監控元件和磁阻效應元件基板及監控元件的製造方法

2023-12-03 07:38:36

專利名稱：監控元件和磁阻效應元件基板及監控元件的製造方法
技術領域：
本發明涉及在形成CPP型磁阻效應元件的媒體對置面(媒體對向面)的研磨加工時所使用的監控(monitor)元件和具備該監控元件的磁阻效應元件基板(磁気抵抗効果素子基板)，以及監控元件的製造方法。
背景技術：
磁阻效應元件為在流入了一定的電流時將外部磁場的強度變化作為電壓變化而讀出的元件，被廣泛應用於硬碟(hard disk)裝置及磁傳感器等中。以往，為提高生產率，在1片晶片(wafer)(基板)上並列形成多個磁阻效應元件的元件結構，之後切斷晶片，再通過研磨加工形成媒體對置面(限定元件高度)，由此獲得在晶片上排成一列地形成有多個磁阻效應元件的晶片條(wafer bar)(條狀磁阻效應元件基板)，或在晶片上形成一個元件結構的各個分離(晶片(chip)狀)的磁阻效應元件。這種磁阻效應元件分為沿與構成元件的各層膜面平行的方向流過檢測(sense)電流的CIP(Current In the Plane，平面電流)型和沿與構成元件的各層膜面垂直的方向流過檢測電流的CPP(Current Perpendicular to the Plane，垂直面電流)型。
形成上述媒體對置面用的研磨工序一般是使電流流經磁阻效應元件，在檢測元件電阻的同時在元件的高度方向上研磨晶片的端面，在元件電阻達到了規定值時結束研磨加工。但是，由於CPP型磁阻效應元件的元件電阻過小，並且由於隧道(tunnel)型磁阻效應元件在研磨時研磨麵上產生的汙物(smear)會導致短路(short)現象出現，不能準確地測定元件的電阻值，因此如果邊檢測成為製品的實際元件的電阻邊進行研磨加工的話，不能精確地控制研磨加工結束的時機(timing)。因此，已有技術的CPP型磁阻效應元件和隧道(tunnel)型磁阻效應元件將與成為製品的實際元件不同的CIP結構形成的磁阻效應元件作為監控元件一起設置在晶片上，根據該監控元件的元件電阻進行研磨加工。
監控元件這樣製造首先，在整個下屏蔽(shield)層上順次整面形成第1附加空隙(extra gap)層和發揮磁阻效應的多層膜，使用光刻蝕(photolithography)技術除去多層膜的一部分，限定該多層膜的形狀。監控元件的多層膜通過與成為產品的實際元件的磁阻效應膜相同的工序形成，使其為預定的電阻值。接著，在比多層膜更靠近元件高度方向的內側形成回填間隙(back filling gap)層，在該回填間隙層及多層膜上形成一對在元件高度方向的內側與該多層膜接觸的電極層。然後，利用分離(lift-off)用的阻擋層(resist)覆蓋電極層的元件高度方向的內側端部，之後形成第2附加空隙(extra gap)層，並分離阻擋層。除去阻擋層後，在整個第2附加空隙層及電極層上形成電鍍(electro-plating)底膜。用機架電鍍(frame electro-plating)法在電鍍底膜上同時形成夾著第2附加空隙層覆蓋多層膜的上屏蔽層，以及覆蓋電極層的元件高度方向的內側端部的電極端子。之後通過刻蝕加工(esching)除去露出在上屏蔽層與電極端子之間的電鍍底膜。由此獲得監控元件。
但是，在上述已有技術的監控元件中，由於除去電鍍底膜時的刻蝕加工量過多，該刻蝕加工使電極層在上屏蔽層與電極端子之間露出，容易在電極層和上屏蔽層之間產生短路(short)現象。為了防止出現這一現象，雖然可以採取增加電極層上形成的第2附加空隙層的膜厚度的方法，但如果使第2附加空隙層變厚，在通過分離形成該第2附加空隙層時會導致分離過程(lift-off process)變得困難，從而導致露出在媒體對置面的形狀發生變形，或產生成為剝落的原因等的不良狀況。
日本特開平5-54336號公報[專利文獻2]日本特開2001-84535號公報發明內容本發明的目的在於提供一種能夠防止發生短路現象的監控元件和磁阻效應元件基板、以及監控元件的製造方法。
本發明著眼於通過使覆蓋電極層表面的絕緣性保護層為多層結構來薄薄地形成各層，由此來消除剝離等不良狀況並能夠確保整個膜厚，並提供了最適合於用多層結構來形成該絕緣性保護層的電極層的配置方案。
