光學半導體裝置的生產工藝和該工藝中使用的片的製作方法

2023-10-11 11:30:09

專利名稱：：光學半導體裝置的生產工藝和該工藝中使用的片的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種用於生產光學半導體裝置的工藝。更具體地，本發明涉及一種用於光學半導體裝置生產的工藝，該工藝包括利用用於光學半導體元件封裝的片一次性封裝諸如發光二極體或者半導體雷射器的發光元件的步
背景技術：
：近幾年，作為白織燈(incandescentlamp)或者螢光燈(fluorescentlamp)的替代品，具有諸如發光二極體(LED,light-emittingdiode)的光學半導體的發光裝置正被普及。雖然在每個元件的亮度方面LED劣於諸如螢光燈的常規的照明器，但是其每個元件的尺寸至多為lmm。因此，通常通過在基板(substrate)上設置兩個或者更多的LED元件來生產在其上安裝有LED的發光裝置。通常，用於生產具有LED的發光裝置的方法包括在基板上安裝LED元件，接著封裝該些元件。作為用於LED元件封裝的技術，通過注塑(injectionmolding)或者灌封(potting)將元件嵌入在有機樹脂中的方法是已知的。然而，這個技術具有缺點，例如，將確定數量的液體樹脂滴在獨立的元件上的麻煩是不可避免的。因此，期望有能夠更容易實踐的封裝技術。JP-A-2005-294733公開了一種用於封裝的片，該片具有由折射率(refractiveindex)不同的樹脂層構成的多層結構，並且不僅在容易進行樹脂封裝方面其是有效的，而且其產生獲得的光學半導體裝置能夠保持高效率的光取出(lighttak畫t)的效果。JP-A-2006-140362公開了一種用於封裝的片,為了擴散光的方向性性能(directionalproperty)，該片具有由折射率不同的樹脂層和插設在樹脂層之間的散光層(light-difflisinglayer)構成的多層結構。
發明內容近來，隨著LED向著功率提升的趨勢發展，產生了與裝置壽命有關的問題，即，封裝樹脂的損壞。為了較高的亮度來增加LED的功率會導致LED發射的光和熱的量的增加。因此，封裝樹脂的損壞加速了，導致了裝置壽命的縮短。本發明的一個目的是提供一種用於容易生產在LED元件保護和耐用性方面是優秀的光學半導體裝置的工藝，該工藝利用用於光學半導體元件封裝的片，利用該片可以將光學半導體元件一次性封裝在樹脂中。本發明的另一個目的是提供一種在該工藝中使用的用於光學半導體元件封裝的片。本發明人進行了研究從而克服以上的問題。結果，他們發現當使用包含在保護LED元件的性能和附著性上出色的樹脂片和斷續地嵌入樹脂片並在抗熱性和耐光性上出色的多個樹脂層的用於光學半導體元件封裝的片時，光學半導體元件可以一次性被嵌入在各個樹脂層中，並且能夠容易生產在LED元件保護和耐用性上出色的光學半導體裝置。這樣完成本發明。也就是，本發明涉及下面的項(1)到(5)。(1)用於生產光學半導體裝置的工藝，該工藝包括設置用於光學半導體元件封裝的片和安裝在基板上的多個光學半導體元件，用於光學半導體元件封裝的片包括樹脂片A和斷續地嵌入樹脂片A的多個樹脂層B，使得多個光學半導體元件中的每一個面對多個樹脂層B中4壬一個；以及接著，將多個光學半導體元件中的每一個嵌入多個樹脂層B中的任一個中。(2)根據(1)的工藝，其中多個樹脂層B包括有機矽樹脂或者雜矽氧烷。(3)根據(2)的工藝，其中有機矽樹脂為交聯有機矽。(4)根據(1)到(3)之一的工藝，其中樹脂片A包括環氧樹脂或丙烯酸樹脂。(5)在根據(1)到(4)之一的工藝中使用的用於光學半導體元件封裝的片。根據本發明的工藝，可以一次性嵌入光學半導體元件。