薄膜顯示元件的檢查修正方法以及檢查修正裝置的製作方法

2023-12-11 17:41:07 2

專利名稱：薄膜顯示元件的檢查修正方法以及檢查修正裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及檢查FPD的非點燈像素，進行非點燈像素的修正的檢查修正方法以及檢查修正裝置，特別是涉及OLED面板等薄膜顯示元件的檢查、適用於集成的薄膜顯示元件的檢查修正方法以及檢查修正裝置。
背景技術：
作為FPD(Flat Panel Display)的一種的用於有機 EL(Electro Luminescence) 顯示裝置、照明裝置的OLED(Organic Light Emitting Diode)面板根據光取出方向的不同被分為頂部發光(top emission)型和底部發光(bottom emission)型兩種,頂部發光型一般為圖I所示的面板構造。即，頂部發光型在玻璃基板801上形成TFT層(Thin Film Transistor) 802，在其上層積透明電極803、有機發光層804、金屬電極805、絕緣層806，用樹脂807和封裝玻璃808封裝。在透明電極803和金屬電極805之間施加電壓，在有機發光層804內部使電子與空穴結合來發光。在該結構中，頂部發光型從與玻璃基板808相反側取出光810。另一方面，底部發光型如圖2所示，從玻璃基板801—側取出光820。圖2 所示的底部發光型需要從TFT迴路形成部以外的區域取出光，因此開口率低，但是有利於大型化的結構。另一方面，圖I所示的頂部發光型從與TFT迴路形成部相反側取出光，因此具有高的開口率，但是難以大型化。因此，頂部發光型多用於可攜式電話等小型面板，底部發光型多用於電視機等大型面板。有機發光層804的膜厚為IOOnm左右，非常薄是OLED面板的特徵。在製造處理過程中，如果因裝置產生灰塵等而混入了異物，使透明電極803和金屬電極805短路，則相應像素成為不發光。伴隨OLED面板的大型化，每個面板的異物數量增加，非點燈像素增加，因此，為了提供成品率，非點燈像素修正的要求變高。作為OLED面板的非點燈像素的修正技術，目前已知有日本特開2001-118684號公報(專利文獻I)、日本特開2005-276600號公報(專利文獻2)記載的技術。根據專利文獻I記載的技術，用雷射從與非點燈像素對應的金屬電極去除短路發生區域。由此，被部分去除的金屬電極和透明電極之間的有機發光層變得可發光，非點燈像素被修復。根據專利文獻2記載的技術，通過觀察光學系統檢測非點燈像素內的異物的位置，用雷射以帶狀地去除異物的周圍。由此，異物存在部位被孤立，短路被解除，非點燈像素被修復。專利文獻1、2即使能夠修復像素，但是由於雷射照射在像素內產生成為非發光的部分，因此需要把成為非發光的面積抑制得較小。另一方面，顯示器的顏色顯示方式被分為三類，三色方式(圖3)、色變換方式(圖
4)，彩色濾波方式(圖5)。圖3 圖5以底部發光型為前提進行表記。圖3的三色方式是分別分開塗抹發出紅色光811的有機材料膜8041、發出綠色光812的有機材料膜8042、發出藍色光813的有機材料膜8043的方式，為了提高色純度，有合用彩色濾波器的情形。圖4的色變換方式是通過使用藍色發光有機材料膜8044，使其藍色光814透過將其進行顏色變換為紅色光的色變換層8091和將其進行顏色變換為綠色光的色變換層8092，來獲得紅色光815、綠色光816的方式。圖5的彩色濾波方式是通過使用白色發光有機材料膜8045， 透過進行色變換為紅色光的彩色濾波器8093、進行色變換為綠色光的彩色濾波器8094、進行色變換為藍色光的彩色濾波器8095，來獲得紅色光817、綠色光818、藍色光819的方式。在圖3所示的三色方式中，需要分開塗抹三種有機材料，分開塗抹目前利用真空蒸發。但是，真空蒸發會發生由於陰影掩膜的熱膨脹引起的成膜斑，難以應對面板大型化。 作為其它分開塗抹的方法，也有印刷技術，但是印刷技術聞分子藍色發光有機材料的開發滯後。在圖4的色變換方式中，藍色發光有機材料的開發難於紅色、綠色發光有機材料。並且色變換效率低成為課題。在圖5的彩色濾波方式中，僅使用白色發光有機材料，因此不需要分開塗抹有機材料。雖然發生彩色濾波器中的光量損耗，但是關於彩色濾波器的製造工序可以轉用液晶面板中培育出的技術，可以預測在面板的大型化方面，彩色濾波方式將成為主流。彩色濾波器紅綠藍的分光透射率不同。圖6中表示彩色濾波器的分光透射率的一例。601表示紅色濾波器8093的分光透射率特性，602表示綠色濾波器8094的分光透射率特性，603表示藍色濾波器8095的分光透射率特性。各彩色濾波器8093、8094、8095在透過的光的波長頻帶以外，透射率極低。根據塗布材料、膜厚透射率多少存在差異，但是大致表示具有同樣的傾向。例如如圖7所示，在使用波長532nm的雷射830的情況下，綠色的彩色濾波器8094透射率高，因此可以使光到達金屬電極803，可以對金屬電極803進行加工，但是在紅色和藍色的彩色濾波器8093和8095中大部分的能量被彩色濾波器8093和8095吸收，無法使光到達金屬電極803。另外，為了使高能量的光到達金屬電極803，如果增加照射能量，則彩色濾波器8093和8095先於金屬電極803融解。在專利文獻I和專利文獻2記載的發明中，從透明電極805側對金屬電極803照射雷射，進行消除與不良部位對應的金屬電極803的一部分的修正。即使在紅綠藍彩色濾波器8093 8095中的任意一個中使用具有高透射率的波長的雷射，在其它兩個彩色濾波器中透射率低，在來自透明電極805側的雷射照射中，用單一波長的雷射無法進行全部像素的修正。另一方面，如果對彩色濾波方式的OLED面板，進行從透明電極805側對金屬電極 803進行異物的檢測，從與透明電極805相反側對金屬電極803進行雷射照射，則可以忽略彩色濾波器8093 8095的分光透射率而對金屬電極803進行加工。但是，僅簡單地連接異物檢測單元和雷射加工單元，難以以微米單位匹配通過異物檢測單元檢測出的異物檢測位置和基於雷射加工單元的雷射加工位置。並且，在使OLED面板的透明電極805側朝上， 通過異物檢測單元檢測出異物後，為了從金屬電極803側進行雷射照射，需要將OLED面板翻轉後進行雷射照射，會導致裝置的複雜化、大型化、生產節拍的延長。另外，因為無法從金屬電極803側來檢測異物，所以使OLED面板機械地移動到預先求出的坐標。但是，存在如下課題由於當將OLED面板翻轉時發生的錯位、平臺的移動誤差等而無法將OLED面板移動到所希望的位置，進行雷射照射的位置偏移，增加修正失敗的情況
