非晶態合金薄膜的製作方法
2023-10-05 10:13:29
專利名稱：非晶態合金薄膜的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種具有良好耐氧化性的非晶態合金薄膜，較具體地說，它涉及具有垂直於薄膜表面的易磁化軸和具有良好耐氧化性的一種非晶態合金薄膜。
我們知道，包含至少一種過渡金屬諸如鐵和鈷和至少一種稀土元素諸如鋱(Tb)和釓(Gb)的非晶態合金薄膜具有一個垂直於薄膜表面的易磁化軸，並能由反平行於薄膜磁化的磁化形成一種小的反磁疇。通過相應於該反磁疇的存在或不存在來表示「1」或「0」，將數位訊號記錄在上述非晶態合金薄膜上便成為可能。
作為能被用作磁光記錄介質的包含至少一種過渡金屬和至少一種稀土元素的非晶態合金薄膜，例如在日本專利公告57-20691中揭示了包含15至30原子%Tb的Tb-Fe系列非晶態合金薄膜。也有已知的包含加有第三種金屬的Tb-Fe系列非晶態合金薄膜的磁光記錄介質，已知的還有Tb-Co系列和Tb-Fe-Co系列磁光記錄介質。
儘管上面舉例的包括非晶態合金薄膜的磁光記錄介質具有良好的記錄和複製特性，從實際觀點看，它們仍包含一個嚴重的問題，即非晶態合金薄膜在一般使用過程中易氧化，其性能隨時間而變化。
例如在JournaloftheSocietyofAppliedMagnetismofJapan，Vol.9，No.2，pp93-96中，討論了上述包含過渡金屬和稀土元素的非晶態合金薄膜的氧化變質機理，該文章報導說，氧化變質的機理可分成下述三種類型。
a)點蝕點蝕是指在非晶態合金薄膜中出現針孔，該腐蝕主要在高溼度環境下進行，它在例如Tb-Fe和Tb-Co系列薄膜中顯著地進行。
b)表面氧化在非晶態合金薄膜的表面上形成表面氧化層，由此薄膜的克耳旋轉角θk(Kerr-rotationangle)隨時間變化，並最後減小。
c)稀土元素的選擇氧化存在於磁光記錄薄膜中的稀土元素被選擇性地氧化，由此使薄膜的矯頑磁力Hc變得隨時間作很大變化。
迄今為止，已作了各種嘗試來抑制上述這種非晶態合金薄膜的氧化變質。例如，提出了一種過程，其中非晶態合金薄膜具有三層結構，其中薄膜被夾在諸如Si3N4、SiO、SiO2和AlN的抗氧化保護層之間。然而，上面提出的抗氧化保護層包含著這樣的問題，即它們比較貴，同時，它們在非晶態合金薄膜上的形成需要許多時間和勞力，並且，即使在薄膜上形成這種抗氧化保護層時，也不總能達到對薄膜氧化變質的足夠抑制。
進而，現正在進行各種嘗試，通過將第三金屬組元摻入薄膜諸如Tb-Fe和Tb-Co系列中來改善非晶態合金薄膜的抗氧化性。
例如，上述JournaloftheSocietyofAppliedMagnetismofJapan揭示了通過在薄膜中摻合入含量為直至3.5原子%的諸如Co、Ni、Pt、Al、Cr和Ti的第三金屬組元來改善Tb-Fe或Tb-Co系列非晶態合金薄膜抗氧化性的一個嘗試，結合這個嘗試，所述期刊報導，在Tb-Fe或Tb-Co中結合少量Co、Ni和Pt能有效抑制所得薄膜的表面氧化和點蝕，但不能抑制作為稀土元素包含在薄膜中的Tb的選擇性氧化。該揭示意味著，當將少量Co、Ni和Pt加入Tb-Fe或Tb-Co時，存在於所得薄膜中的Tb被選擇氧化，並且薄膜的矯頑磁力Hc變化很大。因此，即使在Tb-Fe或Tb-Co中加入直至3.5原子%的少量Co、Ni和Pt，所得薄膜的抗氧化性也不發生足夠的改善。
