一種電阻型存儲器及其製備方法
2023-10-25 01:34:37
專利名稱：一種電阻型存儲器及其製備方法
技術領域：
本發明屬於存儲器技術領域,具體涉及電阻型存儲器(Resistive Memory),尤其涉及選擇一種金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值較大的金屬、以在該金屬氮化物層與下電極氧化物層之間形成一層金屬氮氧化物的電阻型存儲器及其製備方法。
背景技術：
存儲器在半導體市場中佔有重要的地位，由於可攜式電子設備的不斷普及，不揮發存儲器在整個存儲器市場中的份額也越來越大，其中90%以上的份額被FLASH(快閃記憶體)佔據。但是由於存儲電荷的要求，FLASH的浮柵不能隨技術代發展無限制減薄，有報導預測FLASH技術的極限在20nm左右，這就迫使人們尋找性能更為優越的下一代不揮發存儲器。最近電阻型轉換存儲器件(Resistive Switching Memory)因為其高密度、低成本、可突破 技術代發展限制的特點引起高度關注，所使用的材料有相變材料、摻雜的SrZrO3、鐵電材料PbZrTiO3、鐵磁材料PivxCaxMnO3、二元金屬氧化物材料、以及有機材料等。電阻型存儲器(Resistive Memory)是通過電信號的作用、使存儲介質在高電阻狀態(High Resistance State, HRS)和低電阻狀態(Low Resistance State, LRS)之間可逆轉換，從而實現存儲功能。電阻型存儲器使用的存儲介質材料可以是各種半導體二元金屬氧化物材料，例如，氧化銅、氧化鈦或者氧化鎢等。但是，電阻型存儲器在推向於實際工業化應用時，其也存在各種各樣的問題，例如，初始電阻低，低阻態電阻小，可擦寫次數少，以及數據保持能力差等缺點。以下以基於W0X(1 < χ彡3)的電阻型存儲器為例進行說明。圖I所示為現有技術WOx電阻型存儲器的結構示意圖。如圖I所示，WOx電阻型存儲器是集成於鋁互連後端結構的鎢栓塞上，其中(a)為WOx電阻型存儲器的結構示意圖，(b)為WOx存儲介質層部分的SEM圖。WOx電阻型存儲器的下電極(BE)為鋁互連後端結構的某一層鋁線，上電極(TE)為鋁互連後端結構的另一層鋁線，上電極和下電極之間通過鎢栓塞(W-plug)連接，通過對鎢栓塞的頂端氧化形成WOx存儲介質層。從圖1(b)中可以看出，WOx存儲介質層為梯度分布的氧化物(Graded oxide) ,WOx存儲介質層與上電極直接接觸。為節約成本,通常直接以招互連的鋁線作為上電極，而鋁線一般是由TiN的擴散阻擋層經過測試，圖I所示的WOx電阻型存儲器的存儲性能具有以下缺點(I)初始電阻低；(2)低阻態低，高低阻窗口小；(3)可擦寫次數少；(4)數據保持能力差。
發明內容
本發明的目的在於，提高電阻型存儲器的存儲性能。為實現以上目的或者其他目的，本發明提供以下技術方案。按照本發明的一個方面，提供一種電阻型存儲器，其上電極、下電極、以及置於所述上電極和下電極之間的存儲介質層；其特徵在於，所述存儲介質層包括基於第二金屬材料的金屬氧化物層和基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層；所述第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於所述第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值，所述金屬氮氧化物層通過基於所述第一金屬材料的金屬氮化物層在接觸所述第二金屬材料的金屬氧化物的界面處被部分地氧化形成。按照本發明提供的較佳實施方式，其中，所述金屬氮氧化物層通過所述金屬氮化物層與所述基於第二金屬材料的氧化物層接觸後熱處理自形成。其中，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物層通過含氧氣氛中氧化、或者通過氧等離子體下氧化、或者通過離子注入方法氧化。按照本發明提供的一實施方式，其中，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物層為WOx，其中I < χ≤3。