一種模擬開關及採用模擬開關的冗餘存儲系統的製作方法
2023-05-04 10:10:21 1
專利名稱：一種模擬開關及採用模擬開關的冗餘存儲系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種模擬開關及採用模擬開關的冗餘存儲系統。
背景技術：
如圖I如示，是一種常用的由互補CMOS管實現的模擬開關，所述模擬開關包括一個PMOS管M2和NMOS管M1, PMOS管M2和NMOS管M1的源極相互連接，用於與開關信號輸入端連接；PM0S管M2和NMOS管M1的漏極相互連接，用於與開關信號輸出端連接。PMOS管M2 和NMOS管M1的柵極連接在一起，用於與控制端C1連接。當控制端C1接地時，PMOS管M2和NMOS管M1同時打開，此時實現了開關的「閉合」 狀態。當控制端C1接高電平時，PMOS管M2和NMOS管M1同時斷開，此時實現了開關的「斷開」狀態。可以看出，如果要實現CMOS開關的「閉合」與「斷開」狀態，CMOS開關的控制端 C1要始終加載一個電源，並且當此電源關斷後，CMOS開關一直處於斷開狀態，如需要重新使用此開關，必須要在控制端埠加載電源，否則無法正常工作。而且，這種模擬開關無法保存上一次的開關狀態。
發明內容
針對現有技術的缺陷，本發明的目的是提供一種能夠存儲開關狀態的模擬開關。本發明的提供了一種模擬開關，所述模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元，相變存儲單元中具有相變存儲器，其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。優選地，寫入控制模塊為鏡像電流源。在一種優選實施方案中，相變存儲單元包括相變存儲器、第一 MOS管、第二 MOS管、 第三MOS管、第四MOS管，其中第一 MOS管的源極接地，第一 MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；第二 MOS管的源極與相變存儲器的第二端連接，寫入控制模塊的電流輸出端與第二 MOS管的漏極連接；第一 MOS管的柵極與第二 MOS管的柵極之間連接有反相器，第一 MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極連接，且第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極均用於與第二信號控制端連接；第三MOS管的源極用於與開關信號輸入端連接，第三MOS管的漏極與相變存儲器的第二端連接；第四MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第四MOS管的漏極用於與開關信號輸出端連接，第四MOS 管的柵極用於與第二信號控制端連接。更有選地，第一 MOS管、第三MOS管、第四MOS管均為NMOS管；第二 MOS管為PMOS管。在另一種優選實施方案中，相變存儲單元中具有相變存儲器、第五MOS管、第六 MOS管、第七MOS管，其中寫入控制模塊的電流輸出端與第五MOS管的源極連接，第五MOS 管的漏極與相變存儲器的第一端連接；相變存儲器的第二端接地；第六MOS管的源極通過電阻器與開關信號輸入端連接，第六MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接；第五MOS管的柵極通過反相器與第六MOS管的柵極連接，第五MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第七MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第七MOS管的漏極通過反相器與開關信號輸出端連接。更優選地，第五MOS管為PMOS管；第六MOS管、第七 MOS管均為NMOS管。本發明還提供了一種冗餘存儲系統，所述系統包括存儲模塊、冗餘存儲模塊、多根第一字線、多根第二字線、模擬開關，每根第一字線通過一個模擬開關與存儲模塊連接，用於讀取存儲模塊中存儲的信息；每根第二字線通過一個模擬開關與冗餘存儲模塊連接，用於讀取冗餘存儲模塊中存儲信息；至少兩根字線之間連接有模擬開關；其中所述模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元，相變存儲單元中具有相變存儲器，其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。