即，本發明的監控元件是在形成磁阻效應元件的媒體對置面的研磨加工時作為該磁阻效應元件的元件電阻監控器來使用的，所述磁阻效應元件由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流，其特徵在於，具備具有預定電阻值的多層膜、以及與該多層膜的膜面平行地施加電流的電極層；電極層被形成在與下屏蔽層相同的層疊高度位置上，除與多層膜連接的電極連接部和電極取出部以外的區域被絕緣性保護層所覆蓋。
絕緣性保護層優選多層結構。具體為，可以用例如在電極層上的多層膜正下方形成的第1附加空隙層、該第1附加空隙層上的比多層膜更靠近元件高度方向的內側位置上形成的回填間隙層、以及在該回填間隙層和多層膜的上方形成的第2附加空隙層形成絕緣性保護層。構成絕緣性保護層的各層膜的厚度優選在1000以下。如果膜厚在這一範圍，即使絕緣性保護層的整體膜厚較大，也不會產生剝離或分離性惡化等過程(process)上的不良狀況。
電極層優選用與下屏蔽層相同的軟磁性材料形成。如果採用這種方式，電極層與下屏蔽層可以同時形成，使製造工序變得容易。
優選在在電極層的電極取出部的與上屏蔽層相同的層疊高度位置上、用與該上屏蔽層相同的軟磁性材料形成有電極焊盤。如果採用這種方式，能夠同時形成電極焊盤和上屏蔽層，使製造工序變得容易。
實際上電極層沿與磁阻效應元件的元件高度方向平行的方向延伸而形成，在該方向的一端和另一端分別具有電極連接部和電極取出部。
本發明的磁阻效應元件基板的特徵在於，並列地形成有由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流的多個磁阻效應元件，在各磁阻效應元件的附近具備與該磁阻效應元件成對的所述的監控元件。
本發明的磁阻效應元件基板的特徵在於，由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向施加檢測電流的多個磁阻效應元件被配置成一列，在各磁阻效應元件的附近具備與該磁阻效應元件成對的所述的監控元件。該磁阻效應元件基板為稱之為晶片條的條狀磁阻效應元件基板。
本發明的監控元件的製造方法的特徵在於，所述監控元件在形成磁阻效應元件的媒體對置面的研磨加工時作為該磁阻效應元件的元件電阻監控器來使用、具備擁有預定電阻值的多層膜，所述磁阻效應元件由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流，在與下屏蔽層相同的層疊高度位置形成有在高度方向的內側與多層膜的最下面相連接、並與該多層膜的膜面平行地提供電流的電極層，以及形成有覆蓋該電極層的除電極連接部和電極取出部以外的區域的絕緣性保護層。
絕緣性保護層用多層結構形成。具體可以為，在例如形成了電極層後，具有以下工序在電極層的除電極連接部和電極取出部以外的區域形成由絕緣材料構成的第1附加空隙層的工序；在第1附加空隙層及露出的電極層的電極連接部的上方形成具有預定的電阻值的多層膜，並在高度方向的內側連接該多層膜的最下面與電極層的電極連接部的工序；在露出的第1附加空隙層的上方形成由絕緣材料構成的回填間隙層的工序；在電極層的除電極取出部以外的區域形成由絕緣材料構成的第2附加空隙層的工序；在該第2附加空隙層的上方全面地形成用於形成上屏蔽層的電鍍底膜，並在與上屏蔽層相同的層疊高度位置形成與露出的電極層的電極取出部相連接的電極焊盤的工序；通過刻蝕加工除去上屏蔽層與電極焊盤之間的不需要的電鍍底膜的工序；由第1附加空隙層、第2附加空隙層和回填間隙層構成絕緣性保護層。絕緣性保護層的各層的膜厚優選形成為1000以下。
在上述製造方法中，下屏蔽層與電極層優選用相同的導電性軟磁性材料同時形成，並且上屏蔽層與電極焊盤也最好用相同的導電性軟磁性材料同時形成。由此，能夠使製造工序變得簡單。
如果採用本發明，能夠獲得可以防止發生短路的監控元件和磁阻效應元件基板、以及監控元件的製造方法。


圖1是表示具備本發明的監控元件和磁阻效應元件的晶片(磁阻效應基板)的示意俯視圖。