為了改善非晶態合金薄膜的抗氧化性，在ProceedingsoftheNinethConferencetheSocietyAppliedMagnetismofJapan(1985，11月)第209頁中揭示了通過向Tb-Fe或Tb-Fe-Co中加入含量為直至10原子%的Pt、Al、Cr和/或Ti而獲得的非晶態合金薄膜的觀點，然而，即使將含量為直至10原子%的Pt、Al、Cr和/或Ti加至Tb-Fe或Tb-Fe-Co中，儘管可將表面氧化和點蝕抑制至相當有效的程度，但對存在於所得薄膜中的Tb的選擇氧化的抑制也是不充分的。因此，仍存在著這樣的問題，即所得薄膜的矯頑磁力Hc將隨時間作很大變化，最後，矯頑磁力Hc大大降低。
上面討論的已有技術參考資料沒有揭示這裡所揭示的一種非晶態合金薄膜。
JournalofMagnetismMagneticMaterials，41，(1984)pp128-130和pp125-127揭示了其中加有直至約3原子%Co、Cr或Pt的Fe-B系列非晶態合金。將非晶態合金成形為厚度25至30μm的帶材，研究其磁應變。然而，所揭示的合金中沒有一個具有充分改善的耐氧化性。
另外，通過該論文描述的熔融體離心鑄造(spinning)或急冷方法獲得的非晶態合金帶材能在帶平面內而不是垂直於帶平面磁化，這裡沒有考慮帶材垂直磁化的可能性。
日本專利公開58-7806揭示了具有PtCo組成物的多晶體薄膜，其中包含10-30原子%的Pt。
然而，具有該PtCo組成物的多晶體薄膜包含這樣的問題，即，所形成的多晶體薄膜需經熱處理諸如退火，因為它們是多晶體，晶界有時作為幹擾信號出現，並且多晶體薄膜的居裡點高。
本發明是為了解決上述與已有技術有關的問題，本發明的一個目的是提供一種非晶態合金薄膜，它應具有良好的磁光特性，包括增加的矯頑磁力和大克耳和法拉第旋轉角(Kerr和Faradayrotationangle)，它應具有良好的耐氧化性，並由此使薄膜的矯頑磁力和克耳角基本上不隨時間變化，並且它應具有高的反射率。
本發明的非晶態合金薄膜包括(ⅰ)由Fe和Co中選擇的至少一個元素，(ⅱ)由Pt和Pd中選擇的至少一個元素，(ⅲ)由下列(a)除了Fe和Co外的3d過渡元素，(b)除了Pd之外的4d過渡元素，(c)除了Pt之外的5d過渡元素，(d)輕稀土元素，(e)族ⅢB元素，(f)族ⅣB元素，(g)族ⅤB元素，和(h)族ⅥB元素;
中選取的至少一個元素，它具有一垂直於薄膜表面的易磁化軸。
本發明的非晶態合金薄膜具有良好的磁光特性，包括增加了的矯頑磁力和大的克耳旋轉角和法拉第旋轉角。另外，它具有良好的耐氧化性，因此，薄膜的矯頑磁力和克耳角基本上不隨時間而變化。另外，它具有高的反射率，同時具有良好的複製特性諸如增加的C/N比。
現在將詳細描述本發明的非晶態合金薄膜。
本發明的非晶態合金薄膜包含(ⅰ)由Fe和Co中選取的至少一種元素，(ⅱ)由Pt和Pd中選取的至少一種元素和(ⅲ)由如下面所述組(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)和(h)中選取的至少一種元素，它具有一個與薄膜表面垂直的易磁化軸。
(ⅰ)由Fe和Co中選取的至少一種元素本發明非晶態合金薄膜較佳包含含量為2至95原子%的Fe和/或Co，當包含在薄膜中的一個元素或多個元素(ⅲ)的一半或更多(至少50原子%)是由一種或多種輕稀土元素所構成時，則薄膜最好包含含量為5至84原子%的Fe和/或Co，特別是最好包含從10至75原子%的Fe和/或Co。當包含在薄膜中的一種元素或多種元素(ⅲ)的一半或更多(至少為50原子%)是由除輕稀土元素之外的一種或多種元素構成時，則薄膜中包含的Fe和/或Co含量較佳為5至94原子%，更佳為從10至89原子%，最佳為10至80原子%。
