彈性表面波裝置及其製造方法
2023-11-01 02:58:32
專利名稱：彈性表面波裝置及其製造方法
技術領域：
本發明涉及具有實施電信號與彈性表面波之間轉換的簾狀電極的彈性表面波裝置，尤其涉及對應低頻的小型彈性表面波裝置。
背景技術：
近年來，在便攜電話與電視接收機等的電子器件及通信器件中，彈性表面波裝置(以下稱為「 SAW(Surface Acoustic Wave)裝置」)被作為共振子及帶通濾波器等使用。
圖15是表示現有的SAW裝置的一例的平面圖。
該SAW裝置1是一種單埠型SAW共振子，配有壓電基片2與作為簾狀電極的梳狀電極(IDT(inter Digital Transducer叉指式換能器))3及反射器4。
壓電基片2利用比如水晶形成矩形片狀。IDT3及反射器4在壓電基片2的表面上通過導體金屬蒸鍍或濺射等方法形成薄膜狀，通過影印法等以簾狀形式形成。
具體地說，IDT3按照多個電極指3a按規定間距並排設置，長度方向上的各端部被互相短路的形式形成。即，2個梳狀電極的各梳齒部分按照相隔規定距離互相交錯插入的方式形成。該IDT3具有通過被電連接的外部端子5，實施電信號與彈性表面波(SAW)之間的轉換的功能。
反射器4按照多個導體條4a按規定間距並排設置，長度方向上的各兩個端部被短路的形式形成。因此，比如同一構成的2個反射器4按照導體條4a與IDT3的電極指3a平行，而且在與彈性表面波的傳播方向，即IDT3的電極指3a的長度方向正交的方向上相隔規定的距離夾持IDT3的原則被形成。該反射器4具有對由IDT3傳來的彈性表面波進行反射，把彈性表面波的能量封閉在內部的功能。
在上述構成下，電信號在通過外部端子5輸入到IDT3內後，通過壓電效果被轉換成彈性表面波。該彈性表面波在與IDT3的電極指3a的長度方向正交的方向上被傳播，被從IDT3的兩側向反射器4放射。此時，具有由壓電基片2的材質、電極厚度及電極寬度等決定的傳播速度和等於IDT3的電極指3a的電極周期d0的波長的彈性表面波被以最大強度激勵。該彈性表面波通過反射器4被多級反射，返回IDT3，被轉換成具有共振頻率附近的頻率(工作頻率)的電信號，從IDT3通過外部端子5被輸出。
不過，上述說明的現有的技術中，存在以下問題。
近年來，搭載SAW裝置的各種信息設備類等有極小型化的傾向，根據搭載設備的目的，與高頻對應的SAW裝置及對應低頻的SAW裝置等的各種SAW裝置也有被小型化的必要。
這裡，作為SAW裝置中所採用的彈性表面波的種類，有所謂瑞利波和所謂SH波(Share Horizontal Wave)。
上述表面彈性波，比如其傳播速度在瑞利波的場合下，在ST截割水晶X傳輸波中是3150m每秒，在SH波的場合下，在36度旋轉Y截割水晶Y傳輸波中是5000m每秒。
由於SAW裝置的頻率f＝v/λ(v＝壓電基片的音速，λ＝振動波的波長)，因而如果頻率f降低，波長將變長，IDT的間隔便增大。因此，在使對應低頻的SAW裝置小型化方面，採用速度較慢的瑞利波的必要性將提高。
此外，該瑞利波與SH波還有以下特性上的不同。
圖16是說明壓電基片2中瑞利波的變位成分的附圖，瑞利波具有在沿傳輸方向A傳播的同時，沿壓電基片2的深度方向傳播的變位成分U3和沿與此正交的方向處在壓電基片2表面上的變位成分U1，總體來看，類似於水面的豎波。
與此相對，圖17是說明壓電基片2中SH波的變位成分的附圖，SH波中，沿傳輸方向A傳播的同時，在與此正交方向上傳輸的變位成分U2幾乎佔據了主要部分，從上看與圖18相似。
此外，用於傳輸SH波和瑞利波的壓電基片雖然可以採用比如相同的水晶，但如圖19所示，後述的截割角方位與傳輸方向有不同。因此，在傳輸圖19中壓電基片的截割角方位(φ，θ，ψ)處於(0，126，90)的SH波的水晶基片場合下，與圖20所示的坐標對應的SH波的U1，U2，U3的相對變位成分在橫軸上通過波長對圖20的Z方向規格化表示，縱軸代表相對變位，由圖21表示。
此外，圖22是按各變位成分同樣表示作為用於傳輸瑞利波的壓電材料，圖19的壓電基片的截割角方位(φ，θ，ψ)處於(0，123，0)場合下的相對變位U1，U2，U3的附圖。
這樣，在瑞利波的場合下，與SH波相比，壓電材料深度方向Z的變位U3的變位逐漸減小。
此外，雖然已知由於SH波是橫波，因而可以通過壓電基片2的彈性表面波的傳播方向的垂直端面反射，但瑞利波在壓電基片2的彈性表面波的傳播方向端面被轉換成體波，不再返回。
考慮到上述情況，在製造對應低頻的小型SAW裝置的場合下，雖然有必要採用用於傳輸瑞利波的壓電材料，但由於該彈性表面波不能由基片端面反射，因而為封閉能量，必須採用反射器。
而且，由於有必要通過該反射器十分有效地反射彈性表面波，因而有必要通過多個導體條形成反射器，因而必須採用具有很大面積的壓電基片，從而存在一個在小型化方面有限制的問題。
發明內容
本發明的目的是通過解決上述問題，提供可在壓電基片的端面反射瑞利波，減少用於形成反射器的導體條的根數，可以小型形成的對應低頻的彈性表面波裝置及其製造方法。
上述目的通過下述彈性表面波裝置來實現，即依據權利要求1的發明，該彈性表面波裝置配有傳送瑞利波的矩形片狀壓電基片；在該壓電基片上形成簾狀電極而設置的梳狀電極及反射器，其中上述壓電基片的至少表面側的短邊端面，在來自上述反射器端部的導體條的應力波的假想波節位置，作為與上述導體條大致平行的垂直平滑面，形成對上述應力波進行反射的反射端面。
依據權利要求1的構成，在傳輸瑞利波的矩形片狀壓電基片上，形成有梳狀電極及反射器。在該場合下，通過壓電基片的至少表面側的短邊端面形成規定形狀的端面，可用該端面反射在壓電基片上傳播的彈性表面波。因此，由於通過利用壓電基片的端面反射彈性表面波，只利用反射器的功能不反射所有的彈性表面波也可以，因而可以減少其反射器的導體條數量，可使壓電基片小型化。
