配線基板、電子部件封裝體及它們的製造方法

2023-10-09 07:59:14 1

專利名稱：配線基板、電子部件封裝體及它們的製造方法
技術領域：
本發明涉及具有反射功能的配線基板、使用該配線基板的電子部件封裝體及它們的製造方法。
背景技術：
關於搭載電子部件的配線基板，提出有具備反射功能的配線基板、或具備該配線基板的模塊、平面顯示器等。作為此種技術，已知有例如通過在配線基板上設置鍍敷作為銀白色系的金屬的鎳的部分而使該配線基板具有反射功能，並且通過設置鍍金部分來形成引線接合連接用焊盤而使該配線基板具有接合功能的技術(專利文獻1)。另外，還有通過在配線基板的一方的表面上形成反射層，且在另一方的表面上搭載電子部件，而具有反射功能和配線基板功能，實現發光模塊或平面顯示器的薄型化的技術(專利文獻2~)，以及在金屬板上隔著絕緣層設置電路，在絕緣層上設置白色阻焊劑而具有反射功能的技術(專利文獻3)等。專利文獻1日本特開2003-031914號公報專利文獻2日本特開2005-062579號公報專利文獻3日本特開2009-004718號公報然而，引用文獻1中，雖然鍍敷部分具有反射功能，但沒有鍍敷的導體圖案的間隙的部分不具有反射功能，因此反射率產生不均，從而難以提高配線基板整體的反射率。引用文獻2中，配線基板的搭載電子部件一側的面不具有反射功能，因此無法應對要求搭載電子部件一側的面具有反射功能的情況。引用文獻3中，由於在除電子部件安裝部分之外的銅電路上形成有白色阻焊劑，因此需要在銅電路上設置微小的開口，但在印刷中難以形成微小圖案，即使使用光刻法，由於白色阻焊劑使曝光圖案時的光難以透過，因此仍然存在難以形成微小的開口圖案的問題。另外，白色阻焊劑以墨液的狀態被塗敷，但由於粘度或塗敷條件等的不同而塗敷厚度或表面形狀會發生變動，因此存在難以實現反射率的穩定化的問題。而且，由於白色阻焊劑的表面平滑，因此在利用密封材料對其表面進行模製時，存在難以確保白色阻焊劑與密封材料的密接的問題。

發明內容
本發明鑑於上述問題點而作出，其目的在於提供如下述的配線基板、電子部件封裝體及它們的製造方法，即，通過導體圖案和設置在其間隙中的反射材料這兩者來抑制反射率的不均而提高整體的反射率，能夠使配線基板的電子部件搭載側的面具備反射功能， 容易進行反射材料的形成、反射材料的厚度的控制及反射材料的表面形狀的控制，實現反射率的穩定化，而且，確保反射材料與密封材料的密接而提高可靠性。本發明涉及如下內容。(1) 一種配線基板，具有具備設置在基材上的導體圖案的多個配線層；使所述多個配線層電絕緣的基材，其中，在所述多個配線層中的最外側的配線層中，在未設置導體圖案的部分的基材上形成有反射材料，該反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。(2)在上述(1)中，導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體，在所述框狀導體的內側，在未設置導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成有反射材料，所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。(3)在上述(1)或(2)中，在未設置導體圖案的部分的基材上形成反射材料後，通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。(4)在上述(1)或O)中，反射材料是含有熱固化性樹脂和白色顏料的樹脂組成物。(5)在上述(1)或⑵中，反射材料的厚度為IOym 50μπι。(6)在上述(1)或O)中，在導體圖案上通過鍍金或鍍銀形成反射層。(7)在上述(1)或O)中，導體圖案和反射材料對420士 IOnm 800士 IOnm中任一波長的光均具有70%以上的反射率。(8)在上述(1)或(2)中，反射材料的表面具有以平均粗糙度Ra計為0.3μπι 7μπι的凹凸。(9)在上述⑴或⑵中，在最外側的配線層的反射材料上設置向上方開口的凹部。(10) 一種電子部件封裝體，其通過使用上述⑴或(2)的配線基板，在形成於導體圖案的電極上搭載電子部件，使用密封材料對所述電極及電子部件進行密封而形成。(11) 一種配線基板的製造方法，其包括在多個配線層中的最外側的配線層形成導體圖案的工序，該導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體；在未設置所述導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成反射材料的工序；通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序。(12)在上述(11)中，還包括在反射材料上形成向上方開口的凹部的工序。(13) 一種電子部件封裝體的製造方法，其包括在多個配線層中的最外側的配線層形成導體圖案的工序，該導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體；在未設置所述導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成反射材料的工序；通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序；在所述導體圖案的電極上搭載電子部件，並使用密封材料對所述導體圖案及電子部件進行密封的工序。(14)在上述(13)中，在通過一起研磨導體圖案和反射材料、而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序後，包括在所述反射材料上形成向上方開口的凹部的工序；在所述導體圖案的電極上搭載電子部件，並使用密封材料對所述導體圖案及電子部件進行密封的工序。
發明效果根據本發明，能夠提供如下述的配線基板、電子部件封裝體及它們的製造方法， 即，通過導體圖案和設置在其間隙中的反射材料這兩者來抑制反射率的不均而提高整體的反射率，能夠使配線基板的電子部件搭載側的面具備反射功能，容易進行反射材料的形成、 反射材料的厚度的控制及反射材料的表面形狀的控制，實現反射率的穩定化，而且，確保反射材料與密封材料的密接而提高可靠性。