(ⅱ)從Pt和Pd中選取的至少一種元素薄膜中包含大於0原子%Pt和/或Pd是足夠的，較佳地是，所述薄膜包含直至94原子%Pt和/或Pd。當包含在薄膜中的一種元素或多種元素(ⅲ)的一半或更多(至少50原子%)是由一種或多種輕稀土元素所構成時，則較佳的是所述薄膜包含5至94原子%的Pt和/或Pd，最好是含量為10至80原子%。當包含在薄膜中的一種元素或多種元素(ⅲ)的一半或更多(至少50原子%)是由除了輕稀土元素之外的一種元素或多種元素構成時，則薄膜中包含的Pt和/或Pd含量較佳為直至90原子%，更佳為直至80原子%，最佳為10至80原子%。
薄膜中Pt和/或Pd的存在帶來了下列優點(1)當薄膜包含輕稀土元素時可以使薄膜在垂直方向磁化，而不需使用作何重稀土元素，而後者在製備垂直方向可磁化薄膜時至今還是必要的。所述薄膜是抗點蝕和抗表面氧化的，並且克耳角不隨時間變化，特別當薄膜包含至少5原子%Pt和/或Pd時，存在於薄膜中的輕稀土元素的選擇氧化得到抑制，由此使矯頑磁力不隨時間而變化，並且提高了薄膜表面上的反射率。
(2)當薄膜不包含輕稀土元素時可提供抗點蝕和表面氧化的克耳角不隨時間變化的非晶態的垂直方向可磁化的薄膜，特別當薄膜包含至少5原子%Pt和/或Pd時，提高了反射率。
(3)由組(a)至(h)中選擇的至少一種元素除了上面(ⅰ)和(ⅱ)之外，本發明的非晶態合金薄膜還包含從下述組(a)至(h)中選取的至少一種元素。
(a)除Fe和Co之外的3d過渡元素除Fe和Co之外的3d過渡元素的例子包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。這些元素中，較佳為Ti、Ni、Cu和Zn。
(b)除Pd之外的4d過渡元素除Pd之外的4d過渡元素的例子包括Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag和Cd。這些元素中，優選Zr和Nb。
(c)除Pt之外的5d過渡元素除Pt之外的5d過渡元素的例子包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Hg。這些元素中，優選Ta。
(d)輕稀土元素輕稀土元素的例子包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu。這些元素中，優選Nd。
(e)族ⅢB元素族ⅢB元素的例子包括B、Al、Ga、In和Tl。這些元素中，優選B、Al和Ga。
(f)族ⅣB元素族ⅣB元素的例子包括C、Si、Ge、Sn和Pb。這些元素中，優選Si、Sn、Pb和Ge。
(g)族ⅤB元素族ⅤB元素的例子包括N、P、As、Sb和Bi。這些元素中，優選Sb。
(h)族ⅥB元素族ⅥB元素的例子包括S、Se、Te和Po，這些元素中，優選Te。
本發明的非晶態合金薄膜包含含量較佳為2至95原子%的從組(a)至(h)中選取的至少一種元素，當包含在薄膜中的元素或多種元素(ⅲ)的一半或更多(至少50原子%)是由一種或多種輕稀土元素構成時，所述薄膜較佳包含含量為1至80原子%的元素或多種元素(ⅲ)，含量更佳為10至70原子%，最好為10至50原子%。當包含於薄膜中的一種元素或多種元素(ⅲ)的一半或更多(至少50原子%)是由除了一種或多種輕稀土元素外的元素所構成時，包含於薄膜中的一種或多種元素(ⅲ)的含量較佳為5至94原子%，更佳為10至89原子%，最佳為10至80原子%。
具有上述組成物的薄膜是一種具有一個垂直於薄膜表面的易磁化軸的非晶態合金，這由大角度X線衍射得到了證實，它可表現出一個有利的方形的克耳磁滯回線。
術語「薄膜表現出一個有利的方形的克耳磁滯回線」意指θk2/θK1比至少為0.8，其中θK1是外加磁場最大時磁飽和狀態的克耳旋轉角，θk2是外加磁場為零時剩磁狀態的克耳旋轉角。
