半導體裝置、其電檢查方法、以及具備它的電子設備的製作方法
2023-10-10 22:35:34 2
專利名稱：半導體裝置、其電檢查方法、以及具備它的電子設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及裝載於液晶顯示裝置等顯示裝置中的COF(Chip OnFilm將IC封裝於柔性線路板上)型半導體裝置、其電檢查方法、以及具備它的顯示裝置等電子設備。
背景技術：
一直以來，使用著下述這樣的被稱為COF(Chip On Film)型的半導體裝置在帶狀的柔性布線基板(tape carrier帶狀載體)上接合或裝載了IC(Integrated Circuit集成電路)LSI(Large ScaleIntegrated circuit大規模集成電路)等半導體晶片。例如，特開2001-176918號公報(日本平成13年6月29日公開；對應於US6518649)，作為COF型半導體裝置的一個例子公開有如圖10所示的半導體裝置。圖10是COF型半導體裝置的剖面圖。
在圖10中，參照符號101是半導體元件，參照符號126是帶狀載體126。在半導體元件101的表面上形成了金凸塊103，帶狀載體126是在聚醯亞胺等帶狀基體材料107上形成由銅製成的布線圖形104而構成的。此外，在帶狀基體材料107以及布線圖形104的一部分上形成了阻焊膜110。布線圖形104有與半導體元件101的金凸塊103接合的內部引線114和外部連接端子(外部引線)113、以及部件裝載用圖形等。對沒有被阻焊膜110覆蓋的露出部分的內部引線114實施鍍錫層108，對部件裝載圖形和外部連接端子113實施鍍金層106。
圖11是表示半導體元件101和帶狀載體126的接合部分的放大剖面圖。如圖11所示，金凸塊103形成在半導體元件101的電極102上。內部引線114的鍍錫層108和金凸塊103生成共晶合金109而接合在一起。該凸塊103和內部引線114在接合狀態下通過帶狀基體材料107全面地覆蓋半導體元件101的表面。而且，半導體元件101和帶狀載體126的接合部分由樹脂111密封。
在這樣的COF型半導體裝置125的製造中，帶狀載體126是長條狀，在該帶狀載體126上，在與帶方向同一方向上等間隔地安裝半導體元件101。這時的安裝方法如圖11所示，對帶狀基體材料107的布線圖形104上的鍍錫層108和半導體元件101的電極的金凸塊103，從半導體元件101的背面(凸塊形成面的相反面)加熱，並且從帶狀基體材料107的布線圖形104的背面加壓，如上所述，通過形成金-錫的共晶合金109而接合到一起。
對外部連接端子113的安裝主要是通過利用了ACF(AnisotoropicConductive Film各向異性導電性粘結劑)的熱壓接合或是帶焊錫接合來進行的。
此外，對於來自用戶的連接器連接的鍍金規格的要求通過只在外部連接端子113之後進行鍍金的2色電鍍來滿足。2色電鍍的帶狀載體製作方法是對帶銅箔的帶狀載體進行刻蝕加工形成布線圖形，再塗敷阻焊膜後，進行鍍錫處理。由布線圖形保護用的掩模覆蓋與半導體元件101接合的部分的布線圖形104(內部引線114)，除去露出部分的鍍錫層108。除去鍍錫層108後，對該部分進行鍍金處理。電鍍處理後，除去布線圖形保護用的掩模，檢查後即可出長。
另外，一直以來，都在半導體封裝內安裝片形電容器等元件。片形電容器是為了在對從外部供給的電源重疊有高次諧波的噪聲時除去該噪聲並防止LSI等的半導體元件的誤工作而安裝的。有這樣功能的電容器被稱為旁路電容器。
作為安裝了這樣的片形電容器的半導體裝置的一個例子，例如特開平7-161923號公報(日本平成7年6月23日公開)，公開了如圖12所示的半導體裝置。在該構成中，在半導體封裝201上，安裝了晶片202和片形電容器204。在封裝201的中央部，形成了用於安裝晶片202的凹槽208，在其周圍形成有焊接針腳207、進而在其外側還有電容器等的元件連接用的引出焊盤210。
這樣的半導體裝置中，首先，對凹槽208使用Au-Si或是銀膏裝配目標晶片202，在各端子進行A1線的焊接。其後，使用金屬帽等進行封入處理，組裝就結束了。之後，將焊錫等使用於封裝201上的引出焊盤210來粘結片形電容器204。
另外，液晶顯示裝置等薄型顯示裝置在市場擴大過程中市場要求也多元化。另外，對於日新月異地進步的薄型顯示裝置，將這種要求與產品化緊密連接的產品開發速度的提高，即產品交付期間的短縮化(短交付期化)，是對各開發廠家的要求。因此，外圍部件，特別是對於構成用於驅動顯示面板的驅動電路部分的集成電路裝置，同樣也強烈的要求短交付期化。
即使在薄型顯示裝置中液晶顯示裝置特別是液晶電視等，開始具備可以大量生產40英寸等級以上的環境，對各廠家來說突然進入了激烈競爭的時代。特別是對於大型等級的液晶面板，負載電容變大，需要使其在較高電壓且高頻下工作，同時，伴隨於此還容易受噪聲等的影響。因此，作為它們的對策之一，如上述特開平7-161923號公報所記載的那樣，在半導體裝置上裝載旁路電容器等。
圖13表示了在液晶顯示裝置(LCD)中安裝的作為液晶驅動電路的半導體裝置、即安裝了用於防止半導體元件的誤工作的上述旁路電容器的COF型半導體裝置中，現有的柵驅動器中布線的一個例子。而且，在圖13中只記載了電源相關的布線，而沒有記載信號線的布線。
對於LSI晶片301，從LSI晶片301的左右兩側供給電壓(電源電壓)VCC、電壓(接地電壓)GND、電壓(電源電壓)VGH以及電壓(電源電壓)VGL。在這裡，旁路電容器布置於電壓GND的供給線與電壓VGL、電壓VGH以及電壓VCC的各供給線間，並且還布置於電壓VGH與電壓VGL的各供給線間。
詳細地說，在供給電壓VGL的布線302和供給電壓VGH的布線303之間設置旁路電容器c1，在供給電壓VGH的布線303和供給電壓GND的布線304之間設置旁路電容器c2，在供給電壓GND的布線304和供給電壓VCC的布線305之間設置旁路電容器c3。
此外，在供給電壓VGL的另一個的布線306和供給電壓GND的另一個的布線308之間設置了旁路電容器c4、c5。在這裡，旁路電容器c5和旁路電容器c4並聯插入，用以增大電容。