在此，根據本發明者等的研究，瑞利波的彈性表面波通過壓電基片端面被反射的條件如下。
經發現，通常在傳輸瑞利波的SAW裝置中，彈性表面波在其傳播方向上的端面上被轉換成體波，不返回。但在壓電基片上設置梳狀電極及反射器的場合下，在規定條件下，從梳狀電極出來傳播的彈性表面波與通過反射器反射的反射波匯合後，成為作為向壓電基片深度方向的單純單振波的應力波，被從反射器向壓電基片端面反射。
為實現這樣的現象，第1，壓電基片端面的位置要處於來自反射器端部導體條的應力波的假想波節的位置。在該場合下，在壓電基片的端面上，由於滿足端面自由的邊界條件，反射波不妨礙壓電基片的振動，因而可認為不會發生造成振動能量分散的散亂體波。而且，為使壓電基片的端面恰當地使反射波返回，該端面有必要與梳狀電極及反射器的導體條大致平行。由此，反射波向正確的方向反射。此外，壓電基片的端面有必要成為垂直的平滑面。由此，反射波不會被漫反射。
這樣，在權利要求1的SAW裝置中，由於可通過端面反射在壓電基片上傳播的彈性表面波，因此，由於只利用反射器的功能不反射所有的彈性表面波也可以，因而可減少其反射器的導體條數量，可實現壓電基片的小型化。
權利要求2中記載的發明的特徵在於在權利要求1的構成中，上述反射端面從反射器端部的導體條的基礎端部至上述反射端面的距離B由算式B＝(n×PR)±(PR/2)×δ(式中，n＝整數，PR＝λ/2，δ＝容許值，λ＝瑞利波的波長)規定。
依據權利要求2的構成，通過求出滿足從反射器端部的導體條的基礎端部至上述反射端面的距離B為B＝(n×PR)±(PR/2)×δ(式中，n＝整數，PR＝λ/2，δ＝容許值，λ＝瑞利波的波長)的條件的位置，可以把反射端面的位置恰當地確定在上述應力波的假想波節位置上。
權利要求3中記載的發明的特徵在於在權利要求2的構成中，上述容許值δ，在使梳狀電極的電極指的對數保持一定時，與上述反射器的導體條數對應確定。
依據權利要求3的構成，當求反射端面的位置時，可與反射器的導體條數對應，考慮尺寸精度。
權利要求4中記載的發明的特徵在於在權利要求1至3的構成中，上述反射端面，在上述應力波的假想波節位置，被設置在與上述壓電基片表面有一定距離的深度，反射端面的下端設有梯狀部。
依據權利要求4的構成，由於要求嚴密的位置精度的反射端面的形成被限定在壓電基片表面的一定深度上，因而在通過作為除此之外的位置的梯狀部的切割而形成的場合下，較容易實施切割工序。
權利要求5中記載的發明的特徵在於在權利要求1至4的構成中，上述反射端面，在從形成壓電材料的薄片上按照形成各壓電基片的大小被切割時形成，至少與上述反射端面對應的部分通過蝕刻形成。
依據權利要求5的構成，要求嚴密的位置精度的反射端面的形成與比如由刀片切割等相比，易於保證良好的精度。此外，由於可以避免由於刀片切片所產生的碎屑，因而可使反射端面形成平滑面。
此外依據權利要求5的構成，即使在薄片上形成多個SAW裝置的場合下，也可以通過蝕刻一次性形成反射端面。因此與比如通過切片依次形成反射端面的場合相比，可縮短製造時間，同時還可以削減製造成本。
權利要求6中記載的發明的特徵在於在權利要求1至5的構成中，上述反射端面，在上述壓電基片的表面側，由在上述反射器外側沿上述反射器形成的溝槽部的內側面構成。
依據權利要求6的構成，可以在壓電基片表面的外周邊緣確保平坦部分。由此，可以確保與被結合在壓電基片表面的外周邊緣部的蓋部件的氣密性。因此可以使SAW傳輸面保持氣密性。
權利要求7中記載的發明的特徵在於用於反射從壓電基片上的梳狀電極放射的在上述壓電基片表面傳播的瑞利波並使之返回至上述梳狀電極的上述壓電基片的反射端面通過蝕刻在規定的位置上形成。
依據權利要求7的構成，要求嚴密的位置精度的反射端面的形成與比如由刀片切片等相比，易於保證良好的精度。此外，由於可以避免由於刀片切片所產生的碎屑，因而可使反射端面形成平滑面。
而且依據權利要求7的構成，即使在薄片上形成多個SAW裝置的場合下，也可以通過蝕刻一次性形成反射端面。因此與比如通過切片依次形成反射端面的場合相比，可縮短製造時間，同時還可以削減製造成本。
權利要求8中記載的發明的特徵在於在權利要求7的構成中，具有在上述壓電基片的表面形成電極材料覆膜的工序、在上述電極材料覆膜上產生第1圖案，形成反射端面形成用掩模的工序、利用上述反射端面形成用掩模，通過蝕刻形成上述反射端面的工序、在上述電極材料覆膜上產生第2圖案，形成電極的工序。
依據權利要求8的構成，利用用於形成電極的電極材料覆膜製成反射端面形成用掩模，對壓電基片進行蝕刻，形成反射端面。由此，便沒有必要另外形成用於製作反射端面形成用掩模的掩模材料覆膜，也沒有必要除去掩模材料覆膜。因此可以縮短製造時間，同時還能削減製造成本。
權利要求9中的發明的特徵在於在權利要求7或8的構成中，上述蝕刻是幹蝕刻。
依據權利要求9的構成，可實施各向異性蝕刻。因此能以良好的精度形成位置精度要求嚴格的反射端面。
權利要求10中的發明的特徵在於在權利要求8的構成中，上述第1圖案產生工序由光刻工序和利用在該光刻工序中形成的掩模對上述電極材料覆膜進行蝕刻的工序構成。
權利要求11中的發明的特徵在於在權利要求8的構成中，上述第2圖案產生工序由光刻工序和利用在該光刻工序中形成的掩模對上述電極材料覆膜進行蝕刻的工序構成。
依據權利要求10或11的構成，能以良好的精度形成位置精度要求嚴格的反射端面。
權利要求12中的發明的特徵在於在權利要求11的構成中，上述第2圖案產生工序中的光刻工序，是在利用在上述第1圖案產生工序中在上述電極材料覆膜上形成的對準標記，確定耐曝光用掩膜針對上述反射端面的相對位置後實施。