如上所述，與不包含Pt或Pd的薄膜相比較，包含至少15原子%Pt和/或Pd的薄膜具有改善的反射率R。當非晶態合金薄膜用於磁光記錄時，由於介質的非晶態性質，就不必要考慮由晶界引起的介質噪聲。但必須考慮所用光學探測器的散粒噪聲，在這情況下，可知道，由於C/N與Rθk成比例，增大R和θk中至少一個以增加C/N是足夠的。因此，非晶態合金薄膜可具有增加的反射率R這一事實是有利的，因為這會使磁光記錄中C/N提高。
在本發明中，也有可能提高居裡點、補償溫度、薄膜的矯頑磁力Hc或克耳旋轉角θk，或通過在薄膜結合入各種元素而使生產成本降低。用於所希目的的這些元素可以以一定的比例使用，例如使得它們取代小於50原子%的一種或多種元素(ⅲ)。這些其他元素的例子是重稀土元素，例如包括Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu。當這些重稀土元素被結合使用時，應較佳使用至少5原子%Pt和/或Pd，以克服選擇氧化問題。
下面闡述本發明非晶態合金薄膜的製備過程。
通過將具有預定組成物的薄膜澱積到基體上可製備本發明的非晶態合金薄膜，其中基體被保持在室溫附近，通過濺射方法或電子束蒸發方法，將在其上由元素片以預定比例構成所需薄膜的複合靶或具有預定組成的合金靶澱積到所述基體上(該基體可被固定，或者可沿其軸旋轉，或者可在迴轉時沿其軸旋轉)。
因此，本發明的非晶態合金薄膜可在室溫下形成，如此形成的薄膜並不總需要為使薄膜具有垂直於薄膜的易磁化軸而通常需要的諸如退火等的熱處理。
在這一點上，如果需要，本發明的非晶態合金薄膜也可以將基體加熱到50-600℃時或在將基體冷卻至-50℃時在基體上形成。
另外，在濺射時，加偏壓於基體也是可能的，從而使基體具有負電位。通過這樣做，在電場中加速的惰性氣體諸如氬氣離子將不僅會撞擊靶物質，也會撞擊形成的薄膜，因此可獲得具有良好特性的垂直方向可磁化的薄膜。
本發明非晶態合金薄膜的厚度可為20至50000
，較佳為100至5000 。
由於本發明非晶態合金薄膜具有垂直於薄膜表面的易磁化軸，它們可應用於各種領域，諸如磁記錄材料，包括垂直磁記錄膜、磁泡存儲器和磁光記錄薄膜，它們也可用於利用磁光效應的光調製器中。
在垂直磁記錄領域中，本發明的非晶態合金薄膜可用作垂直柔性磁碟和剛性磁碟的記錄薄膜。在磁光記錄、磁光碟領域中，用於記錄和複製信號或靜止或運動圖象的磁光卡和磁光帶利用薄膜的克耳旋轉角或法拉第旋轉角。另外，它們可用於光調製器中，光調製器通過控制外加磁場來控制安置的非晶態合金薄膜的克耳或法拉第旋轉角，並通過改變反射或透射光的光量而使光電池工作。
下面將闡述本發明非晶態合金薄膜用作磁光碟記錄薄膜時的情況。
本發明的薄膜是具有一個垂直於薄膜的易磁化軸的垂直方向可磁化的薄膜，較佳的薄膜具有方形克耳磁滯回線，在無外加磁場存在的環境下的θk實際上與外加磁場最大時磁飽和狀態的θk相同，並且其矯頑磁力Hc大，因此，它們適用於磁光記錄薄膜。另外，θk有利意味著θf也有利，因此，本發明非晶態合金薄膜可適用於克耳效應應用系統和法拉第效應應用系統。
另外，由於本發明薄膜具有良好的耐氧化性，它們並不總需要那些如用於包含重稀土元素和3d過渡金屬合金諸如Tb-Fe、Tb-Fe-Co的常規薄膜中那樣的保護膜來防止氧化。
再者，不總是需要在鄰近記錄薄膜或其他功能性薄膜(如增強薄膜和反射薄膜)的基體中使用抗氧化材料或為疊合目的而使用粘附層。
另外，即使在本發明非晶態合金薄膜上形成增強薄膜和/或反射薄膜，除了幹膜形成法諸如真空蒸發或濺射之外，可通過溼膜形成法諸如不能用於常規磁光記錄薄膜中的旋塗或噴塗方法來形成所述薄膜。
因此，其上含有作為記錄薄膜的本發明非晶態合金薄膜的磁光碟構件可包括下列結構(ⅰ)基體/記錄薄膜，(ⅱ)基體/增強薄膜/記錄薄膜，(ⅲ)基體/記錄薄膜/反射薄膜，(ⅳ)基體/增強薄膜/記錄薄膜/反射薄膜，和(ⅴ)基體/增強薄膜/記錄薄膜/增強薄膜/反射薄膜。