然而，在現有的旁路電容器內置的半導體裝置中，存在下述課題測試工序時更詳細地說最終測試工序時的測試所需時間變長，生產率降低，招致成本升高。
也就是說，如圖13所示，旁路電容器沒有與供給電壓VCC的布線309和供給電壓VGH的布線307連接，但是旁路電容器c1～c4的某個與供給電壓VGL的布線302、306和供給電壓GND的布線304、308的連接。因此，對於電壓VGL以及電壓GND，即使為了測試向LSI晶片301進行電壓供給，由於連接到這些布線302、306、304、308上的旁路電容器c1～c4的電容等而需要花費啟動電源的時間，所以測試所需要的時間就變長了。
發明內容
本發明是鑑於上述現有課題而做成的，其目的是提供一種半導體裝置、其電檢查方法以及裝載了它的電子設備，在內置了電容器的半導體裝置中，可以縮短用於電篩選的測試(最終測試)時間，謀求降低成本。
本發明的半導體裝置為了解決上述課題，在裝載了半導體晶片的帶狀載體上，設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置了電容器，其中上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，分別對這些旁路用布線和直線布線設置了電壓輸入端子。
本發明的半導體裝置的電檢查方法為了解決上述課題，對於上述本發明的半導體裝置，在第1電源電壓用布線的旁路用布線開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線向半導體晶片供給第1電源電壓，由第2電源電壓用布線向半導體晶片供給第2電源電壓。
根據本發明，半導體裝置的第1電源電壓用布線包括連接於電容器的一側的電極上且與半導體晶片不連接的旁路用布線、以及直接相連接於半導體晶片上的直接布線。並且，由於在這些旁路用布線和直接布線分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第1電源電壓，也可以對兩者都施加第1電源電壓。
因此，對半導體晶片供給第1電源電壓和第2電源電壓進行電篩選測試時，在使第1電源電壓用布線的旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線向半導體晶片供給第1電源電壓，並且由第2電源電壓用布線向半導體晶片供給第2電源電壓，由此就不會受上述電容器的電容等的影響，可以給半導體晶片快速提供第1電源電壓和第2電源電壓(快速啟動電源)，進行測試。
其結果是，在電容器內置的半導體裝置中，可以縮短用於電篩選的測試(最終測試)時間，謀求降低成本。
本發明的電子設備為了解決上述課題，裝載了上述的本發明的半導體裝置，對上述半導體裝置中的上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓。
半導體裝置裝載在電子設備上，在通常的工作中，對第1電源電壓用布線中的旁路用布線和直接布線分別施加第1電源電壓，由此與旁路用布線相連接的電容器，就可以作為在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間配置的旁路電容器而沒有問題地發揮功能，可以防止半導體晶片的誤工作。
此外，本發明的另一半導體裝置為了解決上述課題，在裝載了半導體晶片的帶狀載體上，設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器，其中上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，在這些旁路用布線和直線布線上分別設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的直接布線，分別對這些旁路用布線和直線布線設置了電壓輸入端子。
本發明的另一半導體裝置的電檢查方法為了解決上述課題，對於上述本發明的另一半導體裝置，在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第1電源電壓，由第2電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第2電源電壓，由第3電源電壓用布線給半導體晶片供給第3電源電壓。
根據本發明，半導體裝置的第1電源電壓用布線包括連接於在與第2電源電壓用布線之間布置的電容器的一個電極上且與半導體晶片不連接的旁路用布線、以及直接連接於半導體晶片上的直接布線。並且，由於在這些旁路用布線和直接布線上分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第1電源電壓，也可以對兩者都施加第1電源電壓。
此外，第2電源電壓用布線包括連接於在與第3電源電壓用布線之間布置的電容器的一個電極上且與半導體晶片不連接的旁路用布線、以及直接連接於半導體晶片上並且還連接於布置在與第1電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的直接布線。並且，由於在這些旁路用布線和直接布線上也分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第2電源電壓，也可以對兩者都施加第2電源電壓。
因此，對半導體晶片供給第1～第3電源電壓進行電篩選測試時，在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第1電源電壓，並且由第2電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第2電源電壓，此外，由第3電源電壓用布線給半導體晶片供給第3電源電壓，由此就不會受到布置在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間的各電容器的電容的影響，可以給半導體晶片快速提供第1～第3的電源電壓(快速啟動電源)，進行測試。
其結果是，在電容器內置的半導體裝置中，可以縮短用於電篩選的測試時間，謀求降低成本。