結果，能夠容易獲得在LED元件保護和耐用性上出色的光學半導體裝置。從而，所獲得的光學半導體裝置可以具有延長的壽命。圖1為示出本發明的用於光學半導體元件封裝的片的一個實施例的視圖；其是在實例1到5中所使用的每個片中沿垂直於片的平面的方向剖取的包括多個樹脂層B的截面圖。附圖標記和標號的說明1樹脂片A2樹脂層B具體實施例方式在本發明的用於生產光學半導體裝置的工藝中，用於光學半導體元件封裝的片被用於封裝光學半導體元件(之後被稱為LED元件)，並且該片包含在強度和附著性(adhesiveness)上出色的樹脂片A和在抗熱性(heatresistance)和耐光性(lightresistance)上出色的多個樹脂層B,該些多個樹脂層B被斷續地嵌入樹脂片A。通過疊置保持封裝片所需的諸如耐光性、光擴散特性以及抗熱性的各種功能的樹脂層來構成用於光學半導體元件封裝的常規的片。構成這樣的封裝片的每層的樹脂的實例包括環氧樹脂(epoxyresin)和有機矽樹脂(siliconeresin)。然而，包括環氧樹脂的層在諸如抗熱性的耐用性(durability)方面是不足的。另一方面，因為包括有機矽樹脂的層具有對基板的差的附著力和對外部衝擊的差的^t氏抗性，所以包^r有^L矽^"脂的層在保護LED元^f牛的特性上是較差的。在由疊置的樹脂層構成的片中，與LED元件接觸的最外面的樹脂層同時具有與LED元件接觸的區域(即，需要具有耐用性的區域)和與基板的不存在LED元件的那些部分接觸的區域(即，需要具有附著性的區域)。為此，在最外面的樹脂層僅由樹脂製成的情況下，既難以滿足耐用性和保護LED元件的特性兩者。在本發明的用於光學半導體元件封裝的片中，將賦予符合滿意的附著性和強度的功能分配給樹脂片A，而將賦予滿意的抗熱性和耐光性的功能分配給樹脂層B。因此，可以滿足保護LED元件的特性和耐用性兩者。也就是，本發明的用於封裝的片包含在附著性和強度上出色的樹脂片A和在抗熱性和耐光性上出色的樹脂層B，在與存在有LED元件的位置相對應的位置上，該樹脂層B被斷續地嵌入樹脂片A使得樹脂層B面對LED元件。由於這種構造，各個LED元件被嵌入各自的樹脂層B中，並且樹脂片A在未存在LED元件處與基板相接觸。因此，可以獲得出色的附著性，並且也可能滿足耐用性和保護LED元件的特性兩者。此說明書中使用的術語"斷續地，，表示與各個LED元件相對應的各個樹脂層B彼此獨立地存在的狀態。術語"保護LED元件的特性"表示保護其抗防外部沖擊的能力，即包括抵抗從剪切方向施加的衝擊的附著強度和抵抗從垂直方向施加的衝擊的強度的特性。術語"耐用性"表示包括抗熱性和耐光性的特性。可以將一個LED元件或者多個LED元件嵌入各個樹脂層B中。此外，嵌入各個樹脂層B的LED元件的數量可以相同或者不同。不特別地限制構成樹脂片A的樹脂，只要其是在用於光學半導體元件封裝的片中通常所使用並且具有用於保護LED元件抵抗外部力的強度以及對基板的附著性的樹脂。對於諸如抗熱性和耐光性的耐用性，不特別地限制構成樹脂片A的樹脂是因為其中直接嵌入LED元件的樹脂層B擁有這種功能。構成樹脂片A的樹脂實例包括聚醚碸(polyethersulfone)、聚醯亞胺(polyimide)、芳香力矣聚醯胺(aromaticpolyamide)、聚石友化二亞胺(polycarbodiimide)、多不氧杉於月旨(epoxyresin)、三乙醯基糹千糹,素(triacetylcellulose)以及丙烯酸樹月旨(acrylicresin)。其中，從附著性和強度的角度看，環氧樹脂和丙烯酸樹脂是優選的。將被使用的樹脂可以是商業的或者可以是單獨生產的。