圖2是從媒體對置面一側看上述磁阻效應元件的結構的剖視圖。
圖3(A)是從媒體對置面一側看上述監控元件的結構的剖視圖，(B)是在元件中央沿高度方向剖切表示上述監控元件的結構的剖視圖。
圖4是表示製造監控元件的工序中的一個工序的俯視圖。
圖5是表示圖4所示工序的下一道工序的俯視圖。
圖6是表示圖5所示工序的下一道工序的俯視圖。
圖7是表示圖6所示工序的下一道工序的俯視圖。
圖8是表示圖7所示工序的下一道工序的俯視圖。
圖9是表示圖8所示工序的下一道工序的俯視圖。
圖10是表示晶片條(條狀磁阻效應元件基板)的俯視圖。
具體實施例方式
下面根據

本發明。在各圖中，X方向為磁軌(track)寬度方向，Y方向為元件高度方向(來自記錄媒體的漏磁場方向)，Z方向為記錄媒體的移動方向和構成磁阻效應元件的各層的層疊方向。
圖1為表示本發明的一個實施方式的晶片的示意圖。在晶片(wafer)1上並列形成有多個CPP型磁阻效應元件10，並分別形成有位於各CPP型磁阻效應元件10附近、與該CPP型磁阻效應元件10成對的監控元件20。在圖1中，用標記□表示CPP型磁阻效應元件10，用標記■表示監控元件20。
CPP型磁阻效應元件10如圖2所示在下屏蔽層11與上屏蔽層14之間具有多層磁阻效應膜M。下屏蔽層11和上屏蔽層14存在於比磁阻效應膜M寬很多的面積中，起CPP型磁阻效應元件10的電極的作用，給構成磁阻效應膜M的各層膜面施加垂直的檢測(sense)電流。該下屏蔽層11和上屏蔽層14用能夠獲得足夠的磁屏蔽效果和導電性的軟磁性材料——例如NiFe形成。雖然圖中沒有表示，但在下屏蔽層11與磁阻效應膜M之間以及上屏蔽層14與磁阻效應膜M之間(磁阻效應膜M的正下方位置和正上方位置)分別形成有由例如Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Ir、Pd等電阻率小的非磁性金屬材料構成的、與上下屏蔽層11、14一起起CPP型磁阻效應元件10的電極作用的導電材料層。
在磁阻效應膜M的磁軌寬度方向的兩側形成有由例如CoFe合金等強磁性材料構成的與該磁阻效應膜M接觸的硬偏磁(hard bias)層15、局部地夾在下屏蔽層11與硬偏磁層15之間的第1附加空隙(extragap)層22、以及局部地夾在硬偏磁層15與上屏蔽層14之間的第2附加空隙層26。第1附加空隙層22及第2附加空隙層26不與磁阻效應膜M相接觸，用例如Al2O3或SiO2等非磁性絕緣材料形成。在磁阻效應膜M的元件高度方向的內側位置形成有由例如Al2O3或SiO2等絕緣材料構成的回填間隙(back filling gap)層16。
磁阻效應膜M可以使用GMR(giant magnetoresistive，巨磁阻)膜或TMR(tunneling magnetoresistive，穿隧磁阻)膜。CPP型磁阻效應元件10的各種結構類型眾所周知，由於本發明與CPP型磁阻效應元件10的具體結構無關，因此省略其說明。
監控元件20為從元件的高度方向(圖示Y方向)研磨加工CPP型磁阻效應元件10(形成媒體對置面)時使用的監控CPP型磁阻效應元件10的元件電阻監視器。如圖3(A)(B)所示，監控元件20為具備具有預定的電阻值的多層膜23和施加與多層膜23的膜面平行的檢測電流的一對電極層21的CIP型磁阻效應元件，電阻比CPP型磁阻效應元件10大。雖然從提高成膜過程的效率來看希望多層膜23的膜結構與CPP型磁阻效應元件10的磁阻效應膜M的膜結構相同，但也可以是與該磁阻效應膜M不同的膜結構。
多層膜23夾在由例如氧化鋁(alumina)等非磁性絕緣材料構成的第1附加空隙層22與第2附加空隙層26之間，在下表面位置與電極層21接觸。多層膜23的俯視形狀為門形。在該多層膜23的周圍——即在磁軌的寬度方向的兩側及元件的高度方向的內側形成有由例如氧化鋁等非磁性絕緣材料構成的回填間隙層25。