本發明的另外的電子設備為了解決上述課題，裝載了上述本發明的另一半導體裝置，對上述半導體裝置中的上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓，給上述第2源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第2電源電壓。
半導體裝置裝載在電子設備上，在通常的工作中，對上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線分別施加第1電源電壓，對上述第2電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線分別施加第2電源電壓，由此與第1電源電壓用布線的旁路用布線相連接的電容器，就可以作為在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置的旁路電容器而沒有問題地發揮功能，此外，與第2電源電壓用布線的旁路用布線相連接的電容器，就可以作為在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間設置的旁路電容器而沒有問題地發揮功能，可以防止半導體晶片的誤工作。
本發明進一步的其他目的、特徵、以及出色之處，通過如下所示的記載就可以充分明白了。此外，利用參照了附圖的下面的說明就可以清楚本發明的優點了。
圖1表示本發明的一個實施方式，是表示在液晶面板中裝載的柵驅動器中的電源電壓用布線的一個例子的布線圖。
圖2(a)是由COF型半導體裝置構成的上述柵驅動器的平面圖，圖2(b)是其剖面圖。
圖3是表示在上述液晶面板中裝載的源驅動器中的電源電壓用布線的一個例子的布線圖。
圖4是與圖3比較表示現有的源驅動器中的電源電壓用布線的一個例子的布線圖。
圖5是表示具備上述液晶面板、柵驅動器、以及源驅動器的有源矩陣方式的液晶顯示裝置的構成的方框圖。
圖6是表示上述液晶面板的電構成的等價電路圖。
圖7是表示上述源驅動器構成的方框圖。
圖8是表示上述柵驅動器構成的方框圖。
圖9是說明從柵驅動器輸出的輸出信號的波形的圖。
圖10表示現有技術，是表示COF型半導體裝置構成的剖面圖。
圖11是表示上述圖10的半導體裝置中的半導體元件和帶狀載體的接合部分的剖面圖。
圖12表示現有技術，是將片形電容器安裝到帶狀載體上的半導體裝置的平面圖。
圖13表示現有技術，是表示在液晶面板中裝載的柵驅動器中的電源電壓用布線的一個例子的布線圖。
具體實施例方式
下面，基於圖1至圖9說明本發明的一個實施方式。
首先，對裝載了作為本發明的一個實施方式的半導體裝置來作為顯示用驅動器的顯示裝置進行說明。
圖5是顯示裝置的一個例子，是表示作為有源矩陣型顯示裝置的代表例的TFT(薄膜電晶體)方式的液晶顯示裝置的構成的方框圖。液晶顯示裝置(電子設備)30由液晶顯示部和驅動其的液晶驅動裝置構成。而且，液晶顯示部具備TFT方式的液晶面板31。
液晶面板31如圖6所示設置有像素電極51、像素電容52、作為使向像素的電壓施加開/關的元件的TFT53、源信號線54、柵信號線55、以及對置電極(共同電極)36。圖中用A表示的領域是1個像素部分的液晶顯示元件。
從後面講述的源驅動部32(參照圖5)向源信號線54提供與顯示對象的像素的亮度相應的灰度顯示電壓。從後面講述的柵驅動部33(參照圖5)向柵信號線55提供掃描信號以使縱向排列的TFT53依次導通。當通過導通狀態的TFT53向連接於該TFT53的漏極上的像素電極51施加源信號線54的電壓時，就在像素電極51和對置電極36之間的像素電容52中蓄積電荷，使液晶的光透射率變化，進行顯示。
另外，如圖5所示，上述液晶驅動裝置具備源驅動部32、柵驅動部33、控制器34、以及液晶驅動電源35。控制器34將被數位化的顯示數據(例如與紅、綠、藍對應的RGB的各信號)以及各種控制信號輸出到源驅動部32，並且將各種控制信號輸出到柵驅動部33。
作為輸出到源驅動部32的主要的控制信號，有水平同步信號、開始脈衝信號以及源驅動器用時鐘信號等，在圖中用S1表示。另外，作為輸出到柵驅動部33的主要的控制信號，有垂直同步信號或柵驅動器用時鐘信號等，在圖中用S2表示。
液晶驅動電源35向源驅動部32以及柵驅動部33供給液晶面板顯示用電壓，例如，向源驅動部32供給用於產生灰度顯示用電壓的參照電壓VR。從外部輸入的顯示數據，通過控制器34以數位訊號的方式作為上述顯示數據D向源驅動部32輸入。
源驅動部32具備源驅動器(半導體裝置)SD，這裡具備多個源驅動器SD...。此外，柵驅動部33具備柵驅動器(半導體裝置)GD，這裡具備多個柵驅動器GD...。
源驅動器SD以及柵驅動器GD如圖2(a)(b)所示具有在帶狀載體上裝載了LSI晶片(半導體晶片)3的結構，詳細地將在後面描述。源驅動器SD以及柵驅動器GD中，在帶狀載體2上形成的端子經由ACF(未圖示)與上述液晶面板31上的電極連接，從而使裝載在帶狀載體2上的LSI晶片3和液晶面板31電連接。另外，在圖5中省略了用於驅動源驅動器SD以及柵驅動器GD的LSI晶片3的電源。
源驅動器SD通過分時方式在內部鎖存了輸入的數字顯示數據D，其後，將其與從控制器34輸入的水平同步信號(也可以說鎖存信號LS(參照圖7))同步地進行DA(數字-模擬)轉換。並且，源驅動器SD將通過DA轉換得到的灰度顯示用的模擬電壓(灰度顯示電壓)從液晶驅動電壓輸出端子經由源信號線54(參照圖6)，分別向與該液晶驅動電壓輸出端子對應的液晶面板31內的液晶顯示元件(未圖示)輸出。
源驅動器SD如圖7所示具備移位寄存器電路21、輸入鎖存電路22、取樣存儲電路23、保持存儲電路24、電平移位電路25、DA轉換電路26、基準電壓發生電路27、以及輸出電路28。此外，源驅動器SD具備用於取入時鐘信號SCK、開始脈衝信號SSP、電壓(電源電壓)VCC、電壓(接地電壓)GND、鎖存信號VLS、顯示數據DR、DG、DB、電壓(參考電壓)VR以及電壓(電源電壓)VLS的端子和多個輸出端子X1～X128、Y1～Y128、Z1～Z128。
