一種反相器的製作方法

2023-10-08 07:18:24 1

專利名稱：一種反相器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及邏輯電路領域，特別涉及一種反相器。
背景技術：
本領域中通常使用的反相器如圖1所示，該反相器由一 NMOS電晶體11與一 PMOS 電晶體12組成，當輸入信號為理想的高、低電平時，其僅在切換狀態時才產生電流，而在穩態時則不產生任何電流，但是，實際應用中，當輸入信號處於非理想狀態時，如當輸入信號的高電平為比理想的高電平小較多時，將導致PMOS電晶體12被稍微開啟而產生漏電流，從而增加了反相器的功率消耗。

實用新型內容本實用新型的目的是提供一種反相器，其具有較小的漏電流，從而具有較小的功率消耗。本實用新型的技術方案如下一種反相器，該反相器包括輸入端、輸出端PMOS電晶體以及NMOS電晶體，其中，所述PMOS電晶體的源極連接電源，所述NMOS電晶體的源極接地，所述NMOS電晶體的柵極連接到所述輸入端，所述PMOS電晶體的漏極和所述NMOS電晶體的漏極均連接到所述輸出端，並且，該反相器還包括升壓元件，所述升壓元件連接在所述輸入端和所述PMOS電晶體的柵極之間。本實用新型具有以下有益效果在輸入信號的高電平為比理想的高電平小較多時，由於升壓元件的存在，能夠防止PMOS電晶體被稍微開啟而產生漏電流，從而能夠減小反相器的功率消耗。

圖1是現有的反相器的電路結構圖。圖2是本實用新型的反相器的電路結構圖。
具體實施方式
本實用新型的反相器的電路結構如圖2所示，其中，該反相器包括輸入端20、輸出端M、PM0S電晶體22和NMOS電晶體21、以及升壓元件23，其中，所述PMOS電晶體22的源極連接電源，所述NMOS電晶體21的源極接地，所述NMOS電晶體21的柵極連接到所述輸入端，所述PMOS電晶體22的漏極和所述NMOS電晶體21的漏極均連接到所述輸出端，在輸入端20和PMOS電晶體22的柵極之間連接有升壓元件23，該升壓元件23具有電壓提升功能， 當輸入信號的高電平比理想的高電平小較多時，由於升壓元件23的電壓提升功能，使得輸入到PMOS電晶體22的柵極的信號仍然維持在理想的高電平，從而防止PMOS電晶體22的稍微開啟產生的漏電流，進而減小該反相器的功率消耗。
權利要求1. 一種反相器，該反相器包括輸入端、輸出端、PMOS電晶體以及NMOS電晶體，其中，所述PMOS電晶體的源極連接電源，所述NMOS電晶體的源極接地，所述NMOS電晶體的柵極連接到所述輸入端，所述PMOS電晶體的漏極和所述NMOS電晶體的漏極均連接到所述輸出端， 其特徵在於該反相器還包括升壓元件，所述升壓元件連接在所述輸入端和所述PMOS電晶體的柵極之間。
專利摘要本實用新型提供了一種反相器，該反相器包括輸入端、輸出端以及串聯連接的PMOS電晶體和NMOS電晶體，其特徵在於該反相器還包括升壓元件，所述升壓元件連接在所述輸入端和所述PMOS電晶體的柵極之間。本實用新型通過在PMOS電晶體的柵極與所述輸入端之間連接升壓元件使得在輸入信號的高電平為比理想的高電平小較多時，也能夠防止PMOS電晶體被稍微開啟而產生漏電流，從而能夠減小反相器的功率消耗。
文檔編號H03K19/094GK202150849SQ20112025449
公開日2012年2月22日 申請日期2011年7月19日 優先權日2011年7月19日
發明者劉平 申請人:常州機電職業技術學院