依據權利要求12的構成，可以正確實現在反射器最外側的導體條中的基礎端部與反射端面的相對位置關係。
權利要求13中的發明的特徵在於利用權利要求7至11任一記載的彈性表面波裝置的製造方法進行製造。
依據權利要求13的構成，可以製造出具有權利要求7至11中的構成下的效果的彈性表面波裝置。
圖1是表示本發明的SAW裝置的第1實施方式的概略斜視圖。
圖2是圖1的SAW裝置的概略平面圖。
圖3是將圖1的SAW裝置的一部分放大表示的放大剖面圖。
圖4是說明用於求出圖1的SAW裝置的反射端面位置的方法的附圖。
圖5是將與圖1的SAW裝置對應的壓電基片端部放大表示的概略剖面圖。
圖6是用於說明使圖1的SAW裝置的反射端面位置改變後的場合下的CI(晶體阻抗)值的附圖。
圖7是與圖1中SAW裝置的反射器電極數的變化對應，測量與SAW裝置的反射端面位置有關的容許值δ的範圍變化的曲線圖。
圖8是在圖1的SAW裝置的壓電基片兩端邊塗布彈性材料，測量SAW裝置的CI值的曲線圖。
圖9是表示把形成圖1的SAW裝置的壓電基片的薄片切割成形成單個SAW裝置的各壓電基片的工序的附圖。
圖10是把圖9的一部分放大表示的正面圖。
圖11是在圖10的切割作業中，以橫軸取E表示切片刀刃的厚度，以縱軸表示從導體條的各基礎端至應形成的端面的距離C3的曲線圖。
圖12是以橫軸表示SAW裝置的設計頻率，以縱軸表示與各頻率對應的IDT及形成反射器中必要的導體條根數的場合下的壓電基片大小的變化的曲線圖。
圖13是表示本發明的SAW裝置的第2實施方式的概略平面圖。
圖14是表示本發明的SAW裝置的第3實施方式的概略平面圖。
圖15是表示現有的SAW裝置的概略平面圖。
圖16是用於說明在壓電材料上傳播的瑞利波的概念圖。
圖17是用於說明在壓電材料上傳播的SH波的概念圖。
圖18是用於說明在壓電材料上傳播的SH波的概略斜視圖。
圖19是表示傳輸瑞利波的壓電材料與傳輸SH波的壓電材料的結晶方位差異的附圖。
圖20是表示在壓電材料上傳輸的彈性表面波的傳輸方向的附圖。
圖21是表示SH波的變位成分的相對變位的附圖。
圖22是表示瑞利波的變位成分的相對變位的附圖。
圖23是圖5的SAW裝置的總體圖，(1)是平面圖，(2)是沿C-C線的側面剖面圖。
圖24是在薄片上通過蝕刻形成圖23所示的SAW裝置的方法的說明圖。
圖25是在反射器的外側通過蝕刻形成有溝槽部的SAW裝置的說明圖，(1)是平面圖，(2)是沿A-A線的側面剖面圖。
圖26是在薄片上通過蝕刻形成圖25所示的SAW裝置的方法的說明圖。
圖27是ICP幹蝕刻裝置的說明圖。
圖28是圖25所示的SAW裝置的製造工序流程圖。
圖29是圖25所示的SAW裝置的製造工序的第1說明圖。
圖30是圖25所示的SAW裝置的製造工序的第2說明圖。
圖31是圖25所示的SAW裝置的製造工序的第3說明圖。
圖32是在薄片上形成圖案的對準標記的平面圖。
圖33是在第2光掩模上繪製的對準標記的平面圖。
圖34是圖32所示的對準標記與圖33所示的對準標記重疊後狀態的平面圖。
圖35是在圖25所示的SAW裝置中安裝有蓋部件狀態下的側面剖面圖。
圖36是SAW振蕩器的平面圖。
圖37是通過蝕刻形成反射端面場合下的反射端面位置偏移的測量結果的曲線圖。
圖38是多個SAW裝置中的CI值測定結果的曲線圖，(1)是通過蝕刻形成了反射端面的SAW裝置中的CI值的測定結果，(2)是未通過蝕刻形成反射端面的SAW裝置中的CI值的測定結果。
實施方式以下基於附圖對適合本發明的實施方式作以說明。
圖1是表示本發明的SAW裝置的第1實施方式的概略構成的斜視圖。此外圖2是與圖1相同的SAW裝置10的平面圖，為便於理解說明要點，顯示中對梳狀電極(IDT)13及反射器14的導體條數進行了改動。
該SAW裝置10配有壓電基片12、作為簾狀電極的梳狀電極13以及反射器14。
壓電基片12，作為壓電材料，是在比如水晶、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)等單晶基片和Si基片上形成了ZnO膜的基片等的多層膜基片等，如圖19所示，按照產生傳輸瑞利波的結晶方位的原則被形成。壓電基片12的形狀比如如圖所示，呈矩形片狀，其各短邊的端面15，16被確定在後文詳述的位置上。
梳狀電極(IDT)13及反射器14通過在壓電基片12的表面上利用對鋁及鈦等導體金屬進行蒸鍍或濺射等形成薄膜狀，並通過影印等形成簾狀的方法形成。
具體地說，IDT13按照多個電極指13a被按照相隔間隔S的規定間距PT的2倍並列設置，長度方向上的各端部短路的原則形成。即2個梳狀電極的各梳齒部分按照以規定距離互相交錯插入的方式形成。該IDT31具有通過被電連接的圖15所示的外部端子5實施電信號與彈性表面波(SAW)之間的轉換的功能。
在IDT13的兩側，分別以間隙G相隔，設有反射器14，14。反射器14按照多個導體條14a與IDT13同樣按相隔間隔S的規定間距被並排設置，長度方向上的各兩個端部被短路的原則形成。
因此，比如同一構成的2個反射器14，14按照導體條14a與IDT13的電極指13a平行，而且在與彈性表面波的傳播方向，即IDT13的電極指13a的長度方向正交的方向上相隔規定的距離夾持IDT13的原則被形成。該反射器14，14具有對由IDT13傳來的彈性表面波進行反射，把彈性表面波的能量封閉在內部的功能。
這裡，在本實施方式下，SAW裝置10採用與比如106兆赫左右的低頻對應形成的，IDT13的對數(成對的電極指13a的對數)為60對，反射器14的導體條數為105根的小尺寸晶片。
圖3是將包括SAW裝置10的反射器14與壓電基片端面的一部分放大後顯示的剖面圖。