移位寄存器電路21將輸入的開始脈衝SSP與輸入的時鐘信號SCK取得同步地來進行移位。從移位寄存器電路21的各段向取樣存儲電路23輸出控制信號。而且，開始脈衝SSP是與數據信號D的水平同步信號LS取得同步的信號。此外，在移位寄存器電路21中被移位的開始脈衝SSP，在相鄰的源驅動器SD的移位寄存器電路21作為開始脈衝SSP被輸入，同樣進行了移位。並且，被傳送到距離控制器34最遠的源驅動器SD中的移位寄存器電路21。
輸入鎖存電路22將分別串行輸入到對應於各顏色的輸入端子的各6位的顯示數據DR、DG、DB暫時鎖存，傳送到取樣存儲電路23。
取樣存儲電路23使用來自移位寄存器電路21的各段的輸出信號(控制信號)，對從輸入鎖存電路22分時傳送來的顯示數據DR、DG、DB(R、G、B各6位，合計18位)進行取樣，存儲各顯示數據DR、DG、DB，直到1水平同步期間部分的顯示數據DR、DG、DB湊齊為止。
保持存儲電路24基於水平同步信號(保持信號)LS，鎖存輸入的顯示數據DR、DG、DB。並且，在下一個水平同步信號LS輸入之前保持顯示數據DR、DG、DB，輸出到電平移位電路25。
電平移位電路25是為了適合於處理向液晶面板31的施加電壓電平的下一級DA轉換電路26而利用升壓等方式對顯示數據DR、DG、DB的信號電平進行轉換的電路。顯示數據D』R、D』G、D』B從電平移位電路25被輸出。
基準電壓發生電路27基於從液晶驅動電源35發生的參考電壓VR，產生用於灰度顯示的64級的模擬電壓，輸出到DA轉換電路26。
DA轉換電路26根據從電平移位電路25輸入的RGB各6位的顯示數據D』R、D』G、D』B(數字)來選擇64級電壓中的一個，從而轉換成模擬電壓並輸出到輸出電路28。詳細地說，DA轉換電路26具有分別對應於6位的開關，通過分別選擇相應於6位的顯示數據D』R、D』G、D』B的開關，從而可以選擇從基準電壓發生電路27輸入的64級電壓中的一個。
輸出電路28將通過DA轉換電路26選擇的模擬信號變成低阻抗信號，經由輸出端子X1～X128、Y1～Y128、Z1～Z128輸出到液晶面板31。
輸出端子X1～X128、Y1～Y128、Z1～Z128分別與顯示數據DR、DG、DB對應，X、Y、Z分別都由128個端子構成。這樣，64灰度表示的各源驅動器基於顯示數據DR、DG、DB，將與灰度等級相對應的模擬信號輸出到液晶面板31，進行64灰度的顯示。
另外，柵驅動器GD基於從控制器34供給的垂直同步信號(開始脈衝信號GSP等)或柵驅動器用時鐘信號(GCK)等各種信號，控制其工作。柵驅動器GD被從液晶驅動電源35施加了多種的電壓(在後面描述)。柵驅動器GD向多個柵信號線55...供給信號。
柵驅動器GD如圖8所示由控制邏輯電路41、雙向移位寄存器電路42、電平移位電路43以及輸出電路44等構成。柵驅動器GD具有用於取入時鐘信號GCK或開始脈衝信號GSP、電壓(電源電壓)VCC、電壓(接地電壓)GND、電壓(電源電壓)VGH、電壓(電源電壓)VGL的端子和多個輸出端子OS1～OSn。
控制邏輯電路41作成雙向移位寄存器電路42工作所需的信號，將其提供給該雙向移位寄存器電路42。當雙向移位寄存器電路42被供給了時鐘信號GCK和開始脈衝信號GSP時，就進行使該開始脈衝信號GSP依次與時鐘信號GCK同步的移位工作。雙向移位寄存器電路42作成用於選擇應該由從源驅動器SD施加到源信號線54...的電壓驅動的液晶面板31的像素電極的選擇脈衝，輸出到電平移位電路43。電平移位電路43以使選擇脈衝的電平成為液晶面板31所具備的TFT元件的ON/OFF(選擇/非選擇)所需的電平的方式，對其電壓進行轉換並輸出到輸出電路44。
輸出電路44基於從電平移位電路43輸入的信號，將上述TFT元件的ON/OFF(選擇/非選擇)所需的電平的電壓經由對應的輸出端子OS1～OSn施加給柵信號線55...。
輸出電路44如圖9所示，在被供給了電壓VCC的輸入信號時，將電壓VGH的輸出信號依次提供給輸出端子OS1～OSn，另外，在沒有被供給輸入信號時(即在電壓GND的情況下)，將電壓VGL的輸出信號提供給輸出端子OS1～OSn。
接下來，簡單的說明上述柵驅動器GD的製造工序。首先，作成用於作成柵驅動器GD中的LSI晶片的晶片(液晶驅動晶片用晶片)。這時，在構成柵驅動器GD的各LSI晶片上的電極焊盤部分，通過電鍍形成金凸塊。該凸決的高度和大小利用凸決間距來改變，但可以形成例如高度為10～20um、大小為40～100um的凸塊。
晶片作成結束後，進行晶片測試，檢查在晶片階段的良品/不良品。並且，只有晶片測試中的良品，才可以粘貼到劃片(dicing)板上，用劃片裝置劃片為成為柵驅動器GD的晶片單位。
劃片工序後，如圖2(a)(b)所示，將各個切割開的LSI晶片3安裝於在絕緣性膜6上形成了布線圖形5的COF型帶狀載體2上。
對於帶狀載體2，選擇有與裝載的LSI晶片3的大小和輸出數相符合的寬度以及布線圖形5的帶狀載體。此外，在帶狀載體2中的布線圖形5也形成了作為旁路電容器發揮功能的圖形(未圖示)。而且，在圖2(a)中，表示了柵驅動器GD的一個帶狀載體2，但是該帶狀載體2實際上是多個帶狀載體2...連接成長條狀，並在長條狀的狀態下，在各帶狀載體2上安裝LSI晶片3。
LSI晶片3和帶狀載體2的連接詳細地說，是通過使用內部引線焊接裝置等將LSI晶片3的金凸塊4和帶狀載體2的內部引線5a接合來進行的。內部引線焊接結束後，進行用樹脂7覆蓋LSI晶片3的周圍的樹脂封裝工序。另外，圖中，參照符號9表示的是阻焊膜。
其後，在電篩選工序進行最終測試，判斷作為柵驅動器GD(半導體裝置)的良品/不良品。最終測試結束後，各柵驅動器GD以被多個帶狀載體2...連接成的長條狀帶狀載體2卷取的捲筒狀打包、出廠。另外，源驅動器SD的製造工序跟柵驅動器GD是同樣的。
接下來，利用圖1，表示了在帶狀載體上裝載了作為旁路電容器發揮功能的圖形的、上述柵驅動器GD的布線圖形的一個例子。另外，在圖1中只記載了電源相關的布線，沒有記載信號線的布線。
如圖1所示，LSI晶片3也與裝載了旁路電容器的現有柵驅動器中的LSI晶片301(參照圖13)同樣，從其左右兩側供給作為電源電壓的4種電壓，即電壓VCC、作為接地電壓的電壓GND、電壓VGH以及電壓VGL。並且，在電壓GND的供給線和電壓VGL的供給線之間、電壓GND的供給線和電壓VGH的供給線之間、電壓GND的供給線和電壓VCC的供給線之間以及電壓VGH的供給線和電壓VGL的供給線之間，布置著作為旁路電容器發揮功能的電容器C1～C5。這些電容器C1～C5是旁路電容器的圖形，被安裝在帶狀載體2上。
