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減少基材上粒子汙染的平臺及其方法

2023-10-10 11:25:29

專利名稱:減少基材上粒子汙染的平臺及其方法
技術領域:
本發明涉及一種用以支撐一基材的平臺裝置,尤其涉及一種於處理基材時減少粒 子汙染的平臺及其方法。
背景技術:
離子植入或摻雜為製造電子裝置中多個處理過程中的一個過程。於現有的技術 中,可利用束線離子植入系統來執行離子植入。圖1為束線離子植入系統的方塊圖。現有 的離子植入系統100可包括一離子源104、多個束線(beam-line)元件以及一末端站(end station)。於現有技術中,離子源104可用來產生所要種類(species) 102的離子。產生的 離子可以藉由束線元件105而從離子源104取出。類似於一連續的光學透鏡來操作一光束, 束線元件105操作各離子102使成為離子束102且使離子束102朝向一晶圓106與一支撐 該晶圓106的平臺108所在的末端站110。離子束直接朝著末端站而射入於晶圓106上且 離子植入得以進行。離子植入也可利用一等離子體摻雜(PLAD)或等離子體浸沒離子植入(PIII)系統 來進行。在等離子體摻雜系統中,晶圓106與支撐該晶圓106的平臺108是配置於一處理 室中。同時,包含一所要種類的處理(process)氣體是進入於等離子體摻雜系統的等離子 體源中。於有些系統中,等離子體源可鄰近處理室。於其他系統中,等離子體源可移開且遠 離處理室。接著,該處理氣體可轉換成等離子體210,其包含電子、所要種類的離子202、中 子與/或殘餘物。晶圓106可以加偏壓,且所要種類的離子202可以植入於晶圓中。平臺108可在離子植入時用以支撐該晶圓106。平臺108可包括多個靜電地鉗緊 (clamp)該晶圓106至平臺108的電極(未繪示)。於其他實施例中,平臺108可以使晶圓 106在多個不同方向中移動(例如,平移、旋轉、傾斜等)。平臺108可用來控制多個離子置入的參數。舉例來說,平臺108可用來維持晶圓 106的溫度在一所要值。因為離子植入過程為一需能量的過程,晶圓106的溫度會提升至 超過所所要的溫度。一般來說,平臺108是用來防止基材過熱。現有的平臺可具有沿著已 安裝的晶圓106而設置的冷卻凹陷(未繪示),其可定義出一冷卻區域(未繪示)。冷卻氣 體可引入於冷卻區域中且維持在一預定壓力,如此使氣體可接觸到晶圓106與冷卻的晶圓 106。平臺108可用來控制其他的植入參數,包括晶圓106中防止過度的充電增長。現有 技術中,當晶圓106以充電的離子來轟擊時,過度充電會在晶圓106中形成。過度充電的形 成會造成電弧且導致晶圓106的嚴重失效。此外,充電的形成會於完成離子植入過程後使 晶圓106由平臺108鬆開(de-clamped)時受到阻礙。為了避免過度充電的形成,晶圓106 與206可包含一或多個接地電路(未繪示),其將晶圓106電性連接至地面且降低過度充電 的形成。在現有的平臺108中,平臺108的部分是直接連接至晶圓106。這樣的接觸會產生 碎片。碎片會漂移至晶圓106的前側,且此側即為離子束所射入的那側。鄰近該晶圓106的前側的碎片是不利的,此乃因碎片會幹涉植入過程,且最後會造成小於最佳效果的設備。 因此,改進的平臺是需要。

發明內容
本發明揭示減少基材上粒子汙染的技術。在一實施例中,此技術可以一具有多個 不同區域的平臺來實施,其中這些區域中的壓力值可實質上相同。舉例來說,平臺可包括一 平臺主體,其包含第一與第二凹陷,第一凹陷定義出一流體區域用以保持流體以維持基材 的溫度於一預定溫度,第二凹陷定義出一第一凹槽(cavity)用以保持一接地電路;一第一 介層窗(via)定義於平臺主體中,第一介層窗具有第一與第二開口,第一開口鄰近流體區 域,而第二開口鄰近第一凹槽,其中流體區域的壓力值可維持在一準位,且此準位實質上相 等於第一凹槽的壓力值。