環氧樹脂的實例包括諸如雙酚A和雙酚F型的雙酚型(bisphenoltype)、酚趁型(novolactype)、含氮環型(nitrogen-containingringtype)、月旨環族型(alicyclictype)、芳族型(aromatictype)以及它們的變體。這些可以單獨使用或者可以結合使用。其中，從透明度的角度看，雙酚A型和脂環族型是優選的。這樣的環氧樹脂的環氧當量(equivalent)優選為500到10000,更優選為2000到5000。當使用兩種或者更多種環氧樹脂時，每種環氧樹脂可以具有在以上示出的範圍之外的環氧當量。在此情況下期望這些環氧樹脂具有在上述範圍內的重量平均(weight-average)的環氧當量。石更J匕劑(hardener)和促石更劑(hardeningaccelerator)可以用於固化環氧樹脂。硬化劑的實例包括諸如鄰苯二曱酸酐(phthalicanhydride)、四氫鄰苯二曱酸酐(tetrahydrophthalicanhydride)、六氬鄰苯二甲酸酐(hexahydrophthalicanhydride)、4畫曱基六氬鄰苯二曱酸酐(4-methylhexahydrophthalicanhydride)的酸酐石更4匕劑(acidanhydridehardener);i者i口二亞乙基三胺(diethylenetriamine)、三亞乙基四胺(triethylenetetramine)、二乙胺(diethylamine)的胺石更4匕劑(aminehardener);聚醯胺石更化劑(polyamidehardener)以及苯酚硬化劑(phenolhardener)。這些可以單獨使用或者可以結合使用可以根據硬化劑的種類、環氧樹脂的環氧當量等適當地確定硬化劑的含量(content)。然而，從使形成的片能夠具有足夠的強度的角度來看，例如在酸酐硬化劑的情況下，基於環氧樹脂的1當量的環氧基(epoxygroup),硬化劑的含量優選為0.8到1.2當量，更優選地為0.9到U當量。促石更劑的實例包括咪唑類化合物(imidazolecompound)和磷4匕合物(phosphoruscompound)。這些可以單獨使用或者結合使用。可以根據促進的效果等合適地確定促硬劑的含量。然而，從在形成期間短時期內固化樹脂的角度來看，基於100重量份的環氧樹脂，促硬劑的含量優選為0.5到5重量份，更優選為1到3重量份。除了上述的樹脂，諸如抗氧化劑(antioxidant)、改良劑(modifier),表面活性劑(surfactant)、染料(dye)、色素(pigment)、變色抑制劑(discolorationinhibitor)、紫外線吸收劑(ultravioletabsorbent)的添加劑可以作為原始材料(rawmaterial)力口入初於月旨片A。可以這樣獲得樹脂片A:例如，優選地以成為20%到50%重量濃度的量來將包括樹脂的原始材料溶解在諸如曱苯(toluene)、環己酮(cyclohexanone)或者曱基乙基酮(methylethylketone)的有機溶劑中以製備有機溶液；例如，通過諸如洗鑄(casting)、旋轉塗覆(spincoating)或者輥塗布(rollcoating)的技術將該溶液施加到諸如具有有機矽處理的表面的聚酯膜的分離片(releasesheet)上從而形成適當厚度的溶液的膜；以及，然後在可能去除溶劑而不引起固化反應的溫度下乾燥溶液膜。不能無條件地確定乾燥樹脂溶液膜的溫度，因為其根據樹脂和溶劑的種類而變化。然而，該溫度優選為80到150°C，更優選地為90到14(TC，甚至更優選為100到130°C。,人變白的角度看，通過利用加熱的乾燥而獲得的樹脂片的厚度優選為100到1000|im,更優選為100到50(Him。