與上述的現有柵驅動器的不同在於供給電源電壓的電壓供給線的布線圖形。跟圖13比較可知，在圖1所示的本柵驅動器GD的情況中，在LSI晶片3的左側(單側)，具有作為施加電壓VGL的布線(第1電源電壓用布線)的、直接連接於LSI晶片3上的布線(直接布線)L1、以及不與LSI晶片3直接連接的、連接於布置在與施加電壓VGH的布線(第2電源電壓用布線)之間的電容器C2的一個電極上的布線(旁路用布線)LB1。此外，具有作為施加電壓VGH的布線(第2電源電壓用布線)的、直接連接於LSI晶片3上的布線(直接布線)L2、以及不與LSI晶片3直接連接的、連接於布置在與施加電壓GND的布線(第2電源電壓用布線)之間的電容器C3的一個電極上的布線(旁路用布線)LB2。另外，具有作為施加電壓GND的布線(第2電源電壓用布線)的、直接連接於LSI晶片3上的布線(直接布線)L3、以及不與LSI晶片3直接連接的、連接於布置在與施加電壓VCC的布線(第3電源電壓用布線)L4之間的電容器C3的一個電極上的布線(旁路用布線)LB3。
在LSI晶片3的右側(另一側)，除了與LSI晶片3直接連接的、施加電壓VCC的布線L8以及施加電壓VGH的布線L6之外，還具有作為施加電壓VGL的布線(第1電源電壓用布線)的、直接連接於LSI晶片3上的布線(直接布線)L5、以及不與LSI晶片3直接連接的、連接於布置在與施加電壓GND的布線(第2電源電壓用布線)之間的電容器C4、C5的一個電極上的布線(旁路用布線)LB4。
並且，在施加電壓VGL的布線L1和布線LB1，分別設置了電壓輸入端子，可以分別控制電壓VGL的施加。對於施加電壓VGH的布線L2和布線LB2、施加電壓GND的布線L3和布線LB3、施加電壓VGL的布線L5和布線LB4，同樣通過分別設置的電壓輸入端子，可以分別控制電壓施加。
不與LSI晶片3直接連接的、施加電壓VGL的布線LB1、施加電壓VGH的布線LB2、施加電壓GND的布線LB3以及施加電壓VGL的布線LB4，是為了謀求縮短最終測試時間而設置的旁路用布線。
另外，如在LSI晶片3左右的、共同施加電壓VGL的布線L1和布線L5那樣，施加同種電壓的布線彼此在LSI晶片3內部用鋁布線等連接。
在這樣構成的柵驅動器GD中，當最終測試時，使這些旁路電容器用布線LB1～LB4成為開路，對上述布線L1～L8施加分別對應的規定電壓，判別良品/不良品。並且，將在最終測試被判定為良品的柵驅動器GD裝載在液晶面板31上。裝載於液晶面板31上的柵驅動器GD在實際工作中，不論對旁路用布線，還是對本來的電壓供給用布線，都施加對應的規定電壓。
詳細地說，安裝後被施加電壓VGL的布線LB1在最終測試時成為開路狀態。因此，在布線LB1和供給電壓VGH的布線L2之間連接有電容器C1，但是布線L2被施加了規定的電壓，從而可以不受電容器C1的電容影響地啟動電源進行測試。安裝到液晶面板之後，因為對布線LB1施加電壓VGL，所以電容器C1作為布置在電壓VGL和電壓VGH的各供給線之間的旁路電容器進行工作。
同樣地，安裝後被施加了電壓VGH的布線LB2在最終測試時成為開路狀態。因此，在布線LB2和供給電壓GND的布線L3之間連接有電容器C2，但是布線L3被施加了規定的電壓，從而可以不會受到電容器C2的電容影響地啟動電源進行測試。在安裝到液晶面板後，因為對布線LB2施加了電壓VGH，所以電容器C2作為布置在電壓VGH和電壓GND的各供給線之間的旁路電容器進行工作。
同樣地，在安裝後被施加了電壓GND的布線LB3在最終測試時成為開路狀態。因此在布線LB3和供給電壓VCC的布線L4之間連接有電容器C3，但是布線L4被施加了規定的電壓，從而可以不會受到電容器C3的電容影響地啟動電源進行測試。在安裝到液晶面板後，因為對布線LB3施加了電壓GND，所以電容器C3作為布置在電壓GND和電壓VCC的各供給線之間的旁路電容器進行工作。
同樣地，在安裝後被施加了電壓VGL的布線LB4在最終測試時成為開路狀態。因此在布線LB4和供給電壓GND的布線L7之間連接有電容器C4、C5，但是布線L7被施加了所定的電壓，從而可以不會受到電容器C4的電容影響地啟動電源進行測試。在安裝到液晶面板後，因為對布線LB4施加了電壓VGL，所以電容器C4、C5作為布置在電壓VGL和電壓GND的各供給線之間的旁路電容器進行工作。
這樣，在柵驅動器GD中，在最終測試時，使作為旁路用布線的LB1～LB4成為開路，通過對與LSI晶片3直接連接的布線L1～L5分別施加對應的規定電壓，就不會受電容器C1～C5的電容等的影響而可以快速啟動電壓VGL、電壓VGH、電壓GND、電壓VCC，使最終測試所需要時間的縮短化成為可能。
另外，與柵驅動器GD同樣，在源驅動器SD中，對於施加電壓VCC的布線、施加電壓GND的布線以及用於施加液晶驅動電壓用基準電壓VR的布線使用跟上述相同的手法，從而可以極力減少在源驅動器SD的最終測試時的電容器引起的電壓上升的影響。
雖然省略了詳細的說明，但是，現有技術如圖4所示，在電壓GND用的布線和電壓VLS用的布線、電壓VCC用的布線、電壓VR1用的布線、電壓VR2用的布線以及電壓VR3用的布線之間，布置了電容器c11～c15。
在這種情況下，如圖3所示，只要成為下述結構就可以具有作為電壓GND用的布線的直接連接於LSI晶片3上的布線(直接布線)L9、以及不與LSI晶片3直接連接的、布置在與電壓VLS用的布線、電壓VCC用的布線、電壓VR1用的布線、電壓VR2用的布線以及電壓VR3用的布線之間的電容器C11～C15的各一個電極上的布線(旁路用布線)LB5。
此外，在圖1的布線例中，因為分配向LSI晶片3的左右供給電源電壓的布線分散設置了電容器C1～C5，所以比起在LSI晶片3的左右的一側加固配置的設計，就能更加緊湊安裝。
另外，在柵驅動器中，雖然現有技術中將片形電容器作為旁路電容器外加在帶狀載體上，但是像本實施方式的柵驅動器GD的旁路電容器C1～C5那樣，通過採用在帶狀載體2上直接形成的結構，從而能夠在LSI晶片3附近設置電容器。其結果是，可以成為更強的抗電源噪聲的結構。
