Ptc裝置製造方法
2023-11-06 09:56:17
Ptc裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供一種儘可能減少了為了與基板連接而形成的焊料連接部的電連接變得不良的可能性的PTC裝置。PTC裝置構成為具有PTC元件，所述PTC元件具有：PTC單元，其構成為具有層狀PTC要素以及在其兩側的表面上分別配置的第1層狀電極以及第2層狀電極；和絕緣層，其位於各層狀電極的外側，在PTC裝置中，PTC元件具有第1端部以及第2端部，在第1端部，在其各角部分具有第1四分之一圓筒狀凹部，而且，在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部，各第1四分之一圓筒狀凹部具有與第1層狀電極電連接的第1城堡狀電極，而且，各第2四分之一圓筒狀凹部具有與第2層狀電極相連接的第2城堡狀電極。
【專利說明】PTC裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種PTC裝置，詳細來說涉及一種表面安裝型的PTC裝置。
【背景技術】
[0002]例如，PTC裝置作為電路保護元件而被用於各種電氣裝置中，來構成電氣裝置的保護電路。這樣的PTC裝置被配置於具有保護電路的保護電路基板。在該情況下，考慮到配置的方便，常常使用表面安裝型的PTC裝置。
[0003]表面安裝型的PTC裝置被載置為其電極位於在保護電路基板上設置的標籤(tab)或焊盤上，通過釺焊進行電連接，由此被配置到在保護電路基板上形成的保護電路中。
[0004]在圖1中通過立體圖示意性地示出這樣的PTC裝置。圖示的PTC裝置10構成為具有對其構成的PTC元件11。PTC元件11構成為具有PTC要素以及在其兩側的表面上分別配置的層狀電極、和位於各層狀電極的外側的絕緣層。在圖1中，並未圖示這些構成要素，而是作為PTC元件11而一體地示出。
[0005]PTC元件11在兩側的端部在側方端面具有半圓筒狀凹部分12以及14，在半圓筒狀凹部分的表面具有側方金屬層部分(例如導電性金屬鍍覆層)16以及18。另一方面，PTC元件11在其上表面以及下表面的各自的兩端部也具有端部金屬層部分(例如導電性金屬鍍覆層)20、22以及24、26。側方金屬層部分16以及18在其上端以及下端與端部金屬層部分20、22以及24、26連成一體，這些構成了所謂的城堡狀(castellation)電極(20+16+22以及 24+18+26)。
[0006]另外，在所圖示的方式中，城堡狀電極在PTC元件11的上表面以及下表面都具有金屬層部分，但一般的城堡狀電極也可以在PTC元件的上表面以及下表面的一方的兩端部具有端部金屬層部分(即，也可以在另一方的表面的端部沒有端部金屬層部分)。因此，城堡狀電極在PTC裝置的上表面以及下表面的至少一方的表面的兩端部具有端部金屬層部分。
[0007]雖然未進行圖示，但在這樣的PTC裝置中，一個城堡狀電極與位於PTC裝置內的PTC元件的一個電極電連接，另一個城堡狀電極與PTC元件的另一個電極電連接。這樣的PTC裝置，例如在下述專利文獻I中已被公開。
[0008]這樣的PTC裝置向基板的安裝按照如下方式來實施:在基板上設置的焊盤上通過印刷來塗敷膏狀焊料，配置PTC裝置使得位於PTC裝置的下表面的城堡狀電極的端部金屬層部分(例如22)隔著所塗敷的膏狀焊料部分而位於焊盤上，將這樣配置了 PTC裝置的基板放入到回流焊爐中使焊料熔融、固化。在圖2中通過剖面圖示意性地示出按照這樣通過釺焊將PTC裝置安裝到基板上之後的樣子。