附帶地，這樣獲得的兩個或者更多，優選為兩個到四個樹脂片可以通過堆疊這些樹脂片以及在80到IOO'C下熱壓(hot-pressing)這些堆疊的片形成為具有在這個範圍內的厚度的一片。在本發明中，不特別地限制用於將樹脂層B嵌入樹脂片A中的方法，只要樹脂層B被嵌入在與LED元件的位置相對應的位置處以便面對該些元件。其實例包括在與將要面對的LED元件的位置相對應的位置處，在樹脂片A中預先形成孔洞並且將樹脂層B注入孔洞中的方法；以及在與將要面對的LED元件的位置相對應的位置處，樹脂層B被壓合(press-bonded)到以及嵌入樹脂片A中而不在片A中形成孔洞的方法。關於用於在樹脂片A中形成孔洞的方法，不特別地限制孔洞等的尺寸和深度，只要LED元件能夠嵌入在樹脂層B中。常規方法能夠用於形成孔洞。在本發明中，可以通過利用具有1到5mm的直徑和0.2到lmm的高度的模(die)進行80到120。C下的熱壓以形成用於樹脂層B的每個孔洞。附帶地，通過利用多個這樣的^^莫同時形成多個孔洞。從保護光學半導體元件的角度看，樹脂片A的楊氏模量優選為1到10GPa，更優選地為2到5GPa。樹脂片A具有優選為10到1000N,更優選為100到500N的附著強度。在本說明書中，通過以後將會描述的實例中的方法來確定楊氏模量和附著強度。不特別地限制用來構成樹脂層B的樹脂，只要其是在用於光學半導體元件封裝的片中通常所使用的樹脂並且其具有耐光性和抗熱性。樹脂可以為諸如液態、固態的任何狀態。關於樹脂片A所擁有的強度和附著性，不特別地限制構成樹脂層B的樹脂。用於構成樹脂層B的樹脂的實例包括有機矽樹脂(siliconeresin)、熱塑性聚醯亞胺(thermoplasticpolyimide)以及雜石圭氧烷(heterosiloxane)。其中，從可模壓性的角度，有機矽樹脂和雜矽氧烷是優選的。被使用的這些樹脂可以是商業的或者可以是單獨生產的。根據聚矽氧烷(polysiloxane)中的交聯的數量，有機矽樹脂的實例包括凝膠態(gd-state)、半固化(semi-cured)以及固化的有機矽樹脂。這些可以單獨使用或者結合使用。其中，從可模壓性的角度，從凝膠態的有機矽樹脂獲得的交聯的有機矽樹脂是優選的。雜矽氧烷的實例包括硼矽氧烷(borosiloxane)、鋁珪氧烷(aluminosiloxane)、磷珪氧烷(phosphasiloxane)、鈦娃氧烷(titanosiloxane)等，該些是用硼(boron)、鋁、磷、鈦(titanium)等分別部分取代有才幾矽樹脂的矽原子來獲得的。從可模壓性的角度，用於構成樹脂層B的樹脂具有優選為IOO到200°C，更優選為130到150。C的軟化點。從可模壓性的角度，樹脂具有優選為-70。C到0。C，更優選為-50。C到-10。C的玻璃轉變點(glasstransitionpoint)。在本說明書中，通過以下將描述的實例中的方法測量軟化點和玻璃轉變點。在通過將樹脂層B注入到預先形成在樹脂片A中的孔洞將樹脂層B嵌入在樹脂片A中的情況中，用於構成樹脂層B的樹脂可以按原狀^^皮注入孔洞中。可選擇地，從變白(whitening)的角度，可以使用這樣的方法，該方法中樹脂與螢光物質混合以得到10%到30%的螢光物質重量濃度來製備樹脂溶液並且該溶液被注入。不可能無條件地確定乾燥注入的樹脂所在的溫度，因為其依賴於樹脂和溶劑的種類而變化。然而，乾燥溫度優選為80到160°C,更優選為90到15CTC。從變白的角度，在根據本發明的用於光學半導體元件封裝的片中通過採用加熱的乾燥獲得的每個樹脂層B的厚度優選為10到500jim,更優選為50到400pm。本發明中的術語"在用於光學半導體元件封裝的片中的樹脂層的厚度"表示在存在樹脂片A和樹脂層B的部分中測量的厚度。