圖1是本發明的實施例1 10的配線基板的俯視圖。圖2是本發明的實施例1 10的配線基板的A-A』剖視圖。圖3是本發明的實施例1 10的電子部件封裝體的剖視圖。圖4A是本發明的實施例1 10的配線基板的A-A』截面的放大圖。圖4B是本發明的實施例1 10的配線基板的A-A』截面的放大圖。圖5A是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖5B是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖5C是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖5D是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖5E是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖6F是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖6G是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖6H是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖61是本發明的實施例1 10的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖7是本發明的實施例11的電子部件封裝體的剖視圖。圖8F是本發明的實施例11的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖8G是本發明的實施例11的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖8H是本發明的實施例11的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。圖81是本發明的實施例11的配線基板及電子部件封裝體的製造工序的一部分。
具體實施例方式圖1是本發明的配線基板的一例的俯視圖，圖2是A-A』剖視圖。如這些圖所示，作為本發明的配線基板1，列舉有如下的結構具有具備局部地設置在基材8、16上的導體圖案246的多個配線層14、22、和使所述多個配線層14、22電絕緣的基材8、16，在所述多個配線層14、22中的最外側的配線層14中，在未設置導體圖案2的部分的基材8上形成反射材料4，該反射材料4的表面與所述導體圖案2的表面形成為同一面且所述導體圖案2的表面從反射材料4露出。本發明中使用的基材是絕緣材料，成為設置具備導體圖案的配線層和反射材料的基體。作為構成基材的材料，只要是配線基板中使用的材料即可，並未特別限定，可以使用白色基材(例如，將含有氧化鈦的熱固化性樹脂浸漬到玻璃纖維等加強材料中並層疊而成的基材)、一般基材(例如，將環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、酚醛樹脂等浸漬到玻璃纖維或紙等加強材料中並層疊而成的基材)。由於基材自身無需具備反射功能，因此在一般基材中，只要使用通用的環氧玻璃基板、酚醛紙基板等即可，能夠降低基材成本。在本發明中，如圖2所示那樣從截面觀察時，配線層14是指與設置在基材8、16上的導體圖案246的厚度相當的層狀的部分。在導體圖案2的間隙中形成有反射材料4時， 是指也包含該反射材料4在內的層狀的部分。多個配線層是指在多層結構的配線基板1中設置於多個層的配線層14、22，也包括例如形成在具有層間連接的兩面板上的配線層。最外側的配線層14是指所謂的最外層，在配線基板1中，是指位於最外側，且包括用於電子部件 9的搭載或與電子部件9電連接的中繼中的導體圖案的層。如圖1、圖2所示，在基材8上設置的導體圖案2上形成搭載電子部件9的搭載用電極5和包圍該搭載用電極5的框狀導體13等。該搭載用電極5用於搭載電子部件9，相當於所謂的裸片焊盤(die pad)。而且，根據搭載的電子部件9的不同，形成有利用引線接合等對電子部件9進行電連接的作為中繼的中繼用電極6。該中繼用電極6相當於所謂的接合焊盤(bonding pad)。搭載用電極5也可以單獨或與中繼用電極6成對地作為排列有多個電極的電極組形成在基材8上。框狀導體13以包圍搭載用電極5的方式形成，在具有中繼用電極6時，以包圍搭載用電極5和中繼用電極6的方式形成也可。當搭載用電極5 或中繼用電極6作為排列有多個電極的電極組而形成時，框狀導體13以包圍該電極組整體的方式形成也可。而且，框狀導體13即可以是與搭載用電極5或中繼用電極6未電連接的獨立的導體圖案2，也可以兼作為從搭載用電極5或中繼用電極6引出的引出線、或電鍍用的供電線等。如此，框狀導體13通過將搭載用電極5和中繼用電極6包圍，即使在反射材料4為液狀的情況下，在塗敷反射材料4時，也具有對塗敷到導體圖案間隙3的反射材料4 進行阻擋的屏障的作用，從而能夠抑制反射材料4流出而其厚度發生變動的情況。因此，在框狀導體13的內部區域內，即使反射材料4為液狀，也不會發生反射材料4流出而塗敷厚度變薄的情況，因此通過以包圍設置反射材料4的區域的方式設置框狀導體13，而能夠確保反射材料4的塗敷厚度。需要說明的是，在液狀的反射材料4的粘度高而難以流出時，無需將搭載用電極5和中繼用電極6完全包圍，而可以局部地敞開，還可以為虛線狀。未設置導體圖案的部分是導體圖案間隙等的基材所露出的部分，導體圖案間隙是形成在導體圖案與導體圖案之間的間隙，是指用於使相鄰的導體圖案彼此絕緣的間隙。因此，在框狀導體的內側設置的基材所露出的部分必然形成在導體圖案之間並使導體圖案間絕緣，因此相當於導體圖案的間隙。導體圖案及導體圖案的間隙例如通過一般的配線基板的製造方法中進行的那樣，通過利用蝕刻等將預先設置在基材上的銅箔或鋁箔等金屬層中的成為導體圖案的部分保留而除去其他部分的方法等來形成。本發明中使用的反射材料具有保持導體圖案間隙的絕緣並反射光的功能。作為這樣的反射材料，列舉有例如含有光固化性樹脂或熱固化性樹脂和白色顏料的樹脂組成物。 作為光固化性樹脂列舉有丙烯酸樹脂，作為熱固化性樹脂列舉有環氧樹脂，但從耐熱性等方面出發，優選環氧樹脂。需要說明的是，作為熱固化性樹脂，還列舉有矽酮樹脂，但通常矽酮樹脂與其他材料的密接力差，從與密封材料和導體圖案等的密接方面考慮，優選環氧樹脂。當反射材料為環氧樹脂時，模製所使用的密封材料無論是環氧系還是矽酮系，密接都優良，因此選擇的自由度大。作為反射材料所使用的環氧樹脂，可以使用包含脂環式環氧樹脂(A)、白色顏料 (B)、固化劑(C)、固化催化劑(D)的材料。(B)白色顏料可以使用從由氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇構成的組中選擇的至少一種以上。 而且，從提高反射率的觀點出發，優選⑶白色顏料的平均粒徑為0. 1 μ m 50 μ m的範圍， 相對於樹脂組成物整體為10體積％ 85體積％的範圍。固化劑(C)、固化催化劑⑶作為環氧樹脂用，使用一般所用的材料。如圖2、圖3所示，反射材料4設置在最外側的配線層14。通過設置在最外側的配線層14，而在將電子部件9搭載於最外層的配線層14時，反射材料4能夠高效率地反射來自在照明或液晶背光等用途中使用的發光元件的光。而且，反射材料4由於設置在搭載電子部件9的最外側的配線層14，因此反射材料4的下側的基材8自身有沒有反射功能均可。 因此，可以使用一般的配線基板中使用的通用的基材。另外，如圖1、圖2所示，反射材料4設置在未設有導體圖案2的部分的基材8上， 即設置在基材8上的導體圖案間隙3中。由此，配線基板1的導體圖案2通過反射層7能得到高反射率，而且導體圖案間隙3通過反射材料4能得到高反射率，因此能夠提高配線基板1的包含導體圖案2和反射材料4這兩者的表面的反射率。