銅系金屬膜用蝕刻液組合物、利用其的顯示裝置用陣列基板及其製造方法與流程
2023-11-06 14:00:12 2
本發明涉及顯示裝置用陣列基板的製造方法，更詳細地，涉及銅系金屬膜用蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的顯示裝置用陣列基板的製造方法。
背景技術：
：在半導體裝置中在基板上形成金屬配線的過程通常包括利用利用如下工序的步驟：通過濺射等的金屬膜形成工序；通過塗布光致抗蝕劑、曝光和顯影的在選擇性區域的光致抗蝕劑形成工序；以及蝕刻工序，並且包括個別單元工序前後的清洗工序等。這樣的蝕刻工序是指以光致抗蝕劑作為掩模，在選擇性區域留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的乾式蝕刻、或利用蝕刻液組合物的溼式蝕刻。以往，作為柵極和源電極/漏電極用配線材料，使用鋁或其合金與其他金屬層疊的金屬膜。鋁的價格低廉且電阻低，但耐化學性差，在後續工序中由於小丘(hillock)之類的不良而與其他導電層引起短路(short)現象，或者誘發與氧化物層的接觸導致的絕緣層的形成等顯示裝置面板的工作不良。考慮到這樣的方面，作為柵極和源電極/漏電極用配線材料，提出了銅膜與鉬膜、銅膜與鉬合金膜、銅合金膜與鉬合金膜等銅系金屬膜的多層膜。但是，存在為了蝕刻這樣的銅系金屬膜的多層膜而需要利用用於蝕刻各金屬膜的互不相同的2種蝕刻液的缺點。另外，以往的蝕刻液的蝕刻速度小於/sec而較慢，工序時間(processtime)增加，由此應用於厚度約以上的厚的金屬膜時，發生蝕刻輪廓不良。而且，以往存在隨著用蝕刻液處理的膜的數量累積而蝕刻圖案的傾角發生變化且蝕刻直進性降低等蝕刻輪廓不良的問題，因此還存在不能延長蝕刻液的使用周期的問題。技術實現要素：要解決的課題本發明是為了解決上述現有技術問題而提出的，其目的在於提供一種蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物在蝕刻銅系金屬膜時，由於隨處理張數的側蝕(Sideetch)變化量少而蝕刻輪廓(etchprofile)優異，能夠將銅系金屬膜和以上的厚膜一併蝕刻。另外，本發明的目的在於提供使用上述蝕刻液組合物製造顯示裝置用陣列基板的方法。解決課題的方法為了解決上述現有技術問題，本發明提供一種銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特徵在於，相對於組合物總重量，包含：(A)過氧化氫15～26重量％，(B)氟化合物0.01～3重量％，(C)5-甲基-1H-四唑(5-甲基-1H-四唑)0.05～3重量％，(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物0.5～5重量％，(E)磷酸鹽0.3～2重量％，(F)硫酸鹽0.1～5重量％，(G)多元醇型表面活性劑1～5重量％，以及(H)餘量的水。另外，本發明提供一種顯示裝置用陣列基板的製造方法，其特徵在於，包括以下步驟：a)基板上形成柵極配線的步驟，b)在包括上述柵極配線的基板形成上柵極絕緣層的步驟，c)在上述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟，d)在上述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟，以及e)形成與上述漏電極連接的像素電極的步驟；上述a)步驟包括在基板上形成銅系金屬膜，將上述銅系金屬膜用本發明的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成柵極配線的步驟，上述d)步驟包括在半導體層上形成銅系金屬膜，將上述銅系金屬膜用本發明的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成源電極和漏電極的步驟。