電磁環境模擬密集脈衝流產生系統的製作方法
2023-11-11 22:56:07 2
專利名稱：電磁環境模擬密集脈衝流產生系統的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及電磁環境模擬脈衝流領域，尤其涉及一種電磁環境模擬密集脈衝流產生系統。
背景技術：
在電磁環境模擬器中，用單通道模擬多目標雷達輻射信號，主控計算機可事先根據戰情設置解算出需產生的雷達脈衝串的全部時域、頻域和幅度特徵，並以編碼(脈衝描述字)方式存儲在計算機硬碟中；仿真試驗開始時，計算機將硬碟數據分段導入模擬器主脈衝產生單元的SRAM中，該單元硬體控制邏輯自動從SRAM中順序讀取脈衝描述字，解碼後輸出視頻主脈衝和相關並行數據給基帶信號產生單元。為模擬真實的電磁環境，需產生的脈衝流密度應不小於50萬脈衝/秒，這對方案的實時性提出了很高的要求。不失一般性，假設一次仿真試驗需持續30分鐘左右，則需產生的脈衝串個數為30X60X500000 = 900 000 000，假設一個脈衝描述字需佔用9個存儲單元(字寬為32bit)，故脈衝串的總存儲深度為900000000X9X32bit = 30GX8bit =30GByte0如此巨量的數據全部一次存儲在主脈衝產生單元中，顯然不太現實，若使用現有的存儲容量進行存儲，在試驗過程中數據重複播放，則又不能真實的模擬電磁環境信號。
發明內容本實用新型實施例的目的是提供一種電磁環境模擬密集脈衝流產生系統，具有高速、真實的產生雷達脈衝信號。本實用新型實施例提供的一種電磁環境模擬密集脈衝流產生系統，包括第一存儲器、第二存儲器，緩存脈衝描述字；FPGA模塊，接收傳輸進來的數據，並將所述數據分段存儲至第一存儲器和第二存儲器，同時還可以分別從所述第一存儲器或者第二存儲器讀取脈衝描述字並進行解碼回放；PCI橋接晶片，實現所述FPGA模塊與所述PCI總線間的數據通信；PCI總線，將分段的仿真試驗數據以Ims步長形式通過所述PCI橋接晶片輸送至所述FPGA模塊；所述FPGA模塊分別與所述第一存儲器、第二存儲器、PCI橋接晶片、PCI總線相互電相連。可選的，所述第一存儲器和第二存儲器選用IDI70V7519型號。可選的，所述FPGA模塊選用XC3S2000系列。可選的，所述PCI橋接晶片採用的PCI9056型號。可選的，所述PCI總線採用的是32bit/33MHz PCI總線。由上可見，應用本實用新型實施例的技術方案，採用兩個存儲器即第一存儲器和第二存儲器，為所述FPGA模塊提供邊下載和邊回放的桌球模式生產雷達脈衝，即當所述FPGA模塊向所述第一存儲器下載數據時，也可以從所述第二存儲器讀取脈衝描述字進行解碼回放，或者當所述FPGA模塊向所述第二存儲器下載數據時，也可以從所述第一存儲器讀取脈衝描述字進行解碼回放。與此同時，具有高速下載能力的PCI總線藉助所述PCI橋接晶片進行數據的高速下載與傳輸，從而實現數據的通信，最終使得所述FPGA模塊實現實時模擬產生雷達脈衝流信號。
此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本申請的一部分，並不構成對本實用新型的不當限定，在附圖中圖1為本實用新型實施例1提供的一種電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統的結構框圖。
具體實施方式
下面將結 合附圖以及具體實施例來詳細說明本實用新型，在此本實用新型的示意性實施例以及說明用來解釋本實用新型，但並不作為對本實用新型的限定。實施例1 :如圖1所示，本實用新型所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統，包括第一存儲器1、第二存儲器2、FPGA模塊3、PCI橋接晶片4和PCI總線5，所述FPGA模塊3分別與所述第一存儲器1、第二存儲器2、PCI橋接晶片4、PCI總線5相互電相連。所述第一存儲器I和第二存儲器2分別選用的是IDI70V7519型號，具有8KX 32bit的高速SRAM晶片，用來緩衝脈衝描述字。假設脈衝密度為50萬脈衝/秒，平均每2 y s來一個脈衝，最小仿真周期即桌球間隔設為Ims時，第一存儲器I或第二存儲器2的存儲深度都不小於11^ + 21^8 = 500個脈衝描述字，一個脈衝描述字佔用9X32bit，所以第一存儲器I或第二存儲器2的存儲深度為500X9X32bit = 4500X32bit ^ 4. 