依據本實施例的另一方面,流體區域可與第一凹槽處於壓力平衡。依據本實施例的又一方面,流體區域可與第一凹槽處於流體相通。依據本實施例的其他方面,平臺可還包括一流體通道,其中流體區域通過流體通 道而使流體流通於第一凹槽。依據本實施例的其他方面,流體通道可提供於平臺主體內。依據本實施例的其他方面,流體通道可提供於接地電路內。依據本實施例的其他方面,接地電路可包括一接地引腳(pin),其具有一引腳主體 與一套管(sleeve),且流體通道可提供於套管內。依據本實施例的其他方面,接地電路可包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一 套管,其中流體通道可提供於引腳主體內。依據本實施例的其他方面,接地電路可包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一 透氣的(porous)套管,其中流體通道可提供於透氣套管內。依據本實施例的其他方面,流體通道可為一溝槽(groove)的形式。依據本實施例的其他方面,接地電路可包括一接地引腳,其具有一引腳主體與一 套管,其中流體通道可為一溝槽的形式,且溝槽可提供於套管內。依據本實施例的其他方面,溝槽可延伸於一方向。依據本實施例的其他方面,溝槽可為一螺旋狀溝槽。在另一實施例中,接地引腳用以將一基材連接於地面且可包括一引腳主體以及一 套管。套管支撐引腳主體,其中套管可包括一流體通道,以傳輸流體。依據本實施例的另一方面,流體通道可為一溝槽的形式,配置於套管的一外表面 與一內表面至少其中之一。依據本實施例的其他方面,流體通道可為一介層窗的形式,配置於套管的一外表 面與一內表面之間。依據本實施例的其他方面,溝槽為一螺旋狀溝槽。在又一實施例中,技術上可通過裝載基材於一平臺上來實施;引進流體於一流體 區域,其鄰近基材與平臺的平臺主體;維持流體區域於一第一壓力值;以及維持平臺主體 所定義出的一第一凹槽於一第二壓力值,第二壓力值實質上相等於第一壓力值。依據本實施例的另一方面,技術可還包括提供一流體通道,其中流體區域通過流體通道而使流體流通於第一凹槽。依據本實施例的又一方面,平臺可包括一平臺本體,其中流體區域通過平臺主體 而與第一凹槽隔開,且其中流體通道可提供於平臺主體內。依據本實施例的其他方面,技術可還包括一接地引腳,用以連接基材於地面,其 中流體通道可提供於接地引腳內。依據本實施例的其他方面,接地引腳可還包括一引腳主體與一套管,其中流體通 道可提供於套管內。依據本實施例的其他方面,流體通道可為一溝槽的形式,配置於套管的外表面上。依據本實施例的其他方面,溝槽可為一螺旋狀溝槽。將參照附圖所示的範例性實施例更詳細地描述本發明。雖然下文參照範例性實施 例來描述本發明,但應該理解本發明並不限於此。獲得本案教導的本領域技術人員將意識 到落在本發明範圍內且本發明對其特別有用的其他實施方式、變更、實施例及其他使用領 域。


為了便於更好地理解本發明,現在參照附圖,其中相似的標號表示相似的元件。這 些附圖不應解釋為限制本發明,而旨在作為範例性的解釋。圖1繪示現有的一種束線離子植入系統的方塊圖。圖2繪示現有的一種等離子體摻雜或等離子體浸沒離子植入系統的方塊圖。圖3A是根據本發明的一實施例的一種包括一或多個接地電路的平臺的方塊圖。圖3B是根據本發明的一實施例的一鄰近接地電路的平臺的詳細示意圖。圖4是根據本發明的一實施例的一種用以降低粒子汙染的平臺的橫剖面示意圖。圖5是根據本發明的另一實施例的一種用以降低粒子汙染的平臺的橫剖面示意 圖。圖6A至圖6D是根據本發明的多個實施例的多種可納入圖3a、圖3b、圖4與圖5 所繪示平臺的接地引腳的示意圖。圖7A與圖7B是根據本發明的其他實施例的多種可納入圖3a、圖3b、圖4與圖5 所繪示平臺的接地引腳的示意圖。圖8是根據本發明的另一實施例的一種可納入圖3a、圖3b、圖4與圖5所繪示平 臺的接地引腳的示意圖。
