用於大面積襯底等離子體反應器的rf電流迴路的製作方法
2023-10-24 03:11:52 2
專利名稱：用於大面積襯底等離子體反應器的rf電流迴路的製作方法
技術領域：
本發明一般地涉及用在大面積襯底處理中的處理設備，更具體而言，本發明涉及用於這種設備的RF電流迴路。
背景技術：
液晶顯示器或平板顯示器通常用於有源矩陣顯示，如計算機和電視監視器、個人數字助理(PDA)、手機等。通常，平板顯示器包括兩個玻璃板，兩個玻璃板間夾有液晶材料層。至少一個玻璃板包括耦合到電源的沉積在其上的至少一層導電膜。從電源提供到導電材料膜的功率改變了液晶材料的方向，從而產生了圖案，如可以在顯示器上看見的文本或圖形。一種常用來生產平板顯示器的製作處理是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
等離子體增強化學氣相沉積被通常用來在玻璃襯底上沉積薄膜，玻璃襯底例如是那些用來製作平板顯示器的玻璃襯底。等離子體增強化學氣相沉積通常是通過將母體氣體引入到包含襯底的真空室中來實現的。母體氣體一般直接透過位於室頂部附近的分布板。通過從耦合到室的一個或多個RF源向室施加RF功率，室中的母體氣體被賦能(例如激勵)成為等離子體。激勵後的氣體發生反應以在襯底表面上形成材料層，襯底位於溫度受控的襯底支撐上。襯底支撐一般接地到室主體。在低溫多晶矽層被沉積到襯底上的應用中，襯底支撐可以被加熱到超過400攝氏度。在反應期間產生的揮發性副產物經由排氣系統被從室中泵浦出去。
在該處理期間，襯底支撐相對於等離子體被負偏置以進一步增強沉積。這是通過向襯底支撐組件內的電極提供偏置電壓來實現的。利用施加到襯底支撐的負偏置電壓，等離子體中正離子化的材料被以高度垂直方式吸引並沉積到襯底上，這改進了被稱為「分步覆蓋」的沉積特性。
理論上，隨著離子化材料沉積在襯底上，襯底支撐上的偏置電壓應保持穩定。穩定的偏置電壓導致離子化的沉積材料被沿襯底的寬度方向均勻吸引和沉積。在沒有由從襯底支撐流到地的電流引起的可觀的電壓降時，實現了電壓的穩定性。如果電壓降明顯，則電位差可能使等離子體在位於基本不同的電壓的兩個點之間碰撞，例如在襯底支撐(在高電位)和附近的接地特徵結構(如室壁)之間碰撞，從而破壞了處理環境並可能汙染襯底。某些系統採用低電阻帶來將襯底支撐耦合到室主體，以利於襯底支撐的接地。
圖10是示例性的傳統處理室30的簡化透視剖面圖，處理室30具有用於將襯底支撐40電耦合到室30的壁32或底部34的多個帶20。在圖10中示出了八個帶20中的四個，兩個帶20耦合到襯底支撐40的每一邊。
襯底支撐40一般包括多個抬升栓52，某些抬升栓52沿襯底支撐40的邊緣放置以在傳輸期間抬升襯底的邊緣。抬升板50放置在襯底支撐40下方，並且可以被垂直致動，以使抬升栓52延伸透過襯底支撐40，從而在襯底傳輸期間使襯底與襯底支撐分隔開。
每個帶20包括由彎曲26分離的第一和第二曲折22、24。帶20通常沿襯底支撐40的周邊對齊，並且間隔分布以為抬升栓52在襯底支撐40下方延伸提供空間。為了提供被用來垂直致動抬升栓52的位於襯底支撐40下方的抬升板50的間隙，每個帶20的彎曲22的方向垂直於襯底支撐40的相鄰邊(即，帶耦合到的支撐邊)，以阻止帶20的彎曲26比曲折22、24相對於襯底支撐40更靠內。由於帶20不能延伸到抬升板50和抬升栓52佔據的區域中，所以帶20的數目和尺寸被限制為這樣的數目，該數目的帶20可以沿襯底支撐40的邊緣線性對齊並且嵌套，同時仍然能使沿襯底支撐40的邊緣分布的抬升栓52保持清楚。