一對電極層21被形成在與下屏蔽層11相同的層疊高度的位置，在元件高度方向(圖示Y方向)的內側與多層膜23的最下面相連接。各電極層21呈向元件的高度方向的內側直線延伸的短柵狀，具有多層膜23的元件高度方向的內側的端部與其上表面接觸的電極連接部21A和位於與該電極連接部21A在元件的高度方向相反一側的端部的電極取出部21B。在電極取出部21B的上面形成有最表面由Au構成的電極觸點(contact)28和由與上屏蔽層14相同的軟磁性材料構成的外部連接用電極焊盤(pad)24。電極層21的除上述電極連接部21A和電極取出部21B外的表面用絕緣性保護層27覆蓋。絕緣性保護層27為多層結構，由上述第1附加空隙層22、回填間隙層25及第2附加空隙層26構成。構成該絕緣性保護層27的各層的膜厚控制在1000以下。
下面參照圖4～圖9說明監控元件20的製造方法。晶片1上相鄰地設置有用來形成CPP型磁阻效應元件10的實際元件形成區域和用來形成監控元件20的監控元件形成區域，同時形成多個CPP型磁阻效應元件10和監控元件20。圖4～圖9為表示監控元件20的製造工序的俯視圖。
首先，用例如NiFe等軟磁性材料在晶片1上同時形成CPP型磁阻效應元件10用的下屏蔽層11和監控元件20用的一對電極層21。具體為，在整個晶片1上濺射形成軟磁性材料膜後，用刻蝕加工等除去軟磁性材料膜的一部分，通過這樣以比元件面積足夠大的面積在實際元件形成區域內形成下屏蔽層11，在圖4所示的監控元件形成區域內形成一對沿元件高度方向延伸的細長的矩形電極層21。雖然在本實施方式中沒有在監控元件形成區域形成下屏蔽層11，但既可以形成下屏蔽層11，也可以不形成下屏蔽層11。
接著，在圖5所示的監控元件形成區域，在之後成為電極連接部和電極取出部的各電極層21的兩端部上形成分離用的阻擋層(resist)R1，濺射形成覆蓋露出的晶片1及電極層21的表面的第1附加空隙層22。第1附加空隙層22用例如氧化鋁等非磁性絕緣材料形成，形成為1000左右的膜厚。在形成第1附加空隙層22的膜後，分離阻擋層R1。在圖中沒有示出的實際元件形成區域，同樣在下屏蔽層11的上面局部地形成第1附加空隙層22。另外，在實際元件形成區域，也可以在下屏蔽層11上、以後形成的磁阻效應膜M的正下方的位置上形成由例如Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Ir、Pd等電阻率小的非磁性金屬材料構成的導電材料層。
在整個晶片面上依次形成構成CPP型磁阻效應元件10的磁阻效應膜M及監控元件20的多層膜23的各層。然後在元件高度方向的磁場中實施退火(anneal)處理，將磁阻效應膜M及多層膜23中的固定磁性層的磁化方向固定在元件高度方向。
在退火處理後，用光刻蝕技術在監控元件形成區域如圖6所示使多層膜23為預定的圖形形狀，使多層膜23的元件高度方向內側的端部在其最下面與從第1附加空隙層22露出的電極層21的電極連接部21A相連地形成多層膜23。同時，在露出的電極層21的電極取出部21B上形成分離用的阻擋層R2，形成填埋多層膜23的周圍(磁軌寬度方向的兩側及元件高度方向的內側)的回填間隙層25。回填間隙層25的膜厚為500左右。由此，在電極層21的除電極連接部21A和電極取出部21B以外的表面上層疊有第1附加空隙層22和回填間隙層25。在形成回填間隙層25後，分離阻擋層R2。而在圖中沒有示出的實際元件形成區域，使用光刻蝕技術限制磁阻效應膜M的磁軌寬度方向的尺寸，在該磁阻效應膜M的磁軌寬度方向的兩側形成硬偏磁層15。接著，用光刻蝕技術限制磁阻效應膜M的元件高度方向的尺寸，在該磁阻效應膜M的元件高度方向的內側形成回填間隙層16。該實際元件形成區域的回填間隙層16與上述監控元件形成區域的回填間隙層25也可以同時形成。
接著，如圖7所示，在露出的電極層21的電極取出部21B上形成與以後形成的電極焊盤接觸的最表面由Au膜構成的電極觸點28。電極觸點28既可以是單層結構也可以是多層結構。