發明內容
本發明的目的在於提供一種薄膜顯示元件的檢查修正方法以及檢查修正裝置，以解決上述課題，即使是彩色濾波方式的OLED面板，也可以用單一波長、高精度地進行檢查、 修正，提高成品率。為了解決上述課題，在本發明中，在對具有在發光層上形成的金屬電極膜和在發光層的與金屬電極膜相反的一側形成的透明電極膜的薄膜顯示元件的發光的狀態進行檢查，修正不良部位的方法中，對金屬電極和透明電極施加電力，使發光層發光，相對金屬電極從透明電極側觀察該發光層的發光狀態，檢測發光層中不發光的位置，並根據該檢測出的發光層中不發光的位置的信息，從與透明電極相反的一側對金屬電極照射雷射，來去除發光層中不發光的位置的上方的金屬電極膜。另外，為了解決上述課題，在本發明中，使對具有在發光層上形成的金屬電極膜和在發光層的與金屬電極膜相反的一側形成的透明電極膜的薄膜顯示元件的發光的狀態進行檢查，修正不良部位的裝置被構成為具備電力施加單元，其對薄膜顯示元件的金屬電極和透明電極施加電力，使發光層發光；發光狀態觀察單元，其相對金屬電極從透明電極側觀察通過該電力施加單元被施加了電力的薄膜顯示元件的發光層的發光狀態，檢測發光層中不發光的位置；以及薄膜去除加工單元，其根據通過該發光狀態觀察單元檢測出的發光層中不發光的位置的信息，從與透明電極相反一側對金屬電極照射雷射，來去除發光層中不發光的位置的上方的金屬電極膜。根據本發明，在彩色濾波方式的OLED面板構造中，能夠用單一波長的雷射來修正非點燈像素，對維持高生產性和提高成品率做成貢獻。


圖I是頂部發光型OLED的構造的截面圖。圖2是底部發光型OLED的構造的截面圖。圖3是三色方式的OLED的構造的截面圖。圖4是色變換方式的OLED的構造的截面圖。圖5是彩色濾波方式的OLED的構造的截面圖。圖6是表示一般的彩色濾波器的分光透射率特性的曲線圖。圖7是對彩色濾波方式OLED面板進行雷射照射時的OLED的構造的截面圖。圖8是表示本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置的概要結構的框圖。圖9是OLED基板的平面圖。圖IOA是從正面觀察到的在本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置中在平臺上具有長方形的切口的點燈檢查部的概要的結構的框圖。圖IOB是從上面觀察到的在本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置中點燈檢查部的具有長方形的切口的平臺的框圖。圖IlA是從正面觀察到的在本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置中在平臺上具有狹縫狀的切口的點燈檢查部的概要的結構的框圖。圖IlB是從上面觀察到的在本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置中點燈檢查部的具有狹縫狀的切口的平臺的框圖點燈檢查時的掃描方法的說明圖。圖12是表示點燈檢查部的處理的流程的流程圖。
圖13是表示點燈檢查結果的一例的OLED基板的平面圖。圖14(a)是使修正前的缺陷位於缺陷檢查部的視野的中心的OLED基板的非點燈 像素的平面圖，(b)是包含修正前的缺陷的OLED的構造的非點燈像素的截面圖，(c)是實施 環狀加工，使修正後的缺陷位於缺陷檢查部的視野的中心的OLED基板的非點燈像素的平 面圖，(d)是包含實施環狀加工而修正後的缺陷的OLED的構造的截面圖。圖15 (a)是使修正前的缺陷位於缺陷檢查部的視野的中心的OLED基板的非點燈 像素的平面圖，(b)是包含修正前的缺陷的OLED的構造的非點燈像素的截面圖，(c)是實施 圓形加工使修正後的缺陷位於缺陷檢查部的視野的中心的OLED基板的非點燈像素的平面 圖，(d)包含實施環狀加工而修正後的缺陷的OLED的構造的截面圖。圖16是像素內有兩個缺陷的狀態的OLED基板的非點燈像素的平面圖。圖17是表示在包含缺陷的區域內進行環狀加工的狀態的OLED基板的非點燈像素 的平面圖。圖18是說明用於使本發明的實施例的薄膜顯示裝置的檢查修正裝置的缺陷檢查 部和修正部的光軸和焦點位置一致的調整方法的缺陷檢查部和修正部的主視圖。圖19是說明用於使缺陷檢查部和修正部的光軸和焦點位置一致的調整方法的缺 陷檢查部和修正部的主視圖。圖20是表示本發明的實施例的缺陷檢查部的處理的步驟的流程圖。圖21是OLED基板的平面圖、以及非點燈像素與其周邊部的放大圖。圖22是表示本發明的實施例的修正可否判定的處理步驟的流程圖。圖23是表示本發明的實施例的修正部的動作的步驟的流程圖。圖24是表示本發明的實施例的檢查修正裝置全體的動作的步驟的流程圖。圖25A是表示本發明的實施例的檢查修正裝置的處理的結果的顯示畫面的主視 圖。圖25B是用圖形表示在本發明的實施例的檢測修正裝置中處理的結果的經過時 間變化的顯示畫面的主視圖。圖26是表示以暗視場照明構成本發明的實施例的檢查修正裝置的缺陷檢查部時 的檢查修正部的概要的結構的主視圖。符號說明10LED基板；2a、2b平臺；3a、3b供電模塊單元；4縮小光學系統；5彩色線性傳感 器；6a、6b區域傳感器；7a、7b、7c成像透鏡；8a、8b半透明反射鏡；9a、9b物鏡；10照明燈； 11、80光源;12擴張器；13均化器；14掩膜；15掩膜平臺；20、20a、20b、20c切口 ；25a、25b、 25c、25d面板；26非點燈像素；26』紅色發光像素；27、27』綠色發光像素；28、28』藍色發光 像素;30、36缺陷；70透明OLED基板；71點像；81會聚透鏡；82a、82b電流計鏡；90a、90b、 90c、90d驅動部；101點燈檢查部；102檢查修正部；103加載器；104系統控制部；105缺陷 檢查部；106修正部；120顯示區域；121柵極LSI搭載區域；122源極LSI搭載區域；123柵 極部供電布線；124柵極部供電用電極片；127第二電極供電布線；128第二電極供電用電 極片；130 137點燈檢查工序；200雷射光線
