用於cmp後去除的組合物及使用方法

2023-12-02 00:30:36

用於cmp後去除的組合物及使用方法
【專利摘要】本發明涉及從在其上具有化學機械拋光(CMP)後殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所述殘留物和汙染物的無胺組合物和方法。所述無胺組合物優選包含至少一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合物和水，且具有在約2.5～約11.5範圍內的pH。所述組合物實現了從所述微電子器件的表面高度有效地清潔所述CMP後殘留物和汙染材料，而不損害低-k介電材料或銅互連材料。
【專利說明】用於CMP後去除的組合物及使用方法
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 本申請要求 2012 年 2 月 15 日以JunLiu、JeffreyBarnes、EmanuelI.Cooper、 LaishengSun、StevenMedcUJiehHwaShyu、LucyDai和ZacharyWan之名提交的題為"改 善的化學機械拋光後製劑及其使用方法（ImprovedPost-ChemicalMechanicalPolishing FormulationsandMethodsofUsingSame)"的美國臨時專利申請 61/599, 162 號；2012 年5 月 24 日以JunLiu、JeffreyA.Barnes、LaishengSun和ElizabethThomas之名提交 的題為"低pHCMP後殘留物去除組合物及使用方法（LowpHPost-CMPResidueRemoval CompositionandMethodofUse)"的美國臨時專利申請61/651,287 號；2012年6月 7 日 以JunLiu、JeffreyA.Barnes、LaishengSun和ElizabethThomas之名提交的題為"低 pHCMP後殘留物去除組合物及使用方法（LowpHPost-CMPResidueRemovalComposition andMethodofUse)"的美國臨時專利申請61/656, 992號；和2012年6月18日以JunLiu、 JeffreyA.Barnes>EmanuelI.Cooper、LaishengSun、ElizabethThomas和JasonChang 之名提交的題為"使用包含表面活性劑的組合物的CMP後去除（Post-CMPRemovalUsing CompositionsComprisingSurfactant)"的美國臨時專利申請61/661，160號的優先權，其 各自通過引用全部併入本文中。

【技術領域】
[0003] 本發明涉及從在其上具有殘留物和/或汙染物的微電子器件上實質且有效地清 潔殘留物和/或汙染物的無胺組合物。

【背景技術】
[0004] 眾所周知，對於先進的微電子應用，集成電路（1C)生產商已經用銅來替換鋁和鋁 合金，因為銅具有較高的導電性，這轉變成在互連性能方面的顯著改善。另外，銅基互連提 供比鋁好的抗電遷移性，由此改善了互連可靠性。儘管如此，銅的實施面臨著某些挑戰。例 如，銅（Cu)對二氧化矽（Si02)和對其它介電材料的粘著性通常不良。不良粘著性導致在 製造過程期間銅從鄰接的薄膜剝離。並且，銅離子在電偏壓下易於擴散到Si02中，且即使 在電介質內非常低的CU濃度下也增加在銅線之間的介電漏電。另外，如果銅擴散到定位有 源器件的下伏矽中，器件性能則會劣化。
[0005] 銅在二氧化矽（Si02)中及在其它金屬間電介質（MD)/層間電介質（ILD)中的高 擴散率的問題仍然備受關注。為了解決這個問題，必須將集成電路襯底用封裝銅且阻斷銅 原子的擴散的合適阻隔層塗布。包含導電材料和非導電材料兩者的阻隔層通常在圖案化介 電層以上且在沉積銅之前形成。用於該阻隔層的典型材料包括鉭（Ta)、氮化鉭（TaNx)、鎢 (W)、鈦（Ti)、氮化鈦（TiN)、釕（Ru)、鈷（Co)、鑰（Mo)、錸（Rh)及其合金。