在一種優選實施方案中，每根第一字線通過一個第一模擬開關與存儲模塊連接， 且每根第二字線通過一個第一模擬開關與冗餘存儲模塊連接，在所述第一模擬開關中，相變存儲單元包括相變存儲器、第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管，其中第一 MOS管的源極接地，第一 MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；第二 MOS管的源極與相變存儲器的第二端連接，寫入控制模塊的電流輸出端與第二MOS管的漏極連接；第一MOS管的柵極與第二 MOS管的柵極之間連接有反相器，第一 MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極連接，且第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極均用於與第二信號控制端連接；第三MOS管的源極用於與開關信號輸入端連接，第三MOS 管的漏極與相變存儲器的第二端連接；第四MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第四MOS管的漏極用於與開關信號輸出端連接，第四MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接。在另一種優選實施方案中，至少兩根字線之間連接有第二模擬開關，在所述第二模擬開關中，相變存儲單元中具有相變存儲器、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管，其中 寫入控制模塊的電流輸出端與第五MOS管的源極連接，第五MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；相變存儲器的第二端接地；第六MOS管的源極通過電阻器與開關信號輸入端連接，第六MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接；第五MOS管的柵極通過反相器與第六MOS管的柵極連接，第五MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接； 第七MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第七MOS管的漏極通過反相器與開關信號輸出端連接。相對於現有技術，由於相變存儲器的性質，在使用本發明模擬開關的時候，無需每次都施加電壓。而且，模擬開關能夠存儲上一次開關的狀態。使得電路的設計和使用更加方便。
圖I是一種現有|吳擬開關的電路原理圖2a是改變相變存儲器中相變材料的電流示意圖；圖2b是一種寫入控制模塊的電路原理圖；圖3是本發明第一具體實施例的模擬開關的電路原理圖；圖4是本發明第二具體實施例的模擬開關的電路原理圖；圖5是一種冗餘存儲系統的結構示意圖；圖6採用了本發明模擬開關的冗餘存儲系統的結構示意圖。
具體實施例方式相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。例如當對相變存儲材料施加一個時間較長、強度中等的置位電流11時，相變存儲器中的相變材料會由非晶態轉換為晶態，此時的相變材料會呈現低阻態。當對相變存儲材料施加一個強度較高但作用時間短促的復位電流12時，相變存儲器中的相變材料會由晶態轉換為非晶態，此時的相變材料會呈現高阻態，其電流關係如圖2a所示。並且，在不再施加電流的情況下，相變材料會保持其原來阻值。因此，利用相變存儲器的這個特性，通過改變相變存儲器的阻值大小來實現開關的「閉合」和「斷開」狀態。這種由相變存儲器實現的開關具有可記憶上一次開關狀態的優勢，即可以保持上一次的開關狀態，並且無需持續在相變存儲器的兩端加載電源，也可繼續使用。具體的置位電流和復位電流的時間長短和長度可以根據具體的相變存儲器來確定。在本發明中，模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元。相變存儲單元中具有相變存儲器。其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。寫入控制模塊可以通過電流源來實現，優選地可以通過鏡像電流源(即電流鏡) 來實現。如圖2b所示，鏡像電流源可以包括兩個MOS管，兩個MOS管的柵極連接，兩個MOS 管的性能參數一致，本領域技術人員可以理解，鏡像電流源具有很多實施方式，例如可以將兩個MOS管替換為兩個三極體。相變存儲單元中具有相變存儲器，從而可以利用相變存儲器的特性來實現對開關狀態的記憶存儲。相變存儲單元可以通過多種電路結構來實現，下面將結合兩個優選實施例對模擬開關的結構及工作原理進行說明。第一實施例圖3所示為本發明中由相變存儲器實現模擬開關的一個具體實施例，這種模擬開關包括第一 MOS管M1、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4 ;寫入控制模塊31 ;以及相變存儲器32和反相器33。在本實施例中，第二 MOS管M2是PMOS管；第一 MOS管M1' 第三MOS管M3、第四MOS管M4均為NMOS管。本領域技術人員應該理解，根據控制邏輯的不同，各個MOS管可以是不同的類型。如圖所示，第一 MOS管M1的源極接地，第一 MOS管M1的漏極與相變存儲器32的第一端連接。第二 MOS管M2的源極與相變存儲器32的第二端連接。寫入控制模塊31的電流輸出端與第二 MOS管M2的漏極連接；第一 MOS管M1的柵極與第二 MOS管M2的柵極之間連接有反相器33，第一 MOS管M1的柵極用於與第一信號控制端C2連接；第二 MOS管M2的柵極與第三MOS管M3的柵極連接，且第二 MOS管M2的柵極與第三MOS管M3的柵極均用於與第二信號控制端C3連接。