射地－基地連接的放大電路以及使用該電路的通信裝置的製作方法
2023-10-08 21:59:09 5
專利名稱：射地－基地連接的放大電路以及使用該電路的通信裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種將多個電晶體連續連接(射地-基地(cascode)連接)的射地-基地連接的放大電路以及使用該電路的通信裝置(例如，通信終端)。
背景技術：
近年，在放大電路以及可變增益放大電路中大多使用高頻特性好的射地-基地連接放大電路。圖19是在專利文獻1(日本公開特許公報特開平10-308634號公報)中記載的射地-基地連接放大電路。圖19的電路如此構成設置有發射極接地雙極型電晶體1903，由基極端子從輸入端子1901接收輸入電壓；場效應電晶體1904，與雙極型電晶體1903進行射地-基地連接，其柵極端子與偏置電源1905相連；輸出端子1902，從該場效應電晶體1904的漏極端子提取輸出信號。
通常，射地-基地連接放大電路與發射極接地放大電路相比，其高頻特性更好。在發射極接地放大電路中，輸入電容器Ci是基極-發射極間電容器Cbe和將放大率設為Av時，由於鏡象效果而被放大(Av+1)倍的基極-集電極間電容器Cbc之和。但是，射地-基地連接電路中，由於發射極接地電晶體的放大率Av為0，因此輸入電容器Ci變為Cbe與Cbc之和，由於沒有受到鏡象效果的影響，頻率特性比較好。
上述射地-基地連接放大電路中，停止電路動作(放大動作)時，通過電流等來控制發射極接地雙極型電晶體1903的基極端子，通過停止發射極接地雙極型電晶體1903的動作，實際上停止放大電路的動作。
使用圖19的現有技術的電路來說明一般的射地-基地連接放大電路的動作。通過改變流過雙極型電晶體1903基極端子的電流量，改變集電極電流量從而調整增益。為停止射地-基地連接放大電路的放大動作，通過使流過發射極接地的雙極型電晶體1903基極端子的電流量減小，使雙極型電晶體1903基極發射極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓來停止其動作。
以下的說明中，將電晶體動作過程表現為電晶體導通，電晶體動作停止表現為電晶體截止。
發射極接地雙極型電晶體1903截止，雙極型電晶體1903的集電極端子的電位上升。發射極接地雙極型電晶體1903的集電極端子與柵極接地的場效應電晶體1904的源極端子相連，因此，雙極型電晶體1903的集電極端子與柵極接地的場效應電晶體1904的源極端子具有相同的電位。即，發射極接地雙極型電晶體1903截止，柵極接地的場效應電晶體1904的源極端子電位也上升。柵極接地的場效應電晶體1904的源極端子的電位上升時，柵極接地場效應電晶體1904的柵極源極間的電壓不到電晶體的閥值電壓，柵極接地場效應電晶體1904截止。
但是，在發射極接地雙極型電晶體1903的輸入端子上輸入較大的輸入信號時，通過該信號功率，發射極接地雙極型電晶體1903暫時導通，雙極型電晶體1903的集電極端子電位下降，與之相隨，柵極接地的場效應電晶體1904的柵極源極間的電壓變為大於電晶體閥值電壓，柵極接地場效應電晶體1904導通。由此，原本應截止的射地-基地連接放大電路暫時導通，產生了難以充分隔離的問題。
另外，如同可變增益放大電路等那樣，在將上述射地-基地連接放大電路變為多級的情況下，會產生下列問題。將圖19的電路變為多級時，例如變為圖20中的電路那樣。即使為了使第一級射地-基地連接放大電路停止，而停止發射極接地雙極型電晶體2003的動作，由於柵極接地場效應電晶體2004其柵極端子上一直施加電壓，從而影響第2級射地-基地連接放大電路的動作狀態。第一級電路為動作狀態，第2級電路為非動作狀態的情況下也存在同樣的問題。即，產生來自各個放大級的信號洩漏，其結果，存在所謂的增益抑制度以及線性度變差的問題。
發明內容
本發明其目的在於提供一種射地-基地的連接放大電路以及使用該電路的通信裝置，可以更確實地停止射地-基地連接的放大電路的工作狀態，另外，即使在多級連接的情況下，不會受到來自動作停止的其它級的影響，其結果，增益抑制度以及線性度都較好。
為了解決上述問題，本發明涉及的射地-基地連接放大電路，是在將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接的放大電路中，發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時，控制基極接地雙極型電晶體的基極電流，或柵極接地場效應電晶體的柵極電壓，以便基極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體不工作。
根據上述結構，基極-發射機間的電壓變為大於電晶體的閥值電壓時，雙極型電晶體工作，在柵極-源極間的電壓大於電晶體閥值電壓時，場效應電晶體工作。因此，本發明中，所謂電晶體工作是指在雙極型電晶體的基極-發射極間或場效應電晶體的柵極-源極之間施加大於閥值電壓的電壓，反之，電晶體不工作意味著施加了小於閥值電壓的電壓。
從而，上述結構中，發射極接地的雙極型電晶體或源極接地的場效應電晶體不工作時，通過控制基極接地的雙極型電晶體的基極電流，或柵極接地的場效應電晶體的柵極電壓，可以停止基極接地的雙極型電晶體，或柵極接地的場效應電晶體的動作。
此外，為了解決上述問題，本發明的射地-基地連接放大電路，其特徵在於具有第1電晶體，在其控制端子輸入信號時，其一個導通端接地；與該第1電晶體進行射地-基地連接的第2電晶體；電晶體控制電路，響應上述第1電晶體導通端子間的導通狀態，控制流過第2電晶體控制端子的電流或施加在其上的電壓。
根據上述結構，例如，響應第1電晶體的集電極、發射極之間或源極-漏極之間的導通、不導通(第1電晶體的ON/OFF)，可以正確地控制第2電晶體的工作狀態，從而實現沒有信號洩漏等的、並且充分確保隔離的射地-基地連接放大電路。
圖1是本發明第1實施方式中射地-基地連接放大電路的電路圖。
圖2是上述第1實施方式中射地-基地連接放大電路的另一種電路圖。
圖3是上述第1實施方式中射地-基地連接放大電路的又一種電路圖。
圖4是上述第1實施方式中射地-基地連接放大電路的再一種電路圖。
圖5是本發明第2實施方式中射地-基地連接放大電路的電路圖。