具體實施例方式為了解決上述的問題,多個用以降低處理中的基材上粒子汙染的平臺以其方法的 實施例在此提出介紹。為了清楚且簡單起見,本發明所揭示的重點在於平臺及其元件以及 離子植入系統的裝備。然而,本領域技術人員應了解,本發明所揭示的內容也可相同地應用 於其他類型的系統及其元件。舉例來說,本發明所揭示的內容也可相同地應用於其他基材 支撐的型態及其元件,或應用在一蝕刻系統、一沉積系統、一退火(annealing)系統或一其 他光學基本製程系統。此外,本發明的上下文所揭示的術語「基材」,本領域技術人員應了 解,基材可包括金屬、半導體、絕緣體或此三者的組合。
請參考圖3a,此圖是根據本發明的一實施例的一種用以降低一基材上粒子汙染的 平臺的橫剖面示意圖。本實施例的平臺可以是一於多個處理過程中支撐基材302的平臺 300。平臺300可由導電材料所製成,例如,由鋁製成。然而,平臺300也可由其他導電材料 所製成。平臺300雖不期望由絕緣體所製成,但並不排除此情況。如圖3a所示,平臺300可包括一平臺主體301與一或多個將基材302電性連接至 地面的接地電路330。平臺主體301包括一定義出一或多個流體區域310的第一凹陷。流 體區域310可容納流體以維持一基材302在一預定溫度。舉例來說,若欲維持基材302在 一低溫狀態,可於處理該基材302時將冷卻流體引入於流體區域310以冷卻該基材302。在 另一方面,若欲維持該基材302在一高溫狀態,可將熱流引入於流體區域310以加熱該基材 302。請參考圖3b,此圖是鄰近接地電路330的平臺主體301的詳細示意圖。除了定義流 體區域的第一凹陷外,平臺主體301可還包括一定義一第一凹槽312的第二凹陷以及耦接 於流體區域310及第一凹槽312的第一與第二介層窗314與316。接地電路330可同時包 括一接地電極334與一接地引腳332,其中接地引腳具有一引腳主體332a與一套管332b。 如圖所示,接地電極334與套管332b是配置於第一凹槽312內。同時,引腳主體332a可通 過第一介層窗314而從第一凹槽312延伸至流體區域310。在本實施例中,引腳主體332a較佳地可具有一尖端以穿過一種通常配置於基材 302背側上的介電薄膜302a而與基材302相接觸。為了提供電性連接,本實施例的引腳主 體332a可由一或多個導電金屬材料所製成,例如是碳化鎢(tungsten carbide,「WC」)。同 時,套管332b可為電性絕緣。套管332b較佳地可包括一或多種絕緣材料或介電材料,可包 括例如橡膠(rubber)、聚合物(polymer)、介電陶瓷(dielectric ceramic)或此三者的組 合。雖然套管336較佳地可以是絕緣的,但於本實施例中,套管336也可具有導電性。如圖3b所示,套管332b可配置於引腳主體332a上。此外,套管332b可以與鄰近 第一介層窗314的開口的平臺主體301相接觸。套管332b可按規格尺寸來成形,以對引腳 主體332a提供支撐並防止引腳主體332a過度地突出於流體區域310中。舉例來說,套管 332b的橫剖面尺寸(例如,介於中心與外側周圍之間的距離)可大於第一介層窗314的橫 剖面尺寸。過度突出於流體區域310會對基材造成損壞。為了使基材接地,接地電極332耦接至接地引腳332。接地電極334較佳地可使接 地引腳332在一垂直方向中移動。為了達到電傳導與垂直移動,接地電極334可具有一彈 性(spring)板結構。接地電極334的一端可受到支撐,反之,接地電極334的另一端,即, 與接地引腳332連接的那一端,無一支撐物。然而,支撐物也可提供至與接地引腳332相接 觸的那一端。此外,接地電極334可包括一或多個可撓曲的導電材料。舉例來說,接地電極 340可由一材料所製成,例如是銅。本領域技術人員應了解,接地電極334也可以具有其他 結構與其他材料。舉例來說,在本實施例中,接地電極334可具有一螺旋狀線圈的結構與/ 或由合金,例如是鈹銅合金(Be-Cu alloy)或較佳是合成物所製成。電極334也可由一形 狀記憶體合金製作成,以使得在應力造成變形後可恢復為其原來的形狀。