[0009]在圖2中，對安裝在基板28上的圖1的PTC裝置10通過利用包含該線X— X的垂直面將其切斷後的端面圖來表示。另外，在圖2中，僅圖示了圖1的PTC裝置的右側的端部，對於城堡狀電極，為了能夠容易理解而誇大其厚度來進行圖示。在基板上的焊盤30與城堡狀電極的端部金屬層部分22之間，通過釺焊而形成焊料連接部32，將這些結合成一體並且電連接。在回流焊爐中熔融了的焊料也潤溼上升到半圓筒狀凹部分上，原樣不動進行固化從而焊料部分34作為倒圓部也存在於城堡狀電極的側方金屬層部分16上，其與焊料連接部32成為了一體。
[0010]在先技術文獻
[0011]專利文獻
[0012]專利文獻1:美國專利第6377467號說明書
【發明內容】
[0013]發明要解決的課題
[0014]若使用了如上所述釺焊了 PTC裝置的基板，則注意到在PTC裝置與基板之間的電連接變得不良這樣的問題點。更具體來說，意識到有時在端部金屬層部分22與焊盤30之間焊料連接部32的一部分剝離，結果，這之間的電連接變得不充分。因此，本發明要解決的課題在於儘可能減少這樣的電連接變得不良的可能性。
[0015]解決課題的手段
[0016]對於上述的電連接不良的基板進行了詳細研究，結果發現在焊料連接部32出現裂紋、或者焊料連接部32的一部分從端部金屬層部分22以及/或者側方金屬層部分16處發生剝尚。
[0017]若進一步對這樣的現象進行研究，則經過如下這樣的膨脹/收縮的過程:在PTC裝置工作的情況下，其溫度上升而PTC要素進行膨脹，然後，PTC要素的溫度下降而進行收縮又恢復到原來的形狀。此外，在具有基板的電氣裝置的環境(例如汽車的室內)反覆溫度上升/溫度降下的情況下，PTC要素也反覆膨脹/收縮這種過程。
[0018]結果歸結於若PTC要素反覆膨脹/收縮，則由於其體積變化而產生應力，並由於這樣的應力，很大可能將導致裂紋、剝離等的發生。得出了如下的判斷:特別是如上所述在PTC裝置的側方具有半圓筒狀凹部的情況下，膨脹/收縮所產生的應力具有應力集中於該部分的傾向，結果，容易發生裂紋、剝離等現象。因此，得出如下的想法:通過這樣抑制應力集中，更詳細來說，通過增加應力有可能集中的部位，通過減少集中於這樣的每個部位的應力的總量，能夠抑制裂紋、剝離等的發生，並能夠減少電連接不良發生的可能性。
[0019]基於上述的考慮，
【發明者】對於應力集中的抑制，進行了潛心研究，結果得出了如下的想法:不將應力有可能集中的部位設置為PTC裝置的兩側的側方的2個部位，而是通過設為PTC裝置的角部分，即，通過設置為4個部位，來減少電連接變得不良的可能性。
[0020]因此，在第I要旨中，本發明提供一種PTC裝置，
[0021]該PTC裝置的特徵在於，構成為具有(層狀的)PTC元件，所述PTC元件具有:PTC單元，其構成為具有層狀PTC要素以及在其兩側的表面上分別配置的第I層狀電極以及第2層狀電極；和絕緣層，其位於各層狀電極的外側(即位於PTC單元的外側)，
[0022]PTC元件具有第I端部以及第2端部，在第I端部，在其各角部分具有第I四分之一圓筒狀凹部，而且，在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部，
[0023]各第I四分之一圓筒狀凹部具有與第I層狀電極電連接的第I城堡狀電極，而且，各第2四分之一圓筒狀凹部具有與第2層狀電極相連接的第2城堡狀電極。
[0024]在I個方式中，該PTC裝置可以除了具有第I四分之一圓筒狀凹部以及第2四分之一圓筒狀凹部之外，也可以在第I端部以及第2端部還具有前面說明的半圓筒狀凹部。
[0025]上述第I要旨的PTC裝置，在I個優選的方式中，也可以隔著絕緣層層疊有多個構成為具有PTC要素以及在其兩側的表面上配置的層狀電極的PTC單元。
[0026]S卩，在第2要旨中，本發明提供一種不同的PTC裝置，
[0027]該PTC裝置的特徵在於，構成為具有作為層疊體的PTC元件，該層疊體由構成為具有多個層狀PTC要素以及在各PTC要素的兩側的表面上分別配置的第I層狀電極以及第2層狀電極的多個PTC單元、和配置於PTC單元之間使得將這些PTC單元夾在中間隔開的絕緣層層疊而成，