圖6是上述第2實施方式中射地-基地連接放大電路的另一種電路圖。
圖7是上述第2實施方式中射地-基地連接放大電路的又一種電路圖。
圖8是上述第2實施方式中射地-基地連接放大電路的再一種電路圖。
圖9是本發明第3實施方式中射地-基地連接放大電路的電路圖。
圖10是本發明第4實施方式中射地-基地連接放大電路的電路圖。
圖11是本發明第4實施方式中為射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體提供電流的控制電路的電路圖。
圖12是本發明第4實施方式中為射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體的柵極端子提供電壓的控制電路的電路圖。
圖13是本發明第4實施方式中為射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體提供電流的控制電路的另一種電路圖。
圖14是本發明第4實施方式中為射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體的柵極端子提供電壓的控制電路的另一種電路圖。
圖15(a)是表示流過圖10電路圖中雙極型電晶體基極端子的電流變化的曲線圖，圖15(b)是表示施加在圖10電路圖中場效應電晶體柵極端子上的電壓變化的曲線圖。
圖16(a)是表示流過圖10電路圖中雙極型電晶體基極端子的電流變化的曲線圖，圖16(b)是表示施加在圖10電路圖中場效應電晶體柵極端子上的電壓變化的曲線圖，是說明工作過程中射地-基地連接放大電路的切換過程的圖。
圖17(a)是表示流過圖10電路圖中雙極型電晶體基極端子的電流變化的曲線圖，圖17(b)是表示施加在圖10電路圖中場效應電晶體柵極端子上的電壓變化的曲線圖，是說明工作過程中射地-基地連接放大電路的切換過程的其它實例圖。
圖18是本發明涉及的便攜終端的框圖。
圖19是現有技術的射地-基地連接放大電路的電路圖。
圖20是將現有技術的射地-基地連接放大電路進行多級化的電路圖。
具體實施例方式
下面根據圖1到圖18來說明本發明的各種實施方式。即，參照附圖來說明本發明的各種形式。另外，本發明的第2實施方式之後，對圖中記載的具有與第1實施方式相同功能的部件附加相同的參考標記，並省略對其的說明。
(第1實施方式)圖1中表示了本發明第1實施方式的電路圖。圖1是射地-基地連接放大電路，其中將發射極(導通端子)接地雙極型電晶體131(第1電晶體)的集電極端子與基極接地雙極型電晶體132(第2電晶體)的發射極端子相連。通過控制電路111，控制雙極型電晶體131的基極電流。電阻151用於阻止通向控制電路(控制單元)111的交流成分。電容器161用於阻止通向輸入端子101的直流成分。
通過控制電路112(電晶體控制電路)，控制雙極型電晶體132的基極電流，通過電容器162使雙極型電晶體132的基極端子交流接地。另外，在控制電路112的輸出電阻十分低的情況下，可省略電容器162。雙極型電晶體132的集電極端子與輸出端子相連，並且通過電阻152與電源103相連。
本發明通過控制電路111控制發射極接地雙極型電晶體131的基極電流，從而使發射極接地雙極型電晶體131截止。此時，通過控制電路112控制基極接地雙極型電晶體132(第2電晶體)的基極電流，使基極接地雙極型電晶體132截止。
通過控制電路111減少發射極接地雙極型電晶體131的基極電流，當發射極接地雙極型電晶體131的基極-發射極間的電壓小於電晶體閥值電壓，發射極接地雙極型電晶體截止時，通過控制電路112減少基極接地雙極型電晶體132的基極電流。當發射極接地雙極型電晶體131的基極-發射極間的電壓大於電晶體閥值電壓，發射極接地雙極型電晶體131導通時，通過使施加在基極接地雙極型電晶體132的基極端子的電壓小於電晶體閥值電壓，可以使基極接地雙極型電晶體132截止。
由此，可以停止射地-基地連接放大電路的工作。
特別地，如果將施加在基極接地雙極型電晶體132基極端子上的電壓設定為小於該電晶體的閥值電壓，則發射極接地雙極型電晶體131暫時導通，即使雙極型電晶體131的集電極端子的電位，即基極接地雙極型電晶體132的發射極端子電位變為接近於0V，基極接地雙極型電晶體132不導通，也可以防止隔離情況變壞。
進一步，如果施加在基極接地雙極型電晶體132的基極端子的電壓低於電晶體的閥值電壓，則基極-發射極間電容器量變小，可以得到更加高的隔離效果。
圖1的電路中，發射極接地雙極型電晶體131截止時，即使瞬間在發射極接地雙極型電晶體131上輸入大的輸入信號的情況下，通過控制電路112使施加在基極接地雙極型電晶體132的基極端子上的電壓變得非常小，由於基極接地雙極型電晶體不導通，從而不會出現射地-基地連接放大電路暫時停止工作。
圖1中，由發射極接地雙極型電晶體131和基極接地雙極型電晶體132形成射地-基地連接放大電路，但是，在圖2、圖3以及圖4這樣不同電路形式的射地-基地連接放大電路中也具有相同的效果。圖2、圖3以及圖4中省略了圖1中的電阻152和電源103。
圖2是連接發射極接地雙極型電晶體231和柵極接地場效應電晶體232所形成的射地-基地連接放大電路。圖3是連接源極接地場效應電晶體331和柵極接地場效應電晶體332所形成的射地-基地連接放大電路。圖4是連接源極接地場效應電晶體431和基極接地雙極型電晶體432所形成的射地-基地連接放大電路。
圖1至圖4中，通過控制電路111以及控制電路112，場效應電晶體可以電壓進行控制。另外，雙極型電晶體可以電壓或電流進行控制。
如果使用圖2、圖3以及圖4的射地-基地連接放大電路，由於使用了柵極接地或源極接地的場效應電晶體，可用電壓來控制場效應電晶體，從而能夠減小消耗電流，使低功率成為可能。另外，如集成電路那樣，在不能加大電源電壓的情況下，雖然雙極型電晶體中會引起所謂基極電位和集電極電位反向的問題，但是通過使用場效應電晶體不會存在這樣的問題，可以穩定電路特性，即使由於製造偏差，電源電壓變小的情況下，也難於受到影響。特別地，如果使用圖2的射地-基地連接放大電路，使用發射極接地的雙極型電晶體231，可以增大放大率，這是最希望的。