另外，本發明提供用上述製造方法製造的顯示裝置用陣列基板。發明效果用本發明的蝕刻液組合物將銅系金屬膜進行蝕刻時，可提供隨處理張數增加的側蝕(sideetch，S/E)變化量和錐角(taperangle)變化量小，蝕刻輪廓優異的特徵。具體實施方式本發明涉及系金屬膜用蝕刻液組合物和利用其的顯示裝置用陣列基板的製造方法。本發明的蝕刻液組合物提供由於包含一定含量的磷酸鹽和硫酸鹽而銅系金屬膜蝕刻時蝕刻輪廓優異、隨處理張數的側蝕(sideetch)變化量和錐角變化量小的特徵。本發明涉及一種銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特徵在於，相對於組合物總重量，包含：(A)過氧化氫15～26重量％，(B)氟化合物0.01～3重量％，(C)5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)0.05～3重量％，(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物0.5～5重量％，(E)磷酸鹽0.3～2重量％，(F)硫酸鹽0.1～5重量％，(G)多元醇型表面活性劑1～5重量％，以及(H)餘量的水。上述銅系金屬膜是在膜的構成成分中包含銅(Cu)，是包括單一膜和雙重膜以上的多層膜的概念。更詳細地，上述銅系金屬膜是包括包含銅或銅合金(Cualloy)的單一膜；或選自上述銅膜和銅合金膜中的一種以上的膜與選自鉬膜、鉬合金膜、鈦膜和鈦合金膜中的一種以上的膜的多層膜的概念，在這裡，合金膜是還包括氮化膜或氧化膜的概念。特別是，上述銅系金屬膜可以是膜厚度為以上的厚膜。上述銅系金屬膜沒有特別限定，但作為上述單一膜的具體例子，可舉出銅(Cu)膜或以銅為主要成分並包含選自釹(Nd)、鉭(Ta)、銦(In)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)和鈦(Ti)等中的一種以上的金屬的銅合金膜等。另外，作為多層膜的例子，可舉出銅/鉬膜、銅/鉬合金膜、銅合金/鉬膜、銅合金/鉬合金膜、銅/鈦膜等的雙重膜或三重膜。上述銅/鉬膜意味著包括鉬層和形成於上述鉬層上的銅層，上述銅/鉬合金膜意味著包括鉬合金層和形成於上述鉬合金層上的銅層，上述銅合金/鉬合金膜意味著包括鉬合金層和形成於上述鉬合金層上的銅合金層，上述銅/鈦膜意味著包括鈦層和形成於上述鈦層上的銅層。另外，上述鉬合金層是指由例如選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銦(In)等中的一種以上的金屬與鉬的合金構成的層。尤其是，本發明的蝕刻液組合物可以優選應用於由銅或銅合金膜與鉬或鉬合金膜構成的多層膜。以下，說明構成本發明的蝕刻液組合物的各成分。(A)過氧化氫本發明的蝕刻液組合物中包含的過氧化氫(H2O2)是用作主氧化劑的成分，對銅系金屬膜的蝕刻速度造成影響。上述過氧化氫以相對於組合物總重量包含15～26重量％為特徵，優選包含18至24重量％。上述過氧化氫的含量小於15重量％時，引起對於銅系金屬膜的單一膜、或由上述單一膜與鉬或鉬合金膜構成的多層膜的蝕刻力降低，從而可能無法實現蝕刻，蝕刻速度可能變慢。另一方面，超過26重量％時，銅離子的增加所帶來的發熱穩定性可能大幅降低，蝕刻速度整體加快而難以控制工序。(B)氟化合物本發明的蝕刻液組合物中包含的氟化合物是指能夠在水等中進行解離而提供氟離子(F-)的化合物。上述氟化合物是在蝕刻包含鉬或鉬合金的銅系金屬膜時對鉬繫膜的蝕刻速度造成影響的助氧化劑，上述鉬繫膜優選可以為鉬合金膜。上述氟化合物使用在本領域中通常使用的氟化合物，只要是在溶液中能夠解離出氟離子或多原子氟離子的化合物，則其種類沒有特別限定。