在能夠高效率地反射從照明或液晶背光等用途中使用的發光元件所放射的光的觀點上，反射材料的反射率優選對420士 IOnm 800士 IOnm中任一波長的光具有70%以上的反射率。尤其是對460士 IOnm的波長的光具有70%以上的反射率時，由於一般照明用途中使用的高亮度的發光元件的發光波長為460nm附近，因此在使用這樣的高亮度的發光元件的用途中能得到高的轉換效率，從而優選。而且，當對550士 IOnm的波長的光具有 70 %以上的反射率時，對於來自發光元件的綠色的發光能得到高轉換效率，從而優選，當對 550士 IOnm的波長的光具有70%以上的反射率時，對於來自發光元件的紅色的發光能得到高轉換效率，從而優選。而且，當對420士 IOnm 800士 IOnm的波長域整體的光具有70% 以上的反射率時，在可見光區域的整體能得到高轉換效率，從而優選。在此，為了對導體圖案的表面賦予引線接合性而設置鍍金或鍍銀時，這些鍍敷表面的反射率對420士 IOnm 800士 IOnm的波長域整體的光為70%以上。因此，通過使形成在導體圖案的間隙中的反射材料的反射率對420 士 1 Onm 800 士 1 Onm中任一波長的光為70 %以上，由此即使在導體圖案的間隙中也能夠得到與設有鍍金或鍍銀的導體圖案上的反射率同等以上的反射率，因此在導體圖案上能夠同時實現反射率和引線接合性，並且能得到配線基板的表面整體的高反射率。而且，導體圖案和形成有反射材料的導體圖案的間隙的各區域的反射率的不均減少， 在用作照明或液晶背光用的基板時，能夠減少明亮度的不均。
如圖2、圖3所示，反射材料4的表面與導體圖案2的表面形成為同一面，且導體圖案2的表面從反射材料4露出。需要說明的是，反射材料4的表面與導體圖案2的表面形成為同一面是指至少在反射材料4的表面與導體圖案2的表面的邊界附近沒有高低差， 也包括隨著朝向離開該邊界的區域而成為反射材料4表面比導體圖案2表面平緩地凹陷的狀態的情況。例如，在使用通過一起研磨反射材料4和導體圖案2而形成同一面的方法時， 由於反射材料4比導體圖案2容易研磨，因此雖然在反射材料4的表面與導體圖案2的表面的邊界附近形成幾乎沒有高低差的同一面，但在從該邊界離開的區域中，成為反射材料4 表面比導體圖案2表面更加凹陷的狀態的情況。如此，反射材料4的表面與導體圖案2的表面形成為同一面，反射材料4和導體圖案2形成平坦的同一面，因此在反射材料4與導體圖案2的邊界沒有高低差引起的反射的損失或不均，從而提高配線基板1表面的整體的反射率。而且，由於在反射材料4與導體圖案2的邊界沒有高低差，因此即使在將製作電子部件封裝體11時使用的密封材料10形成在配線基板1上的情況下，也不用擔心氣泡會殘留在反射材料4與導體圖案2的邊界。這種情況在導體圖案2上設置後述的反射層7時也同樣。因此，能夠提高電子部件封裝體11的可靠性。而且，由於導體圖案2的表面從反射材料4露出，因此能夠利用導體圖案2的表面的反射。因此，若在導體圖案2上設置具有反射功能的反射層7，則能夠提高配線基板1整體的反射率。而且，由於反射材料4的高度與導體圖案2相等，因此能夠以導體圖案2的厚度為基準來控制反射材料4的厚度，從而能夠在配線基板1的整體上形成均勻厚度的反射材料4。因此，能夠抑制反射材料4的厚度的變動所引起的反射率的變動，從而能夠在配線基板1的整體上實現反射率的變動小的反射功能。此外，通過根據需要來變更導體圖案2的厚度，而能夠任意設定反射材料4的厚度。因此，通過使用的反射材料4的材料的不同，而能夠應對為了得到反射率所需的厚度不同的情況，從而能夠可靠地形成用於得到必要的反射率的反射材料4的厚度。如此，通過將導體圖案2的表面和反射材料4的表面形成為同一面且使導體圖案2的表面從反射材料4露出， 而能夠提高包含導體圖案2和反射材料4的配線基板1表面的反射率，並能夠改善反射率的變動，而且，能夠提高使用該配線基板1的電子部件封裝體11的可靠性。在框狀導體的內側，優選在未設置導體圖案的部分的基材上以填充導體圖案的間隙的方式形成反射材料。即，導體圖案間隙被反射材料無間隙地覆蓋到與導體圖案的邊界， 反射材料成為與導體圖案的端部密接的狀態。由此，導體圖案間隙的下方的基材表面未露出，因此能夠進一步提高配線基板的反射率。而且，在形成了反射材料後，即使在利用鍍敷等在導體圖案上形成反射層的情況下，也能夠抑制鍍敷液向反射材料與導體圖案的邊界的浸入或殘留，從而提高可靠性。為了將導體圖案的表面和反射材料的表面形成為同一面且使導體圖案的表面從反射材料露出，優選在未設置導體圖案的部分的基材上形成反射材料後，一起研磨導體圖案和反射材料。在此，一起研磨導體圖案和反射材料是指，同時研磨導體圖案的表面和反射材料的表面，而形成同一高度的研磨麵。由此，導體圖案的表面和反射材料的表面成為同等的高度，因此導體圖案的表面和反射材料的表面形成為同一面。而且，由於導體圖案的表面和反射材料的表面這兩者被研磨，因此導體圖案的表面從反射材料露出。作為通過一起研磨導體圖案和反射材料而將反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面且使導體圖案的表面從反射材料露出的具體方法的一例，可以使用如下的方法如圖6F 圖61所示，使用液狀的熱固化樹脂作為反射材料4的材料，在配線基板1的表面進行塗敷、固化，至少在包括導體圖案間隙3的配線基板1上形成比導體圖案2厚的反射材料4 (圖6F工序)，之後從反射材料4的表面側對反射材料4和導體圖案2進行研磨， 直至反射材料4的厚度與導體圖案2的厚度相等且導體圖案2的表面露出(圖6G工序)。 根據該方法，只要在導體圖案2從反射材料4露出的時刻結束研磨即可，容易判定研磨的終點，作業性優良。而且，通常導體圖案2通過蝕刻銅箔或鋁箔而形成，因此為了滿足導體圖案2的寬度的精度，而在配線基板1整體上厚度均勻地形成。因此，通過使反射材料4的厚度與導體圖案2的厚度相等，由此反射材料4自身也在配線基板1的整體上以均勻的厚度形成。需要說明的是，即使在導體圖案2從反射材料4露出後再繼續研磨的情況下，導體圖案2的表面和反射材料4的表面也同時被研磨而形成同一研磨麵，因此能維持反射材料4 的表面和導體圖案2的表面形成為同一面且導體圖案2的表面從反射材料4露出的狀態。 因此，研磨的終點的管理只要以確保反射材料4為規定的厚度以上的方式進行即可，因此無需嚴格地進行，研磨條件的管理變得容易。雖然未圖示，但作為通過一起研磨導體圖案和反射材料而將反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面且使導體圖案的表面從反射材料露出的具體方法的另一例，可以使用如下的方法使用液狀的熱固化樹脂作為反射材料，在配線基板的表面上進行塗敷、 固化，至少在包括導體圖案的間隙的配線基板上形成比導體圖案薄的反射材料，之後從導體圖案的表面側對導體圖案進行研磨，直至導體圖案的厚度與反射材料的厚度相等且導體圖案的表面和反射材料的表面形成為同一面。這種情況下，也能夠將反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面，且使導體圖案的表面從反射材料露出。