圖3雖然表示反射器14的尺寸的一部分，但反射器14a的寬度P與14b相同，14a與14b均與間隔S同寬。此外包括反射器14a的寬度P(圖2所示的電極指13a也幾乎相同)與間隔S的PR被設定為λ/2(λ是表面彈性波的波長)。因此，間隔S與反射器14a的寬度P被分別設定為λ/4。
因此，間距P與電極指13a的寬度(導體條14a也同樣)被分別設定為λ/4。此外，電極指13a的高度H大致處於H/λ＝0.02至0.04。
因此，在本實施方式下，壓電基片12的至少表面側的短邊端面15，16通過被設定在來自上述反射器端部的導體條14b，14c的各應力波的各假想波節位置上，形成用於反射該應力波的反射端面。
以下對該反射端面15，16作詳細說明。
在本實施方式下，如上所述，在形成與低頻(比如106兆赫左右)對應的小型化SAW裝置10中，把它作為壓電基片12用於傳輸瑞利波。
在這種傳輸瑞利波的SAW裝置中，如上所述，通常彈性表面波在其傳播方向的端面上被轉換成體波，不再返回。但經發現，在壓電基片12上設置IDT13及反射器14的場合下，在規定條件下，由梳狀電極輸出傳播的彈性表面波與通過反射器被反射的反射波匯合後，成為作為沿壓電基片12深度方向上的單純單振波的應力波T，被從反射器14向壓電基片端面15，16出射。
作為形成上述反射端面的一個條件，圖5所示的壓電基片12的端面位置15(16)有必要成為來自反射器14端部的導體條14b，14c的圖4所示應力波T的假想波節J的位置。
圖4是說明用於求算該端面位置的方法的附圖。
圖4是作為該單振波的應力波T的波形的假想示意圖。圖中，該應力波T具有與表面彈性波相同的周期λ，在λ/2處，應力波T的波節J與波腹V交換。
因此，可成為反射端面的壓電基片12的端面位置將成為如果以反射器14的端部的導體條14b，14c的內端部為基礎端部，根據在每半個波長的位置上重複一次的應力波T的波節J的位置，反射端面位置＝n×PR ......算式(1)圖5是將與圖1的SAW裝置10對應的壓電基片12的端部放大表示的概略剖面圖，即在該圖中，應設置壓電基片12的端面的位置是從位於反射器14的最外側端部的導體條14b或14c的基礎端部至外側方向上相隔B距離處的位置。
距離B基於上述算式(1)，呈以下形式，
反射端面位置B＝(n×PR)±(PR/2)×δ ......算式(2)(式中，n是整數，δ是後述的容許值)。
此外，在圖1及圖2中，與距離B對應的B1與B2的大小差異因上述n數的差異而致，在滿足上述算式(2)的場合下，B1與B2也可以相等。
通過在從位於上述反射器14的最外側的端部上的導體條14b或14c的基礎端部至外側方向上相隔B距離處的位置上設置端面15，16，在壓電基片12的端面上，由於能滿足端面自由的邊界條件，反射波不妨礙壓電基片12的振動，因而認為不發生造成振動能量散逸的分散體波(scattering bulk wave)，可以反射彈性表面波。
此外，為使壓電基片12的端面15，16能恰當地使反射波返回，該端面有必要與IDT13及反射器14的各電極指13a、導體條14a大致平行。這樣，反射波可被向正確方向反射。
此外，壓電基片12的端面15，16有必要成為垂直的平滑面。這樣，反射波不能被漫反射。
此外，如圖5所示，沒有必要沿整個厚度設置壓電基片12的反射端面15，16，比如，也可以將梯狀部21除外，設置成該梯狀部21的內側垂直面。在該場合下，反射端面15，16的深度t與有關彈性表面波的傳輸的壓電基片12的壓電材料厚度對應，該深度t最好被設定得等於或大於λ/2。
此外，通過按照把圖5所示的梯狀部12除外的原則形成圖1的SAW裝置10的反射端面，可採用後述的製造方法，具有製造上的長處。
圖6是基於上述算式(2)，求算出使n值變化後形成壓電基片12的反射端面15，16場合下的SAW裝置10的CI(晶體阻抗)值後的附圖。
圖6(a)表示把上述n值設為若干個整數4，5，6後的位置，圖6(b)以曲線圖形式表示在該各位置上設置反射端面15，16的場合下的CI值，橫軸與反射端面15，16的位置變化對應，縱軸表示CI值。
如圖6(b)所示，與上述算式(2)的各n值對應，CI值呈周期性變化。因此，比如，如果把圖示的40Ω位置設定為容許線L，便可以確認各n值具有分別滿足由(PR/2)·δ所表示的範圍內的容許線L的容許值。
圖7是表示模擬該容許值(PR/2)·δ範圍的結果的附圖，橫軸代表與正負(PR/2)·δ相當的相對公差，縱軸代表CI值。即橫軸的相對公差為0的場合表示(PR/2)的位置，向左右偏離該位置的位置相當於正負(PR/2)·δ。
該場合表示IDT13的電極指13a的數量被固定為80對(M＝80)，反射器14的導體條14a的根數(N)為80根的場合。把CI值的容許線L作為40Ω設定的場合下的切割位置公差大致為0.6。
圖8所示為在與圖1中說明的SAW裝置10的相同構成下，把其端面15，16設置到按上述方法構成反射端面的位置上，嘗試性地在壓電基片12的兩端邊(反射端面15，16的區域)塗布彈性材料，比如矽酮，測量SAW裝置10的CI值。此外圖8所示是在同一條件下多次試驗後的結果。
如圖所示，在塗布前較小的CI值在塗布矽酮後增大。即到達反射端面15，16後的彈性表面波被彈性材料吸收，不被反射，不返回IDT13，結果是不能發揮封閉能量的作用，致使CI值增大。
在本實施方式的SAW裝置10中，由於可以通過反射端面15，16反射基於在壓電基片12上傳輸的瑞利波的彈性表面波，因而只利用反射器14的功能不能反射所有的彈性表面波也可以，因而可以減少其反射器14的導體條14a的數量，可以以小型化形成構成對應低頻的SAW裝置10的壓電基片12。
圖9及圖10是表示本實施方式的SAW裝置10的製造工序一部分的附圖。
