高壓氮化物led電路及相應的高壓氮化物led器件的製作方法
2023-10-07 23:13:49 1
專利名稱：高壓氮化物led電路及相應的高壓氮化物led器件的製作方法
技術領域：
本發明屬於發光器件製造領域，涉及一種發光器件的結構設計與製造，尤其涉及一種集成反向放電二極體的高壓氮化物LED器件。
背景技術：
隨著以氮化物為基礎的高亮度LED應用的開發，新一代綠色環保固體照明光源氮化物LED已成為研究的重點，尤其是以第三代半導體氮化鎵(feiN)為代表的藍色LED的開發。以GaN、氮化銦鎵(InGaN)和氮化鋁鎵(AWaN)合金為主的III族氮化物半導體材料具有寬的直接帶隙、內外量子效率高、高熱導率、耐高溫、抗腐蝕、抗震性、高強度和高硬度等特性，是世界上目前製造高亮度發光器件的理想材料。隨著LED背光應用、路燈等功能性照明領域的應用快速發展，高壓LED器件將成為照明領域中的一個發展趨勢。要實現LED器件的高壓供電，需要將多個LED串聯在一起。 但是，LED器件在製造或使用的過程中，由於電荷或電場的存在而產生電荷轉移，從而形成兩個電壓極性相反的能量叫靜電。靜電電荷會不斷積累，如果靜電缺乏洩放通道，不能及時釋放，那麼電荷能量經過一段時間會累計到很高的數值，一旦超過LED晶片的最大承受值， 電荷將以極短的瞬間(納秒級別)在LED兩個電極層之間進行放電。由於靜電放電現象往往在電阻值很小、電極周邊的位置發生，因此，在這些很小的電阻上洩放電壓瞬間上升，洩放電流也會相應的瞬間變大，產生功率焦耳的熱量，從而在導電層之間局部，往往是在電阻值最小、電極周邊的位置上形成高溫，高溫將會把導電層之間熔融成一些小孔，從而造成漏電、暗亮、死燈、電性飄移等現象，甚至燒毀LED發光器件。而對於多個發光二極體串聯的高壓LED，只要其中一個LED因靜電作用被破壞，整組LED組件就會失效，從而使高壓LED器件因為遭受到靜電損害而大大降低可靠性。因此，要想使高壓LED在各類產品和各種環境裡的使用，就必須提高高壓LED的抗靜電能力。人們正在試圖從技術上嘗試各種能提高LED的抗靜電能力的方法。比如其中一種方式是在器件封裝或電路製造時，將矽質材料製造的齊納二極體獨立的和LED器件並聯在一起。的確，在LED器件上加接齊納二極體能有效提高LED的抗靜電能力。其實，發光二極體本身就屬於半導體的P-N結二極體結構，如果在LED晶片製造過程中直接把放電二極體製造出來，並通過集成手段與發光二極體並聯連接，就可以簡化生產步驟，提高集成發光晶片自身的抗靜電性能。綜上所述，在製造III族氮化物高壓LED發光晶片時一方面希望通過LED外延片自身質量的提高，以改善LED器件的抗靜電能力，從而得到可靠的高壓LED晶片。另一方面，在實際的實施過程中仍然存在著問題，亟待引進能有效改善上述缺陷的新方法，以解決第三代半導體材料使用面臨的高壓LED抗靜電性能的二極體集成技術的問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種能提高高壓氮化物LED抗靜電能力的方法。為解決上述問題，本發明提出了一種高壓氮化物LED電路，包括多個發光二極體串聯成一路發光二極體，所述一路發光二極體按序連續劃分成η組，每組發光二極體與一個放電二極體反向並聯，其中η為自然數。相應地，本發明提供了一種高壓氮化物LED器件，包括基底層以及形成在基底層上的第一器件區域和第二器件區域，所述第一器件區域內製作有N*M-K個發光二極體，所述第二器件區域內製作有K個放電二極體，使得基底層上集成的發光二極體和放電二極體的總數為N*M個，所述第一器件區域內的發光二極體串聯成一路發光二極體，並按序連續劃分成η組，每組發光二極體與第二器件區域內的一個放電二極體反向並聯，其中，N、M、K、 η為自然數，且N和M不同時為1、η彡Ν*Μ_Κ、Κ < Ν*Μ/2。相應地，本發明還提供了一種高壓氮化物LED器件，包括基底層以及均勻分布在基底層上的η個單元，每個單元依次按序連續串聯，所述每個單元包括一組發光二極體和與該組發光二極體反向並聯的一個放電二極體，所述每個單元中的一組發光二極體依次串聯連接，其中η為自然數。通過金屬有機化學氣相澱積生長LED外延區後，通過採用集成的放電二極體技術，在沒有改變LED外延結構的前提下，有效利用了原有晶片的自身結構特性，通過一些簡單的工藝就將多個LED分組，且每組LED分別和相應的放電二極體集成反向並聯，不僅能製作高壓LED器件，以提高一組LED的光通量，而且由於放電二極體在製造過程中與LED同步生成，因此，當一個反向的靜電電荷積累瞬間衝擊LED時，經過放電二極體，這些電荷時刻都會被放電二極體釋放掉，因此，提高了抗靜電性能，防止LED靜電損害，延長了 LED的使用壽命，降低了成本。
