常壓等離子體拋光方法

2023-10-23 05:55:37 1

專利名稱：常壓等離子體拋光方法
技術領域：
本發明涉及一種拋光方法。
背景技術：
現代短波光學、強光光學、電子學及薄膜科學的發展對表面的要求非常苛刻，其明顯特性是表面粗糙度小於1nm Ra。這類表面用作光學元件時，為獲得最高反射率，特別強調表面低散射特性或極低粗糙度值；用作功能元件時，因多為晶體材料，相對於表面粗糙度而言，更注重表面的晶格完整性。我們統稱這兩類表面為超光滑表面。超光滑表面微觀起伏的均方根值為幾個原子的尺寸，因此實現超光滑表面加工的關鍵在於實現表面材料原子量級的去除。超光滑表面加工的對象為晶體、玻璃和陶瓷等硬脆性材料，一般來說，大部分硬脆材料不能通過類似金屬鑄造或塑性加工的方法來加工，只有採用超精密加工方法，才可以得到較好的超光滑表面。超精密光學零件加工多採用金剛石超精密切削加工或各種傳統的磨削、拋光加工。超精密金剛石切削本身可以達到極高的加工精度，但是不適合於加工碳化矽、光學玻璃等硬脆性材料，同時，金剛石超精密工具機設計複雜，價格昂貴，對材料、測量、控制、環境等方面的要求都非常苛刻，這都限制了它的廣泛使用。目前，光學零件加工中最常用的加工方法是在精密磨削的基礎上進行傳統的拋光加工，如浴法拋光、浮法拋光等。此類加工方法固然可以得到極高的表面粗糙度，但其材料去除率太低，即加工效率過低，如雷射陀螺反射鏡的表面粗糙度要求達到2_Rq左右，其拋光工藝耗時一般在七天以上，而且，其不適合非球曲面零件的加工，很難滿足需要大量材料去除的零件表面形狀誤差的修正。特別是當光學零件採用碳化矽等極難加工的材料時，由於碳化矽材料的高硬度，在對其進行拋光時，拋光壓力至少是拋光玻璃陶瓷時的四倍，這在加工非常薄的輕質反射鏡鏡片時，可能引起災難性的後果。此外，不管是超精密金剛石切削還是各種磨削、拋光加工，都不可避免地存在傳統機械接觸式加工的固有的缺陷。例如，接觸式機械加工都不同程度地會造成材料的表面破壞，形成微裂紋或引起材料的晶格擾動，從而影響到反射鏡的表面質量，降低其表面破壞閾值。有時，即使可以得到表面粗糙度滿足要求的鏡面，但是仍然無法避免在表層掩蓋下的亞表面損傷。所有這些都會最終影響反射鏡的光學性能。機械式的研拋工藝帶來的另外一個問題是拋光後超光滑表面的清洗問題，表面存在的難以清洗的殘留物將直接影響到後續的納米級薄膜的成膜質量或微電子器件的線寬，集成度和可靠性。

發明內容
本發明的目的是針對常規的機械式研拋方法在大型輕質反射鏡加工中存在的不足之處，以及在碳化矽等硬脆性難加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、容易產生表層及亞表層損傷、表面清洗困難等問題，提供一種常壓等離子體拋光方法。本發明利用常壓等離子體中的高密度高能活性粒子與材料表面的原子發生物理、化學作用，實現高效的、原子級的材料去除，同時又不會在工件表面產生表層或亞表層損傷，可有效克服超光滑表面加工過程中存在的上述問題，具有機械加工手段所無法比擬的優勢。而且，採用常壓條件下的等離子體發生技術，避免了通常的等離子體工藝裝置都要求的複雜的真空系統，實現了更低成本的大氣壓下均勻放電，可以大大減少工業界在真空設備上的投資。本發明的裝置由密閉工作艙51、第一聯動系統52、等離子體炬53、工作檯56、第二聯動系統57、射頻電源58、射頻匹配器59、第一流量控制器60、反應氣體瓶61、等離子體氣體瓶62、氣體回收處理裝置63、負壓泵64、第二流量控制器65、進水管68和出水管69組成，第一聯動系統52與第二聯動系統57一起固定在位於密閉工作艙51底部內壁上的共同的基座54上，等離子體炬53安裝在第一聯動系統52上，並可以在第一聯動系統52上實現直線運動和迴轉運動，第一聯動系統52主要作用為調整等離子體炬53與工件55間的距離，並保證等離子體炬53的軸線方向與工件55被加工表面的法線方向重合，工作檯56安裝在第二聯動系統57上並