(第2實施方式)圖5示出了本發明第2實施方式的電路圖。圖5其特徵在於，存在2個射地-基地連接放大電路，一個是由發射極接地雙極型電晶體531和柵極接地場效應電晶體532所形成的射地-基地連接放大電路，另一個是由發射極接地雙極型電晶體533和柵極接地場效應電晶體534所形成的射地-基地連接放大電路，柵極接地場效應電晶體532與場效應電晶體534的各個漏極端子相連。
以下說明中，將由圖中記載的電晶體Q1a(第1電晶體)和電晶體Q1b(第2電晶體)形成的射地-基地連接放大電路定義為第1級射地-基地連接放大電路，由電晶體Q2a和電晶體Q2b形成的射地-基地連接放大電路定義為第2級射地-基地連接放大電路，由電晶體Qxa和電晶體Qxb形成的射地-基地連接放大電路定義為第x級射地-基地連接放大電路，x定義為整數。
增益可變幅度、線性可變幅度等放大電路各種特性的可變範圍變寬時，在一級放大電路中難於控制整個範圍，有必要連接衰減器以及多個放大電路從而擴大控制範圍。
因此，像圖5那樣，通過連接柵極接地場效應電晶體532和柵極接地場效應電晶體534的各個漏極端子，可以實現放大電路多級化。這裡，所謂線性化是指被稱為IIP3的3次輸入截斷點。
作為本發明的一個比較例子，示出了圖6的電路。圖6是將現有技術的射地-基地連接放大電路進行多級化形成的電路。圖6中分別連接柵極接地場效應電晶體632和柵極接地場效應電晶體634的漏極端子，將射地-基地連接放大電路多級化，分別使用電阻651、電阻652以及電阻653、電阻654，將恆定電壓提供給柵極接地場效應電晶體632和柵極接地場效應電晶體634的柵極端子。
但是，在多級連接的放大電路中，希望特定放大電路工作的情況下，例如，第1級射地-基地連接放大電路不工作，而希望第2級射地-基地連接放大電路工作的情況下，從第1級射地-基地連接放大電路向第2級射地-基地連接放大電路洩漏信號，不會抑制增益使線性化變差。
因此，如同本發明圖5那樣的電路形式那樣，在第1級射地-基地連接放大電路不工作，而希望第2級射地-基地連接放大電路工作的情況下，由控制電路511用電流控制發射極接地雙極型電晶體531的基極端子，在雙極型電晶體531截止時，由控制電路512用電壓控制柵極接地場效應電晶體532的柵極端子，使其小於電晶體的閥值電壓，可以使柵極接地場效應電晶體532截止，因此能夠比較確實地停止第1級射地-基地連接放大電路的動作。
比較確實地停止第1級射地-基地連接放大電路的動作，基本沒有由第1級射地-基地連接放大電路進入第2級射地-基地連接放大電路的信號洩漏，因此可以抑制增益，幾乎不會產生失真，提高線性度。
圖5中雖然存在2個射地-基地連接放大電路，但是如圖7那樣存在多個射地-基地連接放大電路也具有相同的效果。另外，圖5中將同種射地-基地連接放大電路進行多級化，如圖8那樣，即使在第1級射地-基地連接放大電路和第2級射地-基地連接放大電路中，使電路形式不同的射地-基地連接放大電路多級化，也可以有同樣的效果。
(第3實施方式)圖9中示出了本發明第3實施方式的電路圖。圖9其特徵在於，其中存在2個射地-基地連接放大電路，以將電容器夾於其中的方式連接各個漏極端子。在將射地-基地連接放大電路多級化的情況下，各個射地-基地連接放大電路的放大率不同，通過以夾持電容器的方式連接，可以實現多級化。例如，如圖9那樣，使用電阻951和電阻952這樣電阻值不同的電阻，將射地-基地連接放大電路進行多級化時，配線901和配線902上的直流電位不同，不能直接連接。因此，通過以將電容器夾於其中的方式連接各個漏極端子，可以分離直流電位，因此可以實現多級化。
被多級化了的電路也具有第2個實施方式的效果。圖9中，在第1級射地-基地連接放大電路不工作，而希望第2級射地-基地連接放大電路工作的情況下，由控制電路511用電流控制發射極接地雙極型電晶體531的基極端子，在雙極型電晶體531截止時，由控制電路512用電壓控制柵極接地場效應電晶體532的柵極端子，使其小於電晶體的閥值電壓，可以使柵極接地場效應電晶體532截止，因此能夠比較確實地停止第1級射地-基地連接放大電路的動作。
比較確實地停止第1級射地-基地連接放大電路的動作，基本沒有由第1級射地-基地連接放大電路進入第2級射地-基地連接放大電路的信號洩漏，因此可以抑制增益，幾乎不會產生失真，提高線性度。
圖9中存在2個射地-基地連接放大電路，但是即使存在2個以上射地-基地連接放大電路，也可以有同樣的效果。另外，圖9中將同種射地-基地連接放大電路進行多級化，各級射地-基地連接放大電路的電路形式可以彼此不同。
(第4實施方式)圖10中示出了說明第4實施方式的電路圖。圖10中有6個圖2的射地-基地連接放大電路，連接各個漏極端子，通過控制電路(控制部)用電流控制發射極接地雙極型電晶體1031、1033、1035、1037、1039以及1041。通過控制電壓來切換工作的射地-基地連接放大電路級，可擴大增益、線性度等放大電路各種特性的可變範圍。
此外，還可以通過別的控制電路用電壓來控制柵極接地場效應電晶體1032、1034、1036、1038、1040以及1042。連接多個射地-基地連接放大電路時，如上所示，通過控制電路，用電流或電壓來控制工作中的發射極接地雙極型電晶體、或柵極接地場效應電晶體，通過比較確實地停止除了希望其工作的射地-基地連接放大電路之外的射地-基地連接放大電路的動作，由於可以使自沒有工作的射地-基地連接放大電路到希望其工作的射地-基地連接放大電路上的信號洩漏幾乎沒有，可以抑制增益，幾乎不產生失真，提高線性度。
作為用電流來控制圖10電路中使用的發射極接地雙極型電晶體電路的一個例子，可以考慮如圖11所示的電路。圖11是將電流提供給各個射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體的偏置電路。
由場效應電晶體1110和場效應電晶體1111構成的電流鏡像電路中，變換場效應電晶體1111吸入的電流。在場效應電晶體1111的漏極端子上分別連接場效應電晶體1112和場效應電晶體1113的源極端子從而構成差動電路。
在場效應電晶體1113的漏極端子上分別連接場效應電晶體1114和場效應電晶體1115的源極端子，從而構成同樣的差動電路。同樣地，構成5級差動電路。將各個差動電路中的一個的各個場效應電晶體1113、1115、1117、1119以及1121的柵極端子與施加了控制電壓的電源1102相連。並且，將沒有與上述電源1102相連的各個差動電路的另一方的各個場效應電晶體1112、1114、1116、1118以及1120的柵極端子與由各個電阻1152-1157構成的參考電壓生成電路相連。
