋層130進行研磨，除去介質層110頂部表面的第二金屬籽晶層150、第一金屬籽晶層140和阻擋層130,直到暴露出介質層110 ;最後再研磨一部分介質層110，使介質層110的頂部表面完全沒有金屬，形成銅互連結構。由於介質層110的頂部表面的金屬被完全除去，從而有效地防止金屬殘留而導致的短路現象，提高了銅互連結構的電性能和可靠性。由於化學機械拋光平坦化介質層和金屬層的工藝為本領域技術人員公知技術，在此不加詳述。本發明的實施例雖然已以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定本發 明的實施例，任何本領域技術人員在不脫離本發明實施例的精神和範圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發明實施例的技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發明實施例的技術方案的內容，依據本發明實施例的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬於本發明實施例的技術方案的保護範圍。
權利要求
1.一種降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法，包括 在基底表面形成第一金屬籽晶層； 對所述第一金屬籽晶層進行退火處理； 在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層； 在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。
2.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述第一金屬籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金。
3.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述第一金屬籽晶層厚度為IOnm 40nm。
4.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述退火處理為低溫退火工藝。
5.如權利要求4所述的方法，其特徵在於，當所述第一金屬籽晶層的材料為銅時，所述退火處理的工藝參數為退火溫度為150°C 400°C，退火時間為30s 180s，所述退火處理過程中O2含量小於5ppm。
6.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述第二金屬層籽晶層的材料為銅、銀、金、銅合金、銀合金或金合金。
7.如權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述第二金屬籽晶層厚度為5nm 20nm。
8.一種銅互連結構製造方法，包括 提供襯底，在所述襯底表面形成介質層； 在所述介質層內形成溝槽； 在所述介質層表面、所述溝槽的側壁和底部形成阻擋層； 在所述阻擋層表面形成第一金屬籽晶層； 對所述第一金屬籽晶層進行退火處理； 在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層； 在所述第二金屬籽晶層表面形成填充所述溝槽的銅金屬層； 平坦化銅金屬層、第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層、阻擋層直至暴露出介質層，形成銅互連結構。
9.如權利要求8所述銅互連結構製造方法，其特徵在於，所述第一金屬籽晶層、第二金屬籽晶層的材料為銅。
10.如權利要求8所述銅互連結構製造方法，其特徵在於，所述退火處理的工藝參數為退火溫度為150°C 400°C，退火時間為30s 180s，所述退火處理過程中O2含量小於5ppm
全文摘要
一種降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法及其對應的銅互連結構製造方法。其中，降低銅電鍍工藝中邊緣效應的方法包括在基底表面形成第一金屬籽晶層；對所述第一金屬籽晶層進行退火處理；在所述第一金屬籽晶層表面形成第二金屬籽晶層；在所述第二金屬籽晶層表面形成銅金屬層。本發明在阻擋層表面形成兩層金屬籽晶層，並對所述第一金屬籽晶層進行退火處理，經過退火處理後所述第一金屬籽晶層的金屬晶粒會凝集成團，晶界數目變少，第一金屬籽晶層的電阻減小，從而使得第一金屬籽晶層和第二金屬籽晶層的總電阻也減小，降低了銅電鍍工藝中的邊緣效應。
文檔編號H01L21/768GK102790009SQ201110126350
公開日2012年11月21日 申請日期2011年5月16日 優先權日2011年5月16日
發明者平延磊, 鮑宇 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司