具體實施方式
使用

本發明的實施方式的一例。圖8是表示本發明的一個實施例的FPD的檢查修正裝置100的概要的結構的框圖。在圖8中，FPD的檢查修正裝置100具備點燈檢查部101、檢查修正部102、加載器 (loader) 103、系統控制部104，檢查修正部102還具備缺陷檢查部105、修正部106。本實施例的FPD的檢查修正裝置100，首先，由點燈檢查部101通過OLED基板I的點燈檢查，從透明電極側檢測缺陷，並將其位置信息存儲在系統控制部104中，然後，經由加載器103將點燈檢查後的OLED基板輸送到檢查修正部102，在檢查修正部102中，使用通過點燈檢查部101檢測出的存儲在系統控制部104中的缺陷的位置信息，進行位置匹配，由缺陷檢查部105從透明電極側檢測之前通過點燈檢查部檢測出的缺陷，之後在修正部106 從與透明電極相反的一側對檢測出的OLED基板I的缺陷部位的金屬電極照射雷射，進行修正。在本實施例中，OLED面板I的構造是圖5記載的底部發光型構造，顏色顯示方式是過色方式。OLED面板I的大小，例如是1300mmX 1500mm。此外，點燈檢查部101、檢查修正部102、加載器103存在於同一箱體180內，說明進行檢查修正的工序是樹脂、玻璃封裝前的工序的情形的一例。在封裝前的階段，金屬電極803和有機發光層804的表面是被樹脂層807覆蓋前的裸露的露出的狀態，因此為了防止箱體180的內部的氣體使有機發光層惡化，充滿了從氣體供給部181供給的幹氮等非活性氣體。使用圖8說明點燈檢查部101的概要構成。點燈檢查部101具備支承OLED基板 I使其移動的平臺2a、對OLED基板I供電，使全部像素點燈的供電模塊單元3a、3b、縮小光學系統4、彩色線形傳感器5、以及驅動部90a、90b。平臺2a的上面與OLED基板I的玻璃基板801的面的一部分相對。平臺2a是空氣上浮式，在平臺2a的上面以一定間隔存在空氣供給口(未圖示)。從這些空氣供給口乾氮，或者從該空氣供給口將供給的幹氮吸引到未圖示的箱體的內部，由此，維持OLED基板I 上浮，並維持上浮的狀態而移動到任意的地方。供電模塊單元3a、3b通過驅動部90a驅動， 並沿著平臺2a的表面移動。圖9表示OLED基板I的平面圖的一例。在該例中，在一枚基板的OLED基板I上形成4個面板25a 25d。在面板25a 25d內部分別形成顯示區域120、柵極LSI搭載區域121、源極LSI搭載區域122。在OLED基板I上進一步形成點燈檢查用的柵極部供電布線123、以及柵極部供電用電極片124、源極部供電布線125以及源極部供電用電極片126、 第二電極供電布線127以及第二電極供電用電極片128。供電模塊單元3a從平臺2a的上方對柵極部供電用電極片124進行觸針來供電，供電模塊單元3b從平臺2a的上方對源極部供電用電極片126以及第二電極供電用電極片128進行觸針來供電，由此使OLED基板I 的全部像素點燈。供電模塊單元3a、3b根據輸入到系統控制部104的OLED基板信息，自動地設定進行觸針的模塊數、模塊的觸針坐標。當供電模塊單元3a、3b對柵極部供電用電極片124、源極部供電用電極片126、第二電極供電用電極片128進行觸針時，通過在模塊前端部設置的臂(未圖示)，被固定在OLED基板I上。OLED基板I通過平臺2a在X軸、Y軸方向、或者僅在X軸方向移動。點燈檢查過程中，通過臂將供電模塊單元3a、3b固定在OLED 基板I上，因此，當OLED基板I移動時，供電模塊單元3a、3b也通過驅動部90a與OLED基板I同步地在X軸、Y軸方向、或者在X軸方向移動。
在OLED基板I的周邊部、在多個位置設置成為定位時的基準的校準標記95。縮小光學系統4的光學倍率為O. 5倍。彩色線性傳感器5隻要使用竹中系統設備股份公司的線性傳感器照相機TLC-7500CL等即可。彩色線性傳感器5的像素數為7500、 像素大小為9. 3 μ mX 9. 3 μ m。OLED基板I是底部發光型構造，發光面在圖5所示的結構中是玻璃基板801側，因此為了進行點燈檢查，在平臺2a下部存在用於觀察OLED基板的檢查區域的發光狀態的切口 20。縮小光學系統4和彩色線性傳感器5被配置在OLED基板I 和切口 20的垂直下方向，彩色線性傳感器5的受光面被配置在相對於縮小光學系統4，與 OLED基板I的有機發光層805共軛的位置。縮小光學系統4和彩色線性傳感器5通過驅動部90b在X軸、Y軸或者Y軸方向移動。縮小光學系統4和彩色線性傳感器5在初始調整時，或者維護時，通過驅動部90b向Z軸方向移動。使用圖IOA以及B和圖IlA以及B進行OLED基板I的掃描方法的說明。在圖IOA 以及B的情形下，在搭載了平臺2a的OLED基板I的區域存在長方形的切口 20a。圖IOA表示主視圖，圖IOB表示平面圖。如圖IOB所示，切口 20a的大小例如在X軸方向為200mm、在 Y軸方向為300mm。在平臺2a支承OLED基板I的狀態下，通過驅動部90a使縮小光學系統 4和彩色線性傳感器5在X軸、Y軸方向移動，由此如圖IOA所示通過平臺2a的切口 20a掃描OLED基板I，來檢測非點燈像素。當能夠通過平臺2a的切口 20a進行檢查的區域的檢查結束時，接著使OLED基板 I移動，使得可以通過切口 20a檢查OLED基板I的最終的掃描區域。重複進行這些過程， 掃描OLED基板I的整個面。