一種半導體雷射器的測試系統及測試方法與流程
2023-10-23 14:54:17 1
本發明涉及一種半導體雷射器的工作性能檢測技術,具體地說是一種半導體雷射器的測試系統及測試方法,屬於半導體光電器件的製造技術領域。
背景技術:
隨著半導體光電器件的製造技術的飛速發展,對光器件的可靠性要求越來越高,因此在生產過程中對器件的可靠性測試就非常有必要了。其中現有技術中關於器件在高低溫的環境中工作的光功率穩定性的測試方法,一直是採用高端的晶片篩選法和客戶終端的送樣檢測為主,傳統上這樣的檢測會出現很多不確定的影響因素,使得生產過程不能進行有效的管控,同時還存在檢驗的周期長和成本高等問題。
技術實現要素:
本發明要解決的技術問題是提供一種能夠方便、有效、迅速可靠進行檢測,從而縮短檢驗周期、降低檢驗成本,同時對生產過程進行有效管控的半導體雷射器的測試系統及測試方法。
為了解決上述技術問題,本發明的半導體雷射器的測試系統,包括待測光器件以及用於放置待測光器件的高低溫循環箱,待測光器件與一個能夠為待測光器件提供電流的電流源連接,待測光器件還與一個能夠測試其出光功率的光功率計連接,電流源和光功率計的輸出信號端均連接到一臺計算機上。
一種上述半導體雷射器的測試系統的測試方法,包括以下步驟:
A:在常溫下用電流源給待測光器件加一個工作電流使出光功率為Po,測試其當前的背光電流Imo並記錄;
B:在高溫下用電流源給待測光器件加一個工作電流使背光電流為Imo,測試其當前的出光功率P1並記錄;
C:在低溫下用電流源給待測雷射器加一個工作電流使背光電流為Imo,測試其當前的出光功率P2並記錄;
D:使用計算機將記錄的測試數值利用公式TE=10LOG(Pi/Po)計算出各種溫度狀態下待測光器件的光功率變化;
E: 若計算機的計算值TE>1.5dB表示該光器件不能滿足全溫工作範圍,若計算機的計算值TE≤1.5dB判定合格。
所述常溫為25℃。
所述高溫為85℃。
所述低溫為-40℃。
測試完成後使高低溫循環箱的溫度工作在25℃,打開高低溫循環箱的門取出光器件即可。
採用上述的結構和方法後,可以方便、有效、迅速地進行檢測,預先判定一個雷射器的工作穩定性和失效模式,從而大大縮短了檢驗的周期和降低了檢驗的成本,同時對生產過程進行有效的管控,將產品成本降到最低,同時保障了客戶利益,其測試的方法簡單方便,測試系統搭建的成本低。
附圖說明
圖1為本發明半導體雷射器的測試系統的結構示意簡圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式,對本發明的半導體雷射器的測試系統作進一步詳細說明。
如圖所示,本發明的半導體雷射器的測試系統,其特徵在於:包括待測光器件2以及用於放置待測光器件(雷射器)2的高低溫循環箱1,待測光器件2與一個能夠為待測光器件2提供電流的電流源3連接,待測光器件2還與一個能夠測試其出光功率的光功率計4連接,電流源3和光功率計4的輸出信號端均連接到一臺計算機5上。
本實施例半導體雷射器的測試系統的測試方法中所指的高低溫工作環境是-40℃~85℃器件工作的光功率變化,其檢測方法的步驟如下:
A:在25℃常溫下用電流源3給待測光器件2加一個工作電流使待測光器件的出光功率為Po,用電流源3測試出光器件當前的背光電流Imo並記錄;
B: 把待測光器件2放入高低溫循環箱1中,使高低循環箱溫度工作在85℃,在85℃高溫下用電流源3給待測光器件2加一個工作電流使背光電流為Imo,此時用光功率計4測試光器件當前的出光功率P1並記錄;
C: 使高低循環箱溫度工作在-40℃,在-40℃低溫下用電流源3給待測雷射器加一個工作電流使光器件的背光電流為Imo,此時用光功率計4測試光器件當前的出光功率P2並記錄;
D:使用計算機5將記錄的測試數值利用公式TE=10LOG(Pi/Po)計算出各種溫度狀態下待測光器件2的光功率變化;公式中Pi為高溫或低溫時光器件的出光功率值,Po為常溫時光器件的出光功率值;
例如:高溫85℃下雷射器的光功率變化TE=10LOG(P1/Po);低溫-40℃下雷射器的光功率變化TE=10LOG(P2/Po)。
E: 若計算機的計算值TE>1.5dB表示該光器件2不能滿足-40℃~85℃的全溫工作範圍,若計算機的計算值TE≤1.5dB判定合格。
測試完成後使高低溫循環箱的溫度工作在25℃,打開高低溫循環箱的門取出光器件即可。