然後，說明圖11的電路動作。在由電阻1156和1157生成的參考電壓V67高於控制電壓時，即，控制電壓很低的情況下，在由場效應電晶體1112和場效應電晶體1113構成的差動電路中，由於場效應電晶體1114截止，場效應電晶體1113導通，電流全部流入場效應電晶體1113。
流入場效應電晶體1113的電流由場效應電晶體1131和場效應電晶體1132所構成的電流鏡像電路返回，與流入場效應電晶體1112的電流相同量的電流流入端子1186。流入端子1186的電流流入與第6級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1041的基極端子相連的端子1086中，成為發射極接地雙極型電晶體1041的基極電流。
提高控制電壓，在參照電壓V67變為與控制電壓相等時，流過場效應電晶體1112和場效應電晶體1113的電流彼此相等。此時，比較由電阻1155和電阻1156生成的參考電壓V56和控制電壓，由於參考電壓V56高些，在由場效應電晶體1114和場效應電晶體1115構成的差動電路中，場效應電晶體1115截止，場效應電晶體1114導通，因此，經由場效應電晶體1113的電流經場效應電晶體1114而流動。
流過各個場效應電晶體1113、1114的電流由場效應電晶體1133和場效應電晶體1134構成的電流鏡像電路返回，與各個場效應電晶體1113、1114等量的電流流入端子1185。參考電壓V67與控制電壓相等時，流過端子1185和端子1186的電流彼此相等。由於返回的總電流與場效應電晶體1111吸入的電流量相同，因此，通過提高控制電壓可以減少流入端子1186的電流量。
進一步，在提高控制電壓時，流過場效應電晶體1112的電流進一步減少，大部分電流流入場效應電晶體1113。同樣地，在提高控制電壓時，比較控制電壓和參考電壓，電流流過電壓高的場效應電晶體，通過改變控制電壓，分別改變流過各端子1181-1186的電流量。流過各端子1181-1186的電流變為流過如圖10所示的各端子1081-1086，分別成為各級射地-基地連接放大電路的基極電流。因此，通過改變控制電壓，可以切換圖10中工作的射地-基地連接放大電路各個級。
以上說明了控制圖10的發射極接地雙極型電晶體的電路，隨後說明用電壓控制圖10中電路所用的柵極接地場效應電晶體的電路。作為一個例子，考慮如圖12所示的電路。圖12是將電壓提供給各個射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體的偏置電路。
電路的基本動作與圖11中的電路相同。與圖11中電路不同之處在於，電流返回電流鏡像電路後，使用各個電阻1258-1269將電流變換為電壓。將該變換後的電壓施加到圖10所示的各個端子1091-1096，變為施加到各個射地-基地連接放大電路的柵極端子的電壓。基本動作與圖11的電路相同，通過改變控制電壓，通過各個射地-基地連接放大電路各個級，切換施加到圖10所示的射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體上的電壓。
圖10所示的電路，通過圖11以及圖12所示的控制電路，用電流以及電壓來控制發射極接地雙極型電晶體以及柵極接地場效應電晶體。圖11以及圖12所示的電路由n型場效應電晶體來構成差動電路，還可以像圖13以及圖14那樣用p型場效應電晶體來構成。圖11到圖14的電路是用n型或p型場效應電晶體構成，但是也可以用雙極型電晶體來構成。
另外，圖10中，發射極接地雙極型電晶體或柵極接地場效應電晶體的控制電路可用各自的電源來控制，但是為了將發射極接地雙極型電晶體和柵極接地場效應電晶體相關聯而控制，控制電路的電源1102最好通用。
圖15中示出了圖10所示的發射極接地雙極型電晶體的基極電流和施加到柵極接地場效應電晶體柵極端子上的電壓相對於控制電壓的變化。隨著控制電壓從Va變化到Vb，其中Va＜Vb，發射極接地雙極型電晶體的基極電流的最大值按I6、I5、I4、I3、I2、I1變化。
因此，從I1到I6對應從第1級射地-基地連接放大電路到第6級射地-基地連接放大電路的基極電流，這裡示出了，隨著控制電壓Va到Vb變化，射地-基地連接放大電路的動作從第1級射地-基地連接放大電路切換到第6級射地-基地連接放大電路。同樣地，隨著控制電壓Va到Vb變化，施加到柵極接地場效應電晶體的柵極端子上的電壓最大值按V6、V5、V4、V3、V2以及V1變化。因此，從V1到V6分別對應施加到從第1級射地-基地連接放大電路到第6級射地-基地連接放大電路上的柵極電壓。
圖15所示的Vth是柵極接地場效應電晶體的閥值電壓。施加到柵極接地場效應電晶體柵極端子上的電壓小於Vth時，柵極接地場效應電晶體截止。
圖10的電路通過控制電壓切換工作中的射地-基地連接放大電路，擴大了增益以及線性度等放大電路的各種特性的範圍。減小導通狀態下的發射極接地雙極型電晶體的基極電流時，電流密度變小，是產生失真的原因。然後，產生失真的狀態下，在切換到下一級發射極接地雙極型電晶體時，IIP3等的線性度變壞。
因此，在發射極接地雙極型電晶體中產生失真前，控制柵極接地場效應電晶體的柵極端子，通過截止柵極接地場效應電晶體，停止射地-基地連接放大電路的動作，從而難以產生失真。
例如，圖10中，可考慮將動作從第2級射地-基地連接放大電路切換到第1級射地-基地連接放大電路。通過圖11所示的控制電路，使第2級射地-基地連接放大電路的基極電流變為最大，第2級射地-基地連接放大電路進行工作。
然後，將動作從第2級射地-基地連接放大電路切換到第1級射地-基地連接放大電路時，提高控制電壓，增加流過圖11所示的控制電路的端子1181上的電流，通過減少流過端子1182上的電流，減少第2級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1033的基極電流，增加第1級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1031的基極電流，將動作從第2級射地-基地連接放大電路切換到第1級射地-基地連接放大電路。