在點燈檢查時，使供電模塊單元3a、3b用臂固定在OLED基板 I的狀態下移動，但是當移動次數多時臂偏移，或者脫落，OLED基板I可能破損，因此理想的是OLED基板I和供電模塊單元3a、3b的移動次數較少。如上所述，主要使縮小光學系統4 和彩色線性傳感器5移動來掃描OLED基板1，由此可以使OLED基板I和供電模塊單元3a、 3b的移動次數變少。在圖IlA以及B的情況下，在平臺2a中存在狹縫狀的切口 20b。圖IlA表示主面圖、圖IIB表示平面圖。切口 20b的大小如圖IIB所示那樣在X軸方向為20mm、在Y軸方向上為比OLED基板I的Y軸方向的尺寸1500mm大的1700mm。OLED基板I在平臺2a上被驅動，從而在X軸方向移動，通過驅動部90b驅動縮小光學系統4和彩色線性傳感器5使其在 Y軸方向移動。可以通過使OLED基板I和縮小透鏡4、彩色線性傳感器5在相互垂直的方向移動， 來掃描OLED基板I的整個面。在圖IOA以及B的情形下，需要使OLED基板I在X軸方向、Y 軸方向移動，因此平臺2a的面積變寬，但是在圖IlA以及B的情形下，OLED基板I的移動方向僅為X軸方向，因此能夠使平臺2a的面積變窄。S卩，可以使裝置的佔位面積(footprint)縮小。使用圖12進行點燈檢查部101的動作流程的說明。當將OLED基板I加載到點燈檢查部101上時(S130)，進行校準(S131)。通過彩色線性傳感器5檢測被刻在OLED基板I上的多個校準用圖案95的圖像，基於通過檢測圖像求出的校準用圖案95的坐標，來進行校準。通過驅動部90a使供電模塊單元3a、3b移動， 從而與柵極部供電用電極片124、源極部供電用電極片126、第二電極供電用電極片128觸針，對OLED基板I供電，使全部像素點燈(S132)。通過使OLED基板I和縮小光學系統4、彩色線性傳感器5移動來對OLED基板I進行掃描(S133)，取得OLED基板I的圖像。通過針對檢測出的圖像進行預選確定的閾值處理來進行非點燈像素的檢測(S134)。圖13是點燈檢查結果的一例。在OLED基板I內形成有面板25a 25d，表示在各面板內的非點燈像素26。此時，針對每個面板進行點燈檢查，或者同時進行四個面板的檢查都可以。在點燈檢查部101和檢查修正部102中經由系統控制部104共有坐標，通過點燈檢查部101檢測出的非點燈像素26的坐標在檢查修正部102中，用於確定位於非點燈像素 26的內部的缺陷的位置。在此，缺陷是指由於處理過程中的塵埃發生，而使得在圖I或圖2 所示的透明電極和金屬電極之間混入異物，成為電極間短路的原因。在系統控制部104中判定是否根據點燈檢查部101檢測出的缺陷的數量比預先設定的預定值A多(S135)。當非點燈像素是多個時，由於該面板的檢查修正導致花費較多時間。例如，如果生產節拍為300秒、每個非點燈像素的檢查修正時間為5秒，則作為預定值將非點燈像素數設為60，在非點燈像素數位60個以下時進行檢查修正，當非點燈像素數為 61個以上時，無法在生產節拍內進行處理，因此該面板被破壞。如上所述，當非點燈像素數為根據生產節拍、檢查修正時間計算出的預定值A以上時，該面板作為不良面板被破壞，僅使可修正的面板接受以後的處理。在被判斷為非點燈像素數為60個以下的OLED基板中，非點燈像素數少，例如如果每個面板為5個以下，則可以不進行修正，可以直接作為產品使用。因此，接著判定非點燈像素是否為預定值B以上 (S136)，如果非點燈像素少於預定值B，則不進行檢查修正，轉移到下一個製造工序，通過加載器102將B以上的OLED基板I輸送到檢查修正部102。使用圖8說明缺陷檢查部105和修正部106的概要結構。缺陷檢查部105由區域傳感器6a、成像透鏡7a、半透明反射鏡8a、物鏡9a、照明燈10、驅動部90c構成，修正部106 具備光源11、擴張器12、均化器13、掩膜14、掩膜臺15、成像透鏡7b、7c、半透明反射鏡Sb、 物鏡％、區域傳感器6b、驅動部90d。平臺2b是空氣上浮式的平臺，使OLED基板I在X軸、Y軸方向移動。另外，在平臺2b下部與平臺2a相同地存在切口 2a，缺陷檢測部105通過切口 20c，被配置在OLED基板I的垂直下方向，修正部106被配置OLED基板I的垂直上方向上。缺陷檢測部105的光軸和修正部106的光軸大致一致，並且焦點位置在OLED基板I的有機發光層大致一致。區域傳感器6a、6b、掩膜14被配置在與OLED基板I的有機發光層共軛的位置。如後述，在用於使缺陷檢測部105和修正部106的光軸與焦點位置一致的初始調整時，或者定期維護時配置半透明反射鏡8b即可。通過驅動部90c使缺陷檢測部105進行在X軸、Y軸、Z軸方向移動，通過驅動部 90d使修正部106進行在X軸、Y軸、Z軸方向移動。此時，驅動不使缺陷檢查部105和修正部106移動，以使缺陷檢測部105和修正部106的光軸、焦點位置一致。此時，可以通過開環控制使缺陷檢測部105和修正部106移動，或通過雷射位移器(未圖示)測量位移並通過閉環控制移動。此外，當通過雷射位移器測量的結果，光軸發生偏移時，僅反饋該偏移量進行移動即可。例如，如果缺陷檢測部105的光軸相對於修正部106的光軸在X軸方向僅偏移「+I μ m」，則在缺陷檢測部105的移動坐標上進行「-I μ m」補償，後進行移動即可。在區域傳感器6a、6b中使用索尼的彩色CXD相機XCL_5005CR等即可。像素數為 2448 X 2050，像素尺寸為3. 45 μ mX 3. 45 μ m。物鏡9a的NA為(λ 9，光學倍率為100倍。照明燈10為滷化物照明燈。光源11是脈衝振蕩雷射器,波長為532nm、脈寬為10ns。物鏡9b的NA為O. 4,光學倍率為50倍。從光源11照射的雷射光線200被擴張器12放大，由均化器13變換為大致均一的強度分布，照射掩膜14。在照射到掩膜14的時刻，雷射光線200的直徑為3mm。 經由成像透鏡7b和物鏡9b將刻在掩膜14上的圖案縮小投影到OLED基板I上。掩膜平臺 15的驅動方向為X軸、Y軸方向，使掩膜14在X軸、Y軸方向移動。在掩膜14上存在圓形、 環狀等不同形狀、大小的開口，通過掩膜平臺15使掩膜14移動，由此可以變更縮小投影到 OLED基板I上的像的形狀或大小。