光電轉換元件、光電轉換元件的製造方法以及電子設備的製作方法

2023-12-10 22:40:27 2

光電轉換元件、光電轉換元件的製造方法以及電子設備的製作方法
【專利摘要】本發明涉及光電轉換元件、光電轉換元件的製造方法以及電子設備。上述光電轉換元件具備：基板；具有設置在基板上的第一導電膜及第二導電膜的第一電極膜；覆蓋第一電極膜而設置的金屬化合物膜；與金屬化合物膜連接設置的半導體膜；與半導體膜連接設置的第二電極膜；以及設置成包覆基板、第一電極膜、半導體膜及金屬化合物膜的絕緣膜，上述光電轉換元件的製造方法包括：形成與基板連接的第一導電膜以及與第一導電膜連接的第二導電膜的第一電極膜形成工序；在第一電極膜形成工序之後，通過溼蝕刻法將第二導電膜形成為規定的形狀的第一圖案化工序；以及在第一圖案化工序之後，形成覆蓋第一電極膜的金屬化合物膜的金屬化合物膜形成工序。
【專利說明】光電轉換元件、光電轉換元件的製造方法以及電子設備
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及光電轉換元件、光電轉換元件的製造方法以及電子設備。
【背景技術】
[0002]作為形成具有黃銅礦結構的半導體裝置的薄膜，公知有含有銅(Cu)、銦(In)和硒(Se)的所謂CIS薄膜，以及含有銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)和硒(Se)等的所謂CIGS薄膜。這些CIS和CIGS薄膜由於光電轉換率優異而多用於太陽能電池。而且，由於這些CIS和CIGS薄膜在可見光至近紅外光的廣泛波長區域具有高感光度，因此，可望作為光電轉換元件應用於傳感器等。
[0003]例如，在專利文獻I中公布有具有黃銅礦結構的P型化合物半導體薄膜的光電轉換元件，上述化合物半導體薄膜層壓在設置於基板的電極膜上，作為光吸收層發揮作用。
[0004]然而，在對黃銅礦結構的半導體薄膜進行圖案化的工序中，當為了除去該半導體薄膜的不需要的部分而使用蝕刻法時，存在損傷作為下層的電極膜的風險。而且，如果為了抑制由幹蝕刻導致的電極膜的損傷而控制(抑制)蝕刻量，則產生由幹蝕刻導致的電極膜的殘渣，且由於需要利用溼蝕刻法等除去該殘渣，還存在降低生產率的風險。
[0005]在先技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本專利特開2007-123721號公報(圖2)

【發明內容】

[0008]本發明的目的在於解決上述課題中的至少一部分，可以作為以下方式或應用例來實現。
[0009]應用例I
[0010]本應用例所涉及的光電轉換元件的製造方法，其特徵在於，上述光電轉換元件具備:基板；第一電極膜，具有設置在基板上的第一導電膜和第二導電膜；金屬化合物膜，覆蓋第一電極膜而設置；半導體膜，與金屬化合物膜連接設置；第二電極膜，與半導體膜連接設置；以及絕緣膜，設置成包覆基板、第一電極膜、半導體膜及金屬化合物膜，上述光電轉換元件的製造方法包括:第一電極膜形成工序，形成與基板連接的第一導電膜以及與第一導電膜連接的第二導電膜；第一圖案化工序，在第一電極膜形成工序之後，通過溼蝕刻將第二導電膜形成為規定的形狀；以及金屬化合物膜形成工序，在第一圖案化工序之後，形成覆蓋第一電極膜的金屬化合物膜。
[0011]應用例2
[0012]上述應用例所涉及的光電轉換元件的製造方法，優選包括:半導體膜形成工序，形成與金屬化合物膜連接的半導體膜；第二圖案化工序，將金屬化合物膜及半導體膜形成為規定的形狀；絕緣膜形成工序，形成絕緣膜；以及第二電極膜形成工序，除去一部分絕緣膜，形成與半導體膜連接的第二電極膜。[0013]根據這種光電轉換元件的製造方法，在形成金屬化合物膜的金屬化合物膜形成工序之前，進行通過對與第一導電膜連接形成的第二導電膜進行溼蝕刻而形成規定的形狀的第一圖案化工序。在第一圖案化工序中進行的溼蝕刻，對第一導電膜的蝕刻速率慢，而對第二導電膜的蝕刻速率快，可以使用蝕刻劑。由此，通過溼蝕刻，能夠對第二導電膜進行選擇性地進行圖案化(蝕刻)，並能夠抑制第一導電膜上產生的第二導電膜的蝕刻殘渣，以及抑制對第一導電膜和基板的侵蝕。