具有上述結構的磁光碟在記錄薄膜側的最外層有一防護薄膜或防護條，以賦予所述最外層抗刮傷或抗氧化力。
增強薄膜可為有機或無機材料，只要它們具有大於基體的折射率。
用於增強膜的合適材料的例子包括例如氧化物諸如TiO2、SiO2、TiO、ZnO、ITO(氧化銦錫)、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、CoO2、SnO2、和TeO2、氮化物諸如Si3N4、AlN和BN、硫化物諸如ZnS和CdS以及ZnSe、SiC和Si。另外，具有法拉第效應的透明材料諸如鐵素體、典型的是鐵酸鈷和柘榴石也可作為一種材料用於增強膜材料。
作為基體，可採用無機材料諸如玻璃、鋁等和有機材料諸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯和聚苯乙烯的聚合物合金、在美國專利4，614，778中揭示的無定形聚烯烴、聚-4-甲基-1-戊烯、環氧樹脂、聚醚碸、聚碸、聚醚醯亞胺等。
另外，磁光碟的結構並不僅限於上面講到的結構(ⅰ)-(ⅴ)，如果必要，所述盤可提供有一層輔助層、抗氧化薄膜或高透過性軟磁膜，所述盤既可單個使用，也可以在通過將兩個盤結合在一起而獲得的疊合盤狀態下使用。
包括(ⅰ)從Fe和Co中選取的至少一個元素，(ⅱ)由Pt和Pd中選取的至少一個元素和(ⅲ)從上述組(a)至(h)中選取的至少一種元素並具有一垂直於薄膜表面的易磁化軸的本發明非晶態合金薄膜具有良好的磁光特性，包括增加了的矯頑磁力和大克耳旋轉角和法拉第旋轉角，它具有良好的抗氧化性，因而薄膜的矯頑磁力和克耳旋轉角基本上不隨時間變化。所述薄膜也具有高的反射率。再者，本發明的非晶態合金薄膜可在室溫下在基體上形成，並且這樣形成的薄膜不需經熱處理。
下面將對本發明進一步進行闡述。
實驗序列1-21採用以預定比例安置於Co靶上的Pt和另一元素片的複合靶，將具有表1所示組成物的非晶態合金薄膜通過直流磁控管濺射(DC magnetron Sputtering)在20-30℃下澱積到玻璃基體上。薄膜形成的條件包括Ar壓為5m乇、Ar流動速率為3sccm和極限真空度不大於5×10-6乇，直流電流值(A)和濺射時間(sec)見表1。
所獲得薄膜的結晶條件由大角度X線衍射儀確定，所得到薄膜的組成由ICP發射光譜分析確定。
克耳旋轉角通過傾斜入射角方法(
＝633nm)在外加磁場為0的剩磁條件下由玻璃基體側進行測量，用於傾角法中的測量和其裝置的具體方法在Kazuo Yamakawa編輯的「Measuring Technique of Magnetic Materials」(由Torikepps K.K.出版，1985.12.15)一文中進行了描述。
所獲得薄膜的反射率由
＝780nm確定，採用通過真空蒸發在玻璃基體上形成的Al膜作為標準試樣。
另外，以下面敘述的方式對所獲得的合金膜進行抗氧化試驗，將在玻璃基體上形成的薄膜置於環境試驗，其中使薄膜處於85℃、85%RH的熱溼條件下240、450或1000小時。該階段結束時，確定克耳旋轉角(θk)、反射率(R)和矯頑磁力(Hc)，並分別與環境試驗前的起始值θk0、Ro和Hc0進行比較，結果如表1所示。實驗序列22和23除了採用安置於Co靶上的Pt或Tb片的複合靶之外，其餘均按照前述實驗序列的過程來製造和測試Pt-Co或Tb-Co合金薄膜，結果如表1所示。
＊1000小時後＊＊450小時後實驗序列24採用安置在Co靶上的Pd、Nd和Co片的複合靶，通過直流磁控管濺射法在玻璃基體上形成Pd-Nd-Co系列合金薄膜。薄膜形成的條件包括Ar壓力為5m乇、Ar流動速率為3sccm、極限真空度不大於5×10-6乇、直流電流為0.20A和濺射時間為90秒。由大角度X線衍射儀顯示出，所獲得的薄膜為非晶態的。由克耳旋轉角被觀察到這一事實，也揭示了所述膜在垂直方向上可磁化。