塗敷反射材料的方法可以使用為了將液狀的材料塗敷在配線基板上而使用的一般的方法，例如可以使用印刷、噴塗、輥塗、幕塗等，但在能夠對必要的部位進行選擇性的塗敷這一點上，優選印刷。使用印刷時，可以使用具有能夠以導體圖案的表面完全露出的方式印刷反射材料這樣圖案的版來進行，也可以使用能夠以反射材料覆蓋導體圖案的表面的一部分的方式印刷的版，還可以使用能夠以反射材料完全覆蓋導體圖案的表面的方式印刷的版。在上述任一種情況下，均優選塗敷 固化後的反射材料的厚度為導體圖案的同等以上。 由此，從反射材料的表面進行研磨，並且在導體圖案從反射材料露出的時刻或導體圖案表面開始被研磨的時刻結束研磨即可，從而容易管理研磨的終點，並能夠確保反射材料的厚度。使用液狀的熱固化樹脂作為反射材料而塗敷在配線基板上之後的固化只要得到能夠進行之後的研磨這種程度的固化狀態即可，例如，使用環氧樹脂時，通過在130°C 180°C下加熱30分 600分左右，就能夠得到充分的固化狀態。在塗敷反射材料並使其固化後的研磨中，例如可以使用利用拋光或帶式砂光等的機械研磨。其中，在能夠高精度地研磨配線基板的整體這一點上，優選利用拋光輥的機械研磨，拋光輥的號數為#600、#800、#1000等或將這些號數組合使用時，研磨速度適當，終點的判定容易而且研磨時間短，因此從研磨作業的作業性和效率的觀點出發優選。作為拋光輥，可以使用市售的無紡布拋光輥、陶瓷拋光輥、金剛石拋光輥等。需要說明的是，一起對反射材料和導體圖案進行拋光時，反射材料比導體圖案更易研磨，因此雖然在反射材料的表面與導體圖案的表面的邊界附近大致沒有高低差地成為同一面，但在從該邊界離開的區域中，存在成為反射材料表面比導體圖案表面凹陷的狀態的趨勢。若使用陶瓷拋光輥，則不僅在反射材料的表面與導體圖案的表面的邊界附近，而且在從邊界離開的區域中，也能夠大致沒有凹陷地形成同一面，能夠使配線基板的整體平坦，從而優選。而且，研磨電流在 0. IA 2. OA左右進行研磨，但根據磨削反射材料或導體圖案的厚度的不同而調整電流值。 優選為1.0A 1.4A左右。反射材料的表面粗糙度並未特別限定，但優選Ra為0. 3 μ m 7 μ m。在此，Ra是 JIS B 0601 Q001)所規定的算術平均粗糙度，可以使用觸針式表面粗糙度計等進行測定。 由此，能得到製作電子部件封裝體時使用的密封材料與反射材料的牢固的密接，因此提高可靠性。而且，可以直接利用使用拋光輥等進行了用於將反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面的研磨後的狀態下的研磨表面，因此能夠維持研磨作業的作業性和效率。 而且，無需使反射材料的表面粗糙度像鏡面(在此是指Ra為0. Ιμπι以下)那樣平滑，因此能夠省去反射材料的表面形狀的調整的麻煩。而且，作為反射材料使用含有熱固化性樹脂和白色顏料的樹脂組成物的情況下的例子，與進行研磨前的反射率相比，利用拋光輥進行機械研磨後的反射率的實驗結果如表1所示，幾乎未下降(有拋光的實施例1在460nm為 89 %，與沒有拋光的比較例2的92 %相比，下降3 % )，從而能夠確保與塗敷液狀的反射材料並使其固化後的平滑的狀態同等的反射率。此外，從具有Ra為1.6μπι以上的表面粗糙度的反射材料的表面反射的反射光的方向性低，朝向配線基板的表面側的全部方向照射，因此在用於液晶用背光或照明時，具有不易產生明亮度的不均的優點。需要說明的是，這種情況下的研磨中使用的拋光輥可以將#600、#800、#1000等按照這樣的順序組合而進行研磨。當研磨到反射材料的表面粗糙度以Ra計為0. 3 μ m 1. 5 μ m時，來自反射材料的反射光具有方向性，因此在要求特定部位的明亮度的用途的照明等中使用時具有優點。這種情況的研磨中使用的拋光輥可以通過將#600、#800、#1000、#2000等按照這樣的順序組合而進行研磨。若Ra小於0.3 μ m，則需要使用更小的號數的拋光輥，表面粗糙度的調整需要花費工時，而反射率幾乎未提高，因此從性價比出發不優選。而且，若Ra超過7 μ m，則導體圖案的表面粗糙度也同時變粗，因此在導體圖案上形成的反射層的表面粗糙度也變大， 反射層的反射率有可能會下降，或者由於與搭載的電子部件的接觸面積減少，因此從電子部件的散熱性有可能會下降。優選基材上的反射材料的厚度為10 μ m至50 μ m。由此，如圖4A所示，從搭載在配線基板的表面上的電子部件9向反射材料4的表面入射的光的大部分(對420士 IOnm 800士 IOnm為70%以上)未到達反射率比反射材料4的反射率低的基材8的表面，而被反射，因此能夠提高反射率。在反射材料4的厚度小於10 μ m的情況下，如圖4B所示，從電子部件向反射材料4的表面入射的光到達反射率比反射材料4的反射率低的基材8的表面， 被吸收的比例增多，因此存在反射率下降的趨勢。若反射材料4的厚度超過50 μ m,則為了以該厚度形成反射材料而導致導體圖案2的厚度也同時變厚，因此存在難以應對微細圖案的趨勢。而且，即使將反射材料4形成為50 μ m以上的厚度，反射率也不會提高，因此在反射材料4的材料成本增加這一點上不優選。需要說明的是，基材8上的反射材料4的厚度為15μπι至50μπι時，在提高反射率(對420 士 IOnm 800 士 IOnm為80%以上)這一點上更優選，為18μπι至50μπι時在反射率進一步提高(對420 士 IOnm 800 士 IOnm為90%以上)這一點上進一步優選。
如圖2、圖3所示，優選在導體圖案2上形成用於高效率地反射光的反射層7。就該反射層7而言，當搭載的電子部件9為在照明或液晶背光等用途中使用的發光元件時，在能夠高效率地反射從電子部件9放射出的光這一點上，優選對420士 IOnm 800士 IOnm中任一波長的光的反射率均為70%以上。尤其是對460士 IOnm的波長的光具有70%以上的反射率時，由於一般照明用途中使用的高亮度的發光元件的發光波長在460nm附近，因此在使用此種高亮度的發光元件的用途中能得到高轉換效率，從而優選。而且，當對550士 IOnm的波長的光具有70%以上的反射率時，對於來自發光元件的綠色的發光能得到高轉換效率， 從而優選，當對550士 IOnm的波長的光具有70%以上的反射率時，對於來自發光元件的紅色的發光能得到高轉換效率，從而優選。而且，當對420 士 IOnm 800 士 IOnm的波長域整體的光具有70%以上的反射率時，在可見光區域的整體上能得到高轉換效率，從而優選。作為反射層7，可以使用通過鍍敷或蒸鍍等形成的金色系或銀白色系的金屬層。作為金色系列舉有金，作為銀白色系的金屬層列舉有銀、鋁、鋅、鎳等。需要說明的是，該反射層7即使厚度為1 μ m以上且5 μ m以下(包括具有鍍底層的情況)，也足以在導體圖案2上賦予反射功能。為了對研磨後的導體圖案表面進行調平而減小表面粗糙度，優選形成為3μπι以上的厚度。因此，在導體圖案2上形成反射層7時，有時反射層7 (包括鍍底層)會比反射材料 4高至5 μ m這種程度，但這種程度的高低差通常不會影響反射率，而且形成密封材料10時也不會擔心捲入氣泡。