作為具體的例子，可以優選使用選自氟化氫(HF)、氟化鈉(NaF)、氟化銨(NH4F)、氟硼酸銨(NH4BF4)、氟化氫銨(NH4FHF)、氟化鉀(KF)、氟化氫鉀(KHF2)、氟化鋁(AlF3)和四氟硼酸(HBF4)中的一種以上。更優選可以使用氟化氫銨(NH4FHF)。上述氟化合物相對於蝕刻液組合物總重量包含0.01～3重量％，更優選包含0.05至1重量％。上述氟化合物的含量小於0.01重量％時，鉬合金膜的蝕刻速度變慢，可能產生殘渣。另一方面，超過3重量％時，雖然提高鉬合金膜的蝕刻性能，但由於蝕刻速度過快，從而可能發生側蝕現象或下部層(n+a-Si:H,a-Si:G)的蝕刻損傷。(C)5-甲基-1H-四唑本發明的蝕刻液組合物所包含的5-甲基-1H-四唑(5-甲基-1H-四唑)發揮調解銅系金屬膜的蝕刻速度並減少圖案的CD損失(CDloss)而提高工序餘量的作用。另外，發揮減少隨處理張數的蝕刻輪廓(etchprofile)變動而提高工序餘量的作用。上述5-甲基-1H-四唑相對於組合物總重量包含0.05～3重量％，更優選包含0.1至1.0重量％。上述5-甲基-1H-四唑的含量小於0.05重量％時，可能明顯出現過蝕刻和隨處理張數的蝕刻輪廓變動。另一方面，超過3重量％時，由於銅的蝕刻速度過慢，可能發生工序時間損失。(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物本發明的蝕刻液組合物中所包含的在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物在對大量的基板進行蝕刻時，起到防止蝕刻特性發生變化的作用。另外，可以阻止保管蝕刻液組合物時可能發生的過氧化氫的自分解反應。一般來說，包含過氧化氫的蝕刻液組合物的情況下，保管時由於過氧化氫的自分解而保管時間變短，還具有容器爆炸的危險因素。但是，包含上述在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物的情況下，過氧化氫水的分解速度降低近10倍，從而有利於確保保管時間和穩定性。尤其是，銅系金屬膜的情況下，在蝕刻液組合物內大量殘留銅離子時，發生形成鈍化(passivation)膜而氧化發黑後不再被蝕刻的情況可能較多。但是，包含上述化合物的情況下，能夠防止這樣的現象。作為上述在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物的具體例子，可舉出丙氨酸(alanine)、氨基丁酸(aminobutyricacid)、穀氨酸(glutamicacid)、甘氨酸(glycine)、亞氨基二乙酸(iminodiaceticacid)、氨三乙酸(nitrilotriaceticacid)和肌氨酸(sarcosine)等，可優選地舉出亞氨基二乙酸(iminodiaceticacid)。上述在一個分子內具有氮原子和羧基的化合物以相對於組合物總重量包含0.5～5重量％為特徵，更優選包含1至3重量％。含量小於0.5重量％時，在約500張以上的大量的基板蝕刻後形成鈍化膜，從而難以獲得充分的工序餘量。另一方面，超過5重量％時，鉬或鉬合金膜等鉬系金屬膜的蝕刻速度變慢，從而在進行包含鉬的銅系金屬膜的蝕刻時，可能發生鉬或鉬合金膜的殘渣問題。(E)磷酸鹽本發明的蝕刻液組合物中所包含的磷酸鹽發揮調節銅表面的氧化電位而增加銅膜的蝕刻速度，並減少隨銅濃度的側蝕變化量的作用。如果本發明的蝕刻液組合物不包含上述磷酸鹽時，蝕刻速度非常低而可能導致蝕刻輪廓不良。上述磷酸鹽只要是選自磷酸(H3PO4)中氫被鹼金屬或鹼土金屬置換一個或兩個而成的鹽，則沒有特別限定。作為具體例子，可舉出磷酸鈉(sodiumphosphate)、磷酸鉀(potassiumphosphate)和磷酸銨(ammoniumphosphate)等，優選選自它們中的一種以上。