39KX32bit。所述FPGA模塊3，選用的是XC3S2000系列晶片，可以接收傳輸進來的數據，並將所述數據分段存儲至第一存儲器I和第二存儲器2，同時還可以分別從所述第一存儲器I或者第二存儲器2讀取脈衝描述字並進行解碼回放，但是在此過程中，所述下載速度必須比回放速度快，這樣才能滿足整個系統的實時工作。所述PCI橋接晶片4，採用的是PCI9056型號，用來實現所述FPGA模塊與所述PCI總線間的數據通信。所述PCI總線，下載速度大32bit/33MHz，將分段的仿真試驗數據以Ims步長形式通過所述PCI橋接晶片輸送至所述FPGA模塊3。根據上述第一存儲器I和第二存儲器2的存儲深度約為4. 39KX32bit，如果回放Ims的脈衝，需下載得數據量可以設定為
4.5KX32bit，同時所述PCI總線的下載速度可達32bit@33MHz，因此下載第一存儲器I或者第二存儲器2的數量需用的時間為4500 X 30ns = 0. 135ms，遠遠小於現有技術的1ms，完全滿足實時性要求。以上對本實用新型實施例所提供的技術方案進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本實用新型實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用於幫助理解本實用新型實施例的原理；同時，對於本領域的一般技術人員，依據本實用新型實施例，在具體實施方式
以及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
權利要求1.一種電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統,其特徵在於,包括 第一存儲器、第二存儲器，緩存脈衝描述字； FPGA模塊，接收傳輸進來的數據，並將所述數據分段存儲至第一存儲器和第二存儲器，同時還可以分別從所述第一存儲器或者第二存儲器讀取脈衝描述字並進行解碼回放； PCI橋接晶片，實現所述FPGA模塊與所述PCI總線間的數據通信； PCI總線，將分段的仿真試驗數據以Ims步長形式通過所述PCI橋接晶片輸送至所述FPGA模塊； 所述FPGA模塊分別與所述第一存儲器、第二存儲器、PCI橋接晶片、PCI總線相互電相連。
2.根據權利要求1所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統，其特徵在於 所述第一存儲器和第二存儲器選用IDT70V7519型號。
3.根據權利要求1所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統，其特徵在於 所述FPGA模塊選用XC3S2000系列。
4.根據權利要求1所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統，其特徵在於 所述PCI橋接晶片採用的是PCI9056型號。
5.根據權利要求1所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生的系統，其特徵在於 所述PCI總線採用的是32bit/33MHz PCI總線。
專利摘要本實用新型涉及電磁環境模擬脈衝流領域，公開了一種電磁環境模擬密集脈衝流產生系統。本實用新型所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生系統，包括第一存儲器、第二存儲器、FPGA模塊、PCI橋接晶片和PCI總線，所述FPGA模塊分別與所述第一存儲器、第二存儲器、PCI橋接晶片、PCI總線相互電相連。本實用新型所述的電磁環境模擬密集脈衝流產生系統採用雙存儲器，實施邊下載、邊回放的桌球模式，具有高速、真實的產生雷達脈衝信號。
文檔編號H03K3/02GK202870294SQ20122057208
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月31日 優先權日2012年10月31日
發明者吳惠明, 朱永前, 李璇 申請人:南京長峰航天電子科技有限公司