在操作上,基材302是裝載、鉗緊與處理於平臺300上。平臺300可為一靜電的鉗 緊平臺300,且一或多個鉗緊電極(未繪示)可主動鉗緊基材302於平臺300上。此外,平 臺300也可以是一機械式鉗緊平臺300,且基材302可以機械地鉗緊於平臺300上。之後,接地引腳332對著基材302擠壓,穿入至該介電薄膜302a且緊密地接觸該基材302。為了維持基材於一預定溫度,流體可引入於流體區域310中。上述提及的是,流體 可以被引入以提供冷卻或加熱。此外,流體在流體區域310中維持在一預定壓力值或維持 在一預定壓力值範圍Pc中。在基材處理後,基材302可以由平臺300鬆開且離開此平臺 300。當基材固定於平臺300上時,平臺300與基材302彼此直接連接的部分會有碎片 (debris)產生。舉例來說,來自基材302與薄膜302a的碎片可能是產生於基材302與薄 膜302a緊密地接觸該引腳主體332a的尖端。產生的碎片可安放且累積於平臺主體301的 表面、引腳主體332a、套管332b、第一凹陷312與第一介層窗314。發明者發現碎片可能會 轉移至末端站的其他位置或接近基材302的前側。此問題例如在流體區域30與第一凹槽 312之間會由於流體流動的一或多個突然衝擊而更加惡化。一或多個流體衝擊會妨礙碎片 安放於多個表面,且提供動力與傳輸碎片於鄰近該基材302的前側。發明者發現流體衝擊可歸因於流體區域310與第一凹槽312之間的壓力差。於操 作時,流體區域310可維持在預定壓力值Pc,反之,第一凹槽312維持在另一不同於Pc的壓 力值P1。發明者間歇地發現,當引腳主體332a連接於基材302或薄膜302a時,套管322b與 平臺主體301通過一引導至接地引腳332的垂直移動而分開。於過程中,通常被套管332b 阻礙的第一介層窗314不受阻礙。因為不同的Pc與P1,突然衝擊的流體可流動於流體區域 310與第一凹槽312之間。在本實施例中,平臺主體301可包括使流體流通於流體區域310與第一凹槽312 的第二介層窗316。第二介層窗316可提供一流體通道,流體可從流體通道流通於兩區域 310與312。於過程中,可維持區域310與312之間的壓力平衡。舉例而言,在較大的壓力 值下,流體可通過第二介層窗316而由區域310與312之一流至區域310與312中的另一 區域。於過程中,在兩區域310與312壓力值可以是相同或實質上相同,且介於兩區域之間 的壓力差可降到最小。即使套管332b與平臺主體301分開,使第一介層窗314打開,介於 兩區域310與312之間急速的流體流動仍可避免。安放於多個表面的碎片將較不可能受到 幹擾且運輸至接近基材302。本領域技術人員應了解,本發明所揭示的內容可相同地應用以 達成平臺的其他區域中的壓力平衡,即,間歇地使流體流通於其他區域且使突然衝擊的流 體流動於區域之間。請參考圖4,此圖是本發明的一實施例的一種用以降低粒子汙染的平臺400的橫 剖面示意圖。本實施例的平臺400與圖3a與圖3b的平臺300相似。為了清楚且簡單起見, 相似特徵的細部描述在此不在贅述。此外,採用相同的標號來表示相似的元件。在本實施例中,平臺400可為任意地省略前述實施例中包括於平臺主體301中 的第二介層窗316。本實施例的平臺主體401包括一配置於第一凹槽312的流體通口 (port)418,以使介於流體區域310與第一流體凹槽312之間的壓力差降至最小。流體通口 418可連接至一流體源頭(未繪示)與/或一真空泵(未繪示)。此外,可提供一壓力監控 器(未繪示)以測量第一凹槽312與流體區域310之間的壓力差。若流體區域310與第一 凹槽312的壓力值不同,流體可提供至第一凹槽312或由第一凹槽312中抽空,以使得介於 區域310與312之間的壓力差能降低至最小。請參考圖5,此圖是根據本發明的另一實施例的一種用以降低粒子汙染的平臺500的橫剖面示意圖。本實施例的平臺500相似於圖3a、圖3b與圖4的系統300與400。 