[0014]應用例3
[0015]本應用例所涉及的光電轉換元件，其特徵在於，包括:基板；以及光電轉換部，具有設置在基板上的第一電極部、第二電極部及光吸收部，其中，第一電極部具有設置成具有第一面及與第一面為正反面關係的第二面且基板與第一面連接的第一導電膜、以及設置於第一導電膜的外周邊緣的內側並與第二面連接的第二導電膜，光吸收部具有:金屬化合物膜，覆蓋第二導電膜，與第二面連接設置；半導體膜，與金屬化合物膜連接設置；以及絕緣膜，設置成與基板連接，包圍第一導電膜、金屬化合物膜及半導體膜，一部分開口而使得半導體膜露出，第二電極部具有與從絕緣膜露出的半導體膜連接並設置在絕緣膜上的第二電極膜。
[0016]根據這種光電轉換兀件，第二導電膜以被第一導電膜和金屬化合物膜包圍的方式設置於第一導電膜的第二面。由此，可以抑制通過包括金屬化合物膜的光吸收部轉換的電流從與該金屬化合物膜連接的第二導電膜洩露到絕緣膜。此外，可以抑制因第一導電膜、金屬化合物膜以及絕緣膜之間的熱膨脹率(線膨脹率)差而產生的這些膜剝離。
[0017]應用例4
[0018]上述應用例所涉及的光電轉換元件的金屬化合物膜中優選含有銅(Cu)、銦(In)、硒(Se)。
[0019]根據這種光電轉換元件，金屬化合物通過採用具有包含銅、銦、硒的P型特性的所謂CIS薄膜，與採用矽薄膜的情況相比，能夠得到光電轉換效率高的光電轉換元件。
[0020]應用例5
[0021]上述應用例所涉及的光電轉換元件的絕緣膜中,優選包含氧化娃。
[0022]根據這種光電轉換元件，絕緣膜通過包含氧化矽，能夠在與該絕緣膜連接的基板、第一導電膜、第二導電膜、金屬化合物膜以及半導體膜之間具有優異的粘附性，並抑制各自之間的膜剝離。
[0023]應用例6
[0024]本應用例所涉及的電子設備，其特徵在於搭載有上述光電轉換元件。
[0025]通過應用上述光電轉換元件，這種電子設備能夠實現提高搭載有光電轉換元件的電子設備的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是第一實施方式所涉及的光電轉換元件的簡要結構的示意圖。
[0027]圖2是表示第一實施方式所涉及的光電轉換元件的製造工序的流程圖。
[0028]圖3是說明第一實施方式所涉及的光電轉換元件的製造工序的圖。
[0029]圖4是說明第一實施方式所涉及的光電轉換元件的製造工序的圖。[0030]圖5是說明第一實施方式所涉及的光電轉換元件的製造工序的圖。
[0031]圖6是第二實施方式所涉及的光電轉換元件的簡要結構的示意圖。
[0032]圖7是實施例所涉及的電子設備的示意圖。
【具體實施方式】
[0033]以下，根據附圖對本發明的實施方式進行說明。此外，在如下所示的各圖中，為了使得各結構元件為在附圖上能夠識別的程度的大小，有時會將各結構元件的尺寸和比例與實際結構元件相比作適當改變而進行記載。
[0034]第一實施方式
[0035]使用圖1至圖5，對第一實施方式所涉及的光電轉換元件以及光電轉換元件的製造方法進行說明。
[0036]圖1是表示本實施方式所涉及的光電轉換元件的簡要結構的圖。圖2是表示光電轉換元件的製造工序的流程圖。此外，圖3至圖5是表示光電轉換元件的製造工序的圖。另夕卜，如圖1 (a)所示，本實施方式的光電轉換元件例如在基板上設置成陣列狀，各圖所示的光電轉換兀件不出其一部分被放大後的截面。
[0037]光電轉換元件的結構
[0038]圖1 (b)所示的光電轉換元件I具備基板110和光電轉換部200。而且，圖1 (b)是表示將圖1 (a)所示的光電轉換元件I放大後的截面的圖。此外，對圖3至圖5所示的光電轉換兀件I也相同。