較佳地，所述基於第一金屬材料的金屬氮氧化物為A10xNy、Ta0aNb、Hf0aNb、Zr0aNb或TiOaNb，其中 O < χ ≤ I. 5，0 < y ≤ I ;其中 O < a ≤ 2，O < b ≤ I. 3。較佳地，所述基於第一金屬材料的金屬氮化物層為鋁的氮化物、鉭的氮化物、鉿的氮化物、鋯的氮化物或者鈦的氮化物。所述基於第一金屬材料的金屬氮化物通過第一金屬在氮氣氛圍下派射形成。較佳地，所述下電極為第二金屬材料，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物通過對所述下電極自對準氧化形成。具體地，所述第二金屬材料可以為W，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物為W0X，其中I < X≤3。所述上電極可以為鉭、鉿、鋯、鈦或者鋁。按照本發明提供的又一實施方式，其中，所述第二金屬材料為Cu，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物為CuxO，其中I < χ < 2。具體地，所述上電極可以為鉭、鉿、鋯、鈦、鎢、鋁、鐵、錳、鎳或者鈷。優選地，所述金屬氮氧化物層的厚度範圍為O. 4納米至10納米。按照本發明提供的較佳實施方式，其中，其特徵在於，所述電阻型存儲器集成於鋁互連後端結構的鶴檢塞上，所述下電極為所述鶴檢塞。按照本發明提供的又一較佳實施方式，其中，所述電阻型存儲器集成於銅互連後端結構的銅引線或者通孔上，所述下電極分別對應為所述銅引線或者所述通孔。按照本發明的又一方面，提供一種製備以上所述及的電阻型存儲器的方法，其包括以下步驟(I)構圖形成下電極；(2)在所述下電極上形成基於第二金屬材料的金屬氧化物層；(3)在所述金屬氧化物層上沉積形成基於第一金屬材料的金屬氮化物層；所述第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於所述第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值；(4)在所述金屬氮化物層上沉積形成上電極；以及(5)退火以使所述金屬氮化物層在接觸於所述第二金屬氧化物的界面處被部分地氧化形成基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層。按照本發明提供的方法的一實施方式，其中，所述下電極為鋁互連後端結構中的鎢栓塞，所述第二金屬材料為鎢，所述金屬氧化物層為WOx，其中I < X彡3。
所述上電極可以為鉭、鉿、鋯、鈦或者鋁。按照本發明提供的方法的又一實施方式，其中，所述下電極為銅互連後端結構中的銅引線或者通孔，所述第二金屬材料為銅，所述金屬氧化物存儲介質層為CuxO，其中I< χ ^ 2ο所述上電極可以為鉭、鉿、鋯、鈦、鎢、鋁、鐵、錳、鎳或者鈷。本發明的技術效果是，通過設置基於第一金屬的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於基於第二金屬的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值，從而可以在一定條件下(例如退火)，在所述第一金屬氮化物和所述第二金屬氧化物的交界處形成一薄層基於第一金屬的金屬氮氧化物層，該金屬氮氧化物層具有充足捕獲電子的缺陷，從而能使該電阻型存儲器具有擦寫次數多、初始電阻及開態電阻(低阻態)高、高低阻窗口大、以及數據保持能力好的優點，大大提高了電阻型存儲器的存儲器性能。並且，該電阻型存儲器的製備方法相對 簡單。
圖I是現有技術WOx電阻型存儲器的結構示意圖；圖2是按照本發明提供的第一實施例的電阻型存儲器的結構示意圖；圖3是按照本發明提供的第二實施例的電阻型存儲器的結構示意圖；圖4是圖2所示實施例的電阻型存儲器集成於銅互連後端結構的示意圖；圖5是圖2所示實施例的電阻型存儲器集成於鋁互連後端結構的示意圖；圖6是製備圖2所示實施例電阻型存儲器的方法流程示意圖。