可在第二聯動系統57上實現直線運動和迴轉運動，第二聯動系統57主要作用為通過直線運動和迴轉運動實現工件55的定位，第一聯動系統52和第二聯動系統57配合實現等離子體炬53與工件55間的特定的相對運動軌跡，完成對平面、球面、非球面以及更複雜曲面的拋光加工，射頻電源58與射頻匹配器59電連接，反應氣體瓶61由管線與第二流量控制器65的入口相連通，第二流量控制器65的出口通過管線經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，等離子體氣體瓶62由管線與第一流量控制器60的入口相連通，第一流量控制器60的出口通過管線經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，進水管68和出水管69分別經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，氣體回收處理裝置63的入口與負壓泵64的出口相連接，負壓泵64的入口通過管線與密閉工作艙51的出氣口67相連接；拋光的步驟為一、打開冷卻水泵，使進水管68和出水管69通水；二、預熱射頻電源58、第一流量控制器60和第二流量控制器65，預熱時間為5～20分鐘；三、打開氣體回收處理裝置63(負壓泵64為可選配件，需要負壓時可以串聯並打開)；四、打開反應氣體瓶61和等離子體氣體瓶62，等離子體氣體為He或Ar，反應氣體為CF4、NF3或SF6，等離子體氣體與反應氣體的體積比為4∶1～1000∶1；等離子體氣體的流量範圍為5～25SLM升/分；五、啟動射頻電源58，逐步施加功率，控制反射功率為零，初始有效功率(即開始產生等離子體的功率)大約為200瓦，常用功率為400～1200瓦，功率最高可加至1500瓦；六、保持等離子體炬53的等離子體焰的穩定，實施計算機調控加工軌跡運行；七、拋光完成後，關閉射頻電源58、關閉反應氣體瓶61和等離子體氣體瓶62、關閉氣體回收處理裝置63及負壓泵64(如有配備)、關閉冷卻水泵；八、取出拋光工件。本發明的有益效果是可在常壓條件下實現超光滑表面的高效、高精度的拋光加工，同時避免了常規的機械式研拋方法中存在的表層或亞表層損傷等問題；同時，能夠在一個大氣壓下產生大面積均勻的低溫等離子體，不需要真空室，可大大降低設備成本並擴大其使用範圍；常壓等離子體具有很高的等離子體密度，其電子密度最高能夠達到1×1014-1×1015cm-3之間，比真空等離子體要高4-6個數量級。常規條件下，等離子體中活性粒子密度比等離子體密度高1到2個數量級，因此採用常壓等離子體可以保證很高的化學反應速度，加工效率是傳統拋光方法的10倍，拋光工件的表面粗糙度小於1nm Ra。


圖1是本發明常壓等離子體拋光方法所採用的拋光裝置的整體結構示意圖，圖2是等離子體炬53的整體結構示意圖。
具體實施例方式
具體實施方式
一(參見圖1、圖2)本實施方式的裝置由密閉工作艙51、第一聯動系統52、等離子體炬53、工作檯56、第二聯動系統57、射頻電源58、射頻匹配器59、第一流量控制器60、反應氣體瓶61、等離子體氣體瓶62、氣體回收處理裝置63、負壓泵64(可選配件)、第二流量控制器65、進水管68和出水管69組成，第一聯動系統52與第二聯動系統57一起固定在位於密閉工作艙51底部內壁上的共同的基座54上，等離子體炬53安裝在第一聯動系統52上並可在第一聯動系統52上實現直線運動和迴轉運動，第一聯動系統52主要作用為調整等離子體炬53與工件55間的距離，保證等離子體炬53的軸線方向與工件55被加工表面的法線方向重合，工作檯56設置在第二聯動系統57上並可在第二聯動系統57上實現直線運動和迴轉運動，第二聯動系統57主要作用為通過直線運動和迴轉運動實現工件55的定位，第一聯動系統52和第二聯動系統57配合實現等離子體炬53與工件55間的特定的相對運動軌跡，完成對平面、球面、非球面和更複雜曲面的拋光加工，射頻電源58