製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法及通過該方法製得的用於磁記錄介質的玻璃基底的製作方法
2023-12-03 10:08:06 2
專利名稱：製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法及通過該方法製得的用於磁記錄介質的玻璃基底的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，和通過該方法製得的用於磁記錄介質的玻璃基底。更具體而言，本發明涉及一種製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中將玻璃基底拋光，然後在紋理化處理前洗滌，還涉及一種通過該方法製得的用於磁記錄介質的玻璃基底。
背景技術：
用於例如硬碟的磁記錄介質的玻璃基底必須具有高度的平坦度和光滑度。因此對玻璃基底施以表面拋光步驟和後續的洗滌步驟。還要對通過此方法製得的用於磁記錄介質的玻璃基底施以紋理化步驟，以用於表面處理。
玻璃基底表面的有效拋光是使用例如二氧化鈰或氧化鋯的磨料粒作為拋光劑實現的，但當此類磨料粒粘附在玻璃表面上時出現了問題。結果，必須在紋理化步驟前通過洗滌去除粘附的磨料粒和拋光步驟過程中產生的玻璃刮屑。
對於非晶態玻璃基底，在拋光後通常用無機酸或有機酸洗滌(例如，參見日本未審查專利公開No.2003-212603)，但是傳統的洗滌方法導致在後續的紋理化步驟中形成不均勻的紋理，由此在基底之間產生差異、在基底表面生成明顯的缺陷或在基底內生成全波紋(overall waviness)，因此，避免這些問題的洗滌方法是合意的。
另一方面，用氫氟酸水溶液處理拋光過的玻璃基底，這是已知的(參見日本未審查專利公開No.2000-302482)，但是，此類處理的目的在於用氫氟酸水溶液蝕刻以去除玻璃基底的表面層，因此使用濃度為0.5％或更高的高濃度氫氟酸水溶液蝕刻該玻璃表面層。
發明內容
本發明的一個目的在於提供一種製造用於磁記錄介質的拋光玻璃基底的方法，由此在拋光該玻璃基底後的洗滌過程中可以使基底的基底表面缺陷和全波紋的出現最小化，並由此可以在後續的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會在基底間造成差異；另一個目的在於提供一種具有優異特性的用於磁記錄介質的玻璃基底，其通過前述方法製得。
根據上述現有技術情況，本發明人進行了的辛勤研究，結果發現可以使用低濃度氫氟酸水溶液洗滌處理拋光過的玻璃基底，由此了克服上述問題。
本發明因此包括下列方面[1]製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然後用0.02-0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底。
按照上文[1]的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶態玻璃構成的基底。
按照上文[1]或[2]的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中氫氟酸水溶液的濃度為0.04-0.15％。
按照上文[1]至[3]任一項的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的溫度進行洗滌。
按照上文[1]至[4]任一項的方法製造的用於磁記錄介質的玻璃基底。
使用按照上文[5]的用於磁記錄介質的玻璃基底製造的磁記錄介質。
按照本發明，可以提供不具有表面缺陷或全波紋的用於磁記錄介質的玻璃基底，而且可以以均勻的方式在後續的紋理化步驟中形成紋理而不在基底間產生差異。
實施發明的最佳方式現在將描述本發明的優選實施方案。但是，以下解釋特別集中在實施本發明的優選實施例上，而不是對本發明的保護範圍加以任何約束。
按照本發明，玻璃基底優選為由基本組成是矽鋁酸鹽的非晶態玻璃構成的片狀玻璃。
可以使用磨料粒，例如二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、氧化矽等，作為拋光該玻璃基底表面的拋光劑。其中，考慮到拋光效率，由二氧化鈰組成的磨料粒是優選的。可以以磨料粒在水中的懸浮液的形式使用該拋光劑。
然後對拋光過的玻璃基底施以洗滌步驟。按照本發明，使用濃度為0.02-0.3％(質量％，下文中僅表示為「％」)的氫氟酸水溶液進行洗滌。氫氟酸水溶液的氫氟酸濃度優選不高於0.15％，更優選為0.04-0.15％。用氫氟酸水溶液洗滌通常包括將玻璃基底浸在氫氟酸水溶液中。在此情況下，浸泡溫度優選為10-70℃，更優選15-60℃，再更優選25-50℃，最優選大約40℃，浸泡時間優選為1-3分鐘，最優選大約2分鐘。
