減小DMOS色差的方法及裝置與流程
2023-10-08 05:23:14 2
本發明實施例涉及半導體器件製作工藝領域，尤其涉及一種減小DMOS色差的方法及裝置。
背景技術：
雙擴散金屬氧化物半導體(Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，簡稱DMOS)集成電路用耗盡型金屬氧化物半導體(Metal Oxide Semiconductor,簡稱MOS)電晶體作負載管，用增強型MOS電晶體作驅動管組成反相器，並以該反相器作為集成電路的基本單元。
現有技術中DMOS產品的製作工藝包括接觸孔腐蝕，在接觸孔腐蝕過程中，特定區域如切割道和封裝對位標誌區域的氧化層容易被腐蝕掉，導致該特定區域的矽襯底暴露出來，在後續鋁矽銅合金澱積過程中，鋁矽銅合金直接與矽襯底接觸並互融，通過溼法腐蝕鋁銅後在矽襯底表面上留下矽渣，幹法掃矽渣後矽襯底表面出現較大凹坑，影響DMOS產品的外觀。
技術實現要素：
本發明實施例提供一種減小DMOS色差的方法及裝置，以改善DMOS產品的外觀。
本發明實施例的一個方面是提供一種減小DMOS色差的方法，包括：
依據預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用於遮擋所述DMOS的預設區域，以保留所述預設區域的氧化層；
在所述DMOS的表面澱積鋁矽銅合金，以使所述鋁矽銅合金與所述氧化層互融；
溼法腐蝕所述鋁矽銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁矽銅合金中的矽留在所述氧化層的表面；
依據幹法掃矽渣方法去除所述氧化層的表面上的矽。
本發明實施例的另一個方面是提供一種減小DMOS色差的裝置，包括：
腐蝕模塊，用於依據預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用於遮擋所述DMOS的預設區域，以保留所述預設區域的氧化層；
澱積模塊，用於在所述DMOS的表面澱積鋁矽銅合金，以使所述鋁矽銅合金與所述氧化層互融；
溼法腐蝕模塊，用於溼法腐蝕所述鋁矽銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁矽銅合金中的矽留在所述氧化層的表面；
幹法掃矽渣模塊，用於依據幹法掃矽渣方法去除所述氧化層的表面上的矽。
本發明實施例提供的減小DMOS色差的方法及裝置，通過對現有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區域被預設光罩遮擋，以保留該預設區域的氧化層，澱積的鋁矽銅合金與氧化層互融，溼法腐蝕鋁矽銅合金中的鋁和銅後，鋁矽銅合金中的矽留在氧化層的表面，幹法掃矽渣時矽被腐蝕的速度大於氧化層被腐蝕的速度，保證幹法掃矽渣後氧化層上出現的凹坑較小，大大改善了DMOS產品的外觀。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的減小DMOS色差的方法流程圖；
圖2為本發明實施例提供的減小DMOS色差的裝置的結構圖。
具體實施方式
圖1為本發明實施例提供的減小DMOS色差的方法流程圖。本發明實施例針對現有技術中幹法掃矽渣後矽襯底表面出現較大凹坑，提供了減小DMOS色差的方法，該方法的具體步驟如下：
步驟S101、依據預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用於遮擋所述DMOS的預設區域，以保留所述預設區域的氧化層；
本發明實施例針對現有技術中的光罩進行了改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，改進後的光罩能夠遮擋所述DMOS的預設區域，該預設區域具體為切割道和封裝對位標誌的區域，避免DMOS進行接觸孔腐蝕時，預設區域的氧化層被腐蝕，即接觸孔腐蝕後，預設區域的上層保留有氧化層，矽襯底不被暴 露出來。
步驟S102、在所述DMOS的表面澱積鋁矽銅合金，以使所述鋁矽銅合金與所述氧化層互融；
在所述DMOS的表面澱積鋁矽銅合金，該鋁矽銅合金澱積在所述氧化層後，該鋁矽銅合金和氧化層互融。
步驟S103、溼法腐蝕所述鋁矽銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁矽銅合金中的矽留在所述氧化層的表面；
通過溼法腐蝕所述鋁矽銅合金中的鋁和銅，則溼法腐蝕後所述氧化層的表面留下所述鋁矽銅合金中的矽。
步驟S104、依據幹法掃矽渣方法去除所述氧化層的表面上的矽。
所述鋁矽銅合金中的矽與所述氧化層的選擇比為1.5。
通過幹法掃矽渣方法去除所述氧化層的表面上的矽，由於該鋁矽銅合金中的矽與該氧化層的選擇比為1.5，則在幹法掃矽渣過程中，矽被腐蝕的速度大於氧化層被腐蝕的速度，所以幹法掃矽渣後氧化層上出現的凹坑較小。
本發明實施例通過對現有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區域被預設光罩遮擋，以保留該預設區域的氧化層，澱積的鋁矽銅合金與氧化層互融，溼法腐蝕鋁矽銅合金中的鋁和銅後，鋁矽銅合金中的矽留在氧化層的表面，幹法掃矽渣時矽被腐蝕的速度大於氧化層被腐蝕的速度，保證幹法掃矽渣後氧化層上出現的凹坑較小，大大改善了DMOS產品的外觀。
在上述實施例的基礎上，所述幹法掃矽渣方法為各向同性反應掃矽渣方法。所述各向同性反應掃矽渣方法採用的主刻氣體為CF4/O2。
對於上述步驟S104中的幹法掃矽渣方法，本發明實施例具體採用各向同性反應掃矽渣方法。目前幹法掃矽渣方法採用機臺Lam590，機臺Lam590掃矽渣的反應模式是各向異性的，且以SF6為主刻氣體，掃矽渣速率在4000A/Min左右，採用機臺Lam590幹法掃矽渣後矽襯底上的凹坑較大。本發明實施例採用機臺AE2001，機臺AE2001掃矽渣的反應模式是各向同性的，且以CF4/O2為主刻氣體，採用機臺AE2001的各向同性反應掃矽渣後可使氧化層上的凹坑較小。