儘管該配置被證明對於較小規模應用是有效的且可靠的，但是對於較大面積玻璃襯底處理應用就不是那麼有效，這種較大面積玻璃襯底處理應用需要更高的電流流動以適當的接地。隨著平板製作所採用的下一代大面積襯底接近1100mm×1300mm，並且在不遠的將來還可以想像到更大尺寸的襯底，用來處理這些大面積襯底的襯底支撐的尺寸也隨之增加，並且可以受益於增加的接地電容，而這在當前是無法從傳統設計中獲得的。在這種大尺度處理應用中，諸如上述的導電帶無法以足夠的密度耦合在處理室和襯底支撐之間，以適當地限制處理室和襯底支撐之間的電壓降。另外，由於帶沿襯底支撐的周邊間隔分布以留下抬升栓的間隙，所以如果間隙足夠寬的話，則襯底支撐在帶之間的那些部分相對於直接耦合到帶的那些部分可能偏置在較高電位，這會對沉積均勻性產生不好的影響。
因此，需要一種適合於用在大面積襯底處理應用中的可靠的低阻抗RF電流迴路。
發明內容
本發明的實施例一般地提供了一種用於大面積襯底處理的RF電流返迴路徑。在一個實施例中，一種用於提供處理室和襯底支撐之間的RF電流返迴路徑的裝置包括具有第一端和第二端的低電阻柔性幕，第一端適於電連接到處理室，第二端適於連接到襯底支撐，其中所述幕還包括位於第一端和第二端之間的幕材料中的至少一個摺疊和透過鄰近第二端的幕形成的至少一個穿孔。
通過參考附圖中說明的實施例，可以更詳細的獲得並理解本發明的實施例，並且理解以上總結的本發明的具體描述。然而，應當注意，附圖僅僅圖示了本發明的一般實施例，因此不應當認為是限制本發明的範圍，因為本發明還可以有其他等同的實施例。
圖1是具有本發明的地幕的處理系統的一個實施例的截面圖；圖2是根據本發明的RF地幕的一個實施例的側視截面圖；圖3是圖2的地幕的上端的部分放大的側視截面圖；圖4是用在圖3的連接組件中的夾緊環的一個實施例的頂視截面圖；圖5是根據本發明的RF地幕和連接組件的一個實施例的等角視圖；圖6是RF地幕的一個實施例的等角視圖；圖7是根據本發明的RF地幕的第二實施例的截面圖；
圖8是可以有利地受益於本發明的處理系統的第二實施例的截而圖；圖9是可以有利地受益於本發明的處理系統的第三實施例的截而圖；圖10是具有RF電流返迴路徑的現有技術處理系統的部分截面圖。
為了易於理解，在可能的地方使用了相同的標號以指定對附圖來說共用的相同元件。
具體實施例方式
本發明一般地提供了一種用於支撐大面積襯底的系統的RF電流返迴路徑。以下參考例如可以從AKT商業獲得的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)系統示例性地描述了本發明，AKT是California，Santa Clara的應用材料公司的分公司。然而，應當理解，本發明在其他系統配置中也有應用，如物理氣相沉積系統、刻蝕系統和希望提供襯底支撐和容納襯底支撐的室之間的低阻抗RF電流迴路的其他處理系統。
圖1是具有地幕184的一個實施例的等離子體增強化學氣相沉積系統100的一個實施例的截面圖，地幕184提供襯底支撐組件138和地之間的低阻抗路徑。系統100通常包括耦合到氣體源104和功率源122的接地室102。室102有限定了處理容積112的側壁106、底部108和蓋組件110。處理容積112一般通過側壁106上的埠(未示出)訪問，側壁106上的埠使大面積玻璃襯底140(下文中稱為「襯底140」)移進和移出室102的操作變得容易。側壁106和底部108一般以單一鋁塊或與處理兼容的其他材料塊製作。蓋組件110包含將處理容積112耦合到排氣埠的泵浦氣孔114，排氣埠耦合到各種泵浦組件(未示出)。