例如，在Θ O. 3 μ m左右大小的缺陷的情況下，選擇外徑 250 μ m、內徑150 μ m的環狀的開口，對OLED基板I的非點燈像素26進行外徑5 μ m、內徑 3 μ m左右的環狀加工，在θ 2μπι左右大小的缺陷的情況下，選擇外徑500 μ m、內徑400 μ m 的環狀的開口，對OLED基板I的非點燈像素26進行外徑10 μ m、內徑8 μ m左右的環狀加工。使用圖14說明對非點燈像素26進行雷射照射，在對非點燈像素26進行加工時的狀態的一例。圖14(a)表示從缺陷檢測部105觀察到的雷射照射前的非點燈像素26中存在的缺陷30的圖像，(b)表示包含雷射照射前的OLED基板I的缺陷30的部位的截面，(c) 表示從缺陷檢測部105觀察到的雷射照射後的非點燈像素26中存在的缺陷30的圖像，以及(d)表示包含雷射照射後的OLED基板I的缺陷30的部位的截面。如圖14(a)所示，缺陷30位於缺陷檢查部105的視野31的中心位置。修正部106 和缺陷檢查部105的光軸與焦點位置大致一致，因此如果使缺陷30向缺陷檢查部105的視野中心移動，則缺陷30成為位於修正部106的視野中心。縮小投影到非點燈像素26的掩膜14的開口是外徑250 μ m,內徑150 μ m的環狀，照射能量為O. ImJ/脈衝。當以上述照明條件照射一脈衝雷射時，如圖14(c)所示，在非點燈像素26中形成外徑5 μ m、內徑3 μ m左右的加工軌跡33。不通過雷射照射來加工缺陷30存在部位，而是如圖14(d)所示那樣通過基於脈衝雷射的衝擊波將異物30正上方的部分的金屬電極803加工為環狀。通過適當地設定雷射的照射能量密度，使有機發光層804成為雷射制動器(stopper)，僅加工最上層的金屬電極803的層。由此，可以使與缺陷30接觸的部分的金屬電極803從周圍孤立化，因此，由於缺陷30引起的電極間短路被解除，像素被解救。因為缺陷30本身不被加工，所以可以避免散亂的缺陷成為其它缺陷的原因。使用圖15說明對非點燈像素26進行雷射照射，加工非點燈像素26的其它的例子。圖15(a)表示從缺陷檢查部105觀察到的在雷射照射前的非點燈像素26中存在的缺陷30的圖像，(b)表示包含雷射照射前的OLED基板I的缺陷30的部位的截面，(c)表示從缺陷檢查部105觀察到的雷射照射後的非點燈像素26中存在的缺陷30的圖像，以及(d) 表示雷射照射後的OLED基板I的截面。圖15(a)是觀察到的缺陷30位於缺陷檢查部105的視野31的中心的狀態的圖像。 因為使修正部106和缺陷檢查部105的光軸與焦點位置大致一致，所以如果使缺陷30移動到缺陷檢查部105的視野中心，則缺陷30位於修正部106的視野中心。縮小投影到非點燈像素26的掩膜14的開口為150 μ m的圓形，照射能量為O. ImJ/脈衝。當以上述照明條件照射I脈衝雷射時，如圖15(c)所示那樣，在非點燈像素26中形成3 μ m左右的加工軌跡35。 通過雷射照射，如圖15(d)所示那樣，對圖15(b)所示的金屬電極803的缺陷30的正上方的部位進行去除加工，由於缺陷30引起的電極間短路被解除，像素被解救。如圖15(d)所示，在進行圓形加工的情況下，與進行如圖14(d)所示的環狀加工的情形比較，能夠使加工尺寸變小，能夠抑制非發光面積的增大。圖16表示在非點燈像素26中存在兩個不同的缺陷30、36的情形。如果如缺陷30 那樣位於比較靠近非點燈像素26的中心部的位置，則可以如使用圖14、15所說明的那樣， 使缺陷30移動到缺陷檢查部105的視野中心，進行雷射照射，來形成加工軌跡33，但是在如缺陷30那樣位於非點燈像素26的端部的情況下，如果使缺陷36移動到缺陷檢查部105的視野中心，進行雷射照射來生成加工軌跡37，則可能使雷射的一部分偏離非點燈像素26， 而給像素驅動電路、布線圖案部分帶來破壞。圖17是從缺陷檢查部105觀察到的缺陷36的圖像的一例。在該種情況下，可以根據缺陷的尺寸、坐標來適當地選擇掩膜形狀，僅按照基於缺陷的坐標、大小計算的距離， 使缺陷36移動到偏離缺陷檢查部105的視野中心的位置，進行雷射照射，來形成加工軌跡 38。例如在缺陷36的尺寸為O. 3 μ m，存在與距離像素的端部2 μ m的位置的情況下，只要使缺陷36位於在X軸方向上從視野中心偏離+1 μ m的位置，形成外徑5 μ m、內徑3 μ m左右的環狀的加工軌跡38即可。為了使缺陷檢查部105和修正部106的光軸與焦點一致，在初始出廠時，或者定期維護時進行以下的調整。圖18僅表示了檢查修正部102。透明OLED基板70被平臺2a輸送，使透明OLED基板70點燈，進行光軸和焦點的調整。一般的OLED基板如圖I、圖2所示， 由透明電極和金屬電極夾著有機發光層，從透明電極側取出光，但是透明OLED基板70由透明電極之間夾著有機發光層，因此可以從兩個方向取出光。從修正部106側經由具備半透明反射鏡8b、成像透鏡7c、區域傳感器6b的觀察光學系統107觀察透明OLED基板70。確認區域傳感器6a、6b，同時使缺陷檢查部105和修正部106在Z方向移動，使焦點位置與透明OLED基板70的有機發光層匹配。進一步為了使光軸一致，使缺陷檢查部105和修正部106在X軸、Y軸方向移動，使得檢測透明OLED基板 70的同一區域地進行調整。此時，如果在透明OLED基板70上形成大小不同的像素或不同形狀的像素，則可以容易地確認到缺陷檢查部105和修正部106的檢測區域一致。在調整時，為了從修正部106側取得圖像，需要使觀察光學系統107的半透明反射鏡8b進入到雷射器200的光路中，但是，在修正時因為遮擋住了雷射200的光路，所以在調整時以外，使用未圖示的驅動機構，使半透明反射鏡8b避開雷射器200的光路。也可以不使用透明OLED基板70，而使用用鉻等在玻璃基板上形成的樣本來進行光軸和焦點位置的調整。圖19表示未使用透明OLED基板70的調整方法。通過修正部106的物鏡9b形成使從雷射光源11發射的雷射22能量變小後的點像71。