陣列基板及其製造方法與應用的顯示面板與流程

2023-10-04 21:09:19 2

本發明涉及一種製造方式，特別是涉及一種陣列基板及其製造方法與應用的顯示面板。

背景技術：

隨著科技進步，具有省電、無幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高解析度、畫質穩定等多項優勢的液晶顯示器，尤其是現今各式信息產品如：手機、筆記本電腦、數字相機、pda、液晶屏幕等產品越來越普及，亦使得液晶顯示器(lcd)的需求量大大提升。而液晶顯示面板的通常是由一彩膜基板(colorfilter，cf)、一薄膜電晶體陣列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)以及一配置於兩基板間的液晶層(liquidcrystallayer，lcd)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模塊的光線折射出來產生畫面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市場上的液晶顯示面板可以分為以下幾種類型：垂直配向(verticalalignment，va)型、扭曲向列(twistednematic，tn)或超扭曲向列(supertwistednematic，stn)型、平面轉換(in-planeswitching，ips)型及邊緣場開關(fringefieldswitching，ffs)型。因此如何滿足日益要求高解析度的畫素設計，且具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜電晶體液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)已逐漸成為市場的主流。其中，陣列基板為組立液晶顯示器的重要構件之一。

而陣列基板有分為具有紅綠藍光阻層在對向基板中(rgboncf)、在平面轉換型的顯示面板中具有紅綠藍光阻層在陣列基板(rgbonarray/in-planeswitching，ipsmode)及在垂直配向型的顯示面板中具有紅綠藍光阻層在陣列基板(rgbonarray/verticalalignment，vamode)。如此一來，如何提高解析度的畫素設計，其中有關陣列基板的畫素結構設計將扮演一個關鍵設計。而邊緣場開關(fringefieldswitching，ffs)型是利用邊緣電場力去推動液晶，具有高液晶效率以及廣視角的優勢。一般設計會有兩層銦錫氧化物電極，且中間夾著一層厚約0.6um的保護層。在大畫素的設計中，陣列的膜穿透率並無顯著的影響。但在高解析度或畫素小於100um的設計上，提高透光區的膜層穿透率也是一項非常有用的因素。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本發明的目的在於，提供一種陣列基板及其製造方法與應用的顯示面板，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高面板顯示品質。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種陣列基板，包括：一第一基底；一第一導電層，形成於所述第一基底上；一導電覆蓋層，形成於所述第一基底上，覆蓋所述第一導電層；一第二導電層，形成於所述導電覆蓋層上；一第一鈍化層，形成於所述導電覆蓋層上，覆蓋所述第二導電層，所述第一鈍化層形成一凹部；一共同電極，形成於所述第一鈍化層上，其中，部分所述共同電極形成於所述凹部內部；一第二鈍化層，形成於所述共同電極上；一畫素電極，形成於所述第二鈍化層上，且位於所述凹部內部。

本發明的另一目的一種陣列基板的製造方法，包括：提供一第一基底；將第一導電層形成於所述第一基底上；將一導電覆蓋層形成於所述第一基底上，並覆蓋所述第一導電層；將第二導電層形成於所述導電覆蓋層上；將一第一鈍化層形成於所述導電覆蓋層上，覆蓋所述第二導電層，所述第一鈍化層形成一凹部；將一共同電極形成於所述第一鈍化層上，其中，部分所述共同電極形成於所述凹部內部；將一第二鈍化層形成於所述共同電極上；以及將一畫素電極形成於所述第二鈍化層上，且位於所述凹部內部。

本發明的又一目的一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

本發明解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在本發明的一實施例中，所述共同電極為銦錫氧化物及所述畫素電極為銦錫氧化物。

在本發明的一實施例中，所述第一鈍化層使用光掩模版及所述第二鈍化層使用光掩模版。

在本發明的一實施例中，所述陣列基板的橫截面形狀為一凹部形狀或一圓弧形狀。

在本發明的一實施例中，所述第一鈍化層與該些共同電極相對應的透光區及所述導電覆蓋層與該些共同電極相對應的透光區中被移除區域的邊緣銦錫氧化物電極做電極能力的優化工序。

在本發明的一實施例中，所述製造方法，所述第一及第二鈍化層具有階梯狀的剖面，所述第一及第二鈍化層是通過光阻塗布、曝光、顯影及光罩過程而同時形成，且所述光罩為灰階光罩或半色調光罩。