圖1顯示了本發明一種高壓氮化物LED電路的示意圖。圖2顯示了本發明一種高壓氮化物LED器件的平面連接示意圖。圖3顯示了圖2所示的高壓氮化物LED器件的A-A截面示意圖。圖4顯示了本發明另一種高壓氮化物LED器件的平面連接示意圖。圖5顯示了圖4所示的高壓氮化物LED器件的B-B截面示意圖。其中，附圖標記說明如下LlOO 一路發光二極體L-U L-2........L-n每組發光二極體L1、L2、......、Li、.......LN*M_K 發光二極體L01、L02、.......LOj、.......LOn (LOK)放電二極體Dl第一器件區域D2第二器件區域Cl........Cj........Cn 二極體單元200襯底202低溫成核層204非摻雜氮化物層206N型氮化物層208基底層 209多量子阱210第一 P型氮化物層211第二 P型氮化物層212P型氮化物層213多層外延結構214襯底凹槽
216放電二極體的N電極218放電二極體的P電極220導電透明層222絕緣層224發光二極體的P型電極2 發光二極體的N型電極2 發光二極體P型電極與放電二極體N電極連接金屬230發光二極體N型電極與放電二極體P電極連接金屬300多個發光二極體串聯的連線金屬
具體實施例方式為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發明實施例時，為便於說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應限制本發明保護的範圍。此外，在實際製作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。參見圖1，本發明提供的一種高壓氮化物LED電路，包括多個發光二極體通過P型電極、N型電極首尾串聯連接成一路發光二極體L100。所述一路發光二極體LlOO按序連續
劃分成η組L-1、L-2.....L-n，每組發光二極體與一個放電二極體反向並聯(L-1與放電
二極體LOl反向並聯，L-2與L02反向並聯，...，L-n與LOn反向並聯)，即每組發光二極體的首尾P型電極、N型電極與相應的放電二極體的N電極、P電極相連接，其中η為自然數。其中，所述每組發光二極體包括的發光二極體數目可以相同或不同，且每組發光二極體連接至不同的放電二極體。基於上述的高壓氮化物LED電路，本發明提出了相應的高壓氮化物LED器件及其製造方法以實現上述電路，下面將結合圖2至圖5進行具體說明。參見圖2，並配合參見圖3，本發明提出的一種高壓氮化物LED器件，包括基底層 208以及形成在基底層208上的第一器件區域Dl和第二器件區域D2，所述第一器件區域Dl 內製作有N*M-K個發光二極體Li (1 < i < N*M-K)，所述第二器件區域D2內製作有K個放電二極體LOj (1 ( j < K)，使得基底層上集成的發光二極體和放電二極體的總數為N*M個， 所述第一器件區域Dl內的發光二極體串聯成一路發光二極體，並按序連續劃分成η組，每組發光二極體與第二器件區域D2內的一個放電二極體反向並聯，其中，Ν、Μ、Κ、η為自然數， 且N和 M 不同時為 Un^ Ν*Μ-Κ、Κ < Ν*Μ/2。其中，所述每個發光二極體的P型電極224、N型電極2 首尾串聯連接成一路發光二極體，每組發光二極體的首尾P型電極224、N型電極2 連接到一個放電二極體的N 電極216、P電極218上，且各組發光二極體分別連接至不同的放電二極體。可選的，所述每組發光二極體包括的發光二極體的數量相同或不同。其次，多個所述高壓氮化物LED器件製作在一 LED晶片上，以N*M個發光二極體和放電二極體為一模塊，通過切片和裂片工藝將LED晶片分裂，模塊內不再進行切片和分裂。