在樹脂層B被壓合到並嵌入樹脂片A中而在片A中不形成孔洞的情況中，每個樹脂層B被一次鑄成塊形(blockform),然後被壓合併且嵌入。也就是，可以這樣獲得每個塊形的樹脂層B:優選地以成為10%到40%重量濃度的量來將樹脂溶解在諸如二曱基乙醯胺(dimethylacetamide)或者甲基丁基酮(methylisobutylketone)的有機溶劑中以產生樹脂溶液；通過諸如絲網印刷的技術將樹脂溶液施加於，例如，諸如具有有機矽處理表面的聚酯膜的分離片(releasesheet)上以形成適當尺寸的樹脂溶液塊；然後在可能去除溶劑而不引起固化反應的溫度下乾燥溶液塊。可選擇地，可以通過將樹脂注入期望尺寸的模中並且固化樹脂來獲得每個塊形的樹脂層B。不能無條件地確定乾燥獲得的塊所在的溫度，因為其依賴於樹脂和溶劑的種類而變化。然而，乾燥溫度優選為IOO到150°C，更優選為100到130°C。從變白的角度，期望通過使用加熱的乾燥獲得的每個樹脂層B塊的厚度優選為200到700j^m，更優選為400到600pm。不特別地限制用於將樹脂層B壓合到樹脂片A的方法。其實例包括這樣的方法，在該方法中，樹脂片A被疊置在樹脂層B塊上並且所得到的組合在80到130。C下熱壓。壓合之後樹脂片A的厚度與每個樹脂層B的厚度的比例(樹脂片A/樹脂層B)優選為從1/4到1/10,更優選為從1/5到1/6。因此，獲得用於光學半導體元件封裝的片，該片具有保護LED元件的特性以及耐用性兩者。在本發明的用於光學半導體裝置生產的工藝中，使用上述的用於光學半導體元件封裝的片從而容易一次性封裝光學半導體元件。具體地，用於光學半導體元件封裝的片被疊置在其上安裝有LED元件的基板上並且用層壓機等將該片層壓(laminate)在基板上，從而，可以生產光學半導體裝置。不特別地限制本發明中所用的LED元件，只要這些元件是光學半導體裝置中通用的。其實例包括氮化鎵(GaN;折射率，2.5)、磷化鎵(GaP,折射率，2.9)以及砷化鎵(GaAs,折射率，3.5)。其中GaN是優選的，因為其發射藍光並且能夠生產通過螢光物質發射白光的LED。也不對其上安裝有LED元件的基板進行特別地限制。其實例包括通過在玻璃纖維環氧樹脂(glass-epoxy)基板上形成銅布線(copperwiring)而獲得的剛性基板(rigidsubstrate)以及通過在聚醯亞胺膜上形成銅布線而獲得的柔性基板(flexiblesubstrate)。可以採用具有諸如平板(flatplate)或者不規則板(ruggedplate)的合適的形狀的基板。用於在基板上安裝LED元件的方法的實例包括面向上(face-up)安裝方法，其適於安裝具有在發光側的電極的LED元件；倒裝晶片(flipclip)安裝方法，其適於安裝具有在發光側的相對側上的電極的LED元件。等通過使用加熱的壓合被壓到基板上的情況中，優選的是在70到250。C下加熱該片，更優選的是在IOO到20(TC下加熱該片，並且優選的是在O.l到10MPa下壓該片，更優選的為0.5到5MPa。通過本發明的生產工藝，可以更容易生產光學半導體裝置，因為可以用封裝片一次性進行LED元件的封裝。此外，因為該片具有與LED元件相接觸的在抗熱性和耐光性上出色的部分以及與基板相接觸的在附著性和強度上出色的部分，所以光學半導體裝置能夠滿足LED元件保護的特性和耐用性兩者並且能具有延長的壽命。實例參考以下的實例對本發明進行更加詳細的說明，但是不應將本發明局限於此。樹脂的楊氏模量被測量的樹脂形成為厚度為100nm、寬度為1cm、長度為5cm的帶並且被設置在拉伸檢測器(tensiletester)(AUTOGRAPHAG-1OOE，由ShimadzuCorp.