上述磷酸鹽相對於蝕刻液組合物總重量包含0.3～2重量％，更優選包含0.5至1重量％。按照上述基準，含量小於0.3重量％時，蝕刻速度非常低而可能發生蝕刻輪廓不良和工序時間損失。另一方面，含量超過2重量％時，銅或銅合金膜的蝕刻速度過快而難以調節工序時間。(F)硫酸鹽本發明的蝕刻液組合物中包含的硫酸鹽(Sulfate)發揮減少隨銅濃度的側蝕(S/E)變化量和錐角(T/A)變化量的作用。如果在組合物中不包含硫酸鹽，則有可能隨銅濃度的側蝕變化量和錐角變化量大幅增加。在本發明中上述硫酸鹽的種類沒有特別限定，作為具體的例子，可舉出硫酸鈉(Sodiumsulfate，Na2SO4)、硫酸銨(Ammoniumsulfate，(NH4)2SO4)、硫酸鉀(Potassiumsulfate，K2SO4)、硫酸鎂(Magnesiumsulfate，MgSO4)和硫酸鋰(Lithiumsulfate，Li2SO4)等，可以使用選自它們中的一種以上。上述硫酸鹽相對於組合物總重量包含0.1～5重量％，更優選包含0.5至3重量％。含量脫離上述範圍的情況下，有可能隨銅濃度的側蝕(S/E)和錐角(Taperangle)變化量增加。(G)多元醇型表面活性劑本發明的蝕刻液組合物中包含的多元醇型表面活性劑發揮降低表面張力而提高蝕刻均勻性的作用。另外，通過包圍在蝕刻銅或銅合金膜後溶出到蝕刻液中的銅離子，從而抑制銅離子的活度來抑制過氧化氫的分解反應。如果這樣利用多元醇型表面活性劑降低銅離子的活度，則能夠在使用蝕刻液的期間穩定地進行工序。作為上述多元醇型表面活性劑的具體例子，可舉出甘油(glycerol)、三乙二醇(triethyleneglycol)和聚乙二醇(polyethyleneglycol)等，可以選擇它們中的一種以上使用。另外，在其中優選使用三乙二醇(triethyleneglycol)。上述多元醇型表面活性劑相對於組合物總重量包含1～5重量％，，更優選包含1.5至3重量％。按照上述基準，含量小於1重量％時，可能會產生蝕刻均勻性降低，過氧化氫的分解加速的問題。另一方面，超過5重量％時，存在產生大量泡沫的缺點。(H)水本發明的蝕刻液組合物中所包含的水沒有特別限定，用於半導體工序時，優選利用去離子水，更優選利用顯示從水中去除離子的程度的電阻率值為18MΩ/㎝以上的去離子水。上述水以組合物總重量達到100重量％的方式以餘量來包含。本發明的銅系金屬膜用蝕刻液組合物除了上述提及的成分以外，可以進一步包含選自蝕刻調節劑、多價螯合劑、防腐蝕劑、pH調節劑和不限於這些的其他添加劑中的一種以上。為了在本發明的範圍內更良好地實現本發明的效果，上述添加劑可以在本領域中通常使用的添加劑中選擇使用。本發明的銅系金屬膜用蝕刻液組合物優選具有半導體工序用的純度，各構成成分可以通過通常公知的方法來製造。另外，本發明提供一種顯示裝置用陣列基板的製造方法，其中，包括：a)在基板上形成柵極配線的步驟，b)在包括上述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟，c)在上述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟，d)在上述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟，以及e)形成與上述漏電極連接的像素電極的步驟；上述a)步驟包括在基板上形成銅系金屬膜，將上述銅系金屬膜用本發明的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成柵極配線的步驟，上述d)步驟包括在半導體層上形成銅系金屬膜，將上述銅系金屬膜用本發明的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成源電極和漏電極的步驟。