蓋組件110由側壁106支撐，並且可以被移去以對室102進行操作。蓋組件110通常由鋁構成。分布板118耦合到蓋組件110的內側120。分布板118一般由鋁製作。分布板118的中心部分包括多孔區域，提供自氣體源104的處理氣體和其他氣體經由該多孔區域被傳送到處理容積112。分布板118的多孔區域被配置來提供氣體的均勻分布，其中氣體經過分布板118進入室102。功率源122耦合到分布板118以提供電偏置，電偏置對處理氣體賦能，並且在處理期間維持氣體分布板118下方的內部容積112中的等離子體。
加熱的襯底支撐組件138被放置在室102的中心部位。支撐組件138在處理期間支撐襯底140。襯底支撐組件138通常包括導電主體124，導電主體124在形狀上通常是多邊形的，並且在支撐襯底140的主體124的至少一部分上覆蓋有電絕緣塗層(未示出)。塗層也可以覆蓋主體124的其他部分。
支撐主體124可以用金屬或其他同等的導電材料製作。絕緣塗層可以是電介質材料，如氧化物、氮化矽、二氧化矽、二氧化鋁、五氧化鉭、碳化矽或聚合物，以及其他材料，這些材料可以通過各種沉積或塗覆處理施加，這些沉積或塗覆處理包括但不限於火焰噴射、等離子體噴射、高能塗覆、化學氣相沉積、噴射、粘附膜、濺射和包封(encapsulating)。
在一個實施例中，襯底支撐組件138包括鋁主體124，鋁主體124包封了至少一個嵌入的加熱元件132和熱電耦(未示出)。至少第一強化構件116可以嵌入在主體124中鄰近加熱元件132的位置處。第二強化構件166可以放置在主體124內與第一強化構件116相對的加熱元件132一側的位置處。強化構件116、166可以由金屬、陶瓷或其他硬化材料構成。
加熱元件132(例如放置在支撐組件138中的電極)耦合到功率源130，並且可控地加熱支撐組件138和位於組件138上的襯底140到預定溫度。一般來說，加熱元件132在處理期間將襯底140維持在約150到至少約460攝氏度的均一溫度。
通常，支撐組件138有下側126和支撐其上的襯底140的上側134。下側126有耦合到其的杆蓋144。杆蓋144通常是耦合到支撐組件138的鋁環，其提供用於杆142的附接的安裝表面。
通常，杆142從杆蓋144延伸，並且將支撐組件138耦合到抬升系統139，抬升系統139使支撐組件138在提升處理位置(如圖所示)和利於襯底傳輸的較低位置之間移動。風箱146提供室容積112和室102外部的大氣之間的真空密封，同時有利於支撐組件138的垂直移動。柄142還提供支撐組件138和系統100的其他組件之間的電導管和熱電偶導線。
支撐組件138還支撐外接掩蔽框148。通常，掩蔽框148防止了在襯底140和支撐組件138邊緣處的沉積，從而使襯底140不會粘到支撐組件138上。
支撐組件138有多個透過組件布置的孔128，這些孔128接受多個抬升栓150。抬升栓150一般由陶瓷或陽極化鋁構成。通常，抬升栓150有第一端160，在抬升栓150處於正常位置(即，相對於支撐組件138縮回)時，第一端160基本上嵌入支撐組件138的上側134中，或者略微凹進上側134中。第一端160通常是漏鬥形的，以防止抬升栓150漏過孔128。另外，抬升栓150有第二端164，第二端164延伸越過支撐組件138的下側126。隨著支撐組件138降低到傳輸位置，抬升栓150與室102的底部108形成接觸，並且通過支撐組件138移動成從支撐組件138的上側134凸出，從而使襯底140放置在與支撐組件138有一定間隔關係的位置處。