此外，在本實施方式中，例示了在帶狀載體2上裝載了一個LSI晶片3作為半導體晶片的結構，但是對於在帶狀載體上裝載了多個半導體晶片的半導體裝置來說，本發明不用說也是適用的。
如上所述，本發明的半導體裝置為了解決上述課題，在裝載了半導體晶片的帶狀載體上設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間安裝了電容器，其中，上述第1電源電壓用布線具備沒有與上述半導體晶片直接相連接而連接於上述電容器的一個電極上的旁路用布線和直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，分別在這些旁路用布線和直接布線上設置了電壓輸入端子。
本發明的半導體裝置在上述結構的基礎上，進而，變成可以在電篩選測試時，上述第1電源電壓用布線的旁路用布線成為開路，對上述第1電源電壓用布線的直接布線施加第1電源電壓，對第2電源電壓用布線施加第2電源電壓。
本發明的半導體裝置的電檢查方法為了解決上述課題，對於上述本發明的半導體裝置，在使第1電源電壓用布線的旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線向半導體晶片供給第1電源電壓，由第2電源電壓用布線向半導體晶片供給第2電源電壓。
根據本發明，半導體裝置中的第1電源電壓用布線包括連接於電容器的一個電極上的、不與半導體晶片連接的旁路用布線和直接連接於半導體晶片上的直接布線。並且，由於這些旁路用布線和直接布線分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第1電源電壓，也可以對兩者都施加第1電源電壓。
因此，對半導體晶片供給第1電源電壓和第2電源電壓進行電篩選測試時，在使第1電源電壓用布線的旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線向半導體晶片供給第1電源電壓，並且由第2電源電壓用布線向半導體晶片供給第2電源電壓，從而就不會受上述電容器的電容等的影響，可以給半導體晶片快速提供第1電源電壓和第2電源電壓(快速啟動電源)，進行測試。
其結果是，在電容器內置的半導體裝置中，就使縮短用於電篩選的測試(最終測試)時間降低成本成為可能。
本發明的半導體裝置在上述結構的基礎上，進而，在通常工作時，變成可以在上述第1電源電壓用布線中的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓。
本發明的電子設備為了解決上述課題，裝載了上述的本發明的半導體裝置，其中對於上述半導體裝置中的上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓。
半導體裝置裝載在電子設備上，在通常的工作中，由於對第1電源電壓用布線中的旁路用布線和直接布線分別施加第1電源電壓，所以與旁路用布線連接的電容器作為在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置的旁路電容器而沒有問題發揮功能，可以防止半導體晶片的誤工作。
此外，本發明的另一半導體裝置為了解決上述課題，在裝載了半導體晶片的帶狀載體上設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器，其中，上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，對這些旁路用布線和直線布線分別設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的直接布線，對這些旁路用布線和直線布線分別設置了電壓輸入端子。
本發明的另一半導體裝置在上述結構的基礎上，進而，變成可以在電篩選測試時，使上述第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路電容器用布線成為開路，向上述第1電源電壓用布線的直接布線施加第1電源電壓，向上述第2電源電壓用布線的直接布線施加第2電源電壓，向上述第3電源電壓用布線施加第3電源電壓。
本發明的另一半導體裝置的電檢查方法為了解決上述課題，對於上述本發明的另一半導體裝置，在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線供給第1電源電壓給半導體晶片，由第2電源電壓用布線的直接布線供給第2電源電壓給半導體晶片，由第3電源電壓用布線供給第3電源電壓給半導體晶片。
根據本發明，第1電源電壓用布線包括連接於布置在與第2電源電壓用布線之間的電容器的一個電極上而不與半導體晶片連接的旁路用布線和直接連接於半導體晶片上的直接布線。並且，由於在這些旁路用布線和直接布線分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第1電源電壓，也可以對兩者都施加第1電源電壓。
此外，第2電源電壓用布線包括連接於布置在與第3電源電壓用布線之間的電容器的一個電極上而與半導體晶片不連接的旁路用布線和直接連接於半導體晶片上並且還連接於布置在與第1電源電壓用布線之間的電容器的一個電極上的直接布線。並且，由於對這些旁路用布線和直接布線還分別設置了電壓輸入端子，所以可以只是對兩者之一施加第2電源電壓，也可以對兩者都施加第2電源電壓。
因此，對半導體晶片供給第1～第3電源電壓進行電篩選測試時，在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第1電源電壓，並且由第2電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第2電源電壓，此外，由第3電源電壓用布線給半導體晶片供給第3電源電壓，由此就不會受到布置在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間的各電容器的電容等的影響，可以給半導體晶片快速提供第1～第3電源電壓(快速啟動電源)，進行測試。