本實施方式下的SAW裝置10的工序設置包括使由作為壓電材料的比如水晶等形成的薄片20按照具有傳輸上述瑞利波所必需的結晶方位的構成形成，對該薄片20，按矩陣狀形成多個IDT13和反射器14，14的多個電極指及導體條，上述工序與傳統工序相同。
這樣，在以矩陣狀形成了上述多個IDT13與反射器14，14的薄片20的底面上，利用比如玻璃片塗上熱融蠟等。接下來實施切割工序。
圖9表示把薄片20切割成形成單個SAW裝置10的各壓電基片12的工序。即薄片20通過與各SAW裝置10的長邊方向平行的多個切割線C1及沿與此正交的方向的多個切割線C2被切割。
這裡，沿切割線C1的切割工序由於與上述的壓電基片12的反射端面15，16無關，因而無需達到與其功能有關的嚴密的精度，因此與現有的工序相同，比如，可以利用規定的刀片等進行適當切割。
與此相反，沿切割線C2的切割工序有必要按照使由沿各壓電基片12的切割線C2的切割形成的端面作為反射端面15，16發揮作用的原則切割，有必要實施更精密的加工。
圖10是從圖9前面觀看由該切割線C2切割的位置的放大圖。
在圖10的薄片20中，把在與長度方向鄰接的壓電基片12，12上形成的反射器14，14的各端部的導體條14b，14c的各基礎端部之間的距離設為D，把從各端部的導體條14b，14c的各基礎端部至應形成的端面的距離設為C，把用於切割的切片刀片23的刃厚設為E，把實際切割寬度設為F進行表示。
這樣，如果假設把切割中心C4的位置設在上述距離D的中點上，則從各端部的導體條14b，14c的各基礎端部至應形成的端面的距離C3根據上述算式(1)及圖10的關係呈以下算式形式C3＝n×PR＝(D-E)/2 ......算式(3)這樣，如果使切片刀片23的刃厚E與切割寬度F幾乎相同，則根據各端部的導體條14b，14c的各基礎端部之間的距離D與用於切割的切片刀片23的刃厚E之間的關係，從導體條14b，14c的各基礎端部至應形成的端面之間的距離C3有必要滿足n·PR的關係。
這樣，在製作頻率為106.25兆赫的SAW裝置10時，為採用上述方法，把比如圖10的各端部的導體條14b，14c的各基礎端部之間的距離D設為比如312微米，切片刀片23的刃厚E定為150微米實施切割，以進行觀察。
然而，將該場合下的各數值代入上述算式(3)內後，C3＝(D-E)/2＝(312.6-150)/2＝81.3(微米)從各端部的導體條14b，14c的各基礎端部至應形成的端面的距離C3的最後結果是81.3(微米)。
根據該C3的結果是81.3(微米)，對是否基於與應力波的關係作為反射端面發揮作用進行一下探討，由於應製造的SAW裝置10的頻率是106.25兆赫，因而波長λ為29.65微米。由於PR＝λ/2，所以根據PR＝29.65/2，得出PR為14.82(微米)。
這樣，作成圖11後可以看出，圖11是其橫軸代表切片刀片23的刃厚E，縱軸代表從導體條14b，14c的各基礎端部至應形成的端面的距離C3的曲線圖。從圖11中可看出，縱坐標81.3(微米)幾乎處於n＝5與n＝6的中間，與應力波T的波腹V相當，CI值較高。
因此，為使距離C3與應力波T的波腹J對應，根據曲線圖，切片刀片23的刃厚E有必要再薄一些，比如138微米(C3＝87.3微米，n＝6)，或者再厚一些，比如167微米(C3＝72.8微米，n＝5)。
這樣，在利用切片刀片23實施圖10所示的切割的場合下，通過正確求出其刃厚E與切割寬度F之間的關係，也可以形成本實施方式下的反射端面15，16。
因此，參照圖5可看出，上述正確的切片可以從壓電基片12的表面切至深度t，如果在深度t前形成圖10所示的U字型溝槽25，通過刃厚更薄一些的切片刀片把剩餘部分從大致相當於切割中心C4的位置迅速切離，則可獲得具有圖5所示的端面形狀的SAW裝置10。
此外，如果最初不採用上述的切片刀片23，而通過比如規定的溼蝕刻或幹蝕刻，形成上述的U字型溝槽25，則可以設置更正確的端面位置。因此，在該場合也同樣，如果形成U字型溝槽25，通過刃厚更薄一些的切片刀片把剩餘部分從大致相當於切割中心C4的位置迅速切離，則可獲得具有圖5所示的端面形狀的SAW裝置10。
圖23是圖5的SAW裝置10的總體圖。同圖的(1)是平面圖，同圖的(2)是沿C-C線的側面剖面圖。另一方面，圖24是在薄片上通過蝕刻形成多個SAW裝置10的方法說明圖。如圖24中的影線所示，可以以切割線C2為中心線，在與上述的切割寬度F或切片刀片的刃厚E相同的寬度內，實施薄片的蝕刻。
如果通過上述方法製造圖1的SAW裝置10，可以把該反射端面製成保留圖5所示的梯狀部12的形狀。該場合如上所述，由於如果從壓電基片12的表面至深度t進行精度加工，則在以後可以利用精密度不太高的方法切割，因此便於製造。
圖25是在反射器的外側通過蝕刻形成了溝槽部的SAW裝置的說明圖。同圖中的(1)是平面圖，同圖中的(2)是沿A-A線的側面剖面圖。
在圖25的SAW裝置50中，在反射器14的外側沿反射器14形成溝槽部52，通過該溝槽部52的內側面形成反射端面15，16。反射端面15，16的形成位置B設為與圖5相同的位置。
此外，溝槽部52的長度s大於梳狀電極13及反射器14的寬度w。由於在梳狀電極13中，從其整個寬度上發射瑞利波，因而通過使溝槽部52的長度s大於梳狀電極13的寬度w，在反射端面15，16中可以反射全部的瑞利波。
此外，溝槽部52的深度t與圖5相同，形成深度超過λ/2。由於瑞利波在從壓電基片12的表面至深度λ/2的範圍內被傳輸，因而通過使溝槽部52的深度t超過λ/2，可以在反射端面15，16中反射全部瑞利波。