但是，減小流向第2級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1033的基極電流時，電流密度變小，產生失真。因此，在產生失真前，用圖12所示的控制電路控制第2級射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體1034的柵極端子，截止柵極接地場效應電晶體1034。通過柵極接地場效應電晶體1034截止，停止第2級射地-基地連接放大電路工作，抑制失真的產生。
圖16中示出了此時發射極接地雙極型電晶體的基極電流和施加在柵極接地場效應電晶體柵極端子上的電壓相對於控制電壓的變化。控制電壓從Vc變化為Vd(Vc＜Vd)，減小第2級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1033的基極電流I2，增加了第1級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1031的基極電流I1。
此時，由於減小I2時產生失真，因此使控制電壓變為Vd時，使施加在第2級射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體1034柵極端子上的電壓V2小於電晶體的閥值電壓Vth，從而使柵極接地場效應電晶體1034截止，抑制失真的產生。柵極接地場效應電晶體1034截止，第2級射地-基地連接放大電路截止，僅第1級射地-基地連接放大電路處於導通狀態，因此可以提高電路的線性度。
圖16中，提高控制電壓時，配合減小被切換的前一級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體的基極電流，使柵極接地場效應電晶體截止。反之，如圖17所示，配合增加被切換的下一級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體的基極電流，可以使柵極接地場效應電晶體截止。
這樣的導通/截止定時可以通過檢測上述基極電流以及柵極電壓來設定，如果定時基本恆定，可通過所希望的一定時間滯後來設定。
圖17中，可考慮動作從第6級射地-基地連接放大電路切換到第5級射地-基地連接放大電路的情況。控制電壓從Ve變化為Vf(Ve＜Vf)，減小第6級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1041的基極電流I6，增加了第5級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1039的基極電流I5。
增加基極電流I5時，第5級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1039的電流密度尚小，因此成為產生失真的原因。因此，增加基極電流I5，直至控制電壓變為Vf，使施加在第5級射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體1040柵極端子上的電壓V5小於電晶體的閥值電壓Vth，從而使柵極接地場效應電晶體1040截止，抑制失真的產生。
柵極接地場效應電晶體1040截止，第5級射地-基地連接放大電路截止，僅第6級射地-基地連接放大電路處於導通狀態，因此可以提高電路的線性度。
圖16和圖17中考慮了提高控制電壓的情況，但還可考慮降低控制電壓的情況。例如，圖16中，將動作從第1級射地-基地連接放大電路切換到第2級射地-基地連接放大電路時，降低控制電壓，減小第1級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1031的基極電流I1，增加第2級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1033的基極電流I2。之後可以進行與圖17中的說明相同的考慮方式。
增加基極電流I2時，第2級射地-基地連接放大電路的發射極接地雙極型電晶體1033的電流密度尚小，因此成為產生失真的原因。所以，增加基極電流I2，直至控制電壓變為Vd，使施加在第2級射地-基地連接放大電路的柵極接地場效應電晶體1034柵極端子上的電壓V2小於電晶體的閥值電壓Vth，從而使柵極接地場效應電晶體1034截止，抑制失真的產生。
柵極接地場效應電晶體1034截止，第2級射地-基地連接放大電路截止，僅第1級射地-基地連接放大電路處於導通狀態，因此可以提高電路的線性度。
圖10中有6個射地-基地連接放大電路，但存在2個以上射地-基地連接放大電路，實施多級化也有相同的效果。另外，圖10中將同種電路形式的射地-基地連接放大電路進行多級化，但還可以將不同電路形式的射地-基地連接放大電路級進行多級化。
說明第1到第4實施方式的電路圖中，使用npn型雙極型電晶體以及n型場效應電晶體來形成射地-基地連接放大電路，但還可以使用pnp型雙極電晶體以及p型場效應電晶體來形成射地-基地連接放大電路。並且，還可以使用源極接地的場效應電晶體來代替發射極接地雙極型電晶體。還可以使用基極接地的雙極型電晶體來代替柵極接地的場效應電晶體。
發射極接地雙極型電晶體的基極以及源極接地場效應電晶體的柵極與電阻相連，從而與控制電路相連，但是還可以使用線圈、二極體、場效應電晶體、雙極型電晶體等來代替電阻。例如，圖1中，可以使用線圈、二極體、電晶體等電路來代替電阻151。並且，雖然使用電阻151作為負載，但是還可以使用線圈等來代替電阻。例如，圖5中還可以使用線圈等代替電阻553。發射極接地雙極型電晶體的發射極端子以及源極接地場效應電晶體的源極端子直接接地，但是可以使電阻或線圈與發射極端子以及源極端子相連後來接地。
實施例第一到第四各種形式中的所謂雙極型電晶體可以是npn型雙極電晶體、pnp型雙極電晶體、IGBT(隔離雙極型電晶體)等，所謂場效應電晶體可以是MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應電晶體)、MESFET(金屬-半導體場效應電晶體)、MISFET(金屬-隔離體-半導體場效應電晶體)、JFET(結合型場效應電晶體)等。