[0028]PTC元件具有第I端部以及第2端部，
[0029]PTC元件在第I端部，在其各角部分具有第I四分之一圓筒狀凹部，而且，在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部，
[0030]各第I四分之一圓筒狀凹部具有與各PTC要素的第I層狀電極電連接的第I城堡狀電極，而且，各第2四分之一圓筒狀凹部具有與第2層狀電極相連接的第2城堡狀電極。
[0031]在I個方式中，該PTC裝置除了具有第I四分之一圓筒狀凹部以及第2四分之一圓筒狀凹部之外，也可以在PTC元件層疊體的第I端部以及第2端部還具有前面說明的半圓筒狀凹部。
[0032]發明效果
[0033]在本發明的PTC裝置中，在PTC元件或PTC元件層疊體的角部分具有四分之一圓筒狀凹部，在該部分配置有城堡狀電極，所以PTC要素的膨脹/收縮所產生的應力容易集中的部位會至少存在4個部位，結果，能夠減少作用於每一個城堡狀電極的應力的總量，所以能夠儘可能減少在與PTC裝置的電連接中起到作用的焊料連接部的電連接變得不良的可能性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1示意性地示出現有的PTC裝置的立體圖。
[0035]圖2示意性地示出將現有的PTC裝置安裝在基板後的狀態。
[0036]圖3示意性地示出本發明的PTC裝置的俯視圖。
[0037]圖4示意性地示出本發明的PTC裝置的其他方式的俯視圖。
[0038]圖5示意性地示出具有單個PTC單元的本發明的PTC裝置的(沿圖4的線Y— Y的)剖面。
[0039]圖6是示意性地示出具有多個PTC單元的本發明的PTC裝置的(沿圖4的線Y—Y)剖面。
[0040]圖7示意性地示出圖3所示的本發明的PTC裝置的立體圖。
[0041]圖8為了說明本發明的PTC裝置的製造法而示意性地示出壓接體的俯視圖。
【具體實施方式】
[0042]在圖3中示意性地示出按照在將本發明的PTC裝置安裝到基板時與基板對置的面朝上的方式載置了 PTC裝置的情況下(相當於在圖1中通過箭頭A的方向觀察的情況)的俯視圖，此外，在圖7中示意性地示出立體圖。因此，圖1以及圖2的PTC裝置的下表面38在圖3以及圖7中，成為上表面38。在所圖示的方式中，PTC裝置10構成為具有PTC元件11，PTC元件構成為具有第I端部42以及第2端部44。
[0043]PTC元件作為將第I四分之一圓筒狀凹部(參照圖3) 36或第I四分之一圓筒狀凹部(參照圖7) 36、以及第2四分之一圓筒狀凹部(參照圖3) 37或第2四分之一圓筒狀凹部(參照圖7)37切去的整體(即，在設為沒有切口部分的情況下)，在圖3的俯視圖中具有矩形形狀，此外，在圖7的立體圖中具有長方體形狀。該四分之一圓形部分(或四分之一圓筒狀凹部)36以及37源於構成PTC裝置的PTC元件10在4個角部分作為切口部而具有四分之一圓筒狀凹部。
[0044]更詳細來說，PTC元件11在第I端部42，具有2個第I四分之一圓筒狀部36，在第2端部44，具有2個第I四分之一圓筒狀部37。在其他的方式中，也可以在2個第I或第2四分之一圓筒狀部36以及/或者37之間，具有圖1所示那樣的半圓筒狀凹部12。
[0045]另外，特別優選四分之一圓筒狀凹部36具有圓筒的4分之I的形狀(因此，在圖3中為四分之一圓的形狀)。但是，PTC元件11，只要其4個角部分被切去，那麼也可以取代四分之一圓的形狀而具有其他的切口形狀。在俯視圖中，切口形狀既可以是直角三角形形狀，也可以是4分之I的橢圓的形狀。
[0046]圖示的PTC裝置10在PTC元件11的規定各第I四分之一圓筒狀凹部36的側面40上具有側方金屬層部分16，在該側面的一個端部(圖7所示的方式中為上端46)具有端部金屬鍍覆層部分22，這些金屬層部分連接成一體，構成第I城堡狀電極50。此外，PTC裝置10在PTC元件11的規定各第2四分之一圓筒狀凹部37的側面41上具有側方金屬層部分17，在該側面的一個端部(圖7所示的方式中為上端47)具有端部金屬層部分23，這些金屬層部分連接成一體，構成第2城堡狀電極52。