需要說明的是，在即使反射層與反射材料的高低差為5μπι以下也產生氣泡向密封材料的捲入等問題時，可以通過如下方法來解決該問題，即，一起研磨導體圖案和反射材料，將反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面且使導體圖案的表面從反射材料露出後，在導體圖案上形成反射層之前，預先通過蝕刻等將導體圖案去除反射層的厚度的量， 而使導體圖案的表面比反射材料的表面凹陷。由此，能夠消除反射層與反射材料的高低差， 並且還具有使因研磨而成為粗糙面的導體圖案的表面通過蝕刻等變得平滑的作用。因此， 由於導體圖案的表面變得平滑，形成在該表面上的反射層的表面變得更加平滑，從而能夠提高反射層表面的反射率，而且，在該導體圖案為電子部件的搭載用電極時，與電子部件的接觸面積增大，從而能夠提高從電子部件的散熱性。關於導體圖案，在需要對420 士 1 Onm 800 士 1 Onm中任一波長的光的反射率為 90%以上的高反射率的情況下，作為反射層，由鍍銀所形成的銀白色系的金屬層能夠更高效率地反射照明或液晶背光中使用的短波長的光，從而優選。由此，能夠高效率地反射嚮導體圖案放射的光，因此在搭載發光元件作為電子部件時能夠確保高亮度。銀由於長期的使用而表面發生氧化從而存在反射率下降的趨勢，因此不適合要求長期穩定的反射率的用途，但具有適合於與壽命相比更要求高亮度的用途的優點。在與高亮度相比更要求長期的反射率的穩定性的情況下，反射層優選通過鍍金形成。金即使長期使用，其表面也不會發生氧化，因此能抑制反射率的下降。而且，在通過使用金線作為接合引線的引線接合來將中繼用電極和電子部件電連接時，能夠確保引線接合性。關於導體圖案，在要求對420士 IOnm 800士 IOnm中任一波長的光的高反射率且要求對中繼用電極的金線的引線接合性時，優選在搭載用電極上通過鍍銀來設置反射層， 並在中繼用電極上通過鍍金來設置反射層。中繼用電極是與金線的接合性優良的鍍金，因此能夠確保引線接合性，並且搭載用電極是對於來自電子部件的發光波長為420士 IOnm 800士 IOnm的波長域的光的反射率均高至90%以上的鍍銀，因此能夠確保高反射率。而且， 如圖4A、圖4B所示，搭載用電極5也反射從電子部件9的底部(即，與搭載用電極5的接合側的面)照射的光，該反射光透過電子部件9自身，而向配線基板1的表面側的方向照射。 因此，也能夠利用從電子部件9的底部(即，與搭載用電極5的接合側的面)照射的光，從而能夠提高光轉換效率。優選導體圖案和反射材料對420 士 IOnm 800 士 IOnm中任一波長的光均具有70 % 以上的反射率。由此，配線基板整體對420 士 IOnm 800 士 IOnm中任一波長的光具有70% 以上的反射率，因此能夠高效率地利用來自發光元件的光。尤其是導體圖案和反射材料對 460士 IOnm的波長的光均具有70%以上的反射率時，能夠提供一種尤其是適合於一般照明或液晶背光用途的配線基板。而且，不僅導體圖案上，而且形成有反射材料的導體圖案的間隙也具有反射功能，因此在配線基板的整體上，反射率不易發生不均，能抑制亮度的變動。電子部件向搭載用電極的搭載中的LSI晶片1的搭載方法可以是引線接合安裝或倒裝安裝中的任一種。在需要搭載用電極與電子部件的導通時，可以利用銀糊劑或導電性粘接劑、焊料等將電子部件搭載於搭載用電極。在不需要搭載用電極與電子部件的導通時， 可以利用絕緣性的粘接劑等粘接電子部件來進行搭載。在引線接合安裝的情況下，利用引線接合將電子部件和中繼電極接合。使用一般的電子部件封裝體中使用的密封材料，通過利用灌注或傳遞成形進行模製而形成電子部件和搭載用電極的密封。作為密封材料，可以使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮系樹脂、聚氨酯酚醛系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、其他的熱固化性樹脂、熱塑性樹脂等。在將形成有密封材料後的配線基板切斷作為單片的電子部件封裝體時，可以使用通過被稱作除根或切割的切削加工來切斷成單片的方法。如圖7所示，優選在最外側的配線層14的反射材料4上設置向上方開口的凹部 24。該凹部M為了使配線層14上形成的密封材料10容易流入凹部M內而向上方開口， 而且為了不使密封材料10向配線基板1的下方流出而形成為非貫通孔。由此，在導體圖案 2的搭載用電極5上搭載電子部件9，使用密封材料10對導體圖案2及電子部件9進行密封而模製時，密封材料10流入到設置在反射材料4上的凹部M內，在填充到凹部M內的狀態下直接固化，因此能得到固定效果，反射材料4與密封材料10的密接變得牢固，其結果是可靠性提高。作為在最外側的配線層的反射材料上設置向上方開口的凹部的方法，列舉有使用雷射加工機或鑽削機等，通過控制距反射材料的表面的加工深度，而形成凹部的方法。尤其是使用雷射加工機時，如圖8F 圖81所示，在向上方開口的凹部M所設置的位置的基材 8上的配線層14處形成窗孔25，且在內層用的基材16上的內層的配線層22處設置接受雷射的導體圖案26時，通過所謂的保形方法，將反射材料4和基材8貫通，從而容易形成到達導體圖案沈的凹部24。需要說明的是，使用雷射加工機時，也可以不設置作為窗孔25的導體圖案2，而形成從反射材料4的表面到達導體圖案沈的凹部M，而且，還可以不設置作為窗孔25的導體圖案2及接受雷射的導體圖案沈，通過控制距反射材料4的表面的加工深度來形成凹部對。
實施例以下，對本發明的實施例進行說明，但本發明並未限定於此。(實施例1)如圖5A的工序所示，準備在內層用的基材16的兩面上貼合有厚度12μπι的銅箔 19的、厚度0. 06mm的環氧樹脂玻璃布貼銅層疊板即MCL-E679F(日立化成工業株式會社制， 商品名)，通過NC鑽削機即MARK-100 (日立精工株式會社制，商品名)，形成層間連接用的貫通孔18。接下來，在過錳酸鈉水溶液中以溫度85°C、6分鐘的條件進行該貫通孔18的洗滌處理，在非電解鍍銅即⑶ST201(日立化成工業株式會社制，商品名)、硫酸銅10g/l、 EDTA(乙二胺四乙酸)40g/l、福馬林10ml/l，pH12. 2)中以溫度M°C、時間30分鐘的條件，對包括貫通孔內的內層用的基材16的整面進行了 0. 5μπι的底層鍍銅。然後，利用硫酸銅鍍敷，以溫度30°C、電流密度1. 5A/dm2、時間60分鐘的條件，在包括貫通孔內的內層用的基材16的整面形成了鍍敷厚度20 μ m的電鍍銅。接下來，如圖5B的工序所示，在內層用的基材16的配線層22形成用的銅箔19表面上，利用層壓裝置，以壓力0. 2MPa、溫度110°C、速度1. 5m/min的條件，臨時壓接紫外線固化型防蝕塗層用幹膜H-W425(日立化成工業株式會社制，商品名)，接著在其上表面貼合負像型掩膜(negative mask)，利用紫外線進行曝光，燒結導體圖案，在1質量％的碳酸鈉水溶液中進行顯影，形成防蝕塗層，對於沒有該防蝕塗層的銅箔部分，在壓力0. 2MPa、速度 3. 