然後，可以通過驅動部90c使缺陷檢查部105在X軸、Y軸、Z軸方向移動，使缺陷檢查部105的焦點位置與點像71的坐標匹配，由此使光軸、焦點位置一致。在該方法中，不用準備透明OLED基板70，另外也不需要用於取得透明OLED基板70的圖像的包含區域傳感器6b、成像透鏡7c、半透明反射鏡Sb的觀察光學系統107，因此可以簡化裝置構成。使用圖20進行缺陷檢查部105的動作流程的說明。當將OLED基板I輸送到缺陷檢查部105的平臺2b時，檢測OLED基板I的校準用圖案95，進行OLED基板I的校準(S40)。此時，將物鏡9a交換為光學倍率10倍、ΝΑ0. 28的透鏡，來擴大視野。根據系統控制部104的指令，移動OLED基板I、以及缺陷檢查部105、修正部106，使非點燈像素26的周邊大致進入到缺陷檢查部105的視野內(S41)，將物鏡9a 交換為ΝΑ0. 9、光學倍率100倍的透鏡，進行精密校準(S42)。此時，可以使OLED基板I和缺陷檢查部105、修正部106分別在X方向、Y方向移動，或者可以使其僅在相互垂直的一軸方向移動。圖21是OLED基板I的平面圖，以及存在於面板25a中的非點燈像素26及其周邊的放大圖。在圖21的情形下，紅(R)發光像素26為非點燈，綠(G)發光像素27、藍(B) 發光像素28相鄰，正常的紅髮光像素26』、綠髮光像素27』、藍發光像素28』並列。在此，關於像素尺寸，紅、綠、藍發光像素的尺寸全部為80μπιΧ240μπι。在非點燈像素26中存在缺陷30。取得與非點燈像素26相同的發光色的紅髮光像素26』的圖像(S43)，然後，移動 OLED基板I、以及缺陷檢查部105、修正部106，使非點燈像素26、或者其周邊部大致進入到缺陷檢查部105的視野內(S44)，取得非點燈像素26的圖像(S45)。因為區域傳感器6a的 OLED基板I上的視野為85μπιΧ70μπι左右，所以如圖21所示，只要將面板25a的一個像素分為四個檢測範圍29a 29d進行圖像取得，對其進行合併，並生成一個像素量的圖像即可。使非點燈像素26成為合併後的圖像的大致中心地進行位置匹配，分別取得四個圖像。 此時，也可以取得非點燈像素26以外的區域的圖像。接著，在系統控制部104中進行所取得的非點燈像素26的圖像和紅髮光像素26』 的圖像的位置匹配(S46)，取得差圖像(S47)，由此能夠強調缺陷30。對差圖像進行預先決定的閾值處理(S48)，將閾值以上的亮度值作為缺陷提取(S49)。在圖21的例子中，紅綠藍發光像素全部為一樣大小，但是因為根據紅綠藍發光的像素有像素大小不同的情況，所以理想的是取得非點燈像素與同一發光色的像素之間的差圖像。在系統控制部104中，根據缺陷檢查部105的檢查結果來判定可否修正非點燈像素26。使用圖22進行修正可否判定流程的說明。首先，確認在非點燈像素26中有無缺陷(S50)。即，確認是否在S49中提取出了缺陷。此時，如果未檢測出缺陷，則由於在TFT層形成工序中的不良等、混入異物的原因，而使像素成為非點燈，所以判定為相應像素無法修正。接著，在S49中提取出缺陷的情況下，確認缺陷的存在部位(S51)。如圖16所說明的那樣，但根據缺陷的位置進行雷射照射時，有可能像素驅動電路或布線圖案等部分被照射雷射，在該種情況下，可能對像素驅動電路或布線圖案等部分產生破壞，發生電路起因的其它的缺陷。確認缺陷的存在部位，在由於雷射照射引起電路起因的缺陷的情況下，也判定為相應像素無法修正。然後，根據檢測圖像或差圖像對缺陷進行分類(S52)，進行求出缺陷的大小、長度的尺寸調整(sizing) (S53)。也存在根據缺陷種類或大小而無法修正的情形，並且也有該缺陷確實為致命的缺陷的情形，而判定為相應像素無法修正(S54)。在非點燈像素26中存在多個缺陷的情況下，對全部的缺陷進行雷射照射，因此， 在非點燈像素26中成為非發光的面積增大。此外，在缺陷尺寸大的情況下，為了消除電極間短路需要對非點燈像素26進行加工，因此在該種情況下成為非發光的面積增大。形成有Θ 5 μ m的加工軌跡的情況下的非發光面積為19. 6 μ m2,形成有ΘΙΟμπι的加工軌跡的情況下的非發光面積為78. 5 μ m2。在通過雷射照射而將成為非發光的面積的容許值規定為像素全體的O. 5%以下的情況下，在像素尺寸為80 μ mX240 μ m時，如果非發光面積超過 96 μ m2,則判定為相應像素不可修正。如上所述，需要將成為非發光的面積抑制為一定值以下，因此，在通過雷射照射， 像素內的成為非發光的面積為預定值C以上的情況下，判定為相應像素不可修正(S55)。通過上述修正可否判定流程，在判定為相應像素可修正的情況下，轉移到下一個表示的修正工序(S56)。使用圖23進行修正部106的動作流程的說明。根據缺陷30的坐標、大小等信息決定掩膜14的形狀、大小(S60)。使缺陷30移動到缺陷檢查部105的視野中心(S61)。決定照射能量等照明條件(S62)，進行雷射照射 (S63)。例如，如果掩膜14的形狀為外徑250 μ m,內徑為150 μ m的環狀，則以O. ImJ/脈衝的照射能量進行雷射照明，如果掩膜14的形狀為外徑500 μ m,內徑為400 μ m的環狀，則以 O. 2mJ/脈衝的照射能量進行雷射照明。由於掩膜14的非開口部或成像透鏡7b、物鏡9b的透射率發生照射能量損耗，但是調整照射能量使得在非點燈像素26面的照射能量密度在 2. OJ/cm2 10. OJ/cm2的範圍內。在像素內有多個缺陷的情況下，判定是否進行全部的缺陷的修正(S64)，如果有未修正的缺陷，則對其它缺陷再次進行「S60 63」 (S65)。如果全部的缺陷修正完成，則對下一個非點燈像素進行檢查修正(S66)。以上進行了在點燈檢查部101中的動作流程(圖12)、在缺陷檢測部105中的動作流程(圖20)、非點燈像素的修正可否判定流程(圖22)、修正部106的動作流程(圖23) 的說明。使用圖24進行檢查修正裝置全體的動作流程的說明。在點燈檢查部101中，實施圖12所說明的OLED基板I的點燈檢查、以及OLED基板I的修正可否判定的點燈檢查工序S130 136。