按照本發明，優選在用氫氟酸水溶液洗滌前對玻璃基底施以機械洗滌，如普通的刷洗。
本發明製得用於磁記錄介質的玻璃基底，但是為了然後製造磁記錄介質，接下來首先對用於磁記錄介質的玻璃基底施以紋理化步驟，然後施以通過常見方法在表面上形成磁膜的步驟，最後製得磁記錄介質。此外，上文所述洗滌處理使所述用於磁記錄介質的玻璃基底具有極佳的優點，因為這使得基底的基底表面缺陷和全波紋的出現最小化，並可以在後續的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會在基底間造成差異。
現在將通過以下實施例更為詳細地解釋本發明。
採用具有90質量％的B2O3+Al2O3+SiO2的主要成分組成和7質量％的Li2O+Na2O+K2O的其餘組成的非晶態玻璃製造磁記錄介質用基底。
首先，將具有上述組成的原料玻璃熔融並壓模以獲得盤形玻璃片。用鑽頭在玻璃片中打孔。接著，對每個盤的主要表面施以兩段式研磨過程，其包括粗研磨和緊密研磨，用於調整盤厚度。對洞孔的內緣和盤的外周緣各自施以斜切以形成斜切邊。
在將加工過的玻璃基底的孔內緣和外周緣拋光為鏡面後，同樣將盤的主要表面拋光為最終的鏡面。使用的拋光劑是含二氧化鈰粉末的拋光劑(Mitsui Kinzoku Co.，Ltd.生產的MIREK)然後通過刷洗洗滌每片製得的盤，然後通過浸在氫氟酸水溶液中進行洗滌，以去除表面殘餘物，獲得用於磁記錄介質的玻璃基底。
如下表1所示改變浸洗用氫氟酸的濃度(重量％)，並評價基底的表面粗糙度、全波紋和表面缺陷。浸泡溫度大約為40℃，浸泡時間大約為2分鐘。
採用Digital Instruments製造的AFM(原子顯微鏡)在10微米的區域內評價表面粗糙度(Ra)。採用Phase Shift Corp製造的光學平面幹涉儀，以在頻率分量最高至5毫米的波長範圍內的波紋來評價波紋(Wa)。使用Hitachi Hightechnology製造的RZ3500 ODT(光缺陷檢測器)評價10納米片中的表面缺陷。
接著，用金剛石漿液對每片製得的基底施以紋理化處理，然後將基底安置在用於噴鍍的噴鍍設備中以形成由鉻合金組成的基膜和由鈷合金組成的磁膜，然後通過CVD法在其上形成類金剛石的碳膜，用FonblinZ-Tetraol(Solvay Solexis)作為潤滑劑塗敷該膜以製造磁記錄介質。噴鍍形成的膜的總厚度為90納米，通過CVD形成的膜的厚度為10納米。以這種方式製造25片此類磁記錄介質。
在暗室裡，在100,000勒克斯的聚光射燈下通過肉眼檢查評價每片磁記錄介質的紋理均勻度，通過滑移(glide)(BG)和誤差檢驗(ER)評價介質產率。在可以對單個65毫米直徑碟片上具有40GB記錄容量的介質進行評價的條件下進行評價。
表1
工業適用性本發明提供了用於磁記錄介質的玻璃基底，它沒有表面缺陷或全波紋，同時可以在後續的紋理化步驟中形成均勻紋理且不在基底間產生差異，該基底因此可以有利地用於製造磁記錄介質。
權利要求
1.製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然後用0.02-0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底。
2.如權利要求1所述的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶態玻璃構成的基底。
3.如權利要求1或2所述的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中氫氟酸水溶液的濃度為0.04-0.15％。
4.如權利要求1至3任一項所述的製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的溫度進行洗滌。
5.通過權利要求1至4任一項所述的方法製造的用於磁記錄介質的玻璃基底。
6.使用如權利要求5所述的用於磁記錄介質的玻璃基底製造的磁記錄介質。
全文摘要
本發明涉及一種製造用於磁記錄介質的玻璃基底的方法，包括用磨料粒拋光玻璃基底，然後用0.02－0.3％的氫氟酸水溶液洗滌該基底；還涉及一種通過該方法製造的用於磁記錄介質的玻璃基底。製造了一種用於磁記錄介質的拋光玻璃基底，由此在拋光該玻璃基底後的洗滌過程中可以使基底的基底表面缺陷和全波紋的出現最小化，並由此可以在後續的紋理化步驟中以均勻的方式形成紋理，而不會在基底間造成差異。
文檔編號G11B5/62GK1993298SQ20058002583
公開日2007年7月4日 申請日期2005年8月4日 優先權日2004年8月27日
發明者會田克昭, 町田裕之, 羽根田和幸 申請人:昭和電工株式會社