其結果是，在電容器內置的半導體裝置中，使縮短用於電篩選的測試時間降低成本成為可能。
本發明的另一半導體裝置在上述結構的基礎上，進而，變成在通常工作時，對於上述第1電源電壓用布線中的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓，向上述第2源電壓用布線中的旁路用布線和直接布線施加第2電源電壓。
本發明的另一電子設備為了解決上述課題，裝載了上述本發明的另一半導體裝置，其中對於上述半導體裝置中的上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓，對上述第2源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第2電源電壓。
半導體裝置裝載在電子設備上，在通常的工作中，分別對上述第1電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第1電源電壓，分別對上述第2電源電壓用布線的旁路用布線和直接布線施加第2電源電壓，由此與第1電源電壓用布線的旁路用布線連接的電容器，作為在第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置的旁路電容器而沒有問題發揮功能，此外，與第2電源電壓用布線的旁路用布線連接的電容器作為在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間設置的旁路電容器而沒有問題發揮功能，可以防止半導體晶片的誤工作。
本發明的半導體裝置如上所述是下述這樣的結構在裝載了半導體晶片的帶狀載體上設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置了電容器，其中上述第1電源電壓用布線具備不與上述半導體晶片直接相連接而連接於上述電容器的一個電極上的旁路用布線和直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，對這些旁路用布線和直接布線分別設置了電壓輸入端子。
本發明的半導體裝置的電檢查方法如上所述，對於上述本發明的半導體裝置，在使第1電源電壓用布線的旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片提供第1電源電壓，由第2電源電壓用布線給半導體晶片提供第2電源電壓。
此外，本發明的另一半導體裝置如上所述是下述這樣的結構在裝載了半導體晶片的帶狀載體上設置了用於向上述半導體晶片供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器，其中，上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及與直接連接於上述半導體晶片上的直接布線，對這些旁路用布線和直線布線分別設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的旁路用布線、以及直接連接於上述半導體晶片上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器的一個電極上的直接布線，對這些旁路用布線和直線布線分別設置了電壓輸入端子。
本發明的另一半導體裝置的電檢查方法如上所述，對於上述本發明的另一半導體裝置，在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第1電源電壓，由第2電源電壓用布線的直接布線給半導體晶片供給第2電源電壓，由第3電源電壓用布線給半導體晶片供給第3電源電壓。
由此，半導體裝置的電篩選測試時，不會受設置在布線間的電容器的電容等的影響，可以向半導體晶片快速供給電源電壓，快速啟動電源進行測試。
因此，在電容器內置的半導體裝置中，具有使用於電篩選的測試時間縮短並降低成本成為可能的效果。
在發明的詳細說明一項中提及的具體實施方式
或實施例，最終是為了使本發明的技術內容變得清楚，不應該只是限定於這樣的具體例子來進行狹隘解釋，在本發明的精神和一同附上的權利要求的範圍內，可以進行各種各樣的變更來實施。
權利要求
1.一種半導體裝置(GD、SD)，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，其特徵在於上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子。
2.權利要求1記載的半導體裝置(GD、SD)，其特徵在於電篩選測試時，上述第1電源電壓用布線的旁路用布線(LB1～LB5)成為開路，給上述第1電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓，給第2電源電壓用布線施加第2電源電壓。
3.權利要求1記載的半導體裝置(GD、SD)，其特徵在於通常工作時，對於上述第1電源電壓用布線中的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓。
4.一種半導體裝置(GD、SD)的電檢查方法，在該半導體裝置(GD、SD)中，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，所述方法其特徵在於具有下述步驟在使第1電源電壓用布線的旁路用布線(LB1～LB5)成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)供給第1電源電壓給半導體晶片(3)，由第2電源電壓用布線供給第2電源電壓給半導體晶片(3)。
5.一種電子設備(30)，裝載有半導體裝置(GD、SD)，在該半導體裝置(GD、SD)中，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線和用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，其特徵在於上述第1電源電壓用布線具備與與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，對上述第1電源電壓用布線的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓。