(第五實施方式)便攜電話終端、後置型、車載用以及便攜電視的調諧器、無線LAN等、發送或接收電波的終端中，接收功率變化較大，必須調整發送功率的情況時有發生，因此需要在放大電路中使增益以及線性度等各種特性可變。在可變範圍窄的情況下，可用單端(single end)以及差動電路等1級放大電路，但是，本發明的射地-基地連接放大電路可以替換現有技術的射地-基地連接放大電路，因此可以作為1級放大電路使用。
本發明的射地-基地連接放大電路其增益控制性比較好，可抑制失真產生，IIP3等線性度高，因此，在擴大放大電路的增益以及線性度等諸特性的可變範圍的情況下，可將放大電路多級化來使用。特別地，接收電路中，在接收功率小時，需要高增益，在接收功率大時，由於高接收信號，沒有失真等的線性度就變得重要，因此最好使用低噪聲放大器等。
圖18示出了將本發明的射地-基地連接放大電路用於作為通信終端一個例子的便攜終端的低噪聲放大器中時的第5個實施方式的框圖。在圖18的便攜終端中，FILTER為濾波器10，LNA為低噪聲放大器12，MIX為混頻器14，VCO為壓控發信器16，DEMOD為解調電路18。從天線20輸入的信號通過作為低通濾波器或帶通濾波器等的濾波器10，取出所希望的頻率，將其輸入低噪聲放大器12。
在低噪聲放大器中使用本發明的射地-基地連接放大電路時，原樣保持高線性度，並將信號輸出到混頻器14等隨後相連的電路中。並且，還可以在由單端(single end)電路或差動放大電路構成的低噪聲放大器中使用本發明的射地-基地連接放大電路，當本發明的射地-基地連接放大電路用於載有低噪聲放大器的便攜電話終端、後置型、車載用以及便攜電視等調諧器、無線LAN等發送或接收裝電波的終端時，可以實現高靈敏度的終端。
此外，本發明的射地-基地連接放大電路不局限用於便攜或移動終端上，還可以用於後置型終端中。例如，考慮在後置型電視中可以將本發明的射地-基地連接放大電路用作低噪聲放大器。後置型電視在視聽電視節目時，在家附近通過產生與電視頻率數不同的電波的計程車，電視天線中輸入了計程車無線的強電波，暫時產生失真的情況，如果使用本發明的射地-基地連接放大電路，由於暫時的強電波難以失真，因此可以實現高靈敏度的終端。
另外，在後置型電視或可攜式電視等設備中，將本發明的射地-基地連接放大電路用作低噪聲放大器的情況下，考慮在看電視時，在近距離產生便攜電話等較強電波時，該電波進入調諧器，暫時產生失真等情況，使用本發明的射地-基地連接放大電路時，由於這樣暫時較強的電波難以產生失真，因此也可以實現高靈敏度的終端。
本發明的射地-基地連接放大電路以及增益可變放大電路可以這樣，在將多個通過相對於控制端子的電流值或電壓值來控制並輸出輸入的電流流動的電晶體元件彼此射地-基地連接的射地-基地連接放大電路中，設置控制對於除了連接到輸入端子的電晶體元件之外的至少一個電晶體控制端子的電流值或電壓值的控制電路(控制單元、電晶體控制電路)。
並且，作為上述控制，還可以舉出基於接收信號強度指標值(RSSI)的控制。在具有IQ數據機的便攜電話中，RSSI是將由IF濾波器來施加頻帶限制的接收信號進行例如通過二極體的包絡檢波所得到的直流電壓值。上述RSSI用於被輸入到基帶處理電路中從而生成各種控制信號。
如此，為了解決上述問題，本發明的其它射地-基地連接放大電路，其特徵在於，在將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接的放大電路中，與發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體工作時，在基極接地雙極型電晶體的基極端子，或柵極接地場效應電晶體的柵極端子上施加的電壓相比，發射極接地雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時，施加在基極接地雙極型電晶體的基極端子，或柵極接地場效應電晶體的柵極端子上的電壓低。
根據上述結構，通過使在基極接地雙極型電晶體的基極端子，或柵極接地場效應電晶體的柵極端子上施加的電壓比發射極接地雙極型電晶體、或源極接地場效應電晶體工作時所施加的電壓低，基極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或柵極接地場效應電晶體的柵極-源極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓，從而可以停止基極接地雙極型電晶體或柵極接地場效應電晶體的工作。
為了解決上述問題，本發明的其它射地-基地連接放大電路，其特徵在於，將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接，設置多個放大單元，控制基極接地雙極型電晶體的基極電流或柵極接地場效應電晶體的柵極電壓，使得發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時基極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體不工作，使各個放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子彼此相連。
根據上述結構，擴大放大電路的增益以及線性度等各特性的範圍時，難以用一級放大電路控制整個範圍，因此有必要連接衰減器以及多個放大電路從而擴大各個特性的範圍。因此，通過將各個射地-基地連接的放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子彼此相連，可以實現放大單元多級化，從而能夠擴大增益以及線性度等各特性的範圍。
上述射地-基地連接放大電路還可以將各個放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子以電容器夾於其中的方式彼此相連。
根據上述結構，擴大放大電路的增益以及線性度等各特性的範圍時，難以在一級放大電路中控制整個範圍，因此有必要連接衰減器以及多個放大電路從而擴大各個特性的範圍。因此，通過將各個射地-基地連接的放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子以電容器夾於其中的方式彼此相連，可以實現放大單元多級化，從而能夠擴大增益以及線性度等各特性的範圍。