在S136中判定為要修正的OLED基板I 經由加載器103被輸送到檢查修正部102，實施圖20所說明的精密校準、以及缺陷檢測等缺陷檢查工序S40 49。在系統控制部104中，根據缺陷檢查部105的檢查結果，實施圖22 中所說明的修正可否判定工序S50 56，進行非點燈像素26的修正可否判定。針對在S55 中判斷為可修正的非點燈像素26，在檢查修正部102的修正部106中實施圖23所說明的修正工序S60 66中記載的修正工序。如果全部的非點燈像素26的修正可否判定結束，則將OLED基板I再次輸送到點燈檢查部101，實施圖12所說明的點燈檢查工序S130 136中記載的點燈檢查工序，在經過了修正工序的面板的非點燈像素數多於預定值A的情況下，當面板破壞、非點燈像素數少於預定值B時，做出產品為合格的判定。在經過了修正工序的面板的非點燈像素數為預定值A以下預定值B以上的情況下，檢查員判定是否從生產線中拔取並重複再次檢查修正工序。在該階段，即使判定為面板破壞，只要生成節拍有空餘也可以進行再次檢查修正工序。在本實施例中，以在OLED基板I被樹脂、玻璃封裝前的工序中進行檢查修正的一例進行了說明，但是在OLED製造工序中的哪個工序中進行檢查修正都可以。例如可以在進行樹脂、玻璃封裝，切斷每個面板後，進行檢查修正。在該種情況下，進行處理的基板的大小變小，因此可以使裝置的佔位面積縮小。但是，在該種情況下，需要作為部分地去除缺陷部位上存在的樹脂或玻璃基板的單元(例如，FIB (Focused Ion Beam)加工裝置)以及用於
14在進行缺陷部位處理後向上述部分去除的樹脂或玻璃基板的部分填充相當於樹脂或玻璃基板的物質的單元(例如,雷射VO) (Chemical Vapor Deposition)裝置)等。此外，在樹脂、玻璃封裝工序前進行檢查修正的情況下，可以對雷射照射部吹He 氣體等輔助氣體，來抑制熔融飛散物。或者，也可以在雷射照射部附近配置吸管，來吸引熔融飛散物。通過使熔融飛散物向周圍飛散，會導致新的缺陷產生，因此通過輔助氣體來抑制飛散物的量，或者可以通過用吸管吸引飛散物，來降低新的缺陷產生的概率。在本實施例中，以點燈檢查部101和檢查修正部102在同一箱體內的例子進行了說明，但是，也可以分別在不同的箱體內。在開動生產線時，製造過程不穩定，向OLED面板I 的異物混入的頻率高，進行修正的頻率變高。為了縮短節拍需要縮短從點燈檢查部101向檢查修正部102的OLED基板I的輸送時間，在這種情況下使點燈檢查部101和檢查修正部 102存在於同一箱體內比較有效。另一方面，如果製造過程成熟，則裝置發生灰塵的頻率減少，點燈檢查的結果、非點燈像素為預定值B以下，不需要修正的情況增加。S卩，從點燈檢查部101向檢查修正部 102輸送OLED基板I的頻率減少，使點燈檢查部101和檢查修正部102存在於同一箱體中的必要性降低。在樹脂封裝工序前進行檢查修正的情況下，在裝置內部充滿了幹氮，因此將點燈檢查部101和檢查修正部102分開在不同的箱體中，使裝置小型化對降低生產線成本有效果。在本實施例中，以關於在檢查修正部102中進行檢查修正後的點燈檢查，再次將 OLED基板I輸送到點燈檢查部101，在點燈檢查部101中進行點燈檢查的例子進行了說明， 但是也可以在檢查修正部102中進行點燈檢查。在該種情況下，在檢查修正部102內也配備供電模塊單元，在檢查修正過程中使全部像素始終點燈。如果通過修正像素被解救，則在修正完成時刻發光，因此可以通過缺陷檢查部105的區域傳感器6a確認有無點燈。在系統控制部104中，對在點燈檢查部101中通過點燈檢查檢測出的非點燈像素的數量和在檢查修正部102中被解救的像素的數量進行記錄，對最終的非點燈像素的數量進行計數。將其與預定值B比較，如果進行點燈檢查，則可以省略OLED基板I的輸送，因此可以縮短生產節拍。圖25A以及B表示輸出在本實施例中所說明的通過檢查修正裝置進行檢查的結果的畫面的一例。在圖25A中表示對檢查某OLED基板所得的結果進行顯示的例子。在畫面2500中顯示了作為OLED基板的母玻璃板的ID號2501、0LED基板內的面板號2502、在該面板內檢測出的非點燈像素數2503、通過本檢查修正裝置進行處理的結果修正成功的數量2504、成為修正對象外的非修正像素數2505、最終的非點燈像素數2506、作為面板的最終的是否合格判定的結果2507。另一方面，在圖25B中表示了用圖形顯示通過檢查修正裝置進行檢查的結果的經過時間變化的畫面2510的例子。通過用圖形顯示通過本檢查修正裝置進行檢查獲得的在各面板中檢測出的非點燈像素數2511的經過時間變化，可以掌握OLED基板製造工序的缺陷產生的狀況，可以防止異狀發生於未然。在本實施例中，以底部發光型構造的OLED基板I為前提進行了說明，但是，即使是頂部發光型構造的OLED基板也可以進行檢查修正。在對頂部發光型構造的OLED基板進行檢查修正的情況下，在點燈檢查部中，對於圖8所示的點燈檢查部101的構成，只要在OLED 基板的上方設置進行電燈檢查的縮小透鏡4、彩色線性傳感器5即可。此外，在檢查修正部中，對於圖8所示的檢查修正部102的構成，只要在OLED基板的上方設置缺陷檢查部105， 在OLED基板的下方設置修正部106即可。以OLED基板I的大小為1300_X 1500mm的例子進行了說明，但是，不需要將玻璃
基板的大小限定於此。關於缺陷檢查部105，在圖8中以明視場的例子對缺陷檢測方法進行了說明，但是，如圖26所示那樣，也可以通過暗視場檢測來進行缺陷檢測。在圖26所示的結構中，通過會聚透鏡81將從光源80照射的光會聚到OLED基板I上，通過電流計鏡82a、82b在X軸方向、Y軸方向進行掃描。經由物鏡9a、成像透鏡7a，通過區域傳感器6a檢測來自缺陷的散射光。通過對缺陷進行暗視場檢測，能夠以高靈敏度地檢測來自被照明光照射後的異物的散射光，可以檢測出更小的缺陷。關於點燈檢查部101，以縮小光學系統4的倍率為O. 5倍、彩色線性傳感器5的像素數為7500、像素尺寸為9. 3 μ mX9. 3 μ m的例子進行了說明，但是不需要限定於此。另外， 可以不需要線性傳感器，而使用區域傳感器。在使用區域傳感器的情況下，可以一次檢查較寬的區域。關於缺陷檢查部105，以物鏡9a的NA為O. 9、光學倍率為100倍、區域傳感器6a、 6b的像素數為2448X 2050、像素尺寸為3. 45 μ mX 3. 45 μ m的例子進行了說明，但是不需要限定於此。關於修正部106，以光源11的波長為532nm、脈寬為10ns、物鏡9b的NA為O. 4、光