在本實施例中,平臺500可為任意地省略前述實施例中的第二介層窗316與/或一流體通 口 318。為了清楚且簡單起見,相似特徵的細部描述在此不在贅述。此外,採用相同的標號 來表示相似的元件。在本實施例中,平臺500可包括一接地電路530。接地電路500可包括一接地電極 534與一接地引腳532,其中接地引腳532包括一引腳主體532a與一套管532b。引腳主體 532a與接地電極534可相似於前述實施例。為了清楚起見,相似特徵的細部描述於此不在 贅述。在本實施例中,套管532b可為一透氣套管532b。本實施例於套管532b中的氣孔 (pores)可具有多個連接至流體區域310與第一凹槽312的流體通道。在透氣套管532b中 的通道可允許流體區域310中的流體流動至第一凹槽312或反之亦可。本領域技術人員應 了解,套管532b雖然可透氣,但可維持其結構以適當地支撐引腳主體532a。藉由提供有透氣套管532b的接地引腳532,可達成介於流體區域310與第一凹槽 312之間的壓力平衡。此外,介於兩區域310與312之間可幹擾及/或分散碎片的流體流動 的突然衝擊可降低至最小或避免。本實施例的利用接地引腳532的平臺500可具有其它優 點。舉例來說,若在套管532b中的流體通道由於大量的使用而阻塞,則該接地引腳532可 取代其他的接地引腳532。整個平臺500不需被取代或更新。因此,維修該平臺500可較為 簡單且成本較低。本領域技術人員應了解,本發明所揭示的接地引腳可具有多種結構。在其他結構 中,可挑選形狀、尺寸與接地引腳的套管的材料以充分地支撐引腳主體與維持其結構。舉例 來說,套管的一部分的橫剖面尺寸可大於第一介層窗314的橫剖面尺寸。於過程中,套管可 防止引腳主體過度地突出至流體區域310內或過度地撞擊該基材302。此外,接地引腳可包括一連通於流體區域310與第一凹槽312的流體通道,可直接 或間接穿過其他元件(例如,第一介層窗)。流體通道可為一溝槽或一介層窗的形態。流體 通道為一溝槽或一介層窗的型態,可配置於引腳主體或接地引腳的套管。舉例而言,流體通 道,為一溝槽或一介層窗的形態,可配置於套管上,鄰近外側表面;套管內;套管上,鄰近 於內側表面;引腳主體上,鄰近引腳主體的外側邊緣;與/或引腳主體內。當接地引腳配置 於平臺主體上時,接地引腳的流體通道可提供流體區域310與第一凹槽312之間的壓力平 衡,以使得壓力差降至最低。以下,說明多個可納入至圖3a、圖3b、圖4與圖5所繪示的平 臺的接地引腳。請參考圖6A至圖6D,這些是根據本發明的多個實施例的多種可納入圖3a、圖3b、 圖4與圖5所繪示的平臺的接地引腳的示意圖。如圖6A所示,接地引腳632可包括引腳主體 632a、一套管632b以及一流體通道632c。在本實施例中,流體通道632c為一溝槽632c的 型態,可配置於套管632b上,鄰近套管632b的外側表面。然而,本領域技術人員應了解,流 體通道632c也可為一介層窗的型態。此外,本領域技術人員應了解,流體通道632c,為一溝 槽或一介層窗的型態,也可配置於套管632b內,套管632的內側表面上,引腳主體632a的 外表面上或引腳主體632a中。再者,本領域技術人員應了解,流體通道632c不需要從套管 632b的上表面(例如,鄰近引腳主體632a的尖端的表面)延伸至套管632b的下表面(例 如,鄰近引腳主體632a的基部與接地電極的表面)。若接地引腳包括一可使流體流通於流體區域310與第一凹槽312的流體通道,則接地引腳632在本發明所揭示的範圍內。舉例 來說,套管632b的一部分配置於平臺主體上時可延伸於第一介層窗314的上方且延伸至流 體區域310。此種接地引腳632中,流體通道632c的一端可在套管632b的上表面下方。