在本發明的一實施例中，所述製造方法，通過光阻塗布、曝光、顯影、光罩及蝕刻過程而同時將第二導電層形成於所述導電覆蓋層上。

在本發明的一實施例中，所述製造方法，所述第一鈍化層與所述導電覆蓋層使用幹刻清除，且在邊緣區的錐度小於90度。

本發明通過陣列基板的結構設計，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高面板顯示品質。

附圖說明

圖1a是範例性的邊緣場開關畫素示意圖。

圖1b是範例性的邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖2a是具有第一鈍化層與導電覆蓋層移除的邊緣場開關畫素示意圖。

圖2b是依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3a是顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3b是另一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3c是再一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖3d是又一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

圖4是依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面分解圖。

圖5是另一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖6是又一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖7是再一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖8是又一再一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖9是又一再二依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖10是又一再三依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖。

圖11是依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。

附圖和說明被認為在本質上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。另外，為了理解和便於描述，附圖中示出的每個組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本發明不限於此。

在附圖中，為了清晰起見，誇大了層、膜、面板、區域等的厚度。在附圖中，為了理解和便於描述，誇大了一些層和區域的厚度。將理解的是，當例如層、膜、區域或基底的組件被稱作「在」另一組件「上」時，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。

另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語「包括」將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，「在......上」意指位於目標組件上方或者下方，而不意指必須位於基於重力方向的頂部上。

為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的一種陣列基板及其製造方法與應用的顯示面板，其具體實施方式、結構、特徵及其功效，詳細說明如後。

本發明的顯示面板可包括薄膜電晶體(thinfilmtransistor，tft)基板、彩色濾光層(colorfilter，cf)基板與形成於兩基板之間的液晶層。

在一實施例中，本發明的顯示面板可為曲面型顯示面板。

在一實施例中，本發明的薄膜電晶體(tft)及彩色濾光層(cf)可形成於同一基板上。

圖1a為範例性的邊緣場開關畫素示意圖及圖1b為範例性的邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖1a及圖1b，一種陣列基板10，包括：一第一基底110；第一導電層112，形成於所述第一基底110上；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，並覆蓋第一導電層112；第二導電層116，形成於所述導電覆蓋層114上，其中第二導電層116與第一導電層112定義出多個畫素區；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，並覆蓋第二導電層116；多條共同電極120，形成於所述第一鈍化層118上；一第二鈍化層122，形成於該些共同電極120上；以及一畫素電極124，形成於所述第二鈍化層122上。

請參照圖1a，在一實施例中，範例性的邊緣場開關畫素結構100具有兩層銦錫氧化物電極，且中間夾著一層厚約0.6um的保護層105。

圖2a為具有第一鈍化層與導電覆蓋層移除的邊緣場開關畫素示意圖及圖2b為依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖2a及圖2b，一種陣列基板11，包括：一第一基底110；一第一導電層112，形成於所述第一基底上110；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112；一第二導電層116，形成於所述導電覆蓋層114上；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一共同電極120，形成於所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成於所述凹部內部；一第二鈍化層122，形成於所述共同電極120上；一畫素電極124，形成於所述第二鈍化層122上，且位於所述凹部內部。

請參照圖2a，在一實施例中，具有第一鈍化層118與導電覆蓋層114移除區域102的邊緣場開關畫素結構101。

在一實施例中，所述共同電極120為銦錫氧化物。

在一實施例中，所述畫素電極124為銦錫氧化物。

在一實施例中，所述第一鈍化層118使用光掩模版。

在一實施例中，所述第二鈍化層122使用光掩模版。

在一實施例中，所述第一鈍化層118與該些共同電極120相對應的透光區及所述導電覆蓋層114與該些共同電極120相對應的透光區中被移除區域的邊緣銦錫氧化物電極做電極能力的優化工序。

圖3a為顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖、圖3b為另一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖、圖3c為再一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖及圖3d為又一顯示依據本發明的製造方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖3a、圖3b、圖3c及圖3d，一種陣列基板13的製造方法，包括：提供一第一基底110；將第一導電層112形成於所述第一基底110上；將一導電覆蓋層114形成於所述第一基底110上，並覆蓋第一導電層112；將第二導電層116形成於所述導電覆蓋層114上；將一第一鈍化層118形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；將一共同電極120形成於所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成於所述凹部內部；將一第二鈍化層122形成於所述共同電極120上；以及將一畫素電極124形成於所述第二鈍化層122上，且位於所述凹部內部。