具體實施例方式在下文中結合圖示在參考實施例中更完全地描述本發明，本發明提供優選實施例，但不應該被認為僅限於在此闡述的實施例。在圖中，為了清楚放大了層和區域的厚度，但作為示意圖不應該被認為嚴格反映了幾何尺寸的比例關係。在此參考圖是本發明的理想化實施例的示意圖，本發明所示的實施例不應該被認為僅限於圖中所示的區域的特定形狀，而是包括所得到的形狀，比如製造引起的偏差。例如幹法刻蝕得到的曲線通常具有彎曲或圓潤的特點，但在本發明實施例圖示中，均以矩形表示，圖中的表示是示意性的，但這不應該被認為限制本發明的範圍。圖2所示為按照本發明提供的第一實施例的電阻型存儲器的結構示意圖。如圖2所示，該發明的電阻型存儲器同樣包括下電極10、存儲介質層和上電極40。其中，下電極10 一般為金屬材料，存儲介質層包括金屬氧化物層20和基於第一金屬的氮化物層30的金屬氮氧化物層31，例如，金屬氧化物層20可以為氧化銅、氧化鎢、氧化鈦或者氧化鋯等二元金屬氧化物，但具體的金屬氧化物材料種類不受本發明實施例限制。金屬氧化物層20 —般是基於某一金屬材料氧化形成，因此，金屬氧化物層20可以是對下電極10氧化形成，例如，當下電極為W或Cu時，對下電極氧化分別形成氧化鎢或者氧化銅的金屬氧化物層。在該發明中，第一金屬氮化物層30可以不限於通過第一金屬在氮氣氛圍下濺射形成，且該第一金屬對應的金屬氧化物的吉布斯(Gibbs)自由能絕對值大於金屬氧化物層20的吉布斯自由能絕對值，例如，在金屬氧化物層20為WOx時，第一金屬氮化物層30可以為鋁的氮化物、鉭的氮化物、鉿的氮化物、鋯的氮化物或者鈦的氮化物等(鋁的氧化物、鉭的氧化物、鉿的氧化物、鋯的氧化物或者鈦的氧化物的Gibbs自由能絕對值大於WOJA Gibbs自由能絕對值)。因此，根據化學反應的基本原理，當第一金屬的氮化物層30與金屬氧化物層20接觸時，在一定條件下，在第一金屬的氮化物層30接觸於金屬氧化物層20的界面處，金屬氧化物層20中的部分氧逃逸至第一金屬的氮化物層30表面，與第一金屬的氮化物層30生成基於第一金屬材料的金屬氮氧化物，其簡稱為金屬氮氧化物層31。例如,金屬氧化物層20為WOx、第一金屬的氮化物層30為氮化鋁時(即第一金屬為鋁的實例中)，在一定溫度的(例如300°C -400°C )退火條件下，WOx與氮化鋁的接觸界面處會形成較薄的氮氧化鋁介質層。具體地，金屬氮氧化物層31的厚度可以為幾個原子層數量級，其範圍約為O. 4納米至10納米。之後在第一金屬的氮化物層30上形成上電極40。由於金屬氮氧化物層31的存在，首先，其在後續的擦寫過程中能有效地改變捕獲電子的缺陷狀態，從而可以提高該電阻型存儲器的擦寫次數；另外，該金屬氮氧化物層31是形成於金屬氧化物層20之上，因此能大大增大電阻型存儲器的串聯電阻，從而能增大電阻型存儲器的初始電阻以及開態電阻(即低阻態電阻)；再者，金屬氮氧化物層31的吉布 斯自由能絕對值大，與氧結合能力強，能限制氧的擴散，從而，電阻型存儲器在存儲數據時，能抑制從開態到關態、或從關態到開態的轉換，提高數據保持能力。該發明中，金屬氮氧化物層31不是通過額外的成膜工藝形成，而是利用兩種金屬氧化物的吉布斯自由能的差異自動形成，因此，製備方法也相對簡單。圖3所示為按照本發明提供的第二實施例的電阻型存儲器的結構示意圖。在該實施例中，本發明的電阻型存儲器是形成於鎢栓塞上，因此，基於第二金屬材料的金屬氧化物是通過對鎢氧化形成的WOx(即第二金屬材料為W的實例)，其中，O < X < 3。如圖3所示，電阻型存儲器的下電極鎢栓塞110形成於鋁互連結構中的鋁線100之上。鎢栓塞110和鋁線100都是形成於鋁互連後端結構的層間介質層150中。金屬氧化物層120通過對鎢栓塞110頂端氧化形成WOx，氧化的方法可以為等離子氧化、熱氧化或者離子注入氧化等，具體的氧化方法不是限制性的。在鎢栓塞Iio上沉積形成基於第一金屬的金屬氮化物層130，其對應的第一金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值相對大於氧化鎢(第二金屬氧化物)的吉布斯自由能絕對值，例如，第一金屬的氮化物130為氮化鋁，其未在鋁互連後端結構中引入新的材料，在工藝上，相對易於控制，風險小。由於氧化鋁的吉布斯自由能絕對值大於氧化鎢的吉布斯自由能絕對值，因此，WOxI表層的部分氧在一定條件下(例如退火)會逃逸至上電極的下表面，從而在第一金屬的氮化物130與WOx的交界處形成薄層AlOxNy (其中O