第三MOS管M3的源極用於與開關信號輸入端Vin連接，第三MOS 管M3的漏極與相變存儲器32的第二端連接。第四MOS管M4的源極與相變存儲器32的第一端連接，第四MOS管M4的漏極用於與開關信號輸出端Vout連接，第四MOS管的柵極用於與第二信號控制端C3連接。其中，第一信號控制端C2、第二信號控制端C3可以設置在任何的可編程控制裝置上，例如可以設置在工業計算機、可編程控制器等裝置的相應埠上。開關信號輸入端Vin、 開關信號輸出端Vout連接在模擬開關的兩側傳遞開關信號。在上述模擬開關的工作過程中，可以通過控制第一信號控制端C2來控制第一 MOS 管Ml與第二 MOS管M2的開啟和關斷，並且可以通過控制第二信號控制端C3來控制第三 MOS管M3和第四MOS管M4的開啟和關斷。具體地如果要實現模擬開關的「閉合」狀態，則相變存儲器32應處於一個低阻的狀態。首先，對第一信號控制端C2加載一高電平，即對第二信號控制端C3加載了一低電平，由於第二 MOS管M2是PMOS管；第一 MOS管M1是NMOS管，所以此時第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2 同時開啟，第三MOS管M3和第四MOS管關斷。這時，可以使寫入控制模塊31可對相變存儲器32進行寫入操作。寫入控制模塊31對相變存儲器32提供一個置位電流11，可使相變存儲單元32由非晶態轉換為晶態，從而相變存儲器32呈現的為低阻態。然後在第一信號控制端C2加載一低電平，即對第二信號控制端C3加載了一高電平,此時第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2關斷，第三MOS管M3和第四MOS管同時開啟。此時，本發明便實現了開關的「閉合」狀態。如果要實現開關的「斷開」狀態，則此時的相變存儲器32應處於一個高阻的狀態。 首先，對第一信號控制端C2加載一高電平，即對第二信號控制端C3加載了一低電平,此時, 第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2同時開啟，第三MOS管M3和第四MOS管關斷，可以使寫入控制模塊31對相變存儲器32進行寫入操作。寫入控制模塊31對相變存儲單元32提供一個復位電流12，可使相變存儲器32由晶態轉換為非晶態，從而相變存儲器32呈現的為高阻態。然後對第一信號控制端C2加載一低電平，即對第二信號控制端C3加載了一高電平,此時第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2關斷，第三MOS管M3和第四MOS管同時開啟。此時，本發明便實現了模擬開關的「斷開」狀態。第二實施例圖4所示為本發明利用相變存儲器實現模擬開關的另一個具體實施例。這種模擬開關包括第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7 ;寫入控制模塊41 ；以及相變存儲器 42、電阻器43和反相器44、45。在本實施例中，第五MOS管M5為PMOS管；第六MOS管M6、 第七MOS管M7均為NMOS管。本領域技術人員應該理解，根據控制邏輯的不同，各個MOS管可以是不同的類型。寫入控制模塊41的電流輸出端與第五MOS管M5的源極連接，第五MOS管M5的漏極與相變存儲器42的第一端連接；相變存儲器42的第二端接地。第六MOS管M6的源極通過電阻器43與開關信號輸入端Vin連接，電阻器43可以選擇各種適合的器件，在本實施例中，可以採用處於高阻狀態的相變存儲器來作為電阻器43。第六MOS管M6的漏極與相變存儲器42的第一端連接，第六MOS管M6的柵極與第七MOS管M7的柵極連接，而且，第六MOS管M6的柵極與第七MOS管M7的柵極用於與第二信號控制端C5連接；第五MOS管M5的柵極通過反相器45與第六MOS管M6的柵極連接，第五MOS管M5的柵極用於與第一信號控制端 C4連接；第七MOS管M7的源極與相變存儲器42的第一端連接，第七MOS管M7的漏極通過反相器44與開關信號輸出端Vout連接。其中，第一信號控制端C4、第二信號控制端C5可以設置在任何的可編程控制裝置上，例如可以設置在工業計算機、可編程控制器等裝置的相應埠上。在上述模擬開關的工作過程中，可以通過控制第一信號控制端C4來控制第五MOS 管仏的開啟和關斷。通過控制第二信號控制端C5可控制第六MOS管M6與第七MOS管M7的開啟和關斷。在本實施例中，模擬開關起到傳送電流的作用，所以，如果要實現模擬開關的「閉合」狀態，相變存儲單元43需要被固定到高阻的狀態，以使相變存儲單元43作為限流電阻器使用，同時，相變存儲器42應處於低阻的狀態。因此，首先，對第一信號控制端C4加載一低電平，即對第二信號控制端C5加載了一高電平,此時,第五MOS管M5開啟，第六MOS管M6 與第七MOS管M7關斷，從而可以使寫入控制模塊41對相變存儲器42進行寫入操作。寫入控制模塊41對相變存儲單元42提供一個置位電流11，可使相變存儲單元42由非晶態轉換為晶態，從而相變存儲器42呈現低阻態。然後對第一信號控制端C4加載一高電平，此時第六MOS管M6與第七MOS管M7同時開啟，第五MOS管M5關斷。