所述鋁矽銅合金的寬度大於或等於20微米。
由於機臺AE2001側腐蝕較大，鋁矽銅合金條就不可太窄，具體若鋁矽銅合金條的寬度小於15微米時可能發生飄鋁異常，因此為了放置飄鋁異常，鋁矽銅合金條的寬度至少為20微米，即大於或等於20微米。
本發明實施例通過採用各向同性反應掃矽渣方法進行幹法掃矽渣，進一步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁矽銅合金的寬度大於或等於20微米，可防止發生飄鋁異常。
圖2為本發明實施例提供的減小DMOS色差的裝置的結構圖。本發明實施例提供的減小DMOS色差的裝置可以執行減小DMOS色差的方法實施例提供的處理流程，如圖2所示，減小DMOS色差的裝置20包括腐蝕模塊21、澱積模塊22、溼法腐蝕模塊23和幹法掃矽渣模塊24，其中，腐蝕模塊21用於依據預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用於遮擋所述DMOS的預設區域，以保留所述預設區域的氧化層；澱積模塊22用於在所述DMOS的表面澱積鋁矽銅合金，以使所述鋁矽銅合金與所述氧化層互融；溼法腐蝕模塊23用於溼法腐蝕所述鋁矽銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁矽銅合金中的矽留在所述氧化層的表面；幹法掃矽渣模塊24用於依據幹法掃矽渣方法去除所述氧化層的表面上的矽。
本發明實施例通過對現有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區域被預設光罩遮擋，以保留該預設區域的氧化層，澱積的鋁矽銅合金與氧化層互融，溼法腐蝕鋁矽銅合金中的鋁和銅後，鋁矽銅合金中的矽留在氧化層的表面，幹法掃矽渣時矽被腐蝕的速度大於氧化層被腐蝕的速度，保證幹法掃矽渣後氧化層上出現的凹坑較小，大大改善了DMOS產品的外觀。
在上述實施例的基礎上，所述鋁矽銅合金中的矽與所述氧化層的選擇比為1.5。
所述幹法掃矽渣方法為各向同性反應掃矽渣方法。
所述各向同性反應掃矽渣方法採用的主刻氣體為CF4/O2。
所述鋁矽銅合金的寬度大於20微米。
本發明實施例提供的減小DMOS色差的裝置可以具體用於執行上述圖1所提供的方法實施例，具體功能此處不再贅述。
本發明實施例通過採用各向同性反應掃矽渣方法進行幹法掃矽渣，進一 步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁矽銅合金的寬度大於或等於20微米，可防止發生飄鋁異常。
綜上所述，本發明實施例通過對現有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區域被預設光罩遮擋，以保留該預設區域的氧化層，澱積的鋁矽銅合金與氧化層互融，溼法腐蝕鋁矽銅合金中的鋁和銅後，鋁矽銅合金中的矽留在氧化層的表面，幹法掃矽渣時矽被腐蝕的速度大於氧化層被腐蝕的速度，保證幹法掃矽渣後氧化層上出現的凹坑較小，大大改善了DMOS產品的外觀；通過採用各向同性反應掃矽渣方法進行幹法掃矽渣，進一步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁矽銅合金的寬度大於或等於20微米，可防止發生飄鋁異常。
在本發明所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過其它的方式實現。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特徵可以忽略，或不執行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。
所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位於一個地方，或者也可以分布到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例方案的目的。
另外，在本發明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以採用硬體的形式實現，也可以採用硬體加軟體功能單元的形式實現。
上述以軟體功能單元的形式實現的集成的單元，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。上述軟體功能單元存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，伺服器，或者網絡設備等)或處理器(processor)執行本發明各個實施例所述方法的部分步驟。而前述的存儲介質包括：U盤、移動硬碟、只讀存儲器(Read-Only Memory，ROM)、 隨機存取存儲器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光碟等各種可以存儲程序代碼的介質。
本領域技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，僅以上述各功能模塊的劃分進行舉例說明，實際應用中，可以根據需要而將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將裝置的內部結構劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的裝置的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。