在形成了電極觸點28以後，在監控元件形成區域如圖8所示形成覆蓋電極觸點28的分離用的阻擋層R3，並用例如氧化鋁等非磁性絕緣材料以1000左右的膜厚濺射形成第2附加空隙層26。在形成第2附加空隙層26後分離阻擋層R3。通過以上工序，在電極層21的除電極連接部21A和電極取出部21B以外的區域上層疊第1附加空隙層22、回填間隙層25和第2附加空隙層26，形成3層結構的絕緣性保護層27。而在圖中沒有示出的實際元件形成區域，在硬偏磁層15之上、CPP型磁阻效應元件10的磁軌寬度方向的兩側位置形成不與該CPP型磁阻效應元件10接觸的第2附加空隙層26。另外，也可以在實際元件形成區域的磁阻效應膜M的正上方形成由例如Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Ir、Pd等電阻率小的非磁性金屬材料構成的導電材料層。
接著如圖9所示，在整個第2附加空隙層26上濺射形成由例如NiFe構成的電鍍(electro-plating)底膜29，同時用機架電鍍(frameelectro-plating)法在該電鍍底膜29上形成上屏蔽層14和電極焊盤24。具體為，上屏蔽層14形成在監控元件形成區域的多層膜23上方位置的部分區域內，在實際元件形成區域覆蓋整個元件地形成。電極焊盤24形成在監控元件形成區域的電極觸點28上方的位置，形成在實際元件形成區域的端子取出部上。
然後，通過刻蝕加工除去從上屏蔽層14和電極焊盤24露出的所有的電鍍底膜29。電鍍底膜29從上屏蔽層14和電極焊盤24露出的區域如圖9所示為電極層21的電極連接部21A到電極取出部21B之間的區域。在該電極層21的除電極連接部21A和電極取出部21B以外的區域如上所述地形成由第1附加空隙層22、回填間隙層25和第2附加空隙層26構成的3層結構的絕緣性保護層27。因此，即使在為了完全除去不需要的電鍍底膜29而刻蝕加工量大的情況下，被上述3層結構的絕緣性保護層27覆蓋的電極層21也不會受到刻蝕加工的傷害，不必擔心電極層21露出或斷線、短路等。
通過以上工序能夠得到圖1所示那樣的具備並列的多個CPP型磁阻效應元件10和監控元件20的晶片(磁阻效應元件基板)1。將該晶片1裁切成每一列，就成為多個CPP型磁阻效應元件10和監控元件20成對地多個排成一列的晶片條(條狀磁阻效應元件基板)。該晶片條，邊檢測該晶片條上具備的監控元件20的元件電阻邊從圖示Y方向(圖9的箭頭方向)實施研磨加工，直到監控元件20的電阻達到表示已研磨到成為媒體對置面的位置的預定值為止，結束研磨加工。由此，獲得圖10所示的晶片條100。如果再將該晶片條100裁切成單個的話，則得到單個(晶片狀)的CPP型磁阻效應元件10。另外，監控元件20在裁切成單個的CPP型磁阻效應元件10時被除去，不在成製品狀態的CPP型磁阻效應元件10上。
如果採用上述本實施方式，由於監控元件20的電極層21形成在與CPP型磁阻效應元件10的下屏蔽層11相同的層疊高度位置，並且覆蓋電極層21的絕緣性保護層27由第1附加空隙層22、回填間隙層25和第2附加空隙層26這3層結構形成，因此即使在除去形成CPP型磁阻效應元件10的上屏蔽層用的電鍍底膜29時的刻蝕加工量多的情況下，電極層21也不會受該刻蝕加工的傷害，能夠防止電極層21的露出、斷線和產生短路現象。並且由於使覆蓋電極層21的絕緣性保護層27為多層結構，因此能夠將各層的膜厚控制在1000以下的薄，能夠消除例如剝離等的因絕緣性保護層過厚造成的弊端。並且，由於在本實施方式中與下屏蔽層11同時形成電極層21，與上屏蔽層14同時形成電極焊盤(pad)24，因此能夠省略監控元件20的電極形成工序，使製造工序變得容易。
權利要求
1.一種監控元件，是在形成磁阻效應元件的媒體對置面的研磨加工時作為該磁阻效應元件的元件電阻監控器來使用的，所述磁阻效應元件由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流，其特徵在於，具備具有預定電阻值的多層膜、以及與該多層膜的膜面平行地施加電流的電極層；上述電極層被形成在與上述下屏蔽層相同的層疊高度位置上，除與上述多層膜連接的電極連接部和電極取出部以外的區域被絕緣性保護層所覆蓋。
2.如權利要求1所述的監控元件，其中，上述絕緣性保護層為多層結構。
3.如權利要求2所述的監控元件，其中，上述絕緣性保護層由在上述電極層上的上述多層膜正下方形成的第1附加空隙層、該第1附加空隙層上的比上述多層膜更靠近元件高度方向的內側位置上形成的回填間隙層、以及在該回填間隙層和上述多層膜的上方形成的第2附加空隙層形成。