此時，本發明便實現了開關的 「閉合」狀態。如果要實現模擬開關的「斷開」狀態，相變存儲單元43仍需被固定到高阻的狀態， 同時，相變存儲器42應同樣處於高阻的狀態。首先，對第一信號控制端C4加載一低電平， 即對第二信號控制端C5同樣加載了一低電平,此時,第五MOS管M5開啟，第六MOS管M6與第七MOS管M7關斷，可以使寫入控制模塊41對相變存儲器42進行寫入操作。寫入控制模塊41對相變存儲器42提供一個復位電流12，可使相變存儲器42由晶態轉換為非晶態，從而相變存儲器42呈現高阻態。然後對第一信號控制端C4加載一高電平，此時第六MOS管 M6與第七MOS管M7同時開啟，第五MOS管M5關斷。此時，本發明便實現了開關的「斷開」狀態。本發明可以應用於冗餘存儲系統中，如圖5所示，冗餘存儲系統包括互補CMOS開關51、56、存儲模塊52、冗餘存儲模塊53、與存儲模塊相連接的字線(WL) 54、與冗餘存儲模塊相連接的字線(WL_R)55。互補CMOS開關51和互補CMOS開關56是相同的開關。經過對存儲模塊的測試，可以檢測出存儲模塊中一些有缺陷的行或列，在冗餘存儲系統工作時， 通過控制相應的互補CMOS開關「斷開」或「閉合」，讀取冗餘存儲模塊53中對應的冗餘行或列，以對存儲模塊52中的缺陷進行替換。在對存儲模塊52或冗餘存儲模塊53進行讀寫操作時，圖5中的互補CMOS開關51 無法保留上一次的操作結果，所以每進行一次讀寫操作都必須對其進行控制「閉合」或「關斷」，大大降低了讀寫的速度。利用本發明的模擬開關，可以提供一種冗餘存儲系統，所述系統包括存儲模塊、冗餘存儲模塊、與存儲模塊相連接的字線、與冗餘存儲模塊相連接的字線、模擬開關。存儲模塊、冗餘存儲模塊均可以由相變存儲器構成。在本發明的一個優選實施例中，將上述冗餘存儲系統中的互補CMOS開關51替換為本發明的第一實施例所示的第一模擬開關61 ;將上述冗餘存儲系統中的互補CMOS開關 56替換為本發明第二實施例所示的第二模擬開關66。S卩，如圖6所示。此時的冗餘存儲系統是由第一模擬開關61、第二模擬開關66、存儲模塊62、冗餘存儲模塊63、與存儲模塊相連接的第一字線(WL)64、與冗餘存儲模塊相連接的第二字線(WL_R)65。每根第一字線64通過一個第一模擬開關61與存儲模塊62連接，用於讀取存儲模塊中存儲的信息。每根第一字線65通過一個第一模擬開關66與冗餘存儲模塊63連接，用於讀取冗餘存儲模塊中存儲信息。至少兩根字線之間連接有第二模擬開關。關於本發明的第一實施例所示的第一模擬開關61、本發明第二實施例所示的第二模擬開關66，在此不再贅述。使用本發明的冗餘存儲系統，僅需在測試時根據有缺陷的行或列的信息對開關的狀態進行設定，模擬開關便會保存住上一次的操作結果，無需對其再進行控制，也無需再對其提供電源。同時，由於寫入操作必須通過寫入控制模塊的控制，因此本發明中的寫入控制電路便可直接應用相變存儲器構成的存儲模塊或冗餘存儲模塊的寫入控制電路，而無需另外設計。上述實施例僅供說明本發明之用，而並非是對本發明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發明範圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也應屬於本發明的範疇。
權利要求
1.一種模擬開關，其特徵在於，所述模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元，相變存儲單元中具有相變存儲器，其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。
2.根據權利要求I所述的模擬開關，其特徵在於，寫入控制模塊為鏡像電流源。
3.根據權利要求I或2所述的模擬開關，其特徵在於，相變存儲單元包括相變存儲器、 第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管，其中第一 MOS管的源極接地，第一 MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；第二 MOS管的源極與相變存儲器的第二端連接，寫入控制模塊的電流輸出端與第二 MOS管的漏極連接；第一 MOS管的柵極與第二 MOS管的柵極之間連接有反相器，第一 MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極連接，且第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極均用於與第二信號控制端連接；第三MOS管的源極用於與開關信號輸入端連接，第三MOS管的漏極與相變存儲器的第二端連接；第四MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第四MOS管的漏極用於與開關信號輸出端連接，第四MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接。