與射頻匹配器59電連接，反應氣體瓶61由管線與第二流量控制器65的入口相連通，第二流量控制器65的出口通過管線經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，等離子體氣體瓶62由管線與第一流量控制器60的入口相連通，第一流量控制器60的出口通過管線經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，進水管68和出水管69分別經由密閉工作艙51上的管線接口66與等離子體炬53相連接，氣體回收處理裝置63的入口與負壓泵64的出口相連接，負壓泵64的入口通過管線與密閉工作艙51的出氣口67相連接；拋光的步驟為一、打開冷卻水泵，使進水管68和出水管69通水；二、預熱射頻電源58、第一流量控制器60和第二流量控制器65，預熱時間為5～20分鐘；三、打開氣體回收處理裝置63及負壓泵64(如不需要負壓，則不連接負壓泵)；四、打開反應氣體瓶61和等離子體氣體瓶62，等離子體氣體為He或Ar，反應氣體為CF4、NF3或SF6，等離子體氣體與反應氣體的體積比為4∶1～1000∶1，等離子體氣體的流量範圍為5～25SLM升/分；五、啟動射頻電源58，逐步施加功率，控制反射功率為零，初始有效功率(開始產生等離子體的功率)為185瓦，常用功率為400～1200瓦，最高功率可加至1500瓦；六、保持等離子體炬53等離子體焰的穩定，計算機調控完成加工軌跡運行；七、拋光完成後，關閉射頻電源58、關閉反應氣體瓶61和等離子體氣體瓶62、關閉氣體回收處理裝置63及負壓泵64(如配備)、關閉冷卻水泵；八、取出拋光工件。本實施方式適用於超光滑表面的等離子體拋光加工，主要部件包括一、用於置放等離子體炬53(電容耦合式常壓射頻等離子體源)和工件55的密閉工作艙51；二、等離子體發生系統，包括等離子體炬53，射頻電源58和射頻匹配器59。通過操作等離子體炬53完成對工件表面的超精密等離子體拋光加工；三、多軸聯動超精密工作檯體及其運動控制系統，它可實現一個或多個自由度的迴轉運動以及一個或多個自由度的直線運動，該工作檯56工作於密閉工作艙51中。工作檯56實現一個或多個自由度的直線往復運動及一個或多個自由度的旋轉運動，等離子體炬53實現一個或多個自由度的直線往復運動以及一個或多個自由度的旋轉運動。本聯動系統的直線運動機構採用伺服電機直接拖動滾珠絲槓，並由滾珠絲槓的絲槓螺母副實現迴轉運動與直線運動的轉換，並通過光柵尺實現位置反饋，從而構成全閉環直線運動控制系統。本聯動系統的迴轉運動通過伺服電機拖動渦輪蝸杆副來實現，並通過光電碼盤反饋角位移，從而實現全閉環角位置控制。四、反應氣體供給裝置，本裝置負責為等離子體發生裝置提供適當配方的反應氣體。因此，能夠精確地調整各種氣體的比例，並能夠保證反應氣體流速的高穩定性。這是生成穩定的等離子體放電的重要前提。本部分主要包括氣體鋼瓶、減壓閥、質量流量計。高壓氣體經減壓閥減壓後，通過質量流量計精確控制流入等離子體炬53的氣體流量。五、氣體回收處理裝置63。根據常壓、低溫等離子體拋光的化學反應原理，加工產物中可能包含有毒化學氣體，必須進行無害化處理。
具體實施方式
二(參見圖2)本實施方式的等離子體炬53由陽極水冷導管1、進氣接頭3、陰極水冷接頭一4、陽極5、陰極6、陰極水冷接頭二8、外套9、陶瓷螺母10、連接體11、連接螺母12組成，陰極6與外套9固定連接，陰極6的外壁與外套9的內壁之間形成水冷環形空間13，陰極水冷接頭一4固定在外套9一側的外壁上並與水冷環形空間13相連通，陰極水冷接頭二8固定在外套9另一側的外壁上並與水冷環形空間13相連通，陶瓷螺母10的右端與陰極6的左端固定連接，連接體11的右端與陶瓷螺母10的左端固定連接，陽極5的左端通過螺紋及陽極5中間的臺肩固定在連接體11和陶瓷螺母10內，陽極5的右端設置在陰極6內，陽極5的外壁與陰極6的內壁之間形成工作腔15，陰極6的右端設有出口7，進氣接頭3固定在陶瓷螺母10的外壁上並與陶瓷螺母10內的進氣通道14相連通，陶瓷螺母10內的進氣通道14與陽極5和陰極6之間的工作腔15相連通，陽極水冷導管1設置在陽極5的內腔16內，連接螺母12固定在陽極5的左埠內，陽極水冷導管1的左端固定在連接螺母12的中心處並與外部供水管相通，連接體11內設有冷卻水通道2，冷卻水通道2的裡端與陽極5的內腔16相連通，冷卻水通道2的外端與外界回水管相通。陰極6和陽極5的基體材料均為鋁，在陽極5的外表面上氧化有一層Al2O3薄膜。