製造)上，並且以10mm/min的速率拉伸具有1cm的試驗長度和1cm的寬度的樣本從而獲得應力應變圖。從該圖讀取的初始模量被稱為樹脂的楊氏模量。樹脂的附著強度被測量的樹脂在合金42框架(frame)上被模塑(mold)成為具有7mmx7mm的尺寸以及600|im的厚度的形狀，並且得到的模塑樹脂通過在100。C的熱板上對模塑樹脂施加剪切方向的力而從合金42框架剝落。剝落所需的最大載荷被稱為樹脂的附著強度。樹脂的軟化點被測量的樹脂在加熱板上被模塑以具有2mm的高度。當從室溫開始加熱加熱板，樣本樹脂的高度變為lmm時的溫度被稱為樹脂的軟化點。樹脂的玻璃轉變點被測量的樹脂形成為具有厚度為100(im、寬度為0.5cm、長度為5cm的帶並且用DMS(DMS-200,由SIL製造)檢查該帶。得到的tan6曲線中的峰值溫度被稱為樹脂的玻璃轉變點。封裝片生產實例145重量份的具有7500的環氧當量的雙酚A環氧樹脂(EP1256,由JapanEpoxyResinsCo.,Ltd.製造)、33重量份的具有260的環氧當量的脂環環氧樹脂(EHPE3150,由DaicelChemicalIndustries,Ltd.製造)、22重量份的4-曱基六氫鄰苯二曱酸酐(MH-700,由ShinNihonRikaK.K.製造)以及1.2重量份的2-曱基咪唑(由ShikokuChemicalsCorp.製造)被溶解在曱基乙基酮中以得到50°/。的重量濃度。從而，製備了塗覆樹脂溶液。將獲得的塗覆樹脂溶液施加到雙軸伸長的聚酯膜(厚度50pm;由MitsubishiPolyesterCorp.製造)上以得到100|am的厚度並且在130。C下乾燥兩分鐘以獲得一個基片(30cmxl0cm)。此外，以相同的方式生產三個基片。在IO(TC下利用加熱層壓(laminate)總共四個基片以獲得作為第一層的包括環氧樹脂的厚度為400pm的樹脂片A。通過利用具有5mm的直徑和300的高度的模，將樹脂片A中的每個預定區域在100。C下熱壓IO秒鐘以形成多個孔洞，在樹脂片A中的每個孔洞具有5mm的直徑和300的深度。將非交聯矽樹脂凝膠(KE1052,由Shin-EtsuSilicone製造)注入孔洞中作為第二層，並且允許將此片置於90。C下一小時以獲得集成的(integrated)封裝片A。表1中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例2以與封裝片生產實例l相同的方式獲得集成的(integrated)封裝片B,除了注入矽樹脂漆(siliconevarnish)以取代用於形成第二層的非交聯矽樹脂凝月交之外，該石圭樹脂漆為通過將焚光氮化物(fluorescentnitride)(Sialon)與非交聯矽樹脂凝膠(KE1052,由Shin-EtsuSilicone製造)混合以得到20%的重量濃度而製備的。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例3以與封裝片生產實例1相同的方式獲得作為第一層的包括環氧樹脂的樹脂片A。另一方面，將通過把硼矽氧烷(由NittoDenkoCorp.製造)溶解在曱基異丁基酮中以得到20%的重量濃度而製備的硼^^氧烷漆滴在雙軸伸長的聚酯膜(厚度為50(im，由MitsubishiPolyesterCorp.製造)上,從而以具有5mm的直徑和2mm的高度的點的形式施加該漆。將所施加的漆在IO(TC下乾燥一小時，然後在160。C下乾燥5小時以形成包括作為第二層的硼矽氧烷的樹脂層B。之後，將樹脂片A疊置在樹脂層B上並且將得到的組合在IO(TC下熱壓10秒。從而，獲得集成的封裝片C,其中樹脂片A被壓合到樹脂層B上。