此外，溝槽部52的寬度r按照n×PR的寬度形成。這樣，即使假設瑞利波從由溝槽部52的內側側面構成的反射端面15，16上通過，所通過的該瑞利波也會被溝槽部52的外側側面反射。因此，可以對瑞利波進行可靠的反射。
圖26是在薄片上通過蝕刻形成多個SAW裝置50的方法說明圖。圖26中影線所示薄片上的各SAW裝置50的各溝槽部52通過蝕刻全部同時形成。
溝槽部52的蝕刻通過幹蝕刻實施。在幹蝕刻中，採用C4F8等的CF系氣體、SF6等的SF系氣體等含有氟的氣體作為蝕刻氣體使用。對該蝕刻氣體進行等離子處理，生成氟基，通過利用該氟基對壓電基片進行的處理，實施蝕刻。
此外，如果在蝕刻氣體中加進氧氣，則氟基的生成量將增加，等離子體濃度提高，可提高蝕刻率。此外，如果加進He與Ar等分子量較小的稀有氣體，可以在低能耗下發生等離子體，同時可以維持所發生的等離子體。
在壓電基片的幹蝕刻中，可以採用以下說明的ICP幹蝕刻裝置。圖27是ICP幹蝕刻裝置的說明圖。作為ICP(誘導鍵合型等離子體)幹蝕刻裝置100，首先設置腔室102。此外在腔室102內設置搭載薄片20的平臺104。另外設置用於對腔室102抽真空的真空泵106。
此外設置向腔室102內提供蝕刻氣體的蝕刻氣體提供單元112、提供惰性氣體的惰性氣體提供單元114、提供氧氣的氧氣提供單元116。另 一方面，設置將腔室102內使用後的氣體排出的排氣配管118。此外，排氣配管118與圖中未示出的排氣泵連接，還與圖中未示出的除害裝置連接，可把上述使用後的氣體向外部排出。
在腔室102的上部外側，按照包繞腔室102的原則設置感應線圈122。感應線圈122與第1高頻電源124連接。另一方面，載物臺104與第2高頻電源126連接。
這樣，通過感應線圈122在腔室102內發生的磁場，蝕刻氣體被實施等離子處理，生成氟基。此外，通過第2高頻電源126在腔室100內發生的偏置電場，氟基從垂直上方作用到薄片20上，實施各向異性蝕刻。此外，如果採用上述的ICP幹蝕刻裝置100，可得到比如1～2微米/分的蝕刻率，在15～30分鐘左右可完成溝槽部的蝕刻。
圖28是圖25所示的SAW裝置50的製造工序流程圖。圖29、圖30及圖31是SAW裝置50的製造工序說明圖。此外以下各工序對於在同一薄片上形成的多個SAW裝置50同時實施。
首先，如圖29(1)所示，在壓電基片12的表面，形成成為電極材料的Al等覆膜54(步驟70)。電極材料覆膜54的形成通過蒸鍍法及濺射法等實施。
其次，在電極材料覆膜54上形成第1圖案，形成反射端面形成用掩模(步驟72)。第1圖案產生工序由光刻工序(步驟74)、電極材料覆膜蝕刻工序(步驟80)構成。在光刻工序中，可以採用通過光照曝光抗蝕膜的影印法。首先，如圖29(2)所示，在電極材料覆膜54的表面塗布抗蝕膜56(步驟76)。其次，通過圖中未示出的第1光掩模使抗蝕膜56曝光並顯影(步驟78)。此外在第1光掩模上繪製出對壓電基片12蝕刻的部分的形狀。通過上述方法，如圖29(3)所示，對電極材料覆膜54蝕刻的部分的抗蝕膜被除去。
其次，如圖30(1)所示，把該抗蝕膜56作為掩模，對電極材料覆膜54實施蝕刻(步驟80)。在電極材料覆膜54的蝕刻中，也可以採用圖27所示的ICP幹蝕刻裝置100。此外，在電極材料覆膜54是Al膜的場合下，作為蝕刻氣體，可以採用四氯化碳(CCl4)及三氯化硼(BCl3)等含氯氣體。通過使對上述氣體進行等離子化處理後生成的氯基與Al膜進行反應，生成AlCl4，Al膜被除去。通過上述方法，電極材料覆膜54被形成圖案，形成反射端面形成用掩模55。
其次，如圖30(2)所示，把抗蝕膜56除去(步驟8 2)。抗蝕膜的除去通過採用臭氧水處理的方法等實施。此外在下述的反射端面形成工序中，也可以通過實施較長時間的壓電基片12的蝕刻，同時除去抗蝕膜56。
其次，如圖30(3)所示，利用反射端面形成用掩模55，對壓電基片12進行蝕刻(步驟84)。在壓電基片12的蝕刻中，可以採用圖27所示的ICP幹蝕刻裝置100。具體的蝕刻順序如下。
首先，在腔室102內的載物臺104上載置已完成步驟82之前的處理的壓電基片12(薄片20)。接下來，啟動真空泵106，使腔室102內減壓至0.02Torr(2.67Pa)左右。其次，向腔室102內供應各氣體。即由蝕刻氣體供應單元112以30sccm的流量供應C4F8氣體，由稀有氣體供應單元114以10sccm的流量供應Ar氣體，由氧氣供應單元116以2sccm的流量供應氧氣。
接下來，把第1高頻電源124的輸出設定到1200W左右，對感應線圈122通電，使腔室102內發生磁場。這樣，腔室內的Ar分子首先被活化，接下來活化後的Ar分子對C4F8發生衝撞，C4F8分子被活化。這樣，由活化後的C4F8分子生成氟基。此外通過活化後的C4F8分子與氧分子發生的反應，有更多的氟基被生成。
接下來，把第2高頻電源126的輸出設定到300W左右，通過載物臺104，在腔室102內產生偏置電場。這樣，所生成的氟基受到力的作用，從垂直上方作用到壓電基片12上。因此，壓電基片12在水晶材料的場合下，成為SiF4，水晶材料被除去。通過上述過程，在壓電基片12的垂直方向上實施各向異性蝕刻。此外，由於採用反射端面形成用掩模55，因而只在形成反射端面15，16的部分上實施蝕刻。
接下來，在電極材料覆膜54上形成第2圖案，形成梳狀電極及反射器等(步驟86)。第2圖案產生工序與第1圖案產生工序相同，也由光刻工序(步驟88)和電極材料覆膜的蝕刻工序(步驟96)構成。在光刻工序中，可以採用通過光照曝光抗蝕膜的影印法。首先，如圖31(1)所示，在電極材料覆膜54的表面塗布抗蝕膜57(步驟90)。