5m/min的條件下噴射由氯化銅、鹽酸、硫酸雙氧水的組成所形成的氯化銅蝕刻液，然後噴射3質量％氫氧化鈉水溶液而剝離除去防蝕塗層，從而在內層用的基材16的表背上形成內層的配線層22。接下來，如圖5C的工序所示，準備了厚度0. 06mm的環氧樹脂玻璃纖維布預浸料坯即GEA-679NUJY(日立化成工業株式會社制，商品名)作為基材8。而且，準備厚度5μπι的銅箔即3EC-VLP-5(三井金屬礦業株式會社制，商品名)作為用於形成配線層14的銅箔23。 將上述的環氧樹脂玻璃纖維布預浸料坯重合在事先準備好的內層用的基材16的兩面的內層的配線層22上，然後，在其上重合厚度5 μ m的配線層14形成用的銅箔23，使用真空擠壓，以壓力3MPa、溫度175°C、保持時間1. 5小時的條件進行加壓加熱而實現層疊一體化。如此，在內層用的基材16的兩方的面上層疊一體化有基材8和配線層14形成用的銅箔23。接下來，如圖5D的工序所示，在該配線層14形成用的銅箔23表面上，利用層壓裝置，以壓力0. 2MPa、溫度110°C、速度1. 5m/min的條件，臨時壓接紫外線固化型防蝕塗層用幹膜H-W425(日立化成工業株式會社制，商品名)，然後在其上表面上貼合負像型掩膜，利用紫外線進行曝光，燒結窗孔的圖案，在1質量％的碳酸鈉水溶液中進行顯影，形成防蝕塗層，對於沒有該防蝕塗層的銅部分，在壓力0. 2MPa、速度3. 5m/min的條件下噴射由氯化銅、 鹽酸、硫酸雙氧水的組成所形成的氯化銅蝕刻液，然後噴射3質量％氫氧化鈉水溶液而剝離除去防蝕塗層，從而形成了保形方法用的窗孔20。接下來，使用NC雷射加工機MARK_20(日立精工株式會社制，商品名)，以孔徑 0.沈、輸出500W、脈衝幅度15、發射數15的條件，對基材8進行加工而形成雷射孔21，接下來，在過錳酸鈉水溶液中，以溫度85°C、6分鐘的條件進行該雷射孔21的洗滌處理，在非電解鍍銅即⑶ST201(日立化成工業株式會社制，商品名)、硫酸銅10g/l、EDTA(乙二胺四乙酸)40g/l、福馬林10ml/l, ρΗ12· 2)中，以溫度24°C、時間30分鐘的條件，對包括雷射孔 21內的基材8的整面進行了厚度0. 5 μ m的底層鍍銅。接下來，利用硫酸銅鍍敷，以溫度30°C、電流密度1. 5A/dm2的條件，進行規定時間鍍敷，而在包括雷射孔21內的基材8的整面上形成了厚度20 μ m的電鍍銅。接下來，如圖5E的工序所示，在基材8的電鍍銅表面上，利用層壓裝置，以壓力0. 2MPa、溫度110°C、速度1. 5m/min的條件，臨時壓接紫外線固化型防蝕塗層用幹膜 H-W475(日立化成工業株式會社制，商品名)，然後在其上表面貼合負像型掩膜，利用紫外線進行曝光，燒結導體圖案，在1質量％的碳酸鈉水溶液中進行顯影，形成防蝕塗層，對於沒有該防蝕塗層的銅部分，在壓力0. 2MPa、速度3. 5m/min的條件下噴射由氯化銅、鹽酸、硫酸雙氧水的組成所形成的氯化銅蝕刻液，形成最外側的配線層14，然後噴射3質量％氫氧化鈉水溶液而進行防蝕塗層剝離除去。由此，在基材8的表面上形成了包括搭載用電極5、 中繼用電極(未圖示)及框狀導體13在內的導體圖案2作為最外側的配線層14。形成的導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值約為23 μ m。接下來，如圖6F的工序所示，通過印刷在包括導體圖案2的基材8的表面整體上塗敷液狀的反射材料4。液狀的反射材料4使用反射材料A。該反射材料A是將作為熱固化性樹脂(環氧樹脂)的三縮水甘油基三聚異氰脲酸酯(商品名TEPIC-S，日產化學工業株式會社制)100質量部、作為固化劑(酸酐系固化劑)的甲基六氫鄰苯二甲酸酐(商品名HN-5500F，日立化成工業株式會社制)150質量部、作為白色顏料的氧化鈦(商品名 FTR-700,堺化學工業株式會社制，平均粒徑0. 2 μ m) 470質量部、作為固化催化劑(固化促進劑)的四丁基鱗-ο，ο-二乙基二硫代磷酸酯(商品名PX-4ET，日本化學工業株式會社制)1. 5質量部混合，以混煉溫度20 30°C、混煉時間10分鐘的條件進行輥混煉而製作。 得到的白色的液狀反射材料4的粘度在25°C下為10 · S。接下來，在熱風循環爐內，以150°C、2小時加熱固化而在包含導體圖案2的基材8 的表面整體上形成了反射材料4，之後如圖6G的工序所示，對反射材料4的表面進行研磨， 直至反射材料4的表面和導體圖案2的表面形成為大致同一面且導體圖案2表面的整體從反射材料4完全露出。研磨是使用了拋光輥的機械研磨(株式會社石井表記制)。使用的拋光輥的號數將#600、#800、#1000按照這樣的順序組合使用。作為拋光輥，使用填補樹脂研磨用的JP BuffMONSTER V3/V3-D2 (Jaburo工業制，商品名)。而且，研磨電流為1. 2A。研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為 18 μ m。接下來，如圖6H的工序所示，對導體圖案2整體進行非電解鎳-金鍍敷和電解鍍銀，形成了厚度為3μπι的反射層7。由此，製作出配線基板1。接下來，如圖61的工序所示，通過裸片接合(die bond)將作為電子部件9的發光元件搭載在搭載用電極5上，通過引線接合(未圖示)將電子部件9和中繼用電極(未圖示)電連接。接下來，使用環氧樹脂作為密封材料10進行密封，切斷除去框狀導體13部分， 製作出電子部件封裝體11。(實施例2)在圖5D的工序、圖5E的工序中，在包括雷射孔內的基材8的整面上形成厚度 15 μ m的電鍍銅，形成在基材8的表面上的導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值約為19μπι。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4 的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為14 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例3)在圖5D的工序、圖5E的工序中，在包括雷射孔內的基材8的整面上形成厚度 30 μ m的電鍍銅，形成在基材8的表面上的導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值約為33 μ m。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4 的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為觀μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例4)在圖5D的工序、圖5E的工序中，在包括雷射孔內的基材8的整面上形成厚度 50 μ m的電鍍銅，形成在基材8的表面上的導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均約為53 μ m。