在一個實施例中，採用了不同長度的抬升栓150a、150b，從而使其與底部108形成接觸，並且在不同時刻致動。例如，圍繞襯底140的外邊間隔的長抬升栓150a以及從襯底140的外邊朝中心向內間隔的相對較短的抬升栓150b的組合允許襯底140被從其外邊到中心逐漸抬升。在另一個實施例中，採用了均一長度的抬升栓150a、150b，但是室102的底部108包括位於外抬升栓150a下方的凸塊或凸起(plateaus)182，從而使外抬升栓150a在內抬升栓150b之前被致動。或者，室底部108可以包括位於內抬升栓150b下方的槽或溝，從而使內抬升栓150b在外抬升栓150a之後被致動。
支撐組件138通常接地，從而使由功率源122提供到分布板118(或位於室102的蓋組件110內部或附近的其他電極)的RF功率可以激勵處理容積112內支撐組件138和分布板118之間的氣體。來自功率源122的RF功率通常被選擇為與襯底140的尺寸相當，以驅動化學氣相沉積處理。
幕184提供了支撐組件138和室102之間的RF電流迴路。幕184通常包括第一端186、第二端188和至少一個彎曲190。第一端186電連接到室壁106、108之一，而第二端188電連接到支撐組件138，一般連接到導電主體124的下側126。
第一曲折192從彎曲190向第一端186延伸，第二曲折194從彎曲190向第二端188延伸。曲折192、194的形狀基本上是四邊形的，並且允許支撐組件138相對於室底部108作垂直移動。
幕184可以繞整個支撐組件132或主體124周邊的一部分連續延伸。在一個實施例中，單個幕184基本繞主體124的全周邊連續延伸(例如，從而使幕184與多邊形主體124的每條邊都接觸)。或者，多個幕184可以彼此相鄰地基本繞主體124的全周邊延伸，其中至少一個幕耦合到多邊形支撐組件132的每條邊。在另一個實施例中，多個幕定位成在多邊形主體184的每邊上一個，每一個具有至少12英寸寬度。
幕184由柔性低阻抗導電金屬構成，這種金屬對處理和清洗化學劑有抵抗力。在一個實施例中，幕184由鋁構成，並且厚度近似為0.008到0.016英寸。或者，幕184可以包括鈦、不鏽鋼或塗覆有導電金屬塗層的柔性金屬。
與傳統接地技術相比，幕184明顯縮短了RF電流到地的迴路。電流經過等離子體傳遞到襯底140，其中襯底140與支撐組件138的導電主體124形成電接觸。主體124的下側126與幕184形成電接觸，從而使電流從主體124經過幕184到達連接到地的室壁106、108。此外，幕184比現有的導電帶設計提供了更大的載流面積，使其在理論上更適於大面積處理應用。幕184的更短距離和更大的載流容量導致在支撐組件138的表面和接地室102之間形成了低得多的電壓差，從而基本上減少了襯底支撐組件138下方的等離子體點火的可能性，這種點火可能在室102中濺射不希望產生的汙染物。
圖2是幕184的截面圖。在一個實施例中，幕184包括至少一個彎曲190，彎曲190位於第一端186和第二端188之間，以限定第一和第二曲折192、194，曲折192、194允許支撐組件138的垂直移動。儘管圖2中的幕184隻包括一個彎曲190，但是在幕184中也可形成多個彎曲190，以形成如圖7所示的類似摺疊狀結構。彎曲190位於多邊形襯底支撐組件138的下方，並且其方向基本平行於幕184的第二端188附接到的支撐組件138的那一邊。彎曲190預先形成在幕184中，以提高幕184的有效壽命；由支撐組件138的垂直移動傳遞到幕184的重複應力可能使得彎曲190破裂，從而有必要更換幕184。