[0006] 在深亞微米半導體的製造中，使用銅鑲嵌法以在低_k介電層中形成導電銅線和 通孔。該鑲嵌法的一個重要步驟是銅化學機械拋光（CMP)，以便除去在介電層表面之上的過 量的銅。CMP工藝包括在受控制的壓力和溫度下在CMP漿料存在下相對於溼式拋光墊固持 並旋轉半導體器件的薄的平坦襯底。對於具體的CMP過程和需求，所述漿料視情況含有研 磨材料和化學添加劑。在該CMP工藝之後，由來自拋光漿料的顆粒、加到漿料中的化學品和 拋光漿料的反應副產物組成的汙染物留在晶片表面上。所有汙染物必須在微電子器件製造 過程中的任何進一步的步驟之前除去，以避免器件可靠性劣化及將缺陷引入器件中。這些 汙染物的顆粒常小於〇. 3iim。
[0007] 在這方面的一個特定問題是在CMP加工之後留在微電子器件襯底上的殘留物。這 類殘留物包含CMP材料和腐蝕抑制劑化合物如苯並三唑（BTA)。如果未被除去，這些殘留物 則可能引起銅線損壞或使銅金屬化嚴重粗糙，以及引起CMP後施加在器件襯底上的層的不 良粘著。銅金屬化的嚴重粗糙特別成問題，因為過度粗糙的銅可以引起微電子器件產品的 不良電學性能。為此，已經研發了CMP後去除組合物以除去CMP後殘留物和汙染物。
[0008] 常規清潔技術使用清潔溶液如基於氫氧化銨的鹼性溶液流體流經晶片表面以及 超聲波震動、噴射或刷塗以除去汙染物。所述清潔溶液通過攻擊晶片表面或與汙染物反應， 隨後從晶片除去逐出的汙染物來除去汙染物。不利地，一些汙染物對於在清潔溶液中的化 學成分可能是化學惰性的。另外，本領域已知的含胺清潔溶液發出氣味並釋放胺蒸氣到加 工處（fab)，其可使光致抗蝕劑中毒。
[0009] 提供用於CMP後清潔微電子器件、用於從所述器件的表面基本無缺陷且基本無刮 痕地除去CMP殘留物和汙染物的改善的無胺組合物，將是本領域中的顯著進步。所述水性 組合物實現了在不損壞暴露的低_k介電材料及互連和通孔材料如含銅和/或鋁的材料的 情況下從器件的表面基本去除殘留物和汙染物。


【發明內容】

[0010] 本發明總體上涉及從在其上具有殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所述殘留 物和/或汙染物的無胺組合物和方法。一方面，本文所述的組合物包含以下各物、由以下 各物組成或基本上由以下各物組成：至少一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合 物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合物基本不含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學 機械拋光過程中通常使用的研磨材料。任選地，所述清潔組合物還可包含至少一種溶劑化 齊U、至少一種表面活性劑或這兩者。所述殘留物可包括CMP後殘留物。
[0011] 另一方面，本發明涉及試劑盒，其包含在一個或多個容器中的用於形成無胺組合 物的以下試劑中的一種或多種，所述一種或多種試劑選自至少一種氧化劑、至少一種絡合 齊IJ、至少一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合物基本不含胺、季鹼、含有氟 化物的來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研磨材料，且其中所述試劑盒用以形成適 合從在其上具有CMP後殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所述殘留物和汙染物的無胺 組合物。所述至少一種氧化劑可在清潔裝置處或在所述清潔裝置上遊加到所述無胺組合物 中。
[0012] 又一方面，本發明涉及從在其上具有殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所述殘 留物和汙染物的方法，所述方法包括使所述微電子器件與無胺組合物接觸歷時足以從所述 微電子器件上至少部分地清潔所述殘留物和汙染物的時間，其中所述無胺組合物包含至少 一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合 物基本不含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研磨材料。所 述殘留物可包括CMP後殘留物。
[0013] 另一方面，本發明涉及從在其上具有CMP後殘留物和汙染物的微電子器件上除去 所述CMP後殘留物和汙染物的方法，所述方法包括：