6.一種半導體裝置(GD、SD)，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，其特徵在於上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子。
7.權利要求6記載的半導體裝置(GD、SD)，其特徵在於電篩選測試時，上述第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線(LB1～LB5)成為開路，給上述第1電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓，給上述第2電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)施加第2電源電壓，給第3電源電壓用布線施加第3電源電壓。
8.權利要求6記載的半導體裝置(GD、SD)，其特徵在於通常工作時，對於上述第1電源電壓用布線中的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓，對於上述第2電源電壓用布線中的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第2電源電壓。
9.一種半導體裝置(GD、SD)的電檢查方法，在該半導體裝置(GD、SD)中，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，所述方法其特徵在於具有下述步驟在使第1電源電壓用布線以及第2電源電壓用布線的各旁路用布線(LB1～LB5)成為開路的狀態下，由第1電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)給半導體晶片(3)供給第1電源電壓，由第2電源電壓用布線的直接布線(L1～L5、L9)給半導體晶片(3)供給第2電源電壓，由第3電源電壓用布線給半導體晶片(3)供給第3電源電壓。
10.一種電子設備(30)，裝載有半導體裝置(GD、SD)，在該半導體裝置(GD、SD)中，在裝載了半導體晶片(3)的帶狀載體(2)上，設置了用於向上述半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、用於向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和用於供給第3電源電壓的第3電源電壓用布線，在這些第1電源電壓用布線和第2電源電壓用布線之間、以及在第2電源電壓用布線和第3電源電壓用布線之間分別設置了電容器(C1～C5、C11～C15)，其特徵在於上述第1電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第2電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，另一方面，上述第2電源電壓用布線具備與上述半導體晶片(3)不直接連接而連接於布置在與上述第3電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的旁路用布線(LB1～LB5)、以及直接連接於上述半導體晶片(3)上並且還連接於布置在與上述第1電源電壓用布線之間的上述電容器(C1～C5、C11～C15)的一個電極上的直接布線(L1～L5、L9)，分別對這些旁路用布線(LB1～LB5)和直線布線設置了電壓輸入端子，給上述第1電源電壓用布線的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第1電源電壓，給上述第2電源電壓用布線的旁路用布線(LB1～LB5)和直接布線(L1～L5、L9)施加第2電源電壓。
11.一種半導體裝置(GD、SD)，其特徵在於具備向半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線以及經由電容器(C1～C5、C11～C15)連接於上述第2電源電壓用布線上的第3電源電壓用布線，上述第3電源電壓用布線在半導體晶片(3)的測試時成為電開路狀態並且在通常工作時被施加上述第1電源電壓。
12.一種半導體裝置(GD、SD)的電檢查方法，其特徵在於具有下述步驟在向半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線和經由電容器(C1～C5、C11～C15)連接於上述第2電源電壓用布線上的第3電源電壓用布線當中，在使第3電源電壓用布線成為電開路的狀態下，經由上述第1電源電壓用布線向半導體晶片(3)供給第1電源電壓，經由上述第2電源電壓用布線向半導體晶片(3)供給第2電源電壓。
13.一種電子設備，其特徵在於具備半導體裝置(GD、SD)，在該半導體裝置(GD、SD)中，具備向半導體晶片(3)供給第1電源電壓的第1電源電壓用布線、向上述半導體晶片(3)供給第2電源電壓的第2電源電壓用布線以及經由電容器(C1～C5、C11～C15)連接於上述第2電源電壓用布線上的第3電源電壓用布線，上述第3電源電壓用布線在上述半導體晶片(3)的測試時成為電開路狀態並且在通常工作時被施加上述第1電源電壓。
全文摘要
作為用於向LSI晶片供給電壓VGL的VGL用布線，設置了直接連接於LSI晶片上的布線L1、以及不直接連接於LSI晶片上而連接於設在與電壓VGH用的布線之間的電容器的一個電極上的布線LB1，分別對布線L1和布線LB1設置了電壓輸入端子。由此，就提供一種半導體裝置和其電檢查方法，在內置了電容器的半導體裝置中，可以縮短用於電篩選的測試(最終測試)時間謀求降低成本。
文檔編號H01L21/822GK1677614SQ20051006297
公開日2005年10月5日 申請日期2005年3月31日 優先權日2004年3月31日
發明者江川一郎, 折坂幸久 申請人:夏普株式會社