學倍率為50倍的例子進行了說明，但是不需要限定於此。如上所述，根據本發明，在彩色濾波方式的OLED面板構造中，可以用單一波長的雷射進行非點燈像素的修正，維持高的生產率，並且可以對提高成品率做成貢獻。
權利要求
1.一種薄膜顯示元件的檢查修正方法，其是通過檢查薄膜顯示元件的發光狀態來修正不良部位的方法，該薄膜顯示元件具有在發光層上形成的金屬電極膜和在所述發光層的與所述金屬電極膜相反的一側形成的透明電極膜，該方法的特徵在於，對所述金屬電極和所述透明電極施加電力，使所述發光層發光，針對所述金屬電極，從所述透明電極一側觀察該發光層的發光狀態，檢測所述發光層中不發光的位置，根據該檢測出的所述發光層中不發光的位置的信息，從與所述透明電極相反的一側對所述金屬電極照射雷射，去除所述發光層中不發光的位置的上方的所述金屬電極膜。
2.根據權利要求I所述的薄膜顯示元件的檢查修正方法，其特徵在於，根據檢測出所述發光層中不發光的位置的信息，從所述透明電極一側對所述不發光的位置進行光學檢查，檢測出缺陷，使用該光學檢查所檢測出的缺陷的信息，從與所述透明電極相反的一側對所述金屬電極照射雷射，去除所述發光層中不發光的位置的上方的所述金屬電極膜。
3.根據權利要求2所述的薄膜顯示元件的檢查修正方法，其特徵在於，所述光學檢查所檢測出的缺陷的信息包含該缺陷的位置信息和該缺陷的大小的信息。
4.根據權利要求I所述的薄膜顯示元件的檢查修正方法，其特徵在於，根據從所述透明電極一側觀察從而檢測出的所述發光層中不發光的位置的信息，從所述透明電極一側對所述檢測出的發光層中不發光的位置進行光學檢查，當在所述發光層中不發光的位置檢測出異物缺陷時，使用該檢測出的異物缺陷的信息，從與所述透明電極相反的一側對所述金屬電極照射雷射，對所述異物缺陷的上方的所述金屬電極膜進行去除加工；當未在所述發光層中不發光的位置檢測出異物缺陷時，作為無法進行修正的缺陷來進行處理。
5.根據權利要求I 4中任一項所述的薄膜顯示元件的檢查修正方法，其特徵在於，檢測所述發光層中不發光的位置和去除所述金屬電極膜在幹氮等非活性氣體環境中進行。
6.一種薄膜顯示元件的檢查修正裝置，其通過對薄膜顯示元件的發光狀態進行檢查來修正不良部位，該薄膜顯示元件具有在發光層上形成的金屬電極膜和在所述發光層的與所述金屬電極膜相反的一側形成的透明電極膜，該檢查修正裝置的特徵在於，具有電力施加單元，其對所述薄膜顯示元件的金屬電極和所述透明電極施加電力，使所述發光層發光；發光狀態觀察單元，其針對所述金屬電極從所述透明電極一側觀察通過該電力施加單元被施加了電力的所述薄膜顯示元件的發光層的發光狀態，檢測所述發光層中不發光的位置；以及薄膜去除加工單元，其根據通過該發光狀態觀察單元所檢測出的所述發光層中不發光的位置的信息，從與所述透明電極相反的一側對所述金屬電極照射雷射，去除所述發光層中不發光的位置的上方的所述金屬電極膜。
7.根據權利要求6所述的薄膜顯示元件的檢查修正裝置，其特徵在於，還具備光學檢測單元，其根據通過所述發光狀態觀察單元從所述透明電極側觀察所述薄膜顯示元件而檢測出的所述發光層中不發光的位置的信息，從所述透明電極一側對所述檢測出的發光層中不發光的位置進行光學檢查，檢測缺陷，所述薄膜去除加工單元使用通過所述光學檢測單元進行光學檢查所檢測出的缺陷的信息，從與所述透明電極相反的一側對所述金屬電極照射雷射，去除所述發光層中不發光的位置的上方的所述金屬電極膜。
8.根據權利要求7所述的薄膜顯示元件的檢查修正裝置，其特徵在於，通過所述光學檢測單元進行光學檢查而檢測出的缺陷的信息包含該缺陷的位置信息和該缺陷的大小的信息。
9.根據權利要求6所述的薄膜顯示元件的檢查修正裝置，其特徵在於，還具備光學檢測單元，其根據通過所述發光狀態觀察單元從所述透明電極一側觀察所述薄膜顯示元件而檢測出的所述發光層中不發光的位置的信息，從所述透明電極一側對所述檢測出的發光層中不發光的位置進行光學檢查；以及缺陷判定單元，其當通過該光學檢測單元在所述發光層中不發光的位置檢測出異物缺陷時，判斷為是所述薄膜去除加工單元使用該檢測出的異物缺陷的信息能夠進行去除加工的缺陷；當通過該光學檢測單元未在所述發光層中不發光的位置檢測出異物缺陷時，判定為不可修正的缺陷。
10.根據權利要求6 9中任一項所述的薄膜顯示元件的檢查修正裝置，其特徵在於，還具備箱體單元，其用於收容所述電力施加單元、所述發光狀態觀察單元以及所述薄膜去除加工單元；以及氣體供給單元，其使該箱體單元的內部充滿幹氮等非活性氣體。
全文摘要
本發明提供一種薄膜顯示元件的檢查修正方法以及檢查修正裝置，其即使是在彩色濾器方式的OLED面板的情況下，也可以以單一波長、高可靠性地進行檢查、修正，能夠提高成品率。對具有在發光層形成的金屬電極膜和在發光層的與金屬電極膜相反的一側形成的透明電極膜的薄膜顯示元件的發光裝置進行檢查，修正不良部位的方法及其裝置被構成為對金屬電極和透明電極施加電力來使發光層發光，相對金屬電極從透明電極側觀察該發光層的發光裝置，檢測發光層中不發光的位置，根據該檢測出的發光層中不發光的位置的信息，從與透明電極相反的一側對金屬電極照射雷射，去除發光層中不發光的位置的上方的金屬電極膜。
文檔編號G01B11/00GK102593378SQ20111041020
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月9日 優先權日2011年1月12日
發明者中尾敏之, 丸山重信, 片岡文雄 申請人:株式會社日立高新技術