上述銅系金屬膜是在膜的構成成分中包含銅的金屬膜，尤其是銅系金屬膜可以是膜厚度為以上的厚膜。上述銅系金屬膜是包括單一膜和雙重膜以上的多層膜的概念。更詳細地，上述銅系金屬膜是包括銅或銅合金(Cualloy)的單一膜；或包含選自上述銅膜和銅合金膜中的一種以上的膜與選自鉬膜、鉬合金膜、鈦膜和鈦合金膜中的一種以上的膜的多層膜的概念。在這裡，合金膜是還包含氮化膜或氧化膜的概念。上述銅系金屬膜沒有特別限定，作為上述單一膜的具體例子，可舉出銅(Cu)膜；以銅為主要成分並包含選自釹(Nd)、鉭(Ta)、銦(In)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)和鈦(Ti)等中的一種以上的金屬的銅合金膜等。另外，作為多層膜的例子，可舉出銅/鉬膜、銅/鉬合金膜、銅合金/鉬膜、銅合金/鉬合金膜、銅/鈦膜等雙重膜或三重膜。上述銅/鉬膜意味著包括鉬層和形成於上述鉬層上的銅層，上述銅/鉬合金膜意味著包括鉬合金層和形成於上述鉬合金層上的銅層，上述銅合金/鉬合金膜意味著包括鉬合金層和形成於上述鉬合金層上的銅合金層，上述銅/鈦膜意味著包括鈦層和形成於上述鈦層上的銅層。上述鉬合金層可以表示例如以鉬為主要成分，並包含選自釹(Nd)、鉭(Ta)、銦(In)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鎢(W)、鏷(Pa)和鈦(Ti)等中的一種以上的金屬的合金形態的層。尤其是本發明的銅系金屬膜優選可以應用於由銅或銅合金膜與鉬或鉬合金膜構成的多層膜。另外，上述顯示裝置用陣列基板可以是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。另外，本發明提供用上述製造方法製造的顯示裝置用陣列基板。上述顯示裝置用陣列基板可以包括使用本發明的蝕刻液組合物而蝕刻的柵極配線和/或源電極和漏電極。以下，利用實施例和比較例更詳細地說明本發明。但是下述實施例是用於例示本發明，本發明並不限定於下述實施例，可以多樣地進行修改和變更。本發明的範圍根據權利要求書的技術思想來確定。蝕刻液組合物的製造分別製造在下述表1所示的組成和含量中包含餘量的水的實施例1～5和比較例1～5的蝕刻液組合物6kg。[表1](重量％)區分H2O2ABF5-MTZIDANHPSSTEG實施例1200.10.12.00.51.02.0實施例2200.10.32.50.72.01.5實施例3230.10.12.00.52.02.0實施例4230.10.32.50.73.01.5實施例5230.10.12.02.02.01.5比較例1200.10.22.00.10.11.5比較例2200.10.22.5-0.11.5比較例3230.10.22.03.0-1.5比較例4230.10.22.50.17.01.5比較例5230.10.12.50.5-1.5注)ABF：氟化氫銨5-MTZ：5-甲基四唑IDA：亞氨基二乙酸(Iminodiaceticacid),SS：硫酸鈉TEG：三乙二醇NHP：磷酸鈉蝕刻液組合物的性能測定上述實施例1～5和比較例1～5的蝕刻液組合物的性能測定中，使用了在玻璃(SiO2)基板上蒸鍍Cu/Mo-Ti5000/作為銅系金屬膜的薄膜基板作為試片，通過光刻工序來形成基板上具有預定的圖案的光致抗蝕劑。如下進行性能測定。實驗例1.蝕刻輪廓和蝕刻直進性測定在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(型號名稱：ETCHER(TFT)，SEMES公司)內分別放入上述實施例1～5和比較例1～5的蝕刻液組合物，將蝕刻液組合物的溫度設定為約33℃左右而進行加熱。雖然總蝕刻時間可能根據蝕刻溫度而不同，但在LCD蝕刻工序中通常進行50至80秒程度。放入基板，開始噴射，經過50至80秒的蝕刻時間後取出，用去離子水清洗後，利用熱風乾燥裝置進行乾燥。