非滷化蝕刻劑和使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法
2023-11-07 04:29:52
專利名稱：非滷化蝕刻劑和使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法
技術領域：
本發明的示例性實施例涉及一種非滷化蝕刻劑和一種使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。更具體地說，本發明的示例性實施例涉及一種用於蝕刻用來製造顯示基底的銦氧化物層的非滷化蝕刻劑和一種使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。
背景技術：
通常，顯示面板包括顯示基底，作為用於驅動像素的開關元件的薄膜電晶體(TFT)形成在顯示基底上。顯示基底包括主要通過光刻工藝形成的多個金屬圖案。在光刻工藝中，在其上形成有待蝕刻的層的基底上形成光致抗蝕劑層。在光致抗蝕劑層被曝光並顯影以形成光致抗蝕劑圖案之後，使用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層通過蝕刻劑來蝕刻層，從而將層圖案化。
在蝕刻層的過程中，通過蝕刻劑去除通過光致抗蝕劑圖案暴露的區域中的層，從而暴露設置在所述層下方的下層。然後，通過圖案化的層暴露的下層與蝕刻劑接觸，從而下層會被蝕刻劑損壞。用於蝕刻包括銦氧化物層的層的蝕刻劑的示例包括基於王水的蝕刻劑(第1996-2903號韓國公布)、基於氯化鐵的蝕刻劑(第5，456，765號美國專利)和基於草酸的蝕刻劑(第2000-17470號韓國公布)。然而，以上蝕刻劑會具有強化學活性，從而位於被蝕刻層下方的下層會容易地被蝕刻劑損壞。為了解決以上問題，已經開發出包括作為主氧化劑的硫酸和作為次氧化劑的硝酸或高氯酸的蝕刻劑組合物(第2005-77451號韓國公布)，當下層包括鋁-鈮(Al-Nb)、鑰(Mo)或鉻(Cr)時，下層不會被該蝕刻劑組合物損壞。然而，當下層包括銅(Cu)層時，使用該蝕刻劑組合物蝕刻形成在下層上的銦氧化物層，從而銅層的表面會被該蝕刻劑組合物損壞。因此，當下層包括銅層時，不可以使用該蝕刻劑組合物。因此，用於當下層包括銅時蝕刻銦氧化物層的蝕刻劑組合物會需要與用於當下層包括鋁時蝕刻銦氧化物層的蝕刻劑組合物具有不同的成分。因此，製造商會需要根據下層的組成來製備不同的蝕刻劑組合物，由此提高了製造成本。
發明內容
本發明的示例性實施例提供了一種用於蝕刻銦氧化物層的非滷化蝕刻劑，當蝕刻作為上層的銦氧化物層時，即使下層包括銅層或鋁層，所述非齒化蝕刻劑仍能夠使對下層的損壞最小化。本發明的示例性實施例還提供了一種使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。本發明的附加特徵將在下面的說明書中進行說明，並部分地根據說明書將是明顯的，或者可以由本發明的實施而明了。根據本發明的示例性實施例，一種非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕齊U、基於環胺的化合物和水。本發明的示例性實施例還公開了一種使用非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。在該方法中，在基底形成包括柵電極、源電極和漏電極的開關元件。在所述基底上形成銦氧化物層。使用包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水的非滷化蝕刻劑將所述銦氧化物層圖案化，以形成電連接到所述漏電極的第一像素電極。本發明的示例性實施例還公開了一種使用非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。在該方法中，在基底上形成包括柵電極、源電極和漏電極的開關元件。形成直接接觸所述漏電極並包括銦氧化物層的第一像素電極。使用包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水的非滷化蝕刻劑去除所述第一像素電極。然後，在去除所述第一像素電極後在所述基底上形成直接接觸所述漏電極的第二像素電極。本發明的示例性實施例還公開了一種使用非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法。在該方法中，在基底上形成導體。在所述基底上形成銦氧化物層。使用包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水的非滷化蝕刻劑將所述銦氧化物層圖案化。所述銦氧化物層電連接到所述導體。應當理解，以上概括性描述和以下詳細描述均是示例性的和解釋說明性的，並且 旨在提供對本發明的進一步解釋。