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為47 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例5)在圖6G的工序中，在反射材料4表面的使用了拋光輥的機械研磨時，作為拋光輥， 將#600、#800、#1000、#2000按照該順序使用。研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料 4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為18 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例6)在圖6G的工序中，在反射材料4表面的使用了拋光輥的機械研磨時，作為拋光輥， 將#600、#800按照該順序使用。研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為20 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板 1。(實施例7)如圖6H的工序所示，對導體圖案整體進行非電解鎳-金鍍敷和電解鍍金，形成了反射層7。研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為20 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板。(實施例8)在圖6F的工序中，作為通過印刷而塗敷在包括導體圖案2的基材8的表面整體上的液狀的反射材料4，使用了反射材料B。該反射材料B是將作為熱固化性樹脂(環氧樹脂) 的脂環式環氧樹脂即CEL2021P (Daicel化學工業株式會社制，商品名)100質量部、甲基六氫鄰苯二甲酸酐(商品名HN-5500F，日立化成工業株式會社制)120質量部、氧化鈦(商品名FTR-700，堺化學工業株式會社制)410質量部、四丁基鱗-ο，ο- 二乙基二硫代磷酸酯 (商品名ΡΧ-4ΕΤ，日本化學工業株式會社制)1. 5質量部混合，以混煉溫度20 30°C、混煉時間10分鐘的條件進行輥混煉而製作。得到的白色的液狀反射材料4的粘度在25°C下為 SPa · S。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為18 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例9)在圖6F的工序中，作為通過印刷而塗敷在包括導體圖案2的基材8的表面整體上的液狀的反射材料4，使用了反射材料C。該反射材料C是將三縮水甘油基三聚異氰脲酸酯 (商品名TEPIC-S，日產化學工業株式會社制)50質量部、CEL2021P (Daicel化學工業株式會社制，商品名)50質量部、甲基六氫鄰苯二甲酸酐(商品名HN-5500F，日立化成工業株式會社制)135質量部、氧化鈦(商品名FTR-700，堺化學工業株式會社制)440質量部、四丁基鱗-ο，ο- 二乙基二硫代磷酸酯(商品名PX-4ET，日本化學工業株式會社制)1. 5質量部混合，以混煉溫度20 30°C、混煉時間10分鐘的條件進行輥混煉，製作出白色的液狀反射材料4。得到的白色的液狀反射材料4的粘度在25°C下為12 · S。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為21 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(比較例1)在圖6F的工序中，不在導體圖案2及基材8上塗敷反射材料4，而使基材8直接露出。導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為23 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(參考例1)在圖5D的工序、圖5E的工序中，在包括雷射孔21內的基材8的整面上形成厚度 IOym的電鍍銅，形成在基材8的表面上的導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值約為13μπι。而且，在圖6G的工序中，研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4 的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為8 μ m。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(比較例2)在圖6F的工序中，通過印刷而在包括導體圖案2的基材8的表面整體上塗敷液狀的反射材料4。液狀的反射材料4使用反射材料A。接著，在熱風循環爐內進行150°C、2小時加熱固化而在包括導體圖案2的基材8的表面整體上形成反射材料4。然後，在圖6G的工序中，不進行研磨而直接進行熱固化。因此，在包括導體圖案2的基材8的表面整體上形成反射材料4，導體圖案2未露出。而且，導體圖案2的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值約為23 μ m，其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為 24 μ m0除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。(實施例10)在圖6G的工序中，在反射材料4表面的使用了拋光輥的機械研磨時，作為拋光輥， 將#600、#800、#1000、#1500、#2000按照該順序使用。研磨後的導體圖案2及其附近的反射材料4的厚度在配線基板1的四角和中央的平均值均約為18 μ m。除此以外，與實施例1 同樣地製作出配線基板1。(實施例11)如圖8F 圖81所示，在內層用的基材16上的內層的配線層22處設置接受雷射的導體圖案沈，在向上方開口的凹部M所設置的位置的基材8上的配線層14處形成窗孔 25，使用雷射加工機，通過保形方法，將反射材料4和基材8貫通，形成到達導體圖案沈的凹部對。除此以外，與實施例1同樣地製作出配線基板1。對於如以上那樣製作的實施例1 11、參考例1及比較例1、2的配線基板，測定了反射材料的厚度、反射材料的表面粗糙度、反射材料的反射率、反射層的反射率。(反射材料的厚度的測定)導體圖案及其附近的反射材料的厚度通過觀察截面來測定，求出配線基板的四角和中央這五點的平均值。(表面粗糙度的測定)表面粗糙度是JIS C 6481所規定的平均粗糙度Ra，使用觸針式表面粗糙度計 SURFTEST SV-400 (Mitutoyo株式會社制，商品名)進行了測定。(反射率的測定)使用分光測色計(商品名CM-508d，Minolta株式會社制)測定反射材料及反射層的對包括420士 IOnm 800士 IOnm的波長域的反射率。