在上述射地-基地連接放大電路中還具有控制單元，在發射極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或源極接地場效應電晶體柵極-源極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓而不工作之前，通過改變電流或電壓來控制基極接地雙極型電晶體的基極端子、或柵極接地場效應電晶體的柵極端子，將基極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或柵極接地場效應電晶體的柵極-源極之間的電壓控制得小於電晶體的閥值電壓。
根據上述結構，在發射極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或源極接地場效應電晶體柵極-源極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓之前，通過基極接地雙極型電晶體的基極發射極之間的電壓、或柵極接地場效應電晶體的柵極源極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓而不工作，可以提高增益抑制以及線性度等放大電路的各種特性。
上面，根據上述結構，在上述任何一種中記載的射地-基地連接的放大電路可以用於差動電路以及增益可變放大電路等電路中。另外，由於提高了包含放大電路高頻特性的上述各種特性，因此射地-基地連接的放大電路可以用於低噪聲放大器以及功率放大器等高頻放大電路中，可以將這些射地-基地連接的放大電路裝載在通信終端上使用。這裡所謂的通信終端可以是便攜電話、後置型、車載用以及便攜電視的調諧器、無線LAN等收發電波，或執行收發的終端。
在上述結構中，電晶體控制電路最好控制流入第2電晶體控制端子的電流或在其上施加的電壓，以使在第1電晶體不導通時，阻斷第2電晶體的導通端子之間。
例如，上述電晶體控制電路還可以將第1電晶體不導通時施加到第2電晶體控制端子上的電壓設定得比第1電晶體導通時施加在第2電晶體控制端子上的電壓低。
在上述結構中，上述第1以及第2電晶體是使控制端子為基極端子的NPN型電晶體，將該第1電晶體的發射極端子接地，同時將第2電晶體的基極端子交流接地，還可以將上述電晶體控制電路構造為控制第2電晶體的基極電流。
在上述結構中，上述第1以及第2電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，將該第1電晶體的源極端子接地，同時將第2電晶體的柵極端子交流接地，還可以將上述電晶體控制電路構造為控制第2電晶體的柵極電壓。
在上述結構中，上述第1電晶體是使控制端子為基極端子的NPN型雙極電晶體，上述第2電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，將該第1電晶體的發射極端子接地，同時將第2電晶體的柵極端子交流接地，還可以將上述電晶體控制電路構造為控制第2電晶體的柵極電壓。
在上述結構中，上述第1電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，上述第2電晶體使控制端子為基極端子的NPN型雙極電晶體，將該第1電晶體的源端子接地，同時將第2電晶體的基極端子交流接地，還可以將上述電晶體控制電路構造為控制第2電晶體的基極電流。
在本發明中還可以設置多個上述射地-基地連接的放大電路，將各個放大電路連接到第2電晶體中沒有與第1電晶體相連的一個導通端子上。
根據上述結構，可以實現確保各個放大級隔離特性的多級放大電路。
本發明還可以構造為，設置多個上述射地-基地連接的放大電路，通過電容器，將各個放大電路連接到第2電晶體中沒有與第1電晶體相連的一個導通端子上。
根據上述結構，可以確實確保各個射地-基地連接的放大級隔離特性。
本發明的通信裝置，其特徵在於還具有射地-基地連接的放大電路。
本發明的通信裝置還可以構造為具有上述射地-基地連接的放大電路和接收信號強度指示電路，基於來自上述接收信號強度指示電路的信號進行由上述電晶體控制電路執行的控制。
使用本發明的射地-基地連接的放大電路可以停止基極接地雙極型電晶體或柵極接地場效應電晶體的工作，從而可以比較確實地停止射地-基地連接的放大電路的放大動作。
另外，在存在多個本發明射地-基地連接的放大電路的情況下，通過直接連接各個射地-基地連接的放大電路，或將電容器夾持其中使其相連，可以實現放大電路多級化，可擴大增益以及線性度等各特性的範圍，能夠提高增益抑制以及線性度等放大電路的各個特性。
本發明的射地-基地連接的放大電路還可以與現有技術的射地-基地連接的放大電路相替換。另外，由於可擴大增益以及線性度的範圍，因此可以達到用於增益可變放大電路這樣的效果。
本發明的射地-基地連接的放大電路由於可以優化高頻特性，同時可提高增益抑制以及線性度等放大電路的各個特性，可以適當地用於通信終端(例如便攜終端)這樣的通信領域以及計算機領域。
權利要求
1.一種射地-基地連接的放大電路，其中將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接，其特徵在於，發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時，控制基極接地雙極型電晶體的基極電流，或柵極接地場效應電晶體的柵極電壓，以使基極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體也不工作。
2.一種射地-基地連接的放大電路，其中將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接，其特徵在於，與發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體工作時，在基極接地雙極型電晶體的基極端子，或柵極接地場效應電晶體的柵極端子上施加的電壓相比，發射極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體不工作時，施加在基極接地雙極型電晶體的基極端子，或柵極接地場效應電晶體的柵極端子上的電壓更低。