[0039]光電轉換部200在上述基板110上，由第一電極部201、光吸收部202、第二電極部203構成。
[0040]第一電極部201被設置作為第一電極膜,具備第一導電膜210和第二導電膜220。光吸收部202具備金屬化合物膜230、半導體膜240和絕緣膜260。此外，第二電極部203具備第二電極膜270。
[0041]另外，在下列說明中，使用相同的符號(201)，作為第一電極部對第一電極膜進行說明。
[0042]如圖1 (b)所示，光電轉換元件I的光電轉換部200在基板110上設置有第一電極膜201，並且在第一電極膜201上重疊設置有光吸收部202和第二電極部203。
[0043]基板110形成為包含玻璃等材料。基板110例如使用硼矽酸玻璃等。
[0044]光電轉換部的結構
[0045]在第一電極膜201中，基板110上設置有第一導電膜210,第一導電膜210上設置有第二導電膜220。
[0046]第一導電膜210具有為正反面關係的第一面210a和第二面210b。
[0047]第一導電膜210的第一面210a連接到基板110,第一導電膜210被圖案化成規定的形狀而設置。第一導電膜210被設置成包含鈦(Ti)等的導電膜。
[0048]第二導電膜220在第一導電膜210上被圖案化成規定的形狀而設置。具體而言，第二導電膜220與第一導電膜210的第二面210b連接，並被圖案化成規定的形狀而設置。而且，第二導電膜220被設置在俯視觀察第一導電膜210時的外周邊緣的內側。換言之，第二導電膜220比第一導電膜210面積小,第一導電膜210的第二面210b上具有未設置第二導電膜220的區域。
[0049]另外，第二導電膜220被設置成包含鑰(Mo)等的導電膜。
[0050]接著，在光吸收部202以包覆第一電極膜201的方式設置有金屬化合物膜230。而且，在金屬化合物膜230上設置有半導體膜240。另外，對應於基板110以包覆第一導電膜210、金屬化合物膜230及半導體膜240的方式設置有絕緣膜260。
[0051]本實施方式的光吸收部202是具有黃銅礦結構的半導體裝置，將射入光電轉換元件I的光轉換為電(電流)信號。
[0052]光吸收部202設置有作為具有包含Ib (Ib)族元素、IIIb (3b)族元素和VIb (6b)族元素的黃銅礦結構的P型半導體的金屬化合物膜230，以及與該金屬化合物膜230連接的後述的η型半導體膜240。
[0053]金屬化合物膜231 (230)被設置為包含銅(Cu)和銦(In)等。金屬化合物膜231通過進行在硒(Se)氣氛中被加熱的所謂的退火處理，被設置為硒化的金屬化合物膜230。上述硒化的金屬化合物膜230是所謂的CIS (Cu，In，Se)薄膜。
[0054]而且，可以將金屬化合物膜231 (230)設置為包含銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)等。這種金屬化合物膜231通過進行在硒(Se)氣氛中加熱的退火處理，可以設置為硒化的金屬化合物膜230。上述的硒化金屬化合物膜230是所謂的CIGS (Cu、In、Ga、Se)薄膜。
[0055]半導體膜240例如被設置成η型半導體膜240且包含氧化鋅(ZnO)等。
[0056]絕緣膜260被設置成與基板110重疊對應並包覆第一導電膜210、金屬化合物膜230、半導體膜240。
[0057]另外，絕緣膜260具備其一部分開口而露出半導體膜240的露出區域251。換言之，露出區域251是半導體膜240不被絕緣膜260覆蓋的區域。絕緣膜260設置成例如包含氧化矽(Si02)。
[0058]其次，第二電極部203是從光吸收部202取出電(電流)信號的電極膜。第二電極膜270被設置成與絕緣膜260重疊並圖案化為規定的形狀。另外，第二電極膜270的一部分通過露出區域251與光吸收部202所具備的半導體膜240連接。第二電極膜270形成為例如包含ITO (氧化銦錫)等的導電膜。