<χ ^ I. 5,0 < y ^ I),也即第一金屬的氮氧化物層131。第一金屬的氮氧化物層131同樣可以實現圖2所示實施例的第一金屬氮氧化物層31的功能，因此，該實施例的電阻型存儲器具有擦寫次數多、初始電阻與開態電阻高以及數據保持能力好的優點。在第一金屬氮化物層130之上覆蓋另一層鋁線，該層鋁線作為上電極，因此，140可以為鋁線的TiN/Al/TiN層。圖4所示為圖2所示實施例的電阻型存儲器集成於銅互連後端結構的示意圖。如圖4所示，電阻型存儲器形成於第一層銅引線210上，銅引線210構圖形成於介質層250中。通過構圖刻蝕蓋帽層251打開銅引線210，然後氧化形成基於金屬Cu的金屬氧化物層220，該實施例中，金屬氧化物層220為CuxO，其中I < χ < 2。由於是對銅引線直接氧化形成(而不是金屬氧化物薄膜沉積的方法形成，例如，物理氣相沉積)，金屬氧化物層220同樣為梯度分布的氧化物。第一金屬的氮化物層230可選擇為鋁的氮化物、鉭的氮化物、鉿的氮化物、鋯的氮化物或者鈦的氮化物等金屬氮化物。在第一金屬的氮化物層230上形成上電極240，可以是鉭、鉿、鋯、鈦、鎢、鋁、鐵、錳、鎳或者鈷等金屬材料。第一金屬對應的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於氧化銅的吉布斯自由能絕對值，因此，通過在一定溫度(例如250°C )退火後，第一金屬的氮化物層230與金屬氧化物層220交界處，形成第一金屬的氮氧化物層231,例如,第一金屬為Ti時,第一金屬的氮化物230為氮化鈦,第一金屬的氮氧化物層231為TiOaNb，其中O < a彡2，0 < b彡I. 3。進一步，上電極240上繼續形成通孔260。需要說明的是，電阻型存儲器還可以形成於銅互連後端結構的通孔上，例如形成於通孔的頂端。另外，電阻型存儲器還可以形成於不同層的銅互連後端結構的銅引線或者通孔上。圖5所示為圖2所示實施例的電阻型存儲器集成於鋁互連後端結構的示意圖。如 圖5所示，電阻型存儲器形成於層間介質層350的鎢栓塞310上。通過對鎢栓塞310的頂端氧化，形成基於金屬鎢的金屬氧化物層320，該實施例中，金屬氧化物層320為WOx，其中I
<χ < 3。第一金屬的氮化物330可選擇為鋁的氮化物、鉭的氮化物、鉿的氮化物、鋯的氮化物或者鈦的氮化物等金屬氮化物。第一金屬的氮化物330對應金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於氧化鎢的吉布斯自由能絕對值，因此，通過在一定溫度(例如350°C)退火後，第一金屬的氮化物330與金屬氧化物層320交界處，形成第一金屬的氮氧化物331。進一步，鋁互連線340直接作為該電阻型存儲器的上電極。需要說明的是，電阻型存儲器還可以形成於不同層的鋁互連後端結構的鎢栓塞上。圖6所示為製備圖2所示實施例電阻型存儲器的方法流程示意圖。結合圖2和圖6所示，對本發明的電阻型存儲器的製備方法進行說明。步驟S10，構圖形成下電極10。在該步驟中，例如可以通過物理氣相沉積(PVD)的方法沉積下電極薄膜金屬材料，下電極10的構圖可以通過光刻工藝方法實現。另外，當下電極為銅互連後端結構的銅引線或通孔、或者為鋁互連後端結構的鎢栓塞時，下電極10的形成方法基本與現有現有技術中銅互連後端結構的銅引線或通孔、鋁互連後端結構的鎢栓塞的形成方法相同。步驟S20，在下電極上形成基於第二金屬材料的金屬氧化物層20。在該步驟中，可以通過自對準氧化的方法形成(即對下電極直接氧化形成)金屬氧化物層20，也可以金屬氧化物薄膜沉積的方法形成。優選地，採用自對準氧化的方法形成。氧化的方法可以為(I) 一定溫度的含氧氣體中氧化(2)高溫氧等離子體下氧化(3)氧離子注入的方法氧化。具體氧化的方法不是限制性的。金屬氧化物層20的厚度範圍可以為2-100nm。在該實施例中，下電極10選擇為第二金屬材料。步驟S30，在金屬氧化物層20上沉積形成基於第一金屬材料的金屬氮化物30，第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值。步驟S40，在第一金屬的氮化物30上沉積形成上電極40。