然後，將所述各模塊封裝為一個高壓氮化物LED並且所述每個高壓氮化物LED由一個電源供電。例如，本發明中的一種高壓氮化物LED器件集成的二極體的總數為80個，其中，第一器件區域Dl製作的發光二極體數目為71個，第二器件區域D2製作的放電二極體數目K 為9個；所述發光二極體被分成η = 9組，各組中發光二極體的個數依次可以為9、9、9、6、 9、6、7、7、9，每組發光二極體分別與一個放電二極體反向並聯。當然，各組發光二極體包括的發光二極體的數量也可以相同。當第一器件區域Dl製作有70個發光二極體，第二器件區域D2製作有10個放電二極體時，可以將發光二極體分成10組，每組包括7個發光二極體，且每組分別與一個放電二極體反向並聯。以上舉例僅用於說明高壓氮化物LED器件中發光二極體、放電二極體可採用的數目以及分組連接方式，並非用於限定本發明，只要在合理的布局範圍內，M、N、K、η及各組發光二極體中包括的發光二極體數目都可以調整。參見圖3，上述高壓氮化物LED器件的製作方法，包括如下步驟SlOO 採用金屬有機化學氣相澱積方法在基底層上生長多層外延結構213。所述基底層208由下至上依次包括襯底200、低溫成核層202、未摻雜氮化物層 204、N型氮化物層206。所述多層外延結構213由下至上依次包括多量子阱209、P型氮化物層212。所述P型氮化物層212由下至上依次包括第一 P型氮化物層210、第二 P型氮化物層 211。SlOl 對多層外延結構進行蝕刻停止在N型氮化物層。對多層外延結構進行蝕刻停止在N型氮化物層，用以後續工藝製備發光二極體和放電二極體電極。S102 對所述基底層進行蝕刻停止在襯底用以製作襯底凹槽。對所述基底層208進行蝕刻，蝕刻停止在襯底200上，用以製作襯底凹槽214。所述襯底凹槽214通過貫穿多層外延結構213、N型氮化物層206、未摻雜氮化物層204、低溫成核層202將後續工藝製備的發光二極體之間、放電二極體之間以及發光二極體與放電二極體之間進行隔離。S103 在第二 P型氮化物層沉積導電透明層220。在所述第二 P型氮化物層211上沉積導電透明層220，在所述導電透明層220上可以用來製備後續工藝中的發光二極體和放電二極體的P電極。S104 根據所述高壓氮化物LED的電路要求，在基底層上製作發光二極體、放電二極體的P電極和N電極。根據所述高壓氮化物LED的電路要求，將基底層208劃分用以後續製作發光二極體的第一器件區域Dl和用以製作放電二極體的第二器件區域D2(見圖2)。在基底層208上的第一器件區域Dl中製作N*M_K個發光二極體的P型電極224、 N型電極226，在第二器件區域D2中製作K個放電二極體的P電極218、N電極216，其中， N、M、K為自然數KN*M/2。其中，被隔離出來的第二器件區域D2要儘量小，以使在第二器件區域D2上製成的放電二極體的尺寸在保證工藝的條件下儘量小，第二器件區域D2的形狀和位置不限於圖2所示的情形，也可以根據用於製作發光二極體的第一器件區域Dl的版圖形狀來調節D2的形狀和位置，只要放電二極體集中排列在單一區域即所述第二器件區域D2中且第一器件區域Dl和第二器件區域D2拼成矩形圖形即可。例如，所述第一器件區域Dl可以是朝任意方向開口的「L」型，則相應的第二器件區域D2位於一角，並與Dl拼成矩形(見圖2)；或者所述第一器件區域Dl是「回」字型，則相應的第二器件區域D2位於中央，與Dl拼成矩形；或者所述第一器件區域Dl還可以是朝任意方向開口的「凹」型，則相應的第二器件區域D2可以是一個「口」或者「凸」型並與Dl拼成矩形；或者所述第一器件區域Dl是「凸」型，則相應的第二器件區域D2可以是一個「凹」 型並與Dl拼成矩形。本發明中所述第一器件區域Dl和所述第二器件區域D2的形狀不限於上述實例， 只要所述第一器件區域Dl和所述第二器件區域D2的形狀可以完全匹配成有效的矩形圖形，而不影響後續切片和裂片等工藝，且元件排列緊湊、布局布線合理，以提高多層外延結構213的利用效率。