清洗和乾燥後切割基板。用電子掃描顯微鏡(SEM：Hitachi公司製品，型號名稱S-4700)測定截面。將結果記載於下述表2。○：良好△：普通Х：不良Unetch：不能蝕刻實驗例2.隨基板處理張數變化的側蝕變化和錐角測定在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(型號名稱：ETCHER(TFT)，SEMES公司)內分別放入上述實施例1～5和比較例1～5的蝕刻液組合物，將蝕刻液組合物的溫度設定為約33℃左右而進行加熱。雖然總蝕刻時間可能根據蝕刻溫度而不同，但在LCD蝕刻工序中通常進行50至80秒程度。關於測定隨處理張數變化的側蝕變化和錐角測定，以能夠反映蝕刻液組合物隨基板蝕刻的組合物內金屬濃度(ppm)變化的方式，將膜質中所包含的Mo-Ti和Cu粉末投入而進行。在300ppm的情況下，投入Mo-Ti粉末150ppm和Cu粉末150ppm，在3,000ppm的情況下，投入Mo-Ti粉末1,500ppm和Cu粉末1,500ppm，在7,000ppm的情況下，投入Mo-Ti粉末3,500ppm和Cu粉末3,500ppm，進行實驗。放入基板，開始噴射，經過50至80秒的蝕刻時間後取出，用去離子水清洗後，利用熱風乾燥裝置進行乾燥。清洗和乾燥後切割基板。用電子掃描顯微鏡(SEM：Hitachi公司製品，型號名稱S-4700)測定截面。將結果記載於下述表2。蝕刻工序中蝕刻的銅系金屬膜的隨處理張數的側蝕(SideEtch)截面使用SEM(Hitachi公司製品，型號名稱S-4700)進行檢查。側蝕(sideetch)是指蝕刻後測定的光致抗蝕劑末端與下部金屬末端之間的距離。如果側蝕量發生改變，則在TFT驅動時，信號傳遞速度發生變化而可能發生斑紋，因此優選將側蝕變化量最小化。在本測定中，側蝕變化量滿足±0.1μm的條件的蝕刻液組合物的情況，被定為可繼續用於蝕刻工序。另外，錐角(Taperangle)是指銅(Cu)斜面的傾斜度。如果錐角過大，則在後續膜蒸鍍時產生臺階覆蓋(stepcoverage)不良導致的裂紋(crack)現象，因此維持適當的錐角是重要的。通常，在相對於初期錐角增加15°以上或超過70°時，後續工序中不良率有可能增加，從而將使用的蝕刻液組合物替換成新的蝕刻液組合物。實驗例3.殘渣測定在噴射式蝕刻方式的實驗裝備(型號名稱：ETCHER(TFT)，SEMES公司)內分別放入上述實施例1～5和比較例1～5的蝕刻液組合物，將蝕刻液組合物的溫度設定為約33℃左右而進行加熱。雖然總蝕刻時間可能根據蝕刻溫度而不同，但在LCD蝕刻工序中通常進行50至80秒程度。放入基板，開始噴射，經過50至80秒的蝕刻時間後取出，用去離子水清洗後，利用熱風乾燥裝置進行乾燥，利用光致抗蝕劑剝離機(PRstripper)除去光致抗蝕劑。清洗和乾燥後，利用電子掃描顯微鏡(SEM；型號名稱：S-4700，HITACHI公司製造)，測定在未覆蓋光致抗蝕劑的部分，金屬膜未被蝕刻而殘留的現象即殘渣，將其結果示於下述表2。沒有產生殘渣：X產生殘渣：○[表2]通過上述表2可知，實施例1～5的蝕刻液組合物均顯示出良好的蝕刻特性。利用實施例1～5的蝕刻液組合物而銅系薄膜金屬膜進行微細蝕刻時，蝕刻輪廓和直進性優異，並且不產生Mo、Ti殘渣。另外，確認了符合側蝕(SideEtch)變化量為±0.1μm以下、錐角(Taperangle)變化量為±10°以下的基準。另一方面，比較例1～5的組合物在一個以上的評價中顯示出不良的結果。具體而言，不包含磷酸鹽的比較例2的情況下，蝕刻速度非常慢，蝕刻輪廓非常不良，側蝕(S/E)和錐角(T/A)的變化量顯示非常大，其為不恰當的水平。不包含硫酸鹽(Sulfate)的比較例3的情況下，處理張數變化量顯示得非常大。比較例4的情況下，蝕刻速度非常慢，蝕刻輪廓也非常不良，處理張數變動量也顯示得大。當前第1頁1 2 3