實驗序列25採用安置在Co靶上的Sb和Pd片的複合靶，通過直流磁控管濺射法在玻璃基體上形成Pd-Sb-Co系列合金薄膜。薄膜形成的條件包括Ar壓力為5m乇、Ar流動速率為3sccm、極限真空度不大於5×10-6乇、直流電流為0.20A和濺射時間為90秒。由大角度X線衍射儀顯示出，所獲得的薄膜為非晶態的。由克耳旋轉角被觀察到這一事實，也揭示出所述膜在垂直方向上是可磁化的。
權利要求
1.一種非晶態合金薄膜，其特徵在於它包含(i)從Fe和Co中選取的至少一種元素，(ii)從Pt和Pd中選取的至少一種元素，和(iii)從(a)除Fe和Co之外的3d過渡元素，(b)除Pd之外的4d過渡元素，(c)除Pt之外的5d過渡元素，(d)輕稀土元素，(e)族ⅢB元素，(f)族ⅣB元素，(g)族ⅤB元素，和(h)族ⅥB元素中選取的至少一種元素，所述薄膜具有垂直於薄膜表面的易磁化軸。
2.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述除Fe和Co外的3d過渡元素為Ti、Ni、Cu或Zn。
3.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述除Pd之外的4d過渡元素為Zr或Nb。
4.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述除Pt之外的5d過渡元素為Ta。
5.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述輕稀土元素為Nd、Sm或Pr。
6.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述族ⅢB元素為B、Al或Ga。
7.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述族ⅣB元素為Si、Sn或Pb。
8.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述族ⅤB元素為Sb。
9.按權利要求1所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述族ⅥB元素為Te。
10.按權利要求1至9中任一個權利要求所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述膜的厚度為20至50000
。
11.按權利要求1至10中任一權利要求所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述薄膜是用於磁光記錄中的。
12.按權利要求1至10中任一權利要求所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述薄膜是用於垂直磁記錄中的。
13.按權利要求1至10中任一權利要求所述的非晶態合金薄膜，其特徵在於所述薄膜是用於光調製器中的。
全文摘要
本發明涉及一種非晶態合金薄膜，它包括(i)由Fe和Co中選取的至少一個元素，(ii)從Pt和Pd中選取的至少一種元素和(iii)由說明書中(a)—(h)中選取的至少一種元素，所述薄膜具有一個垂直於其表面的易磁化軸。該薄膜具有良好的磁光特性和抗氧化性能，其矯頑磁力和克耳角基本上不隨時間而變化。此外，所述薄膜還具有高的反射率。
文檔編號H01F10/16GK1042025SQ8810724
公開日1990年5月9日 申請日期1988年10月17日 優先權日1988年10月17日
發明者春田浩一, 水本邦彥, 梶浦博一 申請人:三井石油化學工業株式會社