接下來，實施針對壓電基片12的第2光掩模的位置確定(步驟92)。作為其前提，在第1圖案產生工序中，在薄片表面的任何位置上，先形成對準標記圖案。此外，為能進行針對薄片的第2光掩模的旋轉方向的位置確定，最好形成2個以上的對準標記圖案。作為對準標記，可形成比如圖32所示的標記58。即通過對深色的電極材料覆膜54的蝕刻，使淺色的薄片20的表面顯示出十字型。此外，雖然十字型由4個正方形等間隔配置而成，但各正方形的配置間隔設為比如50微米。
另一方面，與薄片的標記5 8對應，在第2光掩模上也繪製對準標記。作為對準標記，可以形成比如圖33所示的標記59。即在第2光掩模的透光部分上，以深色繪製與標記58的十字型相同形狀的十字型59。十字型59雖然由2個長方形在中央重疊而成，但在構成十字型59的2個長方形的四角上，設有與各長方形的長邊相距規定寬度的切口59a。該規定寬度與作為圖5所示的反射端面形成位置的容許值的(PR/2)·δ一致。比如，在頻率為106.25MHz的SAW裝置中，在梳狀電極的電極指的數量及反射器的導體條數分別設為80根，而且CI值設為40Ω以下的場合下的反射端面形成位置的容許值大約為5微米。
這樣，如圖34所示，使第2光掩模中的標記59的十字型與薄片中的標記58的十字型重合。這裡，通過標記59的所有切口59a，在可分辨薄片20的淺色的位置上，固定第2光掩模。通過利用被如此固定的第2光掩模，實施第2圖案產生工序，在第1圖案產生工序中形成的反射端面的位置相對在第2圖案產生工序中形成的電極位置成為容許值內的位置。
接下來，通過圖中未示出的第2光掩模使抗蝕膜57曝光並顯影(步驟94)。此外在第2光掩模中，所形成的電極圖案形狀與上述的掩模59同時被繪製。通過上述過程，如圖31(2)所示，對電極材料覆膜54蝕刻的部分的抗蝕膜被除去。
接下來，如圖31(3)所示，把該抗蝕膜57作為掩模，對電極材料覆膜54進行蝕刻(步驟96)。其具體方法與第1圖案產生工序中的步驟80相同。通過以上過程，電極材料覆膜54被形成圖案，形成梳狀電極及反射器等。
最後，如圖31(4)所示，除去抗蝕膜57(步驟98)。通過上述過程，SAW裝置50完成。
在上文中，對採用用於形成電極的電極材料覆膜製成反射端面形成用掩模，對壓電基片實施蝕刻的方法作了說明。但反射端面形成用掩模的製作方法並不局限於此，也可以形成電極材料覆膜以外的掩模材料覆膜，製成反射端面形成用掩模。在掩模材料中，可以採用Cr、Ag、鎢等。
在該場合下，在步驟70中形成掩模材料覆膜，在步驟72的第1圖案產生工序中，製作反射端面形成用掩模。這樣，在步驟84中壓電基片的蝕刻結束後，把通過掩模材料覆膜形成的反射端面形成用掩模除去。接下來，形成電極材料覆膜，實施步驟86的第2圖案產生工序，製成電極。利用該方法，也可以形成與上述相同的SAW裝置50。
圖35是裝有蓋部件的SAW裝置50的側面剖面圖。按上述方法形成的SAW裝置50為防止由梳狀電極13等的氧化所產生的頻率變化，在使用中配有用於保持SAW傳輸面的氣密性的蓋部件60。蓋部件60由玻璃基片等形成。在蓋部件60的中央部分設有氣室62，把梳狀電極13等保持在氮氣氛圍中。此外在壓電基片12表面的周邊部，通過電極形成材料形成密封電極64。這樣，通過使該密封電極64及蓋部件60與陽極耦合，可保持壓電基片12的SAW傳輸面的氣密性。
另一方面，為從外部對梳狀電極13通電，在蓋部件60的表面設有外部電極66。此外在梳狀電極的電極墊68的上方，形成貫穿蓋部件60的通孔67。這樣，通過在該通孔67內封入導電性材料，可使梳狀電極的電極墊68與上述的外部電極66導通，可從外部對梳狀電極13通電。
圖36是利用SAW裝置50形成的SAW振蕩器的平面圖。SAW振蕩器200是一種在陶瓷等封裝殼體202的表面形成配線圖案204，安裝按上述方法形成的SAW裝置50及集成電路元件(IC)206，形成振蕩電路的振蕩器。在SAW裝置50及集成電路元件206與配線圖案204之間通過導線耦合等連接。另一方面，為防止SAW裝置50的梳狀電極等的氧化，防止異物混入，在封裝殼體202的表面與上述同樣裝有蓋部件。
圖37是通過蝕刻形成反射端面的場合下的反射端面位置偏差的測量結果的曲線圖。按上述方法通過蝕刻形成反射端面，對從反射器最外側的導體條上的基礎端部至反射端面的距離B進行了測量。此外，由於在1個薄片上同時形成100個以上的SAW裝置，因而從中隨機抽取30個，對反射端面位置進行了測量。圖37中的曲線的縱軸是距離B的測量值，以表示平均值，同時以誤差線表示平均值±3σ(σ是標準偏差)的值。此外7.36微米是設計值。另外利用5個薄片製作SAW裝置，進行了同樣的測量。圖37的曲線的橫軸是形成SAW裝置的薄片號。
反射端面位置測量後的SAW裝置的頻率是106.25MHz。這樣，如圖5所示，距離B的容許值以下列算式表達。
B＝設計值±(PR/2)·δ＝設計值±(14.82/2)·0.68＝設計值±5.04(微米)在圖37中可看出，在各薄片中，幾乎所有的SAW裝置都在該容許值的範圍內形成。通過利用蝕刻形成反射端面，可以確保上述的尺寸精度，這已被確認。
圖38是多個SAW裝置中的CI值測定結果的曲線圖。同圖中的(1)是通過蝕刻形成了反射端面的SAW裝置中的CI值的測定結果，同圖中的(2)是未按照上述方法形成反射端面的SAW裝置中的CI值的測定結果。
在同圖中的(2)中，也存在其CI值較高的SAW裝置，與此相反，同圖中的(1)中，CI值集中在20～25Ω的低值範圍內。由於通過利用蝕刻形成反射端面可以確保尺寸精度，因而可以如上所述抑制CI值。這樣，通過採用其CI值降低後的SAW裝置，在SAW振蕩器等中，可以確保集成電路元件(IC)的振蕩裕度。
圖12涉及現有的SAW裝置1，橫軸代表設計頻率，縱軸表示在形成必要根數的導體條的場合下，通過曲線P與各頻率對應表示電極(反射器/IDT/反射器)的大小變化。