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例4以與封裝片生產實例3相同的方式獲得集成的封裝片D,除了使用含焚光物質的硼矽氧烷漆來形成第二層之外，該含焚光物質的硼矽氧烷漆是通過進一步將螢光氮化物(Sialon)加入到硼矽氧烷漆中以得到20%的重量濃度而製備的。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例5通過利用具有5mm的直徑和300iim的高度的模(die)在250。C下對曱基丙烯酸樹脂(PMMA)膜(30cmxlOcmx600pm(厚度)；Clarex，由NittoJushiKogyo製造)進行120秒熱壓以在第一層中形成多個孔洞，其中每個孔洞具有5mm的直徑和300|im的深度。將非交聯矽樹脂凝膠(KE1052，由Shin-EtsuSilicone製造)作為第二層注入到這些孔洞中，並且可以將此片置於90。C下一小時以獲得集成的封裝片E。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例6以與封裝片生產實例l相同的方式獲得作為基片，即，作為第一層的包括環氧樹脂(厚度為1004m)的樹脂片A。另一方面，將非交聯矽樹脂凝膠(KE1052，由Shin畫EtsuSilicone製造)注入到具有30cmxlOcmx300深度)的尺寸的模子(mold)中，將其置於90。C下一小時，然後將其耳又出以獲得具有300pm的厚度的樹脂層B(30cmxlOcm)作為第二層。獲得的樹脂片A和樹脂層B被堆疊並在IO(TC下熱壓IO秒以獲得集成的封裝片F,其中樹脂片A被壓合到樹脂層B上。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例7以與封裝片生產實例l相同的方式獲得作為基片，即，作為第一層的包括環氧樹脂(厚度為100pm)的樹脂片A。另一方面，將熔融的硼矽氧烷(由NittoDenkoCorp.製造)在150。C下注入到具有30cmx10cmx300pm(深度)的模子中，將其冷卻到平常溫度，然後取出以獲得作為第二層的具有300pm的厚度的樹脂層B(30cmx10cm)。獲得的樹脂片A和樹脂層B被堆疊並在IO(TC下熱壓IO秒以獲得集成的封裝片G，其中樹脂片A被壓合到樹脂層B上。表l中示出獲得的片的特性。封裝片生產實例8檢查僅由用在封裝片生產實例1中的樹脂片A構成的片，該片作為封裝片H。表l中示出獲得的片的特性。表1tableseeoriginaldocumentpage14實例1到5以及比4交例1到4隨後，獲得的封裝片被用來生產光學半導體裝置。也就是，以第二層與LED元件接觸的方式，將表2中示出的每個封裝片疊置在其上安裝有表2中示出的LED元件的基板(玻璃纖維環氧樹脂板)上。在表2中示出的溫度下(在0.5MPa)將封裝片壓合到基板,然後在150。C下後固化(post-cured)兩個小時。從而，獲得實例1到5以及比較例1到4的光學半導體裝置。在採用沒有第二層的封裝片的情況下，封裝片被直接疊置在基板上以生產該裝置。利用下面的試驗實例1到3中示出的方法檢查每個獲得的LED裝置的特性。表2中示出獲得的結果。試^r實例1:耐用性使100mA的電流流過實例和比較例的每個LED裝置，在試驗開始之後立即用分光光度計(spectrophotometer)(MCPD隱3700,由OtsukaElectronicsCo.,Ltd.製造)測量裝置的亮度。計算在380nm到780nm波長範圍內的發光強度(luminousintensity)的積分。此後，使裝置保持在電流流過其的狀態下。在300小時的保持之後，以相同的方式檢查該裝置的亮度，利用下面的公式計算衰減速率(attenuationrate)以評估耐用性。