幕184還包括形成在第一曲折192中的至少一個抬升栓孔208a和形成在第二曲折194中的至少一個抬升栓孔208b。孔208a、208b可以是縫隙或其他形狀的開口。一般來說，孔208a、208b的位置與彎曲190等距離，從而使孔208a、208b對齊以允許抬升栓150的低端164穿過。因此，孔208a、208b的直徑比抬升栓150的直徑大。隨著襯底支撐組件138垂直降低，抬升栓150的底端164與室102的底部108形成接觸，這迫使栓150穿過幕184中的孔208a、208b和主體124中的孔128。此外，抬升栓150由室102的底部108致動，而不是由傳統系統中所用的抬升板致動，這允許幕184的彎曲190從襯底支撐組件138的周邊向內凸出，凸出到支撐組件138下方的空間中(即，這是因為在支撐組件138下方沒有抬升板)。因此，基本上整個幕184都可以在支撐組件138的下方，同時仍然能維持與支撐組件138的基本上整個周邊的電接觸。這樣，整個系統可以更緊湊地用更少的總部件製造。
在處理期間，室102中的溫度在接近室底部108處可以從100到130攝氏度變化，在與處理期間的襯底140相接觸的支撐組件138的表面上可以達到350攝氏度。因此，耦合到支撐組件138的幕184的第二端188比幕184的第一端186在正常情況下有更大的熱膨脹度。這種膨脹變化可能使得幕184變形，從而以期望的方式影響了幕184的功能和有效壽命。為了抵消熱差，在鄰近第二端188的幕184中的位置處形成有至少一個穿孔206，以允許幕184的熱膨脹。在一個實施例中，沿幕184的第二端188以大約每2英寸的間距分布有多個穿孔206，這些穿孔206每一個的寬度大約為0.8英寸。
圖5和6更詳細的圖示了幕184和連接組件322的特徵。幕184還包括形成在幕184的第一端186處的第一安裝法蘭202和形成在幕184的第二端188處的第二安裝法蘭204。與彎曲190一樣，安裝法蘭202、204可選地預先形成在幕184中，並且其方向基本平行於安裝法蘭204附接到的多邊形襯底支撐組件138的那些邊。在一個實施例中，確保第一安裝法蘭202在底部108和夾緊條220之間。夾緊條220和安裝法蘭202沿這樣的方向延伸，該方向基本平行於襯底支撐組件138的下方有夾緊條220和安裝法蘭202的那一邊。第一安裝法蘭202還包括至少一個扣件孔(圖6中的610)，該扣件孔適合於接收透過夾緊條220、幕184和室壁108放置的至少一個扣件(未示出)，以確保幕184處於適當的位置處。
圖3更詳細的示出了第二安裝法蘭204。在一個實施例中，第二安裝法蘭204被連接組件322固定到支撐組件138。連接組件沿基本平行於支撐組件138的連接組件322耦合到的那一邊延伸。連接組件322包括耦合到主體124的下側126的排氣環324和耦合在夾緊環324和仿形塊328之間的延伸塊326。第二安裝法蘭204基本是U形的，以吻合仿形塊328的曲線表面330、圍繞延伸塊326的曲線外表面332，並且在延伸塊326和排氣環324的基本扁平的表面334、336之間。第二安裝法蘭204的「U」形部分基本平行於支撐組件138的安裝法蘭204耦合到的那一邊。排氣環324、延伸塊326和仿形塊328每一個還包括至少一個扣件孔(未示出)，第二安裝法蘭204包括對齊的至少一組扣件孔(圖6中的612)，這組扣件孔適於接收經過第二安裝法蘭204和連接組件322放置的至少一個扣件(如安裝螺杆)。
圖4示出了排氣環324的一個實施例。排氣環324包括形成在排氣環324中並適於允許氣體流過的多條排氣路徑400。排氣環324中的排氣路徑400允許氣體經過連接組件322到達襯底支撐組件138下方的區域。排氣環324的拐角部分402可選地包括斜角通路404(即，以相對於支撐主體124的側邊一定角度切割的通路)，以使經過排氣環324的氣體通路變得更加均勻。