[0047]城堡狀電極的側方金屬層遍及規定凹部的側面的整個表面來延伸，端部金屬層部分22以及/或者23可以如圖3所示為圓環狀，在其他的方式中，也可以如圖4所示，為矩形狀(其中，具有與四分之一圓形相對應的切口部)。
[0048]另外，側面40以及/或者側面41在另一個端部(在圖7所示的方式中為下端48)也可以具有端部金屬層部分20(在圖7中，作為示例而用虛線示出近前側的端部金屬層部分)，這3個金屬層部分(即，一個端部46上的端部金屬層部分22或23、側面上的側方金屬層部分16或17、以及另一個端部48上的端部金屬層部分20)可以構成第I以及/或者第2城堡狀電極。雖然並未圖示，但是第I城堡狀電極50與在構成PTC元件的I個或多個PTC要素的主表面上配置的第I層狀電極電連接，此外，第2城堡狀電極52與在構成PTC元件的I個或多個PTC要素的主表面上配置的第2層狀電極電連接。
[0049]另外，城堡狀電極也可以通過導電性金屬的鍍覆處理來形成其整體。在該情況下，能夠通過如下處理來形成城堡狀電極:在遮蔽(masking)形成城堡狀電極的部分以外的部分後進行導電性金屬(例如銅、鎳、錫等)的鍍覆處理，然後，除去遮蔽。在該情況下，側方金屬層部分以及端部金屬層部分由鍍覆層構成。
[0050]在其他的方式中，端部金屬層部分也可以是金屬箔以及在其上形成的鍍覆層。在該情況下，能夠通過如下的處理來形成這樣的端部金屬層部分:如後所述形成在形成作為PTC元件的最外層的絕緣層的絕緣性樹脂片上重疊了金屬箔的壓接體，並通過蝕刻留下規定部位的金屬箔之後，進行鍍覆處理。在該方式中，側方金屬層部分也由鍍覆層構成。[0051]進而，在其他的方式中，也可以在如上所述形成的由鍍覆層構成的城堡狀電極、或由金屬箔以及其上的鍍覆層構成的城堡狀電極的最外層上通過鍍覆處理而進一步形成耐蝕性優異的金屬層。例如在最外層由銅來構成的情況下，優選在其上面重疊鎳的鍍覆層，隨後重疊錫的鍍覆層，或者重疊鎳的鍍覆層，隨後重疊金的鍍覆層。
[0052]在圖5中示意性地示出將本發明的PTC裝置沿圖4的線Y— Y切斷了的情況下所出現的剖面。圖示的PTC元件10作為整體而具有層狀的PTC元件66，該PTC元件66具有:PTC單元60，其構成為具有層狀PTC要素54以及在其兩側的表面上分別配置的第I層狀電極56以及第2層狀電極58 ;和第I絕緣層62以及第2絕緣層64，其位於各層狀電極的外側(即，位於PTC單元的外側)。PTC元件66具有第I端部42以及第2端部，在第I端部，在其各角部分具有第I四分之一圓筒狀凹部36，而且，在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部37。
[0053]另外，構成為具有層狀PTC要素、位於其兩側的層狀電極(通常是金屬箔)以及絕緣層的PTC單元是眾所周知的構件，例如在上述專利文獻中也已被公開，所以省略詳細說明。
[0054]如圖示那樣，在規定第I四分之一圓筒狀凹部的側面40上，形成了與第I層狀電極56在其端部68進行電連接的第I城堡狀電極50，並且，在規定各第2四分之一圓筒狀凹部37的側面41上，形成了與第2層狀電極58在其端部70進行電連接的第2城堡狀電極52。
[0055]為了能夠容易理解，在圖示的方式中，各城堡狀電極由側方金屬層部分72(與圖1的16或18相對應)、以及位於PTC元件66的上表面以及下表面的各自的兩端部的端部金屬層部分74 (與圖1的20或24相對應)以及76 (與圖1的22或26相對應)構成。這樣的金屬層部分如後所述從高效製造的觀點出發，優選為金屬鍍覆層。