[0014] 用CMP漿料拋光所述微電子器件；
[0015] 使所述微電子器件與包含至少一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合 物、至少一種緩衝劑和水的無胺組合物接觸歷時足以從所述微電子器件上基本除去CMP後 殘留物和汙染物的時間，其中所述組合物基本不含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學機 械拋光過程中通常使用的研磨材料。
[0016] 又一方面，本發明涉及清潔在其上具有殘留物和汙染物的微電子器件的方法，所 述方法包括使所述微電子器件與無胺組合物接觸歷時足以從在其上具有殘留物和汙染物 的所述微電子器件上除去所述殘留物和汙染物的時間，其中所述組合物包含至少一種氧化 齊IJ、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合物基本不 含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研磨材料。
[0017] 又一方面，本發明涉及清潔在其上具有CMP後殘留物和汙染物的微電子器件的方 法，所述方法包括使所述微電子器件與無胺組合物接觸歷時足以從在其上具有CMP後殘留 物和汙染物的所述微電子器件上除去所述CMP後殘留物和汙染物的時間，其中所述組合物 包含至少一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中 所述組合物基本不含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研 磨材料。
[0018] 另一方面，本發明涉及製造微電子器件的方法，所述方法包括使所述微電子器件 與本文所述的無胺清潔組合物接觸歷時足以從在其上具有CMP後殘留物和汙染物的所述 微電子器件上至少部分地清潔所述殘留物和汙染物的時間。
[0019] 本發明的又一方面涉及改進的微電子器件和合併其的產品，其使用包括從在其上 具有CMP後殘留物和汙染物的所述微電子器件上清潔所述殘留物和汙染物的本發明的方 法、使用本文所述的方法和/或組合物及任選將所述微電子器件合併成產物來製造。
[0020] 本發明的另一方面涉及包括無胺清潔組合物、微電子器件晶片和CMP後殘留物及 汙染物的生產製品，其中所述無胺清潔組合物包含至少一種氧化劑、至少一種絡合劑、至少 一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合物基本不含胺、季鹼、含有氟化物的 來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研磨材料。
[0021] 本發明的其它方面、特點和優點從繼續的公開內容和隨附權利要求書中將更加顯 而易見。

【具體實施方式】
[0022] 本發明總體上涉及從在其上具有CMP後殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所 述殘留物和汙染物的無胺組合物。所述清潔組合物與暴露的材料相容，同時從所述微電子 器件的表面上基本除去所述CMP後殘留物和汙染物。
[0023] 為了便於提及，"微電子器件"對應於被生產用於微電子、集成電路或計算機晶片 應用的半導體襯底、平板顯示器、相變儲存裝置、太陽能電池板及包含太陽能襯底、光電池 和微型機電系統（MEMS)的其它產品。應理解術語"微電子器件"並非想要以任何方式加以 限制，而是包括最後將成為微電子器件或微電子組件的任何襯底。
[0024] 在本文中使用時，"殘留物"對應於在包括但不限於等離子體蝕刻、灰化、化學機械 拋光、溼式蝕刻及其組合的微電子器件生產期間產生的顆粒。
[0025] 在本文中使用時，"汙染物"對應於在CMP漿料中存在的化學品如苯並三唑（BTA)、 拋光漿料的反應副產物、在溼式蝕刻組合物中存在的化學品、溼式蝕刻組合物的反應副產 物和作為CMP過程、溼式蝕刻、等離子體蝕刻或等離子體灰化過程的副產物的任何其它材 料。
[0026] 在本文中使用時，"CMP後殘留物"對應於來自拋光漿料的顆粒如含有氧化矽的顆 粒、在該漿料中存在的化學品、該拋光漿料的反應副產物、富碳顆粒、拋光墊顆粒、刷塗減載 (brushdeloading)顆粒、設備構造材料的顆粒、銅、氧化銅、有機殘留物和作為CMP過程的 副產物的任何其它材料。