4.根據權利要求I或2所述的模擬開關，其特徵在於，相變存儲單元中具有相變存儲器、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管，其中寫入控制模塊的電流輸出端與第五MOS管的源極連接，第五MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；相變存儲器的第二端接地；第六MOS管的源極通過電阻器與開關信號輸入端連接，第六MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極連接，第六MOS管的柵極與第七 MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接；第五MOS管的柵極通過反相器與第六MOS管的柵極連接，第五MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第七MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第七MOS管的漏極通過反相器與開關信號輸出端連接。
5.根據權利要求3所述的模擬開關，其特徵在於，第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管均為NMOS管；第二 MOS管為PMOS管。
6.根據權利要求4所述的模擬開關，其特徵在於，第五MOS管為PMOS管；第六MOS管、 第七MOS管均為NMOS管。
7.—種冗餘存儲系統，其特徵在於，所述系統包括存儲模塊、冗餘存儲模塊、多根第一字線、多根第二字線、模擬開關，每根第一字線通過一個模擬開關與存儲模塊連接，用於讀取存儲模塊中存儲的信息；每根第二字線通過一個模擬開關與冗餘存儲模塊連接，用於讀取冗餘存儲模塊中存儲信息；至少兩根字線之間連接有模擬開關；其中所述模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元，相變存儲單元中具有相變存儲器，其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。
8.根據權利要求7所述的系統，其特徵在於，每根第一字線通過一個第一模擬開關與存儲模塊連接，且每根第二字線通過一個第一模擬開關與冗餘存儲模塊連接，在所述第一模擬開關中，相變存儲單元包括相變存儲器、第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS 管，其中第一 MOS管的源極接地，第一 MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；第二 MOS管的源極與相變存儲器的第二端連接，寫入控制模塊的電流輸出端與第二 MOS管的漏極連接；第一 MOS管的柵極與第二 MOS管的柵極之間連接有反相器，第一 MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極連接，且第二 MOS管的柵極與第三MOS管的柵極均用於與第二信號控制端連接；第三MOS管的源極用於與開關信號輸入端連接，第三MOS管的漏極與相變存儲器的第二端連接；第四MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第四MOS管的漏極用於與開關信號輸出端連接，第四MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接。
9.根據權利要求8所述的系統，其特徵在於，至少兩根字線之間連接有第二模擬開關， 在所述第二模擬開關中，相變存儲單元中具有相變存儲器、第五MOS管、第六MOS管、第七 MOS管，其中寫入控制模塊的電流輸出端與第五MOS管的源極連接，第五MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接；相變存儲器的第二端接地；第六MOS管的源極通過電阻器與開關信號輸入端連接，第六MOS管的漏極與相變存儲器的第一端連接，第六MOS管的柵極與第七MOS管的柵極連接，第六MOS管的柵極與第七 MOS管的柵極用於與第二信號控制端連接；第五MOS管的柵極通過反相器與第六MOS管的柵極連接，第五MOS管的柵極用於與第一信號控制端連接；第七MOS管的源極與相變存儲器的第一端連接，第七MOS管的漏極通過反相器與開關信號輸出端連接。
全文摘要
本發明的公開了一種模擬開關，所述模擬開關包括寫入控制模塊、相變存儲單元，相變存儲單元中具有相變存儲器，其中寫入控制模塊的電流輸出端與相變存儲單元的第一端連接；相變存儲單元的第二端接地；相變存儲單元的第三端用於與開關信號輸入端連接，相變存儲單元的第四端用於與開關信號輸出端連接。本發明還公開了一種應用所述模擬開關的冗餘存儲系統。由於相變存儲器的性質，在使用本發明模擬開關的時候，無需每次都施加電壓。而且，模擬開關能夠存儲上一次開關的狀態。使得電路的設計和使用更加方便。
文檔編號H03K17/51GK102594315SQ20121003665
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月17日 優先權日2012年2月17日
發明者劉志青, 洪紅維, 王瑞哲, 董驍 申請人:北京時代全芯科技有限公司