[0059]光電轉換元件I的製造方法
[0060]其次，對製造光電轉換元件I的各工序進行說明。
[0061]如圖2所示，製造光電轉換元件I的工序包括:第一電極膜形成工序S100、第一圖案化工序S200、金屬化合物膜形成工序S300、半導體膜形成工序S400、第二圖案化工序S500、絕緣膜形成工序S600、第二電極形成工序S700。下面，利用圖3至圖5按工序順序對光電轉換元件I的製造工序進行說明。
[0062]第一電極膜形成工序
[0063]第一電極膜形成工序SlOO是形成作為第一電極膜201的第一導電膜210以及第二導電膜220的工序。
[0064]第一電極膜形成工序SlOO包括:形成與基板110連接並包含鈦(Ti)的第一導電膜210的工序、將第一導電膜210圖案化為規定的形狀的工序、形成於形成為規定的形狀的第一導電膜210連接並包含鑰(Mo)的第二導電膜220的工序。
[0065]圖3 (a)示出第一導電膜210在基板110上形成規定的形狀後的狀態。而且，圖3 (b)示出在上述第一導電膜210的第二面210b上形成第二導電膜220後的狀態。
[0066]形成第一導電膜210的工序是例如通過濺射法等在基板110上形成包含鈦的導電膜。
[0067]將第一導電膜210形成為規定的形狀的工序為是例如通過光刻法等在第一導電膜210的第二面210b上形成掩膜圖案(未圖示)。
[0068]接著，通過溼蝕刻法等除去(蝕刻)未形成上述掩膜圖案的區域，即、作為規定的形狀所不需要的部分的第一導電膜210。本實施方式中除去第一導電膜210使用了將第一導電膜210浸潰於含氫氟酸的蝕刻劑(水溶液)的溼蝕刻法，但並不僅限於此，也可以根據所除去的第一導電膜210的組成等進行適當的變更。
[0069]形成第二導電膜220的工序是例如通過濺射法等在形成為規定的形狀的第一導電膜210上形成包含鑰的導電膜。
[0070]第一圖案化工序
[0071]第一圖案化工序S200是將第二導電膜220圖案化為規定的形狀的工序。
[0072]圖3 (C)示出通過第一圖案化工序S200，第二導電膜220被圖案化為規定的形狀後的狀態。
[0073]第一圖案化工序S200例如通過光刻法等將在第二導電膜220以及基板110上形成掩膜圖案(未圖示)。接著，通過溼蝕刻法除去(蝕刻)未形成掩膜圖案的區域，即、作為規定的形狀所不需要的部分的第二導電膜220。本實施方式中第一圖案化工序S200使用了將第二導電膜220浸潰於含硝酸和磷酸的蝕刻劑(水溶液)的溼蝕刻法。
[0074]通過使用含硝酸和磷酸的蝕刻劑，可以減緩對第一導電膜210的蝕刻速率，反之加快對第二導電膜220的蝕刻速率。由此，可以選擇性地蝕刻含有鑰的第二導電膜220，並且抑制對含有鈦的第一電極膜201和基板110的侵蝕。而且，由於對第二導電膜220的蝕刻速率快，因此可以抑制對第二導電膜220的側面的侵蝕，即所謂的側蝕刻。因此，可以抑制該工序中在第一導電膜210的第二面210b上產生應該除去的第二導電膜220的殘渣。
[0075]金屬化合物膜形成工序
[0076]金屬化合物膜形成工序S300是形成與第一電極膜201連接，並包含銅(Cu)和銦(In)、或者銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)等的金屬化合物膜230 (231)的工序。
[0077]圖4(a)示出通過金屬化合物膜形成工序S300上述第一電極膜201、以及基板110上形成金屬化合物膜230後的狀態。
[0078]金屬化合物膜形成工序S300例如使用濺射法形成包含銅(Cu)和銦(In)、或者銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)等的金屬化合物膜231 (230)。