當本發明電阻型存儲器基於鋁互連後端工藝製備，則上電極40可以選擇為鉭、鉿、鋯、鈦或者鋁等金屬；當本發明電阻型存儲器基於銅互連後端工藝製備，則上電極40可以選擇為組、給、錯、欽、鶴、招、鐵、猛、鎮或者鑽等金屬。步驟S50，退火以使所述金屬氮化物層30在接觸於所述第二金屬的氧化物層20的界面處、被部分氧化形成基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層31。在該步驟中，通常選擇在惰性氣體(例如氬氣)氣氛中退火，退火的溫度可以為100°C至400°C，退火時間可以為I分鐘至30分鐘。基於第一金屬材料的金屬氮氧化層31的厚度為O. 4納米至10納米，其厚度與退火的時間以及溫度有關。至此，圖2所示實施例的電阻型存儲器製備完成。其製備方法，相對簡單，基於第一金屬材料的金屬氮氧化層不需要另外構圖沉積形成，而是利用第二金屬氧化物層中的氧元素，自對準的方式形成。以上例子主要說明了本發明的電阻型存儲器及其製備方法。儘管只對其中一些本 發明的實施方式進行了描述，但是本領域普通技術人員應當了解，本發明可以在不偏離其主旨與範圍內以許多其他的形式實施。因此，所展示的例子與實施方式被視為示意性的而非限制性的，在不脫離如所附各權利要求所定義的本發明精神及範圍的情況下，本發明可能涵蓋各種的修改與替換。
權利要求
1.一種電阻型存儲器，包括上電極、下電極、以及置於上電極和下電極之間的存儲介質層；其特徵在於，所述存儲介質層包括基於第二金屬材料的金屬氧化物層和基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層；所述第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於所述第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值，所述金屬氮氧化物層通過基於所述第一金屬材料的金屬氮化物層在接觸所述第二金屬材料的金屬氧化物的界面處被部分地氧化形成。
2.如權利要求I所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述金屬氮氧化物層通過所述金屬氮化物層與所述基於第二金屬材料的氧化物層接觸後熱處理自形成。
3.如權利要求I所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述基於第一金屬材料的金屬氮氧化物為 A10xNy、TaOaNb > HfOaNb > ZrOaNb 或 TiOaNb,其中 0<x 彡 1.5，0<y<l ;其中 O<a ^ 2,0 < b ^ I. 3o
4.如權利要求I或3所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述基於第一金屬材料的金屬氮化物層為鋁的氮化物、鉭的氮化物、鉿的氮化物、鋯的氮化物或者鈦的氮化物。
5.如權利要求4所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述基於第一金屬材料的金屬氮化物通過第一金屬在氮氣氛圍下濺射形成。
6.如權利要求I所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述下電極為第二金屬材料，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物通過對所述下電極自對準氧化形成。
7.如權利要求6所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物通過含氧氣氛中氧化、或者通過氧等離子體下氧化、或者通過離子注入方法氧化。