具體實施方式
三本實施方式的步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為5∶1～950∶1。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
四本實施方式的步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為50∶1～550∶1。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
五本實施方式的步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為400∶1。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
六本實施方式的步驟五中，初始有效功率為190～220瓦，常用功率為400～1200瓦。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
七本實施方式的步驟五中，初始有效功率為195～210瓦，常用功率為400～1200瓦。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
八本實施方式的步驟五中，初始有效功率為200瓦，正常功率為600瓦。其它方法及步驟與具體實施方式
一相同。
工作原理在常壓下，等離子體氣體(如氦氣、氬氣等)在射頻電場的作用下被電離，形成非熱平衡等離子體，在等離子體的作用下，反應氣體(如CF4、NF3、SF6等)被離解，形成大量高活性的激發態粒子。在拋光過程中，活性粒子將被光學零件表面原子所吸附並與之反應，從而實現原子級的材料去除，同時又不會在工件表面產生表層或亞表層損傷。以採用CF4作為反應氣體，加工SiC為例，相關化學反應方程式如下

SiC+4F*+2O→SiF4↑+CO2↑或採用CF4作為反應氣體，加工Si的相關化學反應方程式如下
Si+4F*→SiF4↑利用射頻放電產生的常壓等離子體中的高密度高活性激發態F*原子，與工件表面SiC原子層發生化學反應，達到原子級的材料去除，並生成容易回收的SiF4和CO2氣體。特點(1)此電容耦合式射頻常壓等離子體炬適用於超光滑表面的等離子體拋光加工，採用了基於電容耦合原理的同軸電極炬體結構，內(陽極)外(陰極)電極均採用水冷，其中，內電極接射頻電源，外電極接地。內外電極之間採用絕緣材料良好的隔離結構。這種結構的等離子體炬克服了CVM方法中的旋轉電極等離子體源和RAP方法中的電感耦合等離子體炬的缺點，等離子體形狀易於控制，免維護。氣體輸入採用流量計精確控制，多路氣體可以同時輸入。(2)工作腔15為等離子體發生區域，出口為等離子體引出區域。通過優化等離子體炬的結構，可以得到穩定可控的等離子體外形。採用圓錐臺形、直口形或喇叭形的出口形狀，利用氣流流動帶動等離子體運動，由出口吹出，得到特定形狀的等離子體焰。(3)陽極水冷導管1和冷卻水通道2為陽極水冷系統的入口和出口，冷水從陽極水冷導管1進入陽極內部的空腔16，由冷卻水通道2流出，帶走熱量。陰極水冷接頭一4和陰極水冷接頭二8為陰極水冷系統的入口和出口，冷水由其中一口流入陰極外的空腔13中，帶走熱量，由另外一口流出。電容耦合等離子體炬採用循環水冷結構，保證了在加工過程中常壓等離子體的穩定性。