3.一種射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，設置多個放大單元，其中，將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接，控制基極接地雙極型電晶體的基極電流或柵極接地場效應電晶體的柵極電壓，使得發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時，基極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體也不工作，使各個放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子彼此相連。
4.一種射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，設置多個放大單元，其中，將在基極端子輸入信號的發射極接地雙極型電晶體，或在柵極端子輸入信號的源極接地場效應電晶體與從集電極端子輸出信號的基極接地雙極型電晶體，或從漏極端子輸出信號的柵極接地場效應電晶體進行射地-基地連接，控制基極接地雙極型電晶體的基極電流或柵極接地場效應電晶體的柵極電壓，使發射極接地的雙極型電晶體，或源極接地場效應電晶體不工作時，基極接地雙極型電晶體，或柵極接地場效應電晶體也不工作，使各個放大單元的基極接地雙極型電晶體的集電極端子、或柵極接地場效應電晶體的漏極端子以夾持電容器的方式相連。
5.如權利要求1-4中任一項記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，還具有控制單元，在發射極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或源極接地場效應電晶體的柵極-源極之間的電壓小於電晶體的閥值電壓而不工作之前，通過改變電流或電壓來控制基極接地雙極型電晶體的基極端子、或柵極接地場效應電晶體的柵極端子，將基極接地雙極型電晶體的基極-發射極之間的電壓，或柵極接地場效應電晶體的柵極-源極之間的電壓控制得小於電晶體的閥值電壓。
6.一種射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，具有在控制端子上輸入信號，同時一個導通端子接地的第1電晶體，與該第1電晶體進行射地-基地連接的第2電晶體，和電晶體控制電路，根據上述第1電晶體導通端子間的導通狀態，控制流過第2電晶體控制端子的電流或是施加在其上的電壓。
7.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述電晶體控制電路控制流入第2電晶體控制端子的電流或在其上施加的電壓，以使在第1電晶體不導通時，將第2電晶體的導通端子間阻斷。
8.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述電晶體控制電路將第1電晶體不導通時施加到第2電晶體控制端子上的電壓設定得比第1電晶體導通時施加在第2電晶體控制端子上的電壓低。
9.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述第1以及第2電晶體是使控制端子為基極端子的NPN型電晶體，將該第1電晶體的發射極端子接地，同時將第2電晶體的基極端子交流接地，上述電晶體控制電路控制第2電晶體的基極電流。
10.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述第1以及第2電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，將該第1電晶體的源極端子接地，同時將第2電晶體的柵極端子交流接地，上述電晶體控制電路控制第2電晶體的柵極電壓。
11.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述第1電晶體是使控制端子為基極端子的NPN型雙極電晶體，上述第2電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，將該第1電晶體的發射極端子接地，同時將第2電晶體的柵極端子交流接地，上述電晶體控制電路控制第2電晶體的柵極電壓。
12.如權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，上述第1電晶體是使控制端子為柵極端子的N溝道場效應電晶體，上述第2電晶體是使控制端子為基極端子的NPN型雙極電晶體，將該第1電晶體的源端子接地，同時將第2電晶體的基極端子交流接地，上述電晶體控制電路控制第2電晶體的基極電流。
13.一種射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，具有多個權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，在各個放大電路之間用第2電晶體中沒有與第1電晶體相連的一個導通端子進行連接。
14.一種射地-基地連接的放大電路，其特徵在於，具有多個權利要求6中記載的射地-基地連接的放大電路，在各個放大電路之間，通過電容器，用第2電晶體中沒有與第1電晶體相連的一個導通端子進行連接。
15.一種通信裝置，其特徵在於，使用權利要求1-14任一項中記載的射地-基地連接的放大電路。
16.一種通信裝置，其特徵在於，具有權利要求6-14任一項中記載的射地-基地連接的放大電路，和接收信號強度指示電路，基於來自上述接收信號強度指示電路的信號進行由上述電晶體控制電路執行的控制。
全文摘要
本發明提供可實現寬的可變範圍以及高線性度、即使多級連接也有好的增益控制性、並且失真少的射地－基地連接放大電路，以及使用該電路的通信裝置(例如，便攜終端)。將基極端子與輸入端子相連的發射極接地雙極型電晶體Q1a與將集電極端子與輸出端子相連的基極接地雙極型電晶體Q1b進行射地－基地連接。發射極接地雙極型電晶體Q1a不工作時，控制基極接地雙極型電晶體Q1b的基極電流。由此，可以確實地停止射地－基地連接放大電路的工作，即使將放大電路進行多級連接的情況下，也可以得到好的增益控制性，抑制失真的產生。
文檔編號H03F1/22GK1674432SQ20051007167
公開日2005年9月28日 申請日期2005年3月25日 優先權日2004年3月25日
發明者貴島洋史, 川村博史 申請人:夏普株式會社