在一實施例中，所述製造方法，所述第一鈍化層118及所述第二鈍化層122具有階梯狀的剖面，所述第一鈍化層118及所述第二鈍化層122是通過光阻塗布、曝光、顯影及光罩過程而同時形成，且所述光罩為灰階光罩或半色調光罩。

在一實施例中，所述製造方法，通過光阻塗布、曝光、顯影、光罩及蝕刻過程而同時將第二導電層116形成於所述導電覆蓋層114上。

在一實施例中，所述製造方法，所述第一鈍化層118與所述導電覆蓋層114使用幹刻清除，且在邊緣區的錐度小於90度。

請參照圖2b，在本發明一實施例中，一種顯示面板，包括：一種陣列基板11，包括：一第一基底110；一第一導電層112，形成於所述第一基底上110；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112；一第二導電層116，形成於所述導電覆蓋層114上；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一共同電極120，形成於所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成於所述凹部內部；一第二鈍化層122，形成於所述共同電極120上；一畫素電極124，形成於所述第二鈍化層122上，且位於所述凹部內部；一彩色濾光層基板(圖未示)，其與所述陣列基板11相對設置；以及一液晶層(圖未示)，形成於所述陣列基板11與所述彩色濾光層基板之間。其中，顯示面板可以為tn、ocb、va型、曲面型液晶顯示面板，但並不限於此。

多灰階光罩，可分為灰階光罩(gray-tonemask)和半色調光罩(halftonemask)2種。灰階光罩是製作出曝光機解析度以下的微縫，再藉由此微縫部位遮住一部份的光源，以達成半曝光的效果。另一方面，半色調光罩是利用「半透過」的膜，來進行半曝光。因為以上兩種方式皆是在1次的曝光過程後即可呈現出「曝光部分」「半曝光部分」及「未曝光部分」的3種的曝光層次，故在顯影后能夠形成2種厚度的光阻(藉由利用這樣的光阻厚度差異、便可以較一般少的片數下將圖形轉寫至面板基板上，並達成面板生產効率的提升)。若為半色調光罩則光罩成本會略高於一般光罩。

圖4為依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面分解圖。請參照圖4，本發明一實施例，一種陣列基板11，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部邊緣；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部邊緣；一共同電極120，形成於所述第一鈍化層118上，其中，部分所述共同電極120形成一凹部，覆蓋部分所述第一鈍化層118、部分所述導電覆蓋層114及部分所述第一基底110；一第二鈍化層122，形成於所述共同電極120上，部分所述第二鈍化層122形成一凹部；一畫素電極124，形成於所述第二鈍化層122上，且位於所述凹部內部上。

圖5為另一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖6為又一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖7是再一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖8是又一再一依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖9是又一再二依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖、圖10是又一再三依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中凹部橫截面示意圖及圖11為依據本發明的方法，應用於邊緣場開關在陣列基板中橫截面示意圖。請參照圖5，本發明一實施例，一種陣列基板12，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部，所述凹部暴露出所述導電覆蓋層114。

請參照圖6，本發明一實施例，一種陣列基板14，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部邊緣，且暴露出所述導電覆蓋層114及其形成的凹部。

請參照圖7，本發明一實施例，一種陣列基板15，其中形成凹部步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一凹部。

請參照圖8，本發明一實施例，一種陣列基板16，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部，所述凹部暴露出所述導電覆蓋層114；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖9，本發明一實施例，一種陣列基板17，其中形成凹部步驟中包括：由一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一凹部；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖10，本發明一實施例，一種陣列基板18，其中形成凹部步驟中包括：由一第二鈍化層122，形成於所述共同電極120上，部分所述第二鈍化層122形成一凹部；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116；一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112。

請參照圖11，本發明一實施例，一種陣列基板19，其中形成橫截面形狀步驟中包括：由一導電覆蓋層114，形成於所述第一基底110上，覆蓋所述第一導電層112，所述導電覆蓋層114形成一邊緣形狀；一第一鈍化層118，形成於所述導電覆蓋層114上，覆蓋所述第二導電層116，所述第一鈍化層118形成一邊緣形狀；其中橫截面形狀為一凹部形狀或一圓弧形狀，但並不限於此。

本發明通過陣列基板的結構設計，不僅可以提升液晶效率，還可以提高畫素穿透率，以提高顯示面板顯示品質。

「在一些實施例中」及「在各種實施例中」等用語被重複地使用。所述用語通常不是指相同的實施例；但它亦可以是指相同的實施例。「包含」、「具有」及「包括」等用詞是同義詞，除非其前後文意顯示出其它意思。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。