[0056]在圖6中示意性地示出將本發明的其他方式的PTC裝置與圖3同樣地切斷了的情況下所出現的剖面。在圖示的方式中，作為多個示例而構成為具有2個PTC單元90以及92，該PTC單元90以及92構成為具有2個層狀PTC要素78以及80、以及在各PTC要素的兩側的表面上分別配置的第I層狀電極82以及84、以及第2層狀電極86以及88。這些PTC單元，由絕緣層94、96以及98夾住並被配置在這些絕緣層之間，使得絕緣層位於其兩側。這些絕緣層以及配置於其間的PTC單元進行層疊而形成作為層疊體的PTC元件。
[0057]與圖5的方式同樣地，PTC元件具有第I端部42以及第2端部44，在這些端部，具有第I四分之一圓筒狀部36以及第2四分之一圓筒狀部37，在規定這些四分之一圓筒狀部的側面上形成了第I城堡狀電極50以及第2城堡狀電極52。在圖示的方式中，第I層狀電極82以及84在其端部與第I城堡狀電極50電連接，而且，第2層狀電極86以及88與第2城堡狀電極52電連接。
[0058]在圖6所示的方式中，層疊了 2個PTC單元，但也可以按照PTC單元由絕緣層夾住的方式，層疊更多的PTC單元。在該情況下，通過構成為各PTC單元的一個層狀電極與第I城堡狀電極連接，另一個層狀電極與第2城堡狀電極連接，能夠構成PTC單元並聯連接的裝置。
[0059]例如，本發明的PTC裝置能夠按照下面的方式來製造。最初，在通過將聚合物PTC組成物擠壓成型而得到的聚合物PTC片的兩側的主表面，對結果會構成層狀電極的金屬層(例如金屬箔)進行壓接，或者對聚合物PTC組成物與金屬層同時進行擠壓，由此得到PTC片被金屬層夾住的狀態的層疊體。接著，對所得到的層疊體施行蝕刻處理，從而除去金屬層的一部分(圖5或圖6的部分100所對應的部位)，然後，在兩側重疊結果會構成絕緣層的絕緣性樹脂片(例如預浸料坯片)，進而，根據需要在外側重疊導電性金屬箔(例如銅箔)，將這些壓接成一體而得到壓接體。
[0060]然後，如圖8所示，進行穿孔使得在壓接體的規定部位形成圓筒狀的孔。然後，對完成穿孔的壓接體整體一併實施鍍銅處理，之後，僅遮蔽與上表面以及下表面的端部金屬層部分相對應的部分以及通過穿孔而形成的圓筒狀凹部，並對除此以外的金屬部分進行蝕刻處理。然後，除去遮蔽，從而形成與上表面以及下表面的端部金屬層部分相對應的部分22或23 (分別為切去90。的扇形狀部分104的矩形)4個集合起來而規定的I個更大的矩形的鍍覆層106、以及通過穿孔而形成的圓筒狀凹部的側面上的鍍覆層。在圖8中示意性地示出這樣形成的壓接體102。另外，這樣形成的與上表面以及下表面的端部金屬層部分22或23相對應的部分，通過銅箔以及在其上形成的鍍銅層而構成，但在例如圖5、圖6以及圖7中，將這些作為一體物而示出。然後，也可以根據需要，對壓接體102進行金屬鍍覆處理(例如鎳、錫的鍍覆處理)。
[0061]另外，通過進行穿孔，配置在PTC要素上的層狀金屬的厚度部分會露出圓筒狀凹部的側面部，這樣的側面部被進行鍍覆處理從而在側面形成城堡狀電極的側方金屬鍍覆層，層狀金屬的端部與側方金屬鍍覆層電連接。
[0062]通過將這樣鍍覆處理結束的壓接體102沿縱向的分割線110以及橫向的分割線112進行切斷，能夠得到一個一個的本發明的PTC設備10。通過這樣形成PTC裝置在縱、橫上相互相鄰的狀態的壓接體，然後進行分割，能夠高效地製造PTC裝置。
[0063]除了在PTC元件的規定部位形成四分之一圓筒狀凹部以外，通過上述那樣的壓接體的形成、穿孔以及鍍覆處理等來製造如圖5以及圖6所示具有PTC元件的層狀電極與城堡狀電極電連接的結構的PTC裝置的方法基本上是已知的，例如能夠參照上述專利文獻I
坐寸ο
[0064]另外，本發明的PTC裝置在PTC要素為硬質的情況下特別有效。即，在構成PTC要素的導電性聚合物組成物構成為包含比較硬質的聚合物的情況下，例如在包含聚偏氟乙烯樹脂(PVDF)的情況下，與比較軟質的樹脂(例如聚乙烯)相比較，難以緩和PTC要素的膨脹/收縮所產生的應力，所以在PTC裝置中設置四分之一圓筒狀凹部並在此形成城堡狀電極是有效的。