由於採用與通常LED兼容的製造工藝，不需要另加任何額外的步驟，解決了外接連接放電二極體導致LED晶片面積增大、成本增高的問題。S105 除電極區域外生長絕緣層。其中，絕緣層222可以使用Si02等材料等。S106 根據所述高壓氮化物LED的電路要求進行分組設計，將發光二極體、放電二極體以及發光二極體與放電二極體的電極按照預先設計一次完成金屬互連。為了實現本發明提供的一種高壓氮化物LED器件，應當根據所述的高壓氮化物 LED的電路要求預先將多個發光二極體進行分組設計，分為η組(η為自然數)。然後，在電極上沉積金屬，通過本步驟一次形成了發光二極體和放電二極體的各電極的歐姆接觸，以及發光二極體的P型電極2Μ和放電二極體的N電極216的連接金屬228，發光二極體的N 型電極2 和放電二極體的P電極218的連接金屬230，使每組發光二極體的首尾P型電極、N型電極與相應的放電二極體的N電極、P電極相連接，同時，形成了每組內的發光二極體的依次串聯的連線金屬300。經過本步驟，第一器件區域Dl中的所有發光二極體形成了串聯，同時完成了 η組發光二極體間的依次按序連接，且每組發光二極體與相應的放電二極體反向連接，實現了基於上述的高壓氮化物LED的電路。S107 多個所述高壓氮化物LED器件製作在一 LED晶片上，以N*M個發光二極體和放電二極體為一模塊，通過切片和裂片工藝將LED晶片分裂，模塊內不再進行切片和分裂， 其中，每一模塊中放電二極體可以為K個。S108 將所述各模塊封裝為一個高壓氮化物LED並且所述每個高壓氮化物LED由一個電源供電(圖中未示)。參見圖4，並配合參見圖5，本發明中還提出了另一種高壓氮化物LED器件，包括
基底層208以及均勻分布在基底層上的η個單元Cl.....Cj.....Cn，所述每個單元Cj
包括一組發光二極體和與該組發光二極反向並聯的一個放電二極體LOj，所述每個單元內的一組發光二極體依次串聯連接，所述各個單元間依次按序連續串聯，其中η為自然數，
j < η。
其中，所述每個單元內的各個發光二極體的P型電極224、N型電極2 首尾串聯連接成一組發光二極體，所述一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極和一個放電二極體的N電極216、P電極218分別連接。所述每個單元間通過每個單元中的一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極依次按序連續串聯。可選的，所述每個單元包括的發光二極體的數量相同或不同。參見圖5，上述高壓氮化物LED器件的製作方法，包括如下步驟SlOO至S103的製作步驟及工藝參見圖3中SlOO至S103描述的製作步驟及工藝， 這裡不再贅述。S104 根據所述高壓氮化物LED的電路要求，在基底層上製作發光二極體、放電二極體的P電極和N電極。根據圖4所述高壓氮化物LED的電路要求，將基底層208均勻劃分為用以後續工藝的η個單元，所述每個單元用於製作多個發光二極體和一個放電二極體，其中，η為自然數(見圖4)。在基底層208上的所述每個單元中製作Ν*Μ_Κ個發光二極體的P型電極224、Ν型電極2 和製作K個放電二極體的P電極218、Ν電極216，其中，Ν、Μ、Κ為自然數，K彡Ν*Μ/2。其中，被隔離出來的放電二極體的尺寸在保證工藝的條件下儘量小，放電二極體的形狀和位置不限於圖4所示的情形，也可以根據每個單元中的發光二極體的版圖調節被排列在每個單元中任意區域，只要元件排列緊湊、布局布線合理，以提高多層外延結構213 的利用效率。S105 除電極區域外生長絕緣層。其中，絕緣層222可以使用Si02等材料等。S106 根據所述高壓氮化物LED的電路要求進行單元設計，將發光二極體、放電二極體以及發光二極體與放電二極體的電極按照預先設計一次完成金屬互連。為了實現本發明提供的一種高壓氮化物LED器件，應當根據所述的高壓氮化物 LED的電路要求預先將發光二極體和放電二極體分成η個單元(η為自然數)。然後，在電極上沉積金屬，通過本步驟一次形成了發光二極體和放電二極體的個電極的歐姆接觸，以及發光二極體的P型電極2Μ和放電二極體的N電極216的連接金屬228，發光二極體的N 型電極2 和放電二極體的P電極218的連接金屬230，使單元Cj發光二極體的首尾P型電極、N型電極與一個放電二極體的N電極、P電極相連接，同時，形成了單元內的發光二極體的依次串聯的連線金屬300。