在本實施例中,流體通道632c可具有一圓形凹表面。於其他實施例中,套管632b 可具有一或多個凸出於外的突出物(未繪示),遠離該套管632b的中心。在此種實施例中, 一或多個流體通道可鄰近於突出物。於其他實施例中,流體通道632c可具有多個平坦的表通過提供流體通道來連通流體區域310與第一凹槽312,兩區域310與312可彼此 達成流體相通。流體可流穿流體通道632c,且可達成介於流體區域310與第一凹槽312之 間的壓力平衡。突然衝擊的流體可避免流入於流體區域310與第一凹槽312之間。請參考圖6B與圖6C,這些是根據本發明的二個其他實施例的接地引腳635與637 的等體積(isometric)示意圖。於圖6B與圖6C中的每一接地引腳相似於圖6A所描述的 接地引腳。此外,接地引腳635與637彼此相似。每一接地引腳635與637分別包括一引 腳主體635a、一套管635b與637b以及一流體通道635c。然而,每一接地引腳635與637的流體通道635c與637c具有不同的標號。舉例 來說,圖6B所繪示的接地引腳635包括三個流體通道635c,而圖6C所繪示的接地引腳637 包括八個流體通道637c。每一流體通道635c與637c可使得流體流動於流體區域310與第 一凹槽312之間,如此可達成兩區域310與312之間的壓力平衡。本領域技術人員應了解, 本發明並不限定流體通道的數量。本實施例所揭示的接地引腳可包括一具有任何數量的流 體通道的套管。請參考圖6D,此圖顯示為根據本發明的其他實施例的接地引腳637的示意圖。圖 6D的接地引腳相似於圖6A至圖6C所描述的接地引腳。舉例來說,接地引腳639包括一引腳 主體639a、一套管639b與至少一流體通道639c。然而,流體通道639c包括一平坦表面。在 本實施例中,套管的一些部分所具有的橫剖面尺寸可大於第一介層窗314的橫剖面尺寸。即使當套管接觸平臺主體時(請參考圖5),可通過本實施例的接地引腳630來達 成介於流體區域310與第一凹槽312之間的壓力平衡。此外,可避免該流體區域310與第 一凹槽312之間流體流動所發生的突然衝擊,其會干擾且分散碎片。請參考圖7A與圖7B,這些是根據本發明的其他實施例的多種接地引腳732的示意 圖。相似於前述實施例的接地引腳,本實施例的接地引腳732可納入至圖3a、圖3b、圖4與 圖5所繪示的平臺中。在本實施例中,接地引腳732可包括一引腳主體732a、一套管732b與一流體通道 732c。在本實施例中,流體通道732c具有一螺旋狀外形。雖然圖7A與圖7B繪示一具有 多圈繞組(windings)的螺旋狀流體通道732c,但本領域技術人員應了解,螺旋狀流體通道 732c可具有一圈或少於一圈的繞組。流體通道732c較佳地可具有一使流體流通於流體區 域310與第一凹槽312的開口。於過程中,當套管連接至平臺時可達成壓力平衡(請參考 圖5)。此外,可避免該流體區域310與第一凹槽312之間該流體流動所發生的突然衝擊,其 會干擾且分散碎片。請參考圖8,此圖是根據本發明的另一實施例的一種接地引腳832的示意圖。相似 於前述實施例的接地引腳,本實施例的接地引腳832也可納入至圖3a、圖3b、圖4與圖5所繪示的平臺中。接地引腳832包括一接地引腳832a、一套管832b以及一流體通道832c。套管 832b可相似於前述實施例中所描述的套管。在本實施例中,流體通道832c可提供於引腳 主體832a內。穿過流體通道832c,流體可流通於流體區域310與第一凹槽312之間,且可 使介於兩區域310與312之間的壓力達成平衡。此外,可避免該流體區域310與第一凹槽 312之間該流體流動所發生的突然衝擊,其會使套管732b和平臺形成間歇性的分離且會將 汙染物分布至該基材上。已揭示了處理基材時使基材上粒子汙染降低的平臺及其方法的多個實施例。本領 域技術人員應了解本發明並不局限於本案描述的特定實施例的範圍。實際上,除了本案已 描述的實施例,本發明的其他各種實施例和潤飾是本領域技術人員通過前述描述和附圖顯 而易見的。舉例來說,本發明所揭示的內容也可相同地應用於其他基材支撐的型態及其元 件,以及應用於進行不同於離子植入過程的系統中。特別是,本發明所揭示的內容也可相同 地應用於進行蝕刻系統、沉積系統、退火系統或其他光學處理的系統中。此外,本發明所揭 示的內容也可相同地應用於具有多個區域的基材支撐物中,其中這些區域其中之一遭受其 他不同區域的流體的突然衝擊。因此,這些其他實施例和潤飾旨在落入本發明的範圍。此 外,儘管本發明已在用於特定目的的特定環境中以特定實施例為背景進行了描述,但本領 域技術人員應意識到其效用並不限於此,並且本發明可有利地用於出於任意目地的任意環 境中。因此,本發明的申請專利範圍應根據本發明的最寬範圍和精神來進行解釋。