[0079]而且，金屬化合物膜形成工序S300包括進行在硒(Se)氣氛中加熱金屬化合物膜231的所謂的退火處理的硒化工序。金屬化合物膜231通過利用硒化工序在硒(Se)氣氛中進行退火處理而被硒化，從而形成為所謂的CIS (Cu，In，Se2)薄膜，或者CIGS (Cu，In，Ga，Se2)薄膜。本實施方式中的硒化工序，其退火處理溫度大致為300°C。另外，該退火處理溫度可以根據金屬化合物膜231的組成適當地變更。
[0080]半導體膜形成工序
[0081]半導體膜形成工序S400是形成與上述金屬化合物膜形成工序S300中形成的金屬化合物膜230連接的半導體膜240的工序。[0082]圖4 (b)示出通過該工序在金屬化合物膜230上形成半導體膜240後的狀態。
[0083]半導體膜形成工序S400例如通過CVD (化學氣相沉積)法形成含氧化鋅(ZnO)等的η型半導體膜240。
[0084]第二圖案化工序
[0085]第二圖案化工序S500是將金屬化合物膜230和半導體膜240形成為規定的形狀的工序。圖4 (c)示出通過該第二圖案化工序S500，金屬化合物膜230和半導體膜240被圖案化為規定的形狀後的狀態。
[0086]第二圖案化工序S500例如通過光刻法在半導體膜240上形成掩膜圖案(未圖示)，並通過溼蝕刻法除去(蝕刻)未形成掩膜圖案的區域，即、作為規定的形狀所不需要的半導體膜240和金屬化合物膜230。
[0087]絕緣膜形成工序
[0088]絕緣膜形成工序S600是以與基板110重疊並包覆第一導電膜210、金屬化合物膜230以及半導體膜240的方式形成絕緣膜260的工序。
[0089]圖5 Ca)示出通過該工序形成絕緣膜260後的狀態。
[0090]絕緣膜形成工序S600例如通過CVD法形成包含氮化矽(SiNx)或氧化矽(Si02)的絕緣膜260。通過包含氧化矽，絕緣膜260與基板110、金屬化合物膜230、半導體膜240以及第二電極膜270的粘附性提高，可以抑制和絕緣膜260各自之間的膜剝離。
[0091]第二電極膜形成工序
[0092]第二電極膜形成工序S700是在絕緣膜260上形成與上述半導體膜240連接的第二電極膜270的工序。
[0093]第二電極膜形成工序S700包括:形成第二電極膜270的工序、形成連接第二電極膜270和半導體膜240的露出區域251的工序。圖5 (b)示出通過該工序第二電極膜270與半導體膜240連接而形成後的狀態。
[0094]而且，第二電極膜形成工序S700包括將所形成的第二電極膜270圖案化為規定的形狀的工序。圖5 (c)示出通過該工序第二電極膜270被圖案化為規定的形狀後的狀態。
[0095]第二電極膜形成工序S700在形成第二電極膜270之前形成露出區域251。形成露出區域251的工序是例如在絕緣膜260上通過光刻法形成成為露出區域2551的部分開口的掩膜圖案(未圖示)。接著，通過幹蝕刻法等，除去(蝕刻)在掩膜圖案的開口部分、即、成為露出區域251的部分形成的絕緣膜260。在本實施方式的幹蝕刻法中使用的是含有六氟化硫(SF6)的蝕刻氣體，但並不僅限於此，也可以根據絕緣膜260的組成等適當地變更蝕刻氣體。
[0096]接著，第二電極膜形成工序S700形成與半導體膜240連接的第二電極膜270的形成。第二電極膜270的形成是例如通過濺射法等在絕緣膜260上以及在露出區域251露出的半導體膜240上形成包含ITO的第二電極膜270。
[0097]接著，第二電極膜形成工序S700進行將第二電極膜270圖案化為規定的形狀的工序。第二電極膜270的圖案化是在形成的第二電極膜270上例如通過光刻法形成掩膜圖案(未圖示)，然後通過溼蝕刻法除去(蝕刻)未形成掩膜圖案的區域，即、作為規定的形狀所不需要的第二電極膜270。
[0098]在本實施方式中，第二電極膜形成工序S700使用了將第二電極膜270浸潰於含有草酸的蝕刻劑(水溶液)的溼蝕刻法，但並不僅限於此，也可以根據第二電極膜270等的組成等適當地變更。