4.如權利要求2所述的監控元件，其中，構成上述絕緣性保護層的各層的膜厚在1000以下。
5.如權利要求1～4中的任一項所述的監控元件，其中，上述電極層用與上述下屏蔽層相同的軟磁性材料形成。
6.如權利要求1所述的監控元件，其中，在上述電極層的電極取出部的與上述上屏蔽層相同的層疊高度位置，用與該上屏蔽層相同的軟磁性材料形成有電極焊盤。
7.如權利要求1所述的監控元件，其中，上述電極層沿與上述磁阻效應元件的元件高度方向平行的方向延伸而形成，在該方向的一端和另一端分別具有上述電極連接部和上述電極取出部。
8.一種磁阻效應元件基板，其特徵在於，並列地形成有由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流的多個磁阻效應元件，在各磁阻效應元件的附近具備與該磁阻效應元件成對的權利要求1所述的監控元件。
9.一種磁阻效應元件基板，其特徵在於，由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向施加檢測電流的多個磁阻效應元件被配置成一列，在各磁阻效應元件的附近具備與該磁阻效應元件成對的權利要求1所述的監控元件。
10.一種監控元件的製造方法，其特徵在於，所述監控元件在形成磁阻效應元件的媒體對置面的研磨加工時作為該磁阻效應元件的元件電阻監控器來使用、具備擁有預定電阻值的多層膜，所述磁阻效應元件由上下屏蔽層沿與膜面垂直的方向被施加檢測電流，在與上述下屏蔽層相同的層疊高度位置形成有在高度方向的內側與上述多層膜的最下面相連接、並與該多層膜的膜面平行地提供電流的電極層，以及形成有覆蓋該電極層的除電極連接部和電極取出部以外的區域的絕緣性保護層。
11.如權利要求10所述的監控元件的製造方法，其中，上述絕緣性保護層由多層結構形成。
12.如權利要求11所述的監控元件的製造方法，其中，在形成了上述電極層後，具有以下工序在上述電極層的除電極連接部和電極取出部以外的區域形成由絕緣材料構成的第1附加空隙層的工序；在上述第1附加空隙層及露出的上述電極層的電極連接部的上方形成具有預定的電阻值的多層膜，並在高度方向的內側連接該多層膜的最下面與上述電極層的電極連接部的工序；在露出的上述第1附加空隙層的上方形成由絕緣材料構成的回填間隙層的工序；在上述電極層的除電極取出部以外的區域形成由絕緣材料構成的第2附加空隙層的工序；在該第2附加空隙層的上方全面地形成用於形成上屏蔽層的電鍍底膜，並在與上述上屏蔽層相同的層疊高度位置形成與露出的上述電極層的電極取出部相連接的電極焊盤的工序；通過刻蝕加工除去上述上屏蔽層與上述電極焊盤之間的不需要的電鍍底膜的工序；由上述第1附加空隙層、上述第2附加空隙層和上述回填間隙層構成上述絕緣性保護層。
13.如權利要求11所述的監控元件的製造方法，其中，上述絕緣性保護層的各層的膜厚形成在1000以下。
14.如權利要求10所述的監控元件的製造方法，其中，上述下屏蔽層與上述電極層由相同的導電性軟磁性材料同時形成。
15.如權利要求10所述的監控元件的製造方法，其中，上述上屏蔽層與上述電極焊盤由相同的導電性軟磁性材料同時形成。
全文摘要
本發明提供一種能夠防止短路發生的監控元件和磁阻效應元件基板以及監控元件的製造方法。本發明的在形成由上下屏蔽層施加與膜面垂直的檢測電流的磁阻效應元件的媒體對置面的研磨加工時，作為監控該磁阻效應元件的元件電阻的監控器來使用的監控元件，具備結構與磁阻效應元件的磁阻效應膜的膜結構相同的多層膜和施加與該多層膜的膜面平行的電流的電極層。電極層被形成在與下屏蔽層的層疊高度相同的位置上，除與多層膜連接的電極連接部和電極取出部以外的區域被絕緣性保護層所覆蓋。
文檔編號G11B5/187GK1831946SQ20051013413
公開日2006年9月13日 申請日期2005年12月27日 優先權日2004年12月27日
發明者高橋亨 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社