8.如權利要求I所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述第二金屬材料為鎢，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物為WOx，其中I < χ < 3。
9.如權利要求8所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述上電極為鉭、鉿、鋯、鈦或者招。
10.如權利要求I所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述第二金屬材料為銅，所述基於第二金屬材料的金屬氧化物為CuxO，其中I < X < 2。
11.如權利要求10所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述上電極為鉭、鉿、鋯、鈦、鎢、招、鐵、猛、鎳或者鈷。
12.如權利要求I或2或3所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述金屬氮氧化物層的厚度範圍為O. 4納米至10納米。
13.如權利要求I或2或3或8所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述電阻型存儲器集成於招互連或銅互連後端結構的鶴檢塞上，所述下電極為所述鶴檢塞。
14.如權利要求I或2或3或10所述的電阻型存儲器，其特徵在於，所述電阻型存儲器集成於銅互連後端結構的銅引線或者通孔上，所述下電極分別對應為所述銅引線或者所述通孔。
15.一種製備如權利要求I所述電阻型存儲器的方法，其特徵在於，包括以下步驟 (1)構圖形成下電極； (2)在所述下電極上形成基於第二金屬材料的金屬氧化物層； (3)在所述金屬氧化物層上沉積形成基於第一金屬材料的金屬氮化物層；所述第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於所述第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值； (4)在所述金屬氮化物層上沉積形成上電極；以及 (5)退火以使所述金屬氮化物層在接觸於所述第二金屬氧化物的界面處被部分地氧化形成基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層。
16.如權利要求15所述的方法，其特徵在於，所述下電極為鋁互連後端結構中的鎢栓塞，所述第二金屬材料為鎢，所述金屬氧化物為WOx，其中I < χ < 3。
17.如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述上電極為鉭、鉿、鋯、鈦或者鋁。
18.如權利要求15所述的方法，其特徵在於，所述下電極為銅互連後端結構中的銅引線或者通孔，所述第二金屬材料為銅，所述金屬氧化物存儲介質層為CuxO，其中I < χ < 2。
19.如權利要求18所述的方法，其特徵在於，所述上電極為鉭、鉿、鋯、鈦、鎢、鋁、鐵、猛、鎳或者鈷。
全文摘要
本發明屬存儲器技術領域，提供了一種電阻型存儲器及其製備方法，該電阻型存儲器包括下電極、上電極以及置於上、下電極間的存儲介質層，該存儲介質層包括基於第二金屬材料的金屬氧化物層和基於第一金屬材料的金屬氮氧化物層，基於第一金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值大於基於第二金屬材料的金屬氧化物的吉布斯自由能絕對值，金屬氮氧化物層通過基於第一金屬材料的金屬氮化物層在接觸基於第二金屬材料的金屬氧化物層的界面處被部分地氧化形成。該電阻型儲器具有擦寫次數多、初始電阻以及開態電阻高、高低阻窗口大、以及數據保持能力好的優點，能明顯提高電阻型存儲器的存儲性能，且其製備方法相對簡單。
文檔編號H01L45/00GK102867911SQ20111018926
公開日2013年1月9日 申請日期2011年7月7日 優先權日2011年7月7日
發明者林殷茵, 劉易, 宋雅麗 申請人:復旦大學