[0099]第二電極膜形成工序S700完成後，光電轉換元件I的製造工序即完成。
[0100]根據上述的第一實施方式，可以得到以下效果。
[0101]根據這種光電轉換元件1，在形成金屬化合物膜230的金屬化合物膜形成工序S300之前，通過進行將形成在第一導電膜210上的第二導電膜220形成為規定的形狀的第一圖案化工序S200,可以以被第一導電膜210和金屬化合物膜230包圍的方式,在第一導電膜210上設置第二導電膜220。
[0102]由此，能夠利用溼蝕刻法選擇性地除去在第一導電膜210上被圖案化的第二導電膜220所不需要的部分，能夠抑制在該第一導電膜210上產生被蝕刻的第二導電膜的殘渣，並抑制對第一導電膜210和基板110的侵蝕。
[0103]因此，可以得到抑制了從第二導電膜220漏出的電流即暗電流的、SN比高的光電轉換元件I。
[0104]第二實施方式
[0105]圖6是本實施方式所涉及的光電轉換元件的簡要結構的示意圖。
[0106]本實施方式的光電轉換元件2是在第一實施方式中說明的光電轉換元件I上設置有電路部300的光電轉換元件。
[0107]光電轉換元件2的結構
[0108]圖6所示的光電轉換元件2具備基板110、電路部300和光電轉換部200。
[0109]電路部300在基板110上具有開關元件310。並且，電路部300具備覆蓋該開關元件310的平坦化膜320.[0110]光電轉換部200在上述平坦化膜320上具備第一電極部201、光吸收部202和第二電極部203。
[0111]如圖6所示，光電轉換元件2在基板110上重疊設置有電路部300和光電轉換部200。
[0112]電路部的結構
[0113]電路部300在基板110上設置有由開關半導體部311、源電極部312、漏電極部313、柵電極部314、柵極絕緣部315、層間絕緣部316、以及保護部317構成的作為薄膜電晶體的開關元件310。在本實施方式中，開關元件310例示為在開關半導體部311中使用多晶矽的、所謂的多晶矽薄膜電晶體。但是，並不僅限於此，開關元件310也可以設置非晶矽薄膜電晶體或使用其他半導體膜的電晶體。
[0114]而且，電路部300設置有平坦化膜320以覆蓋開關元件310。平坦化膜320例如設置成包含氧化矽(SiO2)。
[0115]光電轉換部的結構
[0116]光電轉換部200和第一實施方式相同，重疊設置有第一電極部201、光吸收部202和第二電極部203。光電轉換部200中第一導電膜210與設置於電路部300的漏電極部313連接。由於其他光電轉換部200的結構和第一實施方式中說明的光電轉換元件I相同，因此省略其說明。
[0117]光電轉換元件2的製造方法[0118]其次，對製造光電轉換元件2的工序進行說明。
[0119]光電轉換元件2的製造方法是在製造第一實施方式中說明的光電轉換元件I的光電轉換部200的工序之前，進行形成開關元件310的工序。
[0120]在本實施方式中，開關元件310的形成工序可以使用作為公知技術的多晶矽薄膜電晶體製造技術。另外，覆蓋開關元件310的平坦化膜320的形成，例如，可以通過CVD法形成包含氧化矽(SiO2)等的膜。
[0121]由於其他的製造光電轉換元件2的工序和第一實施方式中說明的製造光電轉換元件I的工序相同，因此省略其說明。
[0122]根據上述第二實施方式，可以得到以下效果。
[0123]根據這種光電轉換元件2，通過根據由光電轉換部200轉換的電信號使開關元件310動作，例如，在光電轉換元件2被設置成陣列狀的情況下(參照圖1 (a))，可以容易地檢測光射入光電轉換元件2的部分。
[0124]實施例
[0125]其次，根據圖7對應用本發明的一實施方式所涉及的光電轉換元件I的電子設備的實施例進行說明。
[0126]電子設備