[0027] 如在本文中定義，"低_k介電材料"對應於在層狀微電子器件中作為介電材料使用 的任何材料，其中所述材料具有小於約3. 5的介電常數。優選所述低-k介電材料包括低極 性材料，諸如含矽有機聚合物、含矽雜化有機/無機材料、有機矽酸鹽玻璃（〇SG)、TE0S、氟 代矽酸鹽玻璃（FSG)、二氧化矽、碳摻雜的氧化物（CD0)玻璃、來自NovellusSystems,Inc. 的CORAL?、來自AppliedMaterials,Inc?的BLACKDIAMOND?、來自DowCorning,Inc?的 SiLK?和Nanopore，Inc的NANOGLASS?等。應了解所述低-k介電材料可以具有不同的密 度和不同的孔隙度。
[0028] 如在本文中定義，"清潔的無胺組合物"對應於在與在其上具有CMP後和/或汙染 物的微電子器件接觸之前的無胺組合物。
[0029] 如在本文中定義，"絡合劑"包含本領域技術員人員理解為絡合劑、螯合劑和/或掩 蔽劑的那些化合物。絡合劑將與欲使用本發明的組合物除去的金屬原子和/或金屬離子化 學結合或物理固留住所述金屬原子和/或金屬離子。
[0030] 如在本文中定義，術語"阻隔材料"對應於在本領域中用於密封金屬線如銅互連以 使所述金屬如銅向介電材料的擴散最少化的任何材料。常規阻隔層材料包括鉭或鈦、它們 的氮化物和娃化物及它們的合金。可用作可直接電鍍（directlyplateable)的擴散阻隔 層的候選材料包括釕（Ru)、鈷（Co)、鎢（W)、鑰（Mo)、錸（Rh)及它們的合金。
[0031] 在本文中使用時，"約"旨在對應於所述值的±5%。
[0032] "基本不含"在本文中定義為小於2重量％、優選小於1重量％、更優選小於0. 5重 量％、甚至更優選小於0. 1重量％且最優選為0重量％。
[0033] 如在本文中定義，"蝕刻後殘留物"對應於在氣相等離子體蝕刻過程如BE0L雙重金 屬鑲嵌加工之後殘留的材料。所述蝕刻後殘留物在性質上可以為有機、有機金屬、有機矽或 無機的，例如含矽材料、碳基有機材料和蝕刻氣體殘留物，包括但不限於氧和氟。在本文中 使用時，"灰化後殘留物"對應於在氧化或還原等離子體灰化以除去硬化的光致抗蝕劑和/ 或底部抗反射塗層（BARC)材料之後殘留的材料。所述灰化後殘留物在性質上可以為有機、 有機金屬、有機娃或無機的。
[0034] 技術人員應當理解的是，當所述組合物為水性時，氫氧化銨（NH40H)可以與氨 (NH3)互換使用。
[0035] 對於本發明的目的，"胺"定義為至少一種伯胺、仲胺或叔胺，條件是（i)醯胺基、 (ii)包含羧酸基和胺基兩者的物質（例如，胺基酸）、（iii)氨、（iv)包含胺基的表面活性 劑和（V)胺-N-氧化物不被視為根據該定義的"胺"。胺式可由NRiR2R3表示，其中Ri、R2和 R3可彼此相同或不同，且選自氫、直鏈或支鏈的(^-(：6烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、己基）、C6-C1(I芳基（例如，苄基）、直鏈或支鏈的Q-C；烷醇（例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁 醇、戊醇、己醇）及其組合。
[0036]在本文中使用時，從在其上具有殘留物和汙染物的微電子器件清潔所述殘留物和 汙染物的"適合性"對應於從該微電子器件至少部分地除去所述殘留物/汙染物。清潔效 率通過微電子器件上目標物的減少來進行評價。例如，清潔前和清潔後分析可以使用原子 力顯微鏡進行。在樣品上的顆粒可以被登記為一系列像素。可以應用直方圖（例如，Sigma ScanPro)以某一強度如231?235過濾像素並計數顆粒數目。顆粒減少可以使用下式計 算：

【權利要求】
1. 一種用於從表面上清潔殘留物和汙染物的組合物，所述組合物包含至少一種氧化 齊IJ、至少一種絡合劑、至少一種鹼性化合物、至少一種緩衝劑和水，其中所述組合物基本不 含胺、季鹼、含有氟化物的來源和在化學機械拋光過程中通常使用的研磨材料。
2. 根據權利要求1所述的組合物，其中pH在7?約12的範圍內。
3. 根據權利要求1或2所述的組合物，其中所述至少一種鹼性化合物包括選自KOH、 CsOH、氫氧化銨及其組合的物質。