參見圖4，通過連線金屬300將所述每個單元中的每個發光二極體的P型電極、N 型電極首尾串聯連接成一組發光二極體，所述每個單元包括一組發光二極體和與該組發光二極體反向連接的一個放電二極體，所述反向連接是所述每個單元中的一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極和一個放電二極體的N電極、P電極分別連接，所述每個單元間通過每個單元中的一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極進行按序連續串聯。經過本步驟，每個單元中的所有發光二極體形成了串聯並與相應的放電二極體反向連接，同時完成了 η個單元之間的依次按序連接，實現了基於上述的高壓氮化物LED的電路。由於採用與通常LED兼容的製造工藝，不需要另加任何額外的步驟。
S107 多個所述高壓氮化物LED器件製作在一 LED晶片上，以η個單元為一模塊， 通過切片和裂片工藝將LED晶片分裂，模塊內不再進行切片和分裂。S108 將所述各模塊封裝為一個高壓氮化物LED並且所述每個高壓氮化物LED由一個電源供電。由上述任何一種高壓氮化物LED器件結構可知，在金屬有機化學氣相澱積工藝生長LED結構後，直接在LED結構上採用通常的製作工藝同步製造出集成的發光二極體和放電二極體，不僅防止LED被靜電損壞，延長了 LED的使用壽命，而且簡化了生產工藝。上述任何一種高壓氮化物LED器件的製作方法均可以採用正面或倒裝的封裝方法。優選的，採用倒裝的封裝形式，從基底層一側發光，可以改善出光效率和散熱性。上述本發明中的不同實施例中涉及到的發光二極體Li、發光二極體組L_j、放電二極體LOj、單元Cj均不限於上述實施例的數量，可以根據實際情況的需要製備。另外，利用整流的交流電源供電裝置也可以用於本發明的發光二極體晶片，同樣屬於本專利的保護範圍。本發明中提供的不同實施例，通過上述步驟製得與放電二極體相連接的發光二極體，避免了以往在製造過程中沒有同步製備放電二極體，而發光二極體隨之工藝的完成就因為抗靜電性能不高導致被瞬間極短的電流被擊穿的風險，提高了高壓氮化物LED器件的抗靜電能力和延長了 LED的使用壽命，從而得到了高壓的集成反向並聯的LED發光器件。本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定權利要求，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明權利要求所界定的範圍為準。
權利要求
1.一種高壓氮化物LED電路，其特徵在於包括多個發光二極體串聯成一路發光二極體，所述一路發光二極體按序連續劃分成η組，每組發光二極體與一個放電二極體反向並聯，其中η為自然數。
2.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路，其特徵在於所述每組發光二極體包括的發光二極體數目相同或不同。
3.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路，其特徵在於所述每個發光二極體具有P型電極、N型電極，且各發光二極體的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一路發光二極體。
4.根據權利要求3所述的高壓氮化物LED電路，其特徵在於所述每個放電二極體具有P電極、N電極，每組發光二極體的首尾P型電極、N型電極分別與放電二極體的P電極、 N電極反向連接。
5.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路，其特徵在於所述每組發光二極體連接至不同的放電二極體。