以上水冷裝置也可以替換為油冷或氣體冷卻。(4)陰極陽極的基體材料均為鋁，在其安裝定位上，採用了可加工陶瓷製作的螺母，它不但絕緣性好，而且耐高壓。同時，還通過微弧氧化的方法，在陽極5的外表面形成有一層Al2O3薄膜，有效地抑制了電極間的拉弧現象，極大地提高了等離子體炬的整體性能。(5)採用射頻電源及配套的射頻匹配器。此電容耦合式常壓等離子體炬的結構決定了通過射頻電源放電產生非熱平衡常壓等離子體，從而激發出高能活性粒子為最佳方案。通過射頻電源放電產生非熱平衡常壓等離子體(Non-thermalatmospheric pressure plasma)。針對Si，SiC等材料的加工，反應氣體根據化學反應熱力學的原理選擇。在保證化學反應可進行的同時，反應生成物應當易於排出，不會對加工表面造成新的汙染。本例中，工作氣體主要包括He和少量的反應氣體，如CF4等。反應氣體成份與比例，反應氣體流速等參數對等離子體中活性粒子密度和能量均有較大影響，反應氣體配比的微小變化都會對等離子體放電狀態產生顯著影響，甚至可能造成等離子體放電過程的終止，因此應精確控制。工作氣體由進氣接頭3進入兩電極間的腔體(工作腔15)。在工作狀態下，通過流量控制器實現參與反應的各氣體成分的精確配比。在等離子體的作用下，這些反應氣體形成大量高活性的激發態粒子，並由出口吹向工件表面。材料去除量與駐留之間、功率、氣體配比等多個工藝參數有關，針對不同的加工要求，可制定不同的軌跡規劃方案，通過計算機編程實現預定的加工軌跡。在拋光過程中，活性粒子將被光學零件表面原子所吸附並與之反應，反應產物隨不斷流動的常壓等離子體排走，從而實現原子級的材料去除。
權利要求
1.一種常壓等離子體拋光方法，常壓等離子體拋光方法的裝置由密閉工作艙(51)、第一聯動系統(52)、等離子體炬(53)、工作檯(56)、第二聯動系統(57)、射頻電源(58)、射頻匹配器(59)、第一流量控制器(60)、反應氣體瓶(61)、等離子體氣體瓶(62)、氣體回收處理裝置(63)、負壓泵(64)、第二流量控制器(65)、進水管(68)和出水管(69)組成，第一聯動系統(52)與第二聯動系統(57)一起固定在位於密閉工作艙(51)底部內壁上的共同的基座(54)上，等離子體炬(53)安裝在第一聯動系統(52)上並在第一聯動系統(52)上實現直線運動和迴轉運動，工作檯(56)設置在第二聯動系統(57)上並在第二聯動系統(57)上實現直線運動和迴轉運動，射頻電源(58)與射頻匹配器(59)電連接，反應氣體瓶(61)由管線與第二流量控制器(65)的入口相連通，第二流量控制器(65)的出口通過管線經由密閉工作艙(51)上的管線接口(66)與等離子體炬(53)相連接，等離子體氣體瓶(62)由管線與第一流量控制器(60)的入口相連通，第一流量控制器(60)的出口通過管線經由密閉工作艙(51)上的管線接口(66)與等離子體炬(53)相連接，進水管(68)和出水管(69)分別經由密閉工作艙(51)上的管線接口(66)與等離子體炬(53)相連接，氣體回收處理裝置(63)的入口與負壓泵(64)的出口相連接，負壓泵(64)的入口通過管線與密閉工作艙(51)的出氣口(67)相連接；其特徵在於拋光的步驟為一、打開冷卻水泵，使進水管(68)和出水管(69)通水；二、預熱射頻電源(58)、第一流量控制器(60)和第二流量控制器(65)，預熱時間為5～20分鐘；三、打開氣體回收處理裝置(63)；四、打開反應氣體瓶(61)和等離子體氣體瓶(62)，等離子體氣體為He或Ar，反應氣體為CF4、NF3或SF6，等離子體氣體與反應氣體的體積比為4∶1～1000∶1，等離子體氣體的流量範圍為5～25SLM升/分；五、啟動射頻電源(58)，逐步施加功率，控制反射功率為零，初始有效功率為185瓦，常用功率為400～1200瓦；六、保持等離子體炬(53)等離子體焰的穩定，計算機調控完成加工軌跡運行；七、拋光完成後，關閉射頻電源(58)、關閉反應氣體瓶(61)和等離子體氣體瓶(62)、關閉氣體回收處理裝置(63)、關閉冷卻水泵；八、取出拋光工件。