圖8是處理系統800的另一個實施例的截面圖，其中氣體排氣埠894放置在室802的底部808中，而不是鄰近蓋810放置。系統800的其他部分類似於圖1所示的系統100，並且通常包括耦合到室802的氣體源804和功率源822。室802有限定處理容積812的側壁806、底部808和蓋組件810。系統800有地幕884，地幕884如上所述配置，並且放置在襯底支撐組件838和接地室802之間。
諸如圖4所示的排氣環324在理論上尤其適合於用在系統800中。排氣環324中的排氣路徑400可允許氣體從襯底支撐組件838上方的區域到達排氣埠894，而不用考慮幕884存在與否，幕884基本繞支撐組件838的全周邊延伸。
圖9是處理系統900的另一個實施例的截面圖，處理系統900具有放置在襯底支撐組件938和接地室902之間的地幕984。系統900類似於圖1所示的系統100，並且通常包括耦合到室902的氣體源904和功率源922。室902具有限定處理容積912的側壁906、底部908和蓋組件910。
被加熱的襯底支撐組件938放置在室902內部的中心位置處。襯底支撐組件938可以放置在相對於室底部908具有固定提升的位置處。支撐組件938在處理期間支撐大面積玻璃襯底940。襯底支撐組件938通常類似於圖1所示的支撐組件138；但是，在圖9所示的實施例中，支撐組件938相對於室902的底部908或側壁906中的至少一個固定。
分布板918放置在襯底支撐組件938上方，並且耦合到抬升機構990，抬升機構990在處理期間使分布板918相對於支撐組件938垂直移動，以控制襯底支撐組件938和分布板918之間的間距。分布板918耦合到功率源982，功率源982在處理期間給分布板918賦能RF功率。
支撐組件938有透過組件分布的多個孔928，這多個孔928接受多個抬升栓950。抬升栓950可以由抬升板954相對於支撐組件938致動以從支撐表面930凸起，從而將襯底940放置與支撐組件938有一定間隔關係的位置處。抬升板954由杆956耦合到致動器958，杆956延伸透過室902的底部908。致動器958使得抬升板954能夠相對於支撐組件938垂直移動，從而接合抬升栓950並迫使抬升栓950透過孔928。抬升板954可以成形，以同時與不同長度的抬升栓950a、950b接合，或者抬升板954可以是扁平的，以在不同階段接合抬升栓950a、950b。風箱960包圍杆956，以防止洩漏到真空條件下的室902中。抬升板954還包括多個排氣孔970，以允許氣體透過。
由於支撐組件938固定，所以RF地幕984不需要彎曲或適應運動，如同前述圖中圖示的地幕184那樣。因此，幕984可能有利地適於繞固定支撐組件938的全周邊連續延伸，其中幕984不需要彎曲或適應襯底支撐運動。幕984可以是圓柱形或線形的，並且不需要有一個或多個彎曲。幕984的其他部分基本類似於幕184，具有電連接到室底部908的第一端986和連接到支撐組件938的第二端988。幕984包括如前所述配置的第一和第二安裝法蘭903、905，這兩個法蘭經由諸如上述的夾緊條和連接組件固定到壁908和支撐組件938。用於熱膨脹的穿孔切割在幕984的第二端988中。
從而，本發明呈現了大面積襯底處理領域中的重要進步。提供了這樣一種裝置，該裝置明顯限制了RF電流迴路中的電壓降，並且適合於用在大規模處理系統中，如那些用來製作平板和液晶顯示器的系統。此外，製造的裝置具有改進的功能和耐久性，結合了限制由重複應力和暴露於熱量中所引起的破裂和變形這樣的整體特徵。