6.一種高壓氮化物LED器件，其特徵在於包括基底層以及形成在基底層上的第一器件區域和第二器件區域，所述第一器件區域內製作有N*M-K個發光二極體，所述第二器件區域內製作有K個放電二極體，使得基底層上集成的發光二極體和放電二極體的總數為 N*M個，所述第一器件區域內的發光二極體串聯成一路發光二極體，並按序連續劃分成η 組，每組發光二極體與第二器件區域內的一個放電二極體反向並聯，其中，N、Μ、K、η為自然數，且N和M不同時為Un^ Ν*Μ-Κ、Κ < Ν*Μ/2。
7.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每組發光二極體包括的發光二極體的數量不同或相同。
8.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每個發光二極體具有P型電極、N型電極，且各發光二極體的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一路發光二極體。
9.根據權利要求8所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每個放電二極體具有P電極、N電極，每組發光二極體的首尾P型電極、N型電極分別與一個放電二極體的P電極、N電極反向連接。
10.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每組發光二極體連接至不同的放電二極體。
11.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於多個所述高壓氮化物 LED器件製作在一 LED晶片上，以N*M個發光二極體和放電二極體為一模塊，通過切片和裂片工藝將所述LED晶片分裂，模塊內不再進行切片和分裂。
12.根據權利要求11所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於將所述各模塊分別封裝為一個高壓氮化物LED並且所述每個高壓氮化物LED由一個電源供電。
13.一種高壓氮化物LED器件，其特徵在於包括基底層以及均勻分布在基底層上的η 個單元，所述每個單元包括一組發光二極體和與該組發光二極體反向並聯的一個放電二極體，所述每個單元中的一組發光二極體依次串聯連接，每個單元依次按序連續串聯，其中η 為自然數。
14.根據權利要求13所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每個單元包括的發光二極體的數量不同或相同。
15.根據權利要求13所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每個發光二極體具有P型電極、N型電極，且在所述每個單元中的各發光二極體的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一組發光二極體。
16.根據權利要求15所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述每個放電二極體具有P電極、N電極，一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極與一個放電二極體的P電極、N電極反向連接。
17.根據權利要求15所述的高壓氮化物LED器件，其特徵在於所述各個單元間通過每個單元中的一組發光二極體的首尾P型電極、N型電極進行依次串聯。
全文摘要
本發明提出一種高壓氮化物LED器件，包括多個發光二極體串聯成一路發光二極體，所述一路發光二極體按序連續劃分成n組，每組發光二極體與一個放電二極體反向並聯，其中n為自然數。由上述技術方案的實施，不僅能獲得高壓LED器件，提高器件的抗靜電性能，同時由於放電二極體在製造過程中與發光二極體同步生成，簡化了生產工藝。
文檔編號H01L27/15GK102315240SQ20111026017
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月5日 優先權日2011年9月5日
發明者於洪波, 張汝京, 程蒙召, 肖德元 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司