2.根據權利要求1所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於等離子體炬(53)由陽極水冷導管(1)、進氣接頭(3)、陰極水冷接頭一(4)、陽極(5)、陰極(6)、陰極水冷接頭二(8)、外套(9)、陶瓷螺母(10)、連接體(11)和連接螺母(12)組成，其特徵在於陰極(6)與外套(9)固定連接，陰極(6)的外壁與外套(9)的內壁之間形成水冷環形空間(13)，陰極水冷接頭一(4)固定在外套(9)一側的外壁上並與水冷環形空間(13)相連通，陰極水冷接頭二(8)固定在外套(9)另一側的外壁上並與水冷環形空間(13)相連通，陶瓷螺母(10)的右端與陰極(6)的左端固定連接，連接體(11)的右端與陶瓷螺母(10)的左端固定連接，陽極(5)的左端通過螺紋及陽極(5)中間的臺肩固定在連接體(11)和陶瓷螺母(10)內，陽極(5)的右端設置在陰極(6)內，陽極(5)的外壁與陰極(6)的內壁之間形成工作腔(15)，陰極(6)的右端設有出口(7)，進氣接頭(3)固定在陶瓷螺母(10)的外壁上並與陶瓷螺母(10)內的進氣通道(14)相連通，陶瓷螺母(10)內的進氣通道(14)與陽極(5)和陰極(6)之間的工作腔(15)相連通，陽極水冷導管(1)設置在陽極(5)的內腔(16)內，連接螺母(12)固定在陽極(5)的左埠內，陽極水冷導管(1)的左端固定在連接螺母(12)的中心處並與外界進水管相通，連接體(11)內設有冷卻水通道(2)，冷卻水通道(2)的裡端與陽極(5)的內腔(16)相連通，冷卻水通道(2)的外端與外界出水管相通。
3.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為5∶1～950∶1。
4.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為50∶1～550∶1。
5.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟四中，等離子體氣體與反應氣體的體積比為400∶1。
6.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟五中，初始有效功率為190～220瓦，正常功率為400～1200瓦。
7.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟五中，初始有效功率為195～210瓦，正常功率為550～1200瓦。
8.根據權利要求2所述的常壓等離子體拋光方法，其特徵在於步驟五中，初始有效功率為200瓦，正常功率為600瓦。
全文摘要
常壓等離子體拋光方法，它涉及一種拋光方法。本發明的目的是為解決常規的機械式研拋方法存在的不足及在碳化矽等硬脆性難加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易產生表層及亞表層損傷、表面清洗困難等問題。本發明的方法主要是，等離子體氣體與反應氣體的體積比為4∶1～1000∶1；啟動射頻電源，逐步施加功率，控制反射功率為零，初始有效功率為180～240瓦，常用功率為400～1200瓦，最高功率可加至1500瓦。本發明可在常壓下通過等離子體化學反應實現超光滑表面加工，不需要真空室，可降低設備成本並擴大其使用範圍。加工效率是傳統拋光方法的十倍，並且無表面損傷、無亞表層損傷、無表面汙染，拋光工件的表面粗糙度小於1nm Ra。
文檔編號B24B1/00GK101032802SQ20071007202
公開日2007年9月12日 申請日期2007年4月11日 優先權日2007年4月11日
發明者王波, 張巨帆, 董申, 張龍江 申請人:哈爾濱工業大學