[0065]符號說明
[0066]10 PTC 裝置
[0067]11PTC 元件
[0068]12,14半圓筒狀凹部分
[0069]16、18側方金屬層部分
[0070]20、22、24、26端部金屬層部分
[0071]28 基板
[0072]30 焊盤
[0073]32焊料連接部[0074]34焊料部分
[0075]36第I四分之一圓筒狀凹部
[0076]37第2四分之一圓筒狀凹部
[0077]40、41 側面
[0078]42第I端部
[0079]44 第 2 端部，
[0080]46 一個端部
[0081]48另一個端部
[0082]50第I城堡狀電極
[0083]52第2城堡狀電極
[0084]54層狀PTC要素
[0085]56第I層狀電極
[0086]58第2層狀電極
[0087]60 PTC 單元
[0088]62第I絕緣層
[0089]64第2絕緣層
[0090]66 PTC 元件
[0091]68第I層狀電極的端部
[0092]70第2層狀電極的端部，
[0093]72側方金屬層部分
[0094]74、76端部金屬層部分
[0095]78、80 層狀 PTC 要素
[0096]82、84第I層狀電極
[0097]86、88第2層狀電極
[0098]90、92 PTC 單元
[0099]94、96、98 絕緣層
[0100]100金屬層的一部分
[0101]102壓接體
[0102]104扇形狀部分
[0103]106更大的矩形的鍍覆層
【權利要求】
1.一種PTC裝置，構成為具有PTC元件， 所述PTC元件具有: PTC單元，其構成為具有層狀PTC要素以及在其兩側的表面上分別配置的第I層狀電極以及第2層狀電極；和 絕緣層，其位於各層狀電極的外側， 所述PTC裝置的特徵在於， PTC元件具有第I端部以及第2端部，在第I端部，在其各角部分具有第I四分之一圓筒狀凹部，並且在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部， 各第I四分之一圓筒狀凹部具有與第I層狀電極電連接的第I城堡狀電極，並且各第2四分之一圓筒狀凹部具有與第2層狀電極相連接的第2城堡狀電極。
2.—種PTC裝置，其特徵在於， 構成為具有作為層疊體的PTC元件，該層疊體由構成為具有多個層狀PTC要素以及在各PTC要素的兩側的表面上分別配置的第I層狀電極以及第2層狀電極的多個PTC單元、和配置於PTC單元之間使得將這些PTC單元夾在中間隔開的絕緣層層疊而成， PTC元件具有第I端部以及第2端部， PTC元件在第I端部，在其各角部分具有第I四分之一圓筒狀凹部，並且在第2端部，在其角部分具有第2四分之一圓筒狀凹部， 各第I四分之一圓筒狀凹部具有與各PTC要素的第I層狀電極電連接的第I城堡狀電極，並且各第2四分之一圓筒狀凹部具有與第2層狀電極相連接的第2城堡狀電極。
3.根據權利要求1或2所述的PTC裝置，其特徵在於， 各城堡狀電極構成為具有形成於規定四分之一圓筒狀凹部的側面的側方金屬層部分以及在PTC元件的一個主表面的端部上延伸的端部金屬層部分。
4.根據權利要求3所述的PTC裝置，其特徵在於， 端部金屬層部分構成為具有金屬箔部分以及在其上形成的金屬鍍覆層部分。
5.根據權利要求3或4所述的PTC裝置，其特徵在於， 側方金屬層部分由金屬鍍覆層形成。
6.根據權利要求1?5中任一項所述的PTC裝置，其特徵在於， 層狀PTC要素由構成為包含聚偏二氟乙烯的導電性聚合物組成物而形成。
【文檔編號】H01C7/02GK103918040SQ201280055237
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年9月14日 優先權日:2011年9月15日
【發明者】薄井久 申請人:泰科電子日本合同會社