權利要求
1.一種平臺,於處理一基材時用以支撐該基材,該平臺包括一平臺主體,包括一第一凹陷與一第二凹陷,該第一凹陷定義出一流體區域,以保持流 體而將基材的溫度維持在一預定溫度,該第二凹陷定義出一第一凹槽,以保持一接地電路; 以及一第一介層窗,定義於該平臺主體內,該第一介層窗具有一第一開口與一第二開口,該 第一開口鄰近該流體區域,該第二開口鄰近該第一凹槽;其中該流體區域的壓力值維持在一準位,且該準位實質上相等於該第一凹槽的壓力值。
2.根據權利要求1所述的平臺,其中該流體區域與該第一凹槽處於壓力平衡。
3.根據權利要求1所述的平臺,其中該流體區域與該第一凹槽處於流體相通。
4.根據權利要求3所述的平臺,還包括一流體通道,其中該流體區域通過該流體通道而與該第一凹槽處於流體相通。
5.根據權利要求4所述的平臺,其中該流體通道提供於該平臺主體內。
6.根據權利要求4所述的平臺,其中該流體通道提供於該接地電路內。
7.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體 與一套管,其中該流體通道提供於該套管內。
8.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體 與一套管,其中該流體通道提供於該引腳主體內。
9.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體 與一套管,其中該套管是可透氣的,且該流體通道提供於透氣的該套管內。
10.根據權利要求7所述的平臺,其中該流體通道為一溝槽的形式。
11.根據權利要求6所述的平臺,其中該接地電路包括一接地引腳,其具有一引腳主體 與一套管,其中該流體通道為一溝槽的形式,且該溝槽提供於該套管內。
12.根據權利要求11所述的平臺,其中該溝槽在一方向中延伸。
13.根據權利要求11所述的平臺,其中該溝槽為一螺旋狀溝槽。
14.一種接地引腳,用以將基材連接於地面,包括 一引腳主體;以及一套管,支撐該引腳主體,該套管包括一流體通道,以傳輸流體。
15.根據權利要求14所述的接地引腳,其中該流體通道為一溝槽的形式,配置於該套 管的一外表面與一內表面的至少其中之一表面上。
16.根據權利要求14所述的接地引腳,其中該流體通道為一介層窗的形式,配置於該 套管的一外表面與一內表面之間。
17.根據權利要求15所述的接地引腳,其中該溝槽為一螺旋狀溝槽。
18.—種在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,包括 裝載該基材於一平臺上;引進流體至一流體區域,該流體區域鄰近於該基材與該平臺的平臺主體; 維持該流體區域於一第一壓力值;以及維持該平臺主體所定義出的一第一凹槽於第二壓力值,該第二壓力值實質上相等於該 第一壓力值。
19.根據權利要求18所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,還包括 提供一流體通道,其中該流體區域通過該流體通道使流體流通於該第一凹槽。
20.根據權利要求19所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,其中該流體 區域通過該平臺主體而與該第一凹槽隔開,且其中該流體通道提供於該平臺主體內。