而且，從該測定結果讀取 420 士 10nm、460 士 10nm、550 士 10nm、660 士 10nm、800 士 IOnm 的波長下的反射率(表 1 中，將各個波長標記為 420、460、550、660、800)。(密封材料的密接強度)在形成有反射材料的基板上，將密封用環氧樹脂組成物成形為圓柱狀(直徑 3. 6mm)，使用Dage Precision hdustries公司制推拉力測試機測定密接強度。對於實施例1 11、參考例1及比較例1、2的配線基板，測定了反射材料的厚度、反射材料的表面粗糙度、反射材料的反射率、反射層的反射率及密封材料的密接強度的結果如表1所示。對於實施例1、2、7而言，表示了 420士 10nm、460士 10nm、550士 10nm、 660士 10nm、800士 IOnm的波長下的反射率，但對於除此以外的實施例、比較例而言，由于波長與反射率的關係表現出同樣的趨勢，因此以460士 IOnm的波長下的反射率為代表值來表示。根據實施例1 11和比較例1的結果，通過設置基材上的反射材料，與僅有基材的情況(比較例1)相比，得到了反射率大幅提高的結果。根據實施例1 7和參考例1的結果可知，若反射材料的厚度為IOym以上，則對於420士 IOnm 800士 IOnm的波長域整體的光，能得到70%以上的高反射率。而且，對實施例1、5、6、10(均有研磨)與比較例2(沒有研磨及導體圖案的露出)進行比較，反射率最大存在3%程度的差，而且根據實施例1、5、 6、10，即使反射材料的表面粗糙度以Ra計變化至0. 3 7 μ m程度，也得到了反射率相等的結果。根據實施例1和7，即使反射層的鍍敷從電解銀變化成電解金，對於420士 IOnm 800士 IOnm的波長域整體的光，也能得到70%以上的高反射率的結果。表1是對於實施例1 11、參考例1及比較例1、2的配線基板，測定了反射材料的厚度、反射材料的表面粗糙度、反射材料的反射率、反射層的反射率、密封材料的密接強度的結果。表 權利要求
1.一種配線基板，具有具備設置在基材上的導體圖案的多個配線層；使所述多個配線層電絕緣的基材，所述配線基板的特徵在於，在所述多個配線層中的最外側的配線層中，在未設置導體圖案的部分的基材上形成有反射材料，該反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。
2.根據權利要求1所述的配線基板，其中，導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體， 在所述框狀導體的內側，在未設置導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成有反射材料，所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。
3.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中，在未設置導體圖案的部分的基材上形成反射材料後，通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出。
4.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中，反射材料是含有熱固化性樹脂和白色顏料的樹脂組成物。
5.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中， 反射材料的厚度為10 μ m 50 μ m。
6.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中， 在導體圖案上通過鍍金或鍍銀形成反射層。
7.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中，導體圖案和反射材料對420 士 IOnm 800 士 IOnm中任一波長的光均具有70%以上的反射率。
8.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中，反射材料的表面具有以平均粗糙度Ra計為0. 3 μ m 7 μ m的凹凸。
9.根據權利要求1或2所述的配線基板，其中，在最外側的配線層的反射材料上設置向上方開口的凹部。
10.一種電子部件封裝體，其通過使用權利要求1或2所述的配線基板，在形成於導體圖案的電極上搭載電子部件，使用密封材料對所述電極及電子部件進行密封而形成。
11.一種配線基板的製造方法，其包括在多個配線層中的最外側的配線層形成導體圖案的工序，該導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體；在未設置所述導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成反射材料的工序；通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序。
12.根據權利要求11所述的配線基板的製造方法，其中， 還包括在反射材料上形成向上方開口的凹部的工序。
13.一種電子部件封裝體的製造方法，其包括在多個配線層中的最外側的配線層形成導體圖案的工序，該導體圖案具有搭載電子部件的電極和包圍所述電極的框狀導體；在未設置所述導體圖案的部分的基材上以填充所述導體圖案的間隙的方式形成反射材料的工序；通過一起研磨所述導體圖案和反射材料，而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序；在所述導體圖案的電極上搭載電子部件，並使用密封材料對所述導體圖案及電子部件進行密封的工序。
14.根據權利要求13所述的電子部件封裝體的製造方法，其中， 在通過一起研磨導體圖案和反射材料、而使所述反射材料的表面和所述導體圖案的表面形成為同一面且所述導體圖案的表面從所述反射材料露出的工序後，包括 在所述反射材料上形成向上方開口的凹部的工序；在所述導體圖案的電極上搭載電子部件，並使用密封材料對所述導體圖案及電子部件進行密封的工序。
全文摘要
本發明提供如下述的配線基板、電子部件封裝體及它們的製造方法，即，通過導體圖案和設置在其間隙中的反射材料這兩者來抑制反射率的不均而提高整體的反射率，能夠使配線基板的電子部件搭載側的面具備反射功能，容易進行反射材料的形成、反射材料的厚度的控制及反射材料的表面形狀的控制，實現反射率的穩定化，而且，確保反射材料與密封材料的密接而提高可靠性。所述配線基板具有具備設置在基材上的導體圖案的多個配線層；使所述多個配線層電絕緣的基材，其中，在多個配線層中的最外側的配線層中，在未設置導體圖案的部分的基材上形成有反射材料，該反射材料的表面和導體圖案的表面形成為同一面且導體圖案的表面從反射材料露出。
文檔編號H05K3/28GK102326461SQ201080008850
公開日2012年1月18日 申請日期2010年2月22日 優先權日2009年2月24日
發明者吉田英樹, 小谷勇人, 浦崎直之, 磯田聰 申請人:日立化成工業株式會社