[0127]圖7是作為具備本發明的實施方式所涉及的光電轉換元件I的電子設備的酒精濃度測定製造1000的簡要示圖。圖7所示的酒精濃度測定裝置1000是將向靜脈中流動的血液照射光，通過光電轉換元件I接收其反射光並測定血液中酒精濃度的裝置。
[0128]這種酒精濃度測定裝置1000具備:向手指1200照射光並接收其反射的光的攝像裝置1120、以及控制裝置1140。
[0129]攝像裝置1120具備發光部1121、以及作為光接收部1122的光電轉換元件I。而且，還具備放置手指1200的檢測面1160。
[0130]控制裝置1140具備:控制發光部1121的發光控制部1141、處理由作為光接收部1122的光電轉換元件輸出的電信號的光接收處理部1142、以及根據由光接收處理部1142處理的信號進行酒精濃度的測定的測定部1143。
[0131]作為具備光電轉換元件I的電子設備的酒精濃度測定裝置1000，通過搭載有作為光接收部1122的本發明的實施方式所涉及的光電轉換元件1，可以提高由血液反射的光的光接收靈敏度。
[0132]另外，本發明的實施方式所涉及的光電轉換元件1，除了圖7的酒精濃度測定裝置1000以外，例如，可以應用於生物體認證裝置、指紋成像裝置、靜脈圖案成像裝置、太陽能電
池裝置等。
【權利要求】
1.一種光電轉換元件的製造方法，其特徵在於， 所述光電轉換元件包括: 基板； 第一電極膜，具有設置在所述基板上的第一導電膜及第二導電膜； 金屬化合物膜，覆蓋所述第一電極膜而設置； 半導體膜，與所述金屬化合物膜連接設置； 第二電極膜，與所述半導體膜連接設置；以及 絕緣膜，設置成包覆所述基板、所述第一電極膜、所述半導體膜及所述金屬化合物膜， 所述光電轉換元件的製造方法包括: 第一電極膜形成工序，形成與所述基板連接的所述第一導電膜及與所述第一導電膜連接的所述第二導電膜； 第一圖案化工序，在所述第一電極膜形成工序之後，通過溼蝕刻將所述第二導電膜形成為規定的形狀；以及 金屬化合物膜形成工序，在所述第一圖案化工序之後，形成覆蓋所述第一電極膜的所述金屬化合物膜。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件的製造方法，其特徵在於， 所述光電轉換元件的製造方法包括:` 半導體膜形成工序，形成與所述金屬化合物膜連接的所述半導體膜； 第二圖案化工序，將所述金屬化合物膜及所述半導體膜形成為規定的形狀； 絕緣膜形成工序，形成所述絕緣膜；以及 第二電極膜形成工序，除去所述絕緣膜的一部分，形成與所述半導體膜連接的所述第二電極膜。
3.一種光電轉換元件，其特徵在於， 包括: 基板；以及 光電轉換部，具有設置在所述基板上的第一電極部、第二電極部及光吸收部， 其中， 所述第一電極部具有: 第一導電膜，設置成具有第一面及與所述第一面為正反關係的第二面，且所述基板和所述第一面連接；以及 第二導電膜，與所述第二面連接，並設置在所述第一導電膜的外周邊緣的內側， 所述光吸收部具有: 金屬化合物膜，覆蓋所述第二導電膜，與所述第二面連接設置； 半導體膜，與所述金屬化合物膜連接設置；以及 絕緣膜，設置成與所述基板連接，並包圍所述第一導電膜、所述金屬化合物膜及所述半導體膜，所述絕緣膜的一部分開口而使得所述半導體膜露出， 所述第二電極部具有: 第二電極膜，所述第二電極膜與從所述絕緣膜露出的所述半導體膜連接並設置在所述絕緣膜上。
4.根據權利要求3所述的光電轉換元件，其特徵在於，所述金屬化合物膜包含銅(Cu)、銦(In)、硒(Se)。
5.根據權利要求3所述的光電轉換元件，其特徵在於，所述絕緣膜包含氧化矽。
6.—種電子設備,其特徵在於，搭載有權利要求3至5中任一項所述的光電轉換元件。
【文檔編號】H01L31/09GK103681957SQ201310421599
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月16日 優先權日:2012年9月20日
【發明者】宮田崇, 服部恭典 申請人:精工愛普生株式會社