21.根據權利要求19所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,還包括 一接地引腳,用以連接該基材至地面,其中該流體通道提供於該接地引腳內。
22.根據權利要求21所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,其中該接地 引腳還包括一引腳主體與一套管,其中該流體通道提供於該套管內。
23.根據權利要求22所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,其中該流體 通道為一溝槽的形式,配置於該套管的外表面上。
24.根據權利要求23所述的在正被處理的基材上使粒子汙染減少的方法,其中該溝槽 為一螺旋狀溝槽。
全文摘要
本發明揭示減少基材上粒子汙染的技術。在一特殊實施例中,此技術可以一具有多個不同區域的平臺來實施,其中這些區域中的壓力值可實質上相同。舉例來說,平臺可包括一平臺主體,其包括第一與第二凹陷,第一凹陷定義出一流體區域用以保持流體以維持基材的溫度於一預定溫度,第二凹陷定義出一第一凹槽用以保持一接地電路;一第一介層窗定義於平臺主體中,第一介層窗具有第一與第二開口,第一開口鄰近於流體區域,而第二開口鄰近於第一凹槽,其中流體區域的壓力值可維持在一準位,且此準位實質上相等於第一凹槽的壓力值。
文檔編號H01L21/683GK102119439SQ200980131177
公開日2011年7月6日 申請日期2009年6月19日 優先權日2008年6月20日
發明者亞瑟·P·瑞福, 大衛·蘇若恩, 岱爾·K·史東, 愛德華·D·梅克英特許, 茂雄·S·大城 申請人:瓦裡安半導體設備公司

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專利名稱:一種pe滾塑儲槽的製作方法技術領域:一種PE滾塑儲槽一、 技術領域 本實用新型涉及一種PE滾塑儲槽,主要用於化工、染料、醫藥、農藥、冶金、稀土、機械、電子、電力、環保、紡織、釀造、釀造、食品、給水、排水等行業儲存液體使用。二、 背景技術 目前,化工液體耐腐蝕貯運設備,普遍使用傳統的玻璃鋼容

釘的製作方法

專利名稱:釘的製作方法技術領域:本實用新型涉及一種釘,尤其涉及一種可提供方便拔除的鐵(鋼)釘。背景技術:考慮到廢木材回收後再加工利用作業的方便性與安全性,根據環保規定,廢木材的回收是必須將釘於廢木材上的鐵(鋼)釘拔除。如圖1、圖2所示,目前用以釘入木材的鐵(鋼)釘10主要是在一釘體11的一端形成一尖

直流氧噴裝置的製作方法

專利名稱:直流氧噴裝置的製作方法技術領域:本實用新型涉及ー種醫療器械,具體地說是ー種直流氧噴裝置。背景技術:臨床上的放療過程極易造成患者的局部皮膚損傷和炎症,被稱為「放射性皮炎」。目前對於放射性皮炎的主要治療措施是塗抹藥膏,而放射性皮炎患者多伴有局部疼痛,對於止痛,多是通過ロ服或靜脈注射進行止痛治療

新型熱網閥門操作手輪的製作方法

專利名稱:新型熱網閥門操作手輪的製作方法技術領域:新型熱網閥門操作手輪技術領域:本實用新型涉及一種新型熱網閥門操作手輪,屬於機械領域。背景技術::閥門作為流體控制裝置應用廣泛,手輪傳動的閥門使用比例佔90%以上。國家標準中提及手輪所起作用為傳動功能,不作為閥門的運輸、起吊裝置,不承受軸向力。現有閥門

用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置的製作方法

專利名稱:用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置的製作方法背景技術:1-本發明所屬領域本發明涉及一種用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置,其中的管狀容器被放在循環於配送鏈上的文檔匣或託架裝置中。本發明特別適用於,然而並非僅僅專用於,對引入自動分析系統的血液樣本試管之類的自動識別。本發明還涉及專為實現讀