儘管前述內容描述了本發明的實施例，但是在不脫離本發明基本範圍的前提下可以設計出本發明的其他和另外的實施例，本發明的範圍由所附權利要求確定。
權利要求
1.一種用於提供室主體和襯底支撐之間的RF電流迴路的裝置，包括具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端適於電連接到所述室主體，所述第二端適於電連接到所述襯底支撐，其中所述幕還包括位於所述第一端和所述第二端之間的至少一個彎曲；從所述至少一個彎曲向所述第一端延伸的第一曲折；從所述至少一個彎曲向所述第二端延伸的第二曲折；和透過耦合到所述第二端的所述曲折形成的至少一個穿孔。
2.如權利要求1所述的裝置，其中所述幕還包括形成在所述第一曲折中的至少一個孔；和形成在所述第二曲折中的至少一個孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距離所述至少一個彎曲等距離對齊。
3.如權利要求1所述的裝置，其中所述曲折的形狀基本是四邊形的。
4.如權利要求1所述的裝置，其中所述幕的所述第一端至少有12英寸寬。
5.如權利要求1所述的裝置，其中所述幕包括鋁或鋁塗層中的至少一種。
6.如權利要求1所述的裝置，其中所述幕的所述第一端包括沿基本平行於所述幕中的至少一個彎曲的方向延伸的第一安裝法蘭。
7.如權利要求6所述的裝置，其中所述第一安裝法蘭適於固定在所述室主體和夾緊條之間。
8.如權利要求7所述的裝置，其中所述第一安裝法蘭還包括至少一個扣件孔，所述至少一個扣件孔適於接收透過所述夾緊條、幕和室主體放置的至少一個扣件。
9.如權利要求1所述的裝置，其中所述幕的第二端包括沿基本平行於所述幕中的至少一個彎曲的方向延伸的第二安裝法蘭。
10.如權利要求9所述的裝置，其中所述第二安裝法蘭適於由連接組件固定到所述襯底支撐。
11.如權利要求10所述的裝置，其中所述連接組件包括適於耦合到所述襯底支撐的排氣環；延伸塊，所述延伸塊的第一表面適於耦合到所述排氣環；和適於耦合到所述延伸塊的第二表面的仿形塊。
12.如權利要求11所述的裝置，其中所述第二安裝法蘭基本是U形的，並且適於穿過所述仿形塊和延伸塊之間，繞所述延伸塊的外表面，並穿過所述延伸塊和所述排氣環之間。
13.如權利要求11所述的裝置，其中所述第二安裝法蘭還包括至少一組對齊的扣件孔，所述至少一組對齊的扣件孔適於接收透過所述仿形塊、幕、延伸塊、排氣環和襯底支撐中的至少兩個放置的至少一個扣件。
14.如權利要求11所述的裝置，其中所述排氣環包括多條排氣路徑。
15.如權利要求14所述的裝置，其中所述多條排氣路徑中的至少一條是位於所述排氣環的拐角部分的斜角通路。
16.一種襯底處理室，包括室主體；放置在所述室主體中並且具有基本為多邊形的支撐表面的襯底支撐；和具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端電連接到室壁，所述第二端電連接到所述襯底支撐，其中所述幕還包括位於所述第一端和所述第二端之間的至少一個彎曲；從所述至少一個彎曲向所述第一端延伸的第一曲折；從所述至少一個彎曲向所述第二端延伸的第二曲折；和透過耦合到所述第二端的曲折形成的至少一個穿孔。
17.如權利要求16所述的室，其中所述曲折的形狀基本是四邊形的。
18.如權利要求16所述的室，其中所述曲折適於允許所述襯底支撐相對於所述室壁的垂直運動。
19.如權利要求16所述的室，其中所述幕適於耦合到所述襯底支撐的至少一邊。