4. 根據權利要求1或2所述的組合物，其中所述至少一種鹼性化合物包括K0H。
5. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種絡合劑包括選自以下 的物質：乳酸、馬來酸、抗壞血酸、蘋果酸、檸檬酸、苯甲酸、富馬酸、琥珀酸、乙二酸、丙二酸、 扁桃酸、馬來酸酐、鄰苯二甲酸、天門冬氨酸、穀氨酸、戊二酸、乙醇酸、乙醛酸、苯基乙酸、奎 尼酸、均苯四酸、酒石酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、苯均三酸、葡糖酸、甘油酸、甲酸、乙酸、丙 酸、丙烯酸、己二酸、衣康酸、葡糖醛酸、甘氨酸、賴氨酸、3 -丙氨酸、組氨酸、苯丙氨酸、半 胱氨酸、亮氨酸、絲氨酸、8-羥基喹啉、2, 4-戊二酮、苯四羧酸、丙酮酸、鞣酸、磺胺酸、2-羥 基膦醯基羧酸（HPAA)、鄰苯二酚、焦掊酚、五倍子酸、鞣酸、乙二胺四乙酸（EDTA)、二乙烯 三胺五乙酸（DTPA)、（1，2-環己烯二次氮基）四乙酸（⑶TA)、亞氨基二乙酸、2-膦醯基丁 烷_1，2,4_三羧酸（PBTCA)、膦酸、羥基亞乙基二膦酸（HEDP)、1-羥基乙烷-1，1-二膦酸、次 氮基-三（亞甲基膦酸）、水楊酸、對甲苯磺酸、磺基水楊酸及其衍生物，及其任意組合。
6. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種絡合劑包括檸檬酸、 膦酸衍生物、磺基水楊酸或其衍生物，及其任意組合。
7. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種氧化劑包括選自 以下的物質：臭氧、硝酸、鼓泡空氣、環己基氨基磺酸、過氧化氫、FeCl3、過硫酸氫鉀製劑 (2KHS05 ? KHS04 ? K2S04)、過氧單硫酸銨、亞氯酸銨、氯酸銨、碘酸銨、過硼酸銨、高氯酸銨、高 碘酸銨、過硫酸銨、次氯酸銨、高硼酸鈉、過硫酸鈉、次氯酸鈉、碘酸鉀、高錳酸鉀、過硫酸鉀、 過硫酸鉀、次氯酸鉀、亞氯酸四甲基銨、氯酸四甲基銨、碘酸四甲基銨、過硼酸四甲基銨、高 氯酸四甲基銨、高碘酸四甲基銨、過硫酸四甲基銨、過氧單硫酸四丁基銨、過氧單亞硫酸、硝 酸鐵、N-甲基嗎啉-N-氧化物、三甲胺-N-氧化物、三乙胺-N-氧化物、吡啶-N-氧化物、 N-乙基嗎啉-N-氧化物、N-甲基吡咯烷-N-氧化物、N-乙基吡咯烷-N-氧化物、過氧化脲、 過氧乙酸、高碘酸、重鉻酸鉀、氯酸鉀、2-硝基苯酚、1，4-苯醌、過苯甲酸、過苯二甲酸鹽、氧 化釩、偏釩酸銨、鎢酸銨、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、硝酸鍶、硫酸及其組合。
8. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種氧化劑包括選自過氧 化氫、NMM0、過氧化脲及其組合的物質。
9. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種緩衝劑包括選自以下 的物質：磷酸氫二鉀、碳酸鉀、硼酸、賴氨酸、脯氨酸、￠-丙氨酸、乙二胺四乙酸（EDTA)、二 乙烯三胺五乙酸（DTPA)、二甲基乙二肟、二鹼式磷酸鹽（K2HP04)、三鹼式磷酸鹽（K 3P04)、二 鹼式磷酸鹽與三鹼式磷酸鹽的混合物、二鹼式碳酸鹽與三鹼式碳酸鹽的混合物、羥基亞乙 基二膦酸及其組合。
10. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述至少一種緩衝劑包括選自以 下的物質：二鹼式磷酸鹽（K2HP04)、三鹼式磷酸鹽（K3P0 4)、二鹼式磷酸鹽與三鹼式磷酸鹽的 混合物、ffiDP及其組合。
11. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中，基於所述組合物的總重量計算， 至少一種氧化劑的量為約〇. 1重量％?約1重量％，至少一種絡合劑的量為約1重量％? 約25重量％，至少一種鹼性化合物的量為約0. 01重量％?約5重量％，至少一種緩衝劑的 量為約0. 1重量％?約5重量％，且水為約66. 5重量％?約95重量％。
12. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其還包含至少一種溶劑化劑，所述溶劑 化劑包括選自以下的物質：2_吡咯烷酮、1-(2-羥基乙基）-2-吡咯烷酮、甘油、1，4- 丁二 醇、四亞甲基碸（環丁碸）、二甲基碸、乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二 醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁 醚、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙 二醇甲基醚（DPGME)、三丙二醇甲基醚（TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇 正丙基醚、二丙二醇正丙基醚（DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁 基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚及其組合。
13. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其還包含至少一種溶劑化劑，所述溶劑 化劑包括環丁碸、1-(2-羥基乙基）-2-吡咯烷酮及其組合。
14. 根據權利要求12或13所述的組合物，其中，基於所述組合物的總重量計，至少一種 溶劑化劑的量為約5重量％?約20重量％。
15. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其還包含至少一種表面活性劑，所述表 面活性劑選自十二烷基苯磺酸（DDBSA)、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇醚或聚丙二醇醚、基 於環氧乙烷和環氧丙烷的嵌段共聚物、聚氧乙烯（40)壬基苯基醚（支鏈的）、二壬基苯基聚 氧乙烯、壬基酚烷氧化物、聚乙二醇去水山梨糖醇單油酸酯、去水山梨糖醇單油酸酯、乙氧 基化含氟表面活性劑、聚氧乙烯（16)牛油乙基銨乙基硫酸鹽、聚丙烯酸銨、含氟表面活性 齊U、聚丙烯酸酯及其組合。
16. 根據權利要求15所述的組合物，其中，基於所述組合物的總重量計，所述至少一種 表面活性劑的量為約0. 001重量％?約1重量％。
17. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述組合物包括過氧化脲、KOH、 KH2P04、HEDP、至少一種溶劑化劑和水，且所述pH在約7?約12範圍內。
18. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述組合物包含過氧化脲、KOH、 KH2P04、5-磺基水楊酸、至少一種溶劑化劑和水，且所述pH在約7?約12範圍內。
19. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其中所述殘留物和汙染物包括CMP後 殘留物和汙染物，所述CMP後殘留物和汙染物選自來自CMP拋光漿料的顆粒、在所述CMP拋 光漿料中存在的化學品、所述CMP拋光漿料的反應副產物、富碳顆粒、拋光墊顆粒、銅和氧 化銅。
20. 根據前述權利要求中任一項所述的組合物，其還包含CMP後殘留物和汙染物。
21. -種從在其上具有殘留物和汙染物的微電子器件上清潔所述殘留物和汙染物的方 法，所述方法包括使所述微電子器件與根據權利要求1?20中任一項所述的組合物接觸歷 時足以從所述微電子器件上至少部分地清潔所述殘留物和汙染物的時間。
22. 根據權利要求21所述的方法，其中所述殘留物和汙染物包括CMP後殘留物和汙染 物。
23. 根據權利要求21或22所述的方法，其中所述接觸包括選自以下的條件：時間為約 15秒?約5分鐘；溫度在約20°C?約50°C範圍內；及其組合。
【文檔編號】C09K3/14GK104508072SQ201380018815
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2013年2月15日 優先權日:2012年2月15日
【發明者】劉俊, 傑弗裡·A·巴尼斯, 埃馬紐爾·I·庫珀, 孫來生, 伊莉莎白·託馬斯, 傑森·張 申請人:安格斯公司