判定具有30%或者更低的衰減速率的裝置具有滿意的耐用性。衰減速率(％)=(試驗開始後即刻的亮度-經過300小時之後的亮度)/(試驗開始後即刻的亮度)x100試驗實例2:附著性實例和比較例的每個LED裝置被固定到25。C或者150。C的熱板上。時間過去1分鐘之後，將lkg的負載從裝置的剪切方向加在裝置上以檢查該裝置是否發生基板和封裝片之間的分離。在25。C下被固定之後以及在150。C下被固定之後沒有發生分離的裝置被標註為"A",在25。C下被固定之後沒有發生分離但是在150。C下被固定之後發生分離的裝置被標註為"B",在25。C下被固定之後以及在150。C下被固定之後發生分離的裝置被標註為"C"。試驗實例3:強度將實例和比較例的每個LED裝置設置在120。C的熱板上，在100g的負載下從裝置上方對著裝置推進(push)具有1mm的直徑的針(線)5分鐘以才企查針穿透的程度。針坑(needledepression)小於0.5mm的裝置^皮標註為"A"，針坑為0.5mm或者更大的裝置被標註為"B"。表2tableseeoriginaldocumentpage16以上給出的結果顯示與比較例的LED裝置相比，實例的LED裝置具有較低的衰減速率以及更好的耐光性,並且還具有滿意的附著性和滿意的強度。因此，可以看出實例的LED裝置在LED元件保護和耐用性上是出色的。通過本發明的工藝獲得的光學半導體裝置在LED元件保護和耐用性上是出色的。因此，該裝置適於用在例如液晶面板、交通信號、大的戶外顯示器、戶外廣告牌等的背光中。參考特定的實施例對本發明進行了詳述。然而，對本領域的才支術人員來說是顯然的是，可以在不偏離本發明精神的情況下對本發明進行各種修改和修正。本申請基於在2007年9月3日提交的日本專利申請No.2007-228002並且將其全部內容通過引用的方式合併在此。此外，這裡所引證的所有參考通過引用的方式被合併。權利要求1、一種用於生產光學半導體裝置的工藝，所述工藝包括:設置用於光學半導體元件封裝的片和多個安裝在基板上的光學半導體元件，其中所述片包括樹脂片A和斷續地嵌入所述樹脂片A的多個樹脂層B，使得所述多個光學半導體元件中的每一個面向所述多個樹脂層B中任一個；以及隨後將所述多個光學半導體元件中的每一個嵌入所述多個樹脂層B中任一個。2、如權利要求l所述的工藝，其中所述多個樹脂層B包括有機矽樹脂或雜矽氧烷。3、如權利要求2所述的工藝，其中所述有機矽樹脂是交聯有機矽。4、如權利要求l所述的工藝，其中所述樹脂片A包括環氧樹脂或丙烯酸樹脂。5、在如權利要求1所述的工藝中使用的用於光學半導體元件封裝的片。6、如權利要求5所述的片，其中所述多個樹脂層B包括有機矽樹脂或雜矽氧烷。7、如權利要求6所述的片，其中所述有機矽樹脂是交聯有機矽。8、如權利要求5所述的片，其中所述樹脂片A包括環氧樹脂或丙烯酸樹脂。全文摘要本發明涉及一種用於生產光學半導體裝置的工藝和該工藝中使用的片。該工藝包括設置用於光學半導體元件封裝的片和安裝在基板上的多個光學半導體元件，用於光學半導體元件封裝的片包括樹脂片A和斷續地嵌入樹脂片A的多個樹脂層B，使得多個光學半導體元件中的每一個面對多個樹脂層B；接著，將多個光學半導體元件中的每一個嵌入多個樹脂層B中的任一個。根據本發明的工藝，可以一次性封裝光學半導體元件。結果，能夠容易獲得在LED元件保護和耐用性上出色的光學半導體裝置。從而，獲得的光學半導體裝置具有延長的壽命。文檔編號H01L21/50GK101383295SQ20081021487公開日2009年3月11日申請日期2008年9月3日優先權日2007年9月3日發明者原田憲章,木村龍一,赤澤光治申請人:日東電工株式會社