20.如權利要求19所述的室，其中所述幕繞所述襯底支撐的全周邊連續延伸。
21.如權利要求16所述的室，其中所述幕還包括形成在所述第一曲折中的至少一個孔；和形成在所述第二曲折中的至少一個孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距離所述至少一個彎曲等距離對齊。
22.如權利要求21所述的室，其中所述襯底支撐還包括透過所述襯底支撐和孔垂直放置的至少一個抬升栓。
23.如權利要求22所述的室，其中所述至少一個抬升栓通過與所述室的底部接觸，被迫使垂直透過所述孔和所述襯底支撐。
24.如權利要求16所述的室，其中所述幕包括多個彎曲。
25.如權利要求16所述的室，其中所述室是化學氣相沉積室。
26.一種襯底處理室，包括室主體；放置在所述室主體中的襯底支撐；耦合到所述室的蓋的可垂直移動氣體分布板；和具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端電連接到室壁，所述第二端連接到所述襯底支撐，其中所述幕還包括適於將所述第一端固定到所述室主體的第一安裝法蘭；適於將所述第二端固定到所述襯底支撐的第二安裝法蘭；透過鄰近所述第二端的所述幕形成的至少一個穿孔。
27.如權利要求26所述的室，其中所述幕適於耦合到所述襯底支撐的至少一邊。
28.如權利要求27所述的室，其中所述幕繞所述襯底支撐的全周邊連續延伸。
29.如權利要求26所述的室，其中所述幕的形狀基本是四邊形的。
30.如權利要求26所述的室，其中所述室是化學氣相沉積室。
31.一種襯底處理室，包括室主體；放置在所述室主體中的襯底支撐；和具有第一端和第二端的低阻抗柔性幕，所述第一端電連接到室壁，所述第二端連接到所述襯底支撐，其中所述幕還包括位於所述第一端和所述第二端之間的所述幕材料中的至少一個彎曲，所述彎曲從所述襯底支撐的周邊向內朝所述襯底支撐的中心凸出。
32.如權利要求30所述的室，其中所述幕還包括從所述至少一個彎曲向所述第一端延伸的第一曲折；從所述至少一個彎曲向所述第二端延伸的第二曲折；和透過耦合到所述第二端的曲折形成的至少一個穿孔。
33.如權利要求32所述的室，其中所述曲折的形狀基本是四邊形的。
34.如權利要求31所述的室，其中所述幕包括形成在所述第一曲折中的至少一個孔；和形成在所述第二曲折中的至少一個孔，其中所述第一和第二曲折中的孔距離所述至少一個彎曲等距離對齊。
35.如權利要求31所述的室，其中所述襯底支撐還包括透過所述襯底支撐放置的多個孔；透過所述多個孔放置的多個襯底抬升栓，其中所述多個抬升栓通過與所述室主體接觸，被迫使垂直透過所述孔。
35.如權利要求31所述的室，其中所述幕適於耦合到所述襯底支撐的至少一邊。
36.如權利要求31所述的室，其中所述幕基本繞所述襯底支撐的全周邊連續延伸。
37.如權利要求31所述的室，其中所述幕包括多個彎曲。
38.如權利要求31所述的室，其中所述室是化學氣相沉積室。
全文摘要
提供了一種用於提供室壁和襯底支撐之間的RF電流返回電流路徑的裝置，包括具有第一端和第二端的低電阻柔性幕，第一端適於電連接到室壁，第二端適於連接到所述襯底支撐，其中所述幕還包括位於第一端和第二端之間的軸向距離上的幕材料中的至少一個摺疊和切割在鄰近第二端的幕中的至少一個穿孔。
文檔編號H01L21/68GK1826679SQ200480021361
公開日2006年8月30日 申請日期2004年6月1日 優先權日2003年6月12日
發明者文戴爾·博洛尼甘, 厄恩斯特·凱勒, 卡爾·索賴瑟恩 申請人:應用材料公司