通過曲線P可看出，比如，在現有的設計參數下製作其頻率為106兆赫的SAW裝置的場合下，IDT的對數是120對，反射器的導體條的根數是120根，壓電基片的大小，即晶片的大小(長度)大約是7.1mm。
然而，在本實施方式下的SAW裝置10中，如點I所示，其IDT的對數是60對，反射器導體條的根數是105根，壓電基片的大小，即晶片的大小(長度)大約是4.9mm，可以實現顯著的小型化。
圖13是表示本發明第2實施方式涉及的SAW裝置30的概略平面圖。
在圖13中，由於附加與圖1及圖2相同符號的部分具有相同的構成，因而不再重複說明。
在該SAW裝置30中，在一列上並置二個IDT13，13，在兩個外側分別配置反射器14，14，在IDT13，13之間也設置了反射器14，是一種輸入輸出端子按每2個一組設置的雙埠式結構。
在該SAW裝置30中，也可與上述的SAW裝置10同樣形成反射端面15，16，發揮同樣的作用效果。
圖14是表示本發明第3實施方式涉及的SAW裝置40的概略平面圖。
在圖14中，由於附加與圖1及圖2相同符號的部分具有相同的構成，因而不再重複說明。
該SAW裝置40具有濾波器的功能，並聯設置2個IDT13，13，在兩個外側分別配置反射器14，14，是一種輸入輸出端子按每2個一組設置的雙重形式的結構。
在該SAW裝置40中，也可與上述的SAW裝置10同樣形成反射端面15，16，發揮同樣的作用效果。
本發明並不局限於上述實施方式，在不脫離權利要求中記載的發明主旨的範圍內可適用於各種形式的SAW裝置。
尤其是，上述各實施方式的各構成在必要時可以省略，或者對與之不同的其它構成或各構成之間進行任意組合。
產業上的可利用性如上所述，根據本發明，通過按照可利用壓電基片的端面反射瑞利波的原則，減少反射器的導體條的根數，可以提供可形成小型化反射器的對應低頻的彈性表面波裝置。
權利要求
1.一種彈性表面波裝置，其特徵在於配有傳送瑞利波的矩形片狀壓電基片；在該壓電基片上形成簾狀電極而設置的梳狀電極及反射器，其中上述壓電基片的至少表面側的短邊端面，在來自上述反射器端部的導體條的應力波的假想波節位置，作為與上述導體條大致平行的垂直平滑面，形成對上述應力波進行反射的反射端面。
2.權利要求1中記載的彈性表面波裝置，其特徵在於上述反射端面從反射器端部的導體條的基礎端部至上述反射端面的距離B由下列算式規定，B＝(n×PR)±(PR/2)×δ(式中，n＝整數，PR＝λ/2，δ＝容許值，λ＝瑞利波的波長)。
3.權利要求2中記載的彈性表面波裝置，其特徵在於上述容許值δ，在使梳狀電極的電極指的對數保持一定時，與上述反射器的導體條數對應設定。
4.權利要求1至3之一記載的彈性表面波裝置，其特徵在於上述反射端面，在上述應力波的假想波節位置，被設置在與上述壓電基片表面有一定距離的深度，反射端面的下端設有梯狀部。
5.權利要求1至4之一記載的彈性表面波裝置，其特徵在於上述反射端面，在從形成壓電材料的薄片切割成形成各壓電基片的大小時形成，至少與上述反射端面對應的部分通過蝕刻形成。
6.權利要求1至5之一記載的彈性表面波裝置，其特徵在於上述反射端面，在上述壓電基片的表面側中，由上述反射器外側沿上述反射器形成的溝槽部的內側側面構成。
7.一種彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於用於反射從壓電基片上的梳狀電極放射的在上述壓電基片表面傳播的瑞利波並使之返回至上述梳狀電極的上述壓電基片的反射端面通過蝕刻在規定的位置上形成。
8.權利要求7中記載的彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於具有在上述壓電基片的表面形成電極材料覆膜的工序；在上述電極材料覆膜上產生第1圖案，形成反射端面形成用掩模的工序；利用上述反射端面形成用掩模，通過蝕刻形成上述反射端面的工序；在上述電極材料覆膜上產生第2圖案，形成電極的工序。
9.權利要求7或8中記載的彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於上述蝕刻是幹刻蝕。
10.權利要求8中記載的彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於上述第1圖案產生工序由光刻工序和利用在該光刻工序中形成的掩模對上述電極材料覆膜進行蝕刻的工序構成。
11.權利要求8中記載的彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於上述第2圖案產生工序由光刻工序和利用在該光刻工序中形成的掩模對上述電極材料覆膜進行蝕刻的工序構成。
12.權利要求11中記載的彈性表面波裝置的製造方法，其特徵在於上述第2圖案產生工序中的光刻工序，是在利用在上述第1圖案產生工序中在上述電極材料覆膜上形成的對準標記，確定耐暴光用掩膜針對上述反射端面的相對位置後實施。
13.一種彈性表面波裝置，其特徵在於利用權利要求7至11任一記載的彈性表面波裝置的製造方法進行製造。
全文摘要
配有用於傳輸瑞利波的矩形片狀壓電基片(12)、在該壓電基片上形成簾狀電極而設置的梳狀電極(13)及反射器(14)，上述壓電基片的至少表面側的短邊端面處在來自上述反射器(14)端部的導體條的應力波(T)的假想波節(J)位置，成為與上述導體條大致平行的垂直平滑面，以此形成對上述應力波進行反射的反射端面(15，16)。
文檔編號H03H9/00GK1416617SQ01806281
公開日2003年5月7日 申請日期2001年12月13日 優先權日2001年1月10日
發明者前田佳男, 小松章一, 木下裕介 申請人:精工愛普生株式會社