包括附圖以提供對本發明的進一步理解，附圖併入到本說明書中，並構成本說明書的一部分，附圖對本發明的實施例進行舉例說明，並與描述一起來解釋本發明的原理。圖I是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的平面圖。圖2是沿圖I中的i-r線和ii-ir線截取的剖視圖。圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出製造在圖2中示出的顯示基底的方法的剖視圖。圖4是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的剖視圖。圖5是示出製造在圖4中示出的顯示基底的方法的剖視圖。圖6是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的平面圖。圖7是沿圖6中的Ill-Ill'線和IV-IV'線截取的剖視圖。圖8A、圖8B和圖8C是示出製造在圖7中示出的顯示基底的方法的剖視圖。圖9是示出根據本發明示例性實施例的製造在圖7中示出的顯示基底的方法的流程圖。圖10是示出當使用根據本發明的示例I的蝕刻劑和根據對比示例I的蝕刻劑蝕刻銦氧化物層時歪斜長度根據蝕刻時間的曲線圖。圖11是示出當使用根據本發明的示例I的蝕刻劑和根據對比示例I的蝕刻劑蝕刻銦氧化物層時下銅層的錐角根據蝕刻時間的圖示。圖12是包括示出當使用根據本發明的示例I的蝕刻劑蝕刻銦氧化物層時銦氧化物層的蝕刻結果和銅層的表面狀況的掃描電子顯微鏡(SEM)照片的表。圖13是包括示出當使用根據對比示例I的蝕刻劑蝕刻銦氧化物層時銦氧化物層的蝕刻結果和銅層的表面狀況的SEM照片的表。圖14A、圖14B、圖14C和圖14D是示出銅層的表面狀況根據銅層接觸根據本發明的示例I的蝕刻劑的時間的SEM照片。
圖15A、圖15B、圖15C和圖I 是示出銅層的表面狀況根據銅層接觸根據對比示例I的蝕刻劑的時間的SEM照片。圖16A、圖16B、圖16C和圖16D是示出銅層的表面狀況根據銅層接觸根據對比示例2的蝕刻劑的時間的SEM照片。
具體實施例方式在下文中參照附圖更充分地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式來實施，而不應該被理解為局限於在此提出的示例性實施例。而是提供這些示例性實施例使本公開將是徹底的，並將把本發明的範圍充分地傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了清楚起見，會誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。在附圖中，相同的標號指示相同的元件。將理解的是，當元件或層被稱作「在」另一元件或層「上」，或者「連接到」另一元件、或層時，該元件或層可以直接在另一元件或層上，或者直接連接到另一元件或層，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱作「直接在」另一元件或層「上」，或者「直接連接至IJ」另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。在下文中，在描述了本發明的非滷化蝕刻劑之後，將對使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法和實驗結果進行舉例說明。根據本發明的用於蝕刻銦氧化物層的非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。非滷化蝕刻劑不包括滷化化合物。用於非滷化蝕刻劑的硝酸和硫酸可以是用於蝕刻銦氧化物層的主要成分。硝酸是用於蝕刻銦氧化物層的成分。另外，硝酸可以防止作為銦氧化物層的蝕刻停止層的光致抗蝕劑圖案被損壞，並且使銦氧化物層的殘留最小化。可以經由傳統上已知的方法來製備硝酸和硫酸中的每種。可以在一定範圍內使用非滷化蝕刻劑中的硝酸和硫酸的量，從而不損害非滷化蝕刻劑的穩定性。當基於非滷化蝕刻劑的總重量，硫酸的量小於大約I重量％時，銦氧化物層的蝕刻速率會減慢。另外，當基於非滷化蝕刻劑的總重量，硫酸的量大於大約10重量％時，非滷化蝕刻劑會在化學上損壞光致抗蝕劑圖案或銦氧化物層的下層。因此，基於非滷化蝕刻劑的總重量，非滷化蝕刻劑中的硫酸的量可以在大約I重量％和大約10重量％之間。可選地，非滷化蝕刻劑中的硫酸的量可以在大約3重量％和大約8重量％之間。當基於非滷化蝕刻劑的總重量，硝酸的量小於大約I重量％時，銦氧化物層的蝕刻速率會減慢，並且光致抗蝕劑圖案會被損壞。當基於非齒化蝕刻劑的總重量，硝酸的量大於大約10重量％時，非滷化蝕刻劑會損壞銦氧化物層的下層。因此，基於非滷化蝕刻劑的總重量，非滷化蝕刻劑中的硝酸的量可以在大約I重量％和大約10重量％之間。可選地，非滷化蝕刻劑中的硝酸的量可以在大約5重量％和大約10重量％之間。緩蝕劑可以抑制非滷化蝕刻劑損壞銦氧化物層的下層。例如，緩蝕劑可以抑制硝酸和硫酸腐蝕包括鋁(Al)的下層。緩蝕劑包括銨(NH4+)。可以用於緩蝕劑的材料的示例可以包括乙酸銨(CH3COONH4)、氨基磺酸銨(NH4SO3NH2)、苯二酚銨、氨基甲酸銨(NH2COONH4)、磷酸二氫銨(NH4H2PO4)、甲酸銨(NH4COOH)、碳酸氫銨(NH4HCO3)、檸檬酸銨(H4NO2CCH2C (OH) (CO2NH4)CH2CO2NH4)、硝酸銨(NH4NO3)、過硫酸銨((NH4) 2S208)、氨基磺酸銨(H2NSO3NH4)和硫酸銨((NH4)2SO4)等。這些可以單獨使用或以其組合形式使用。當基於非滷化蝕刻劑的總重量，緩蝕劑的量小於大約0. I重量％時，非滷化蝕刻劑不會抑制下層的金屬被硝酸和硫酸腐蝕。當緩蝕劑的量大於大約5重量％時，非滷化蝕刻劑對銦氧化物層的蝕刻速率會減慢。因此，緩蝕劑的量可以在大約0. I重量％和大約5重量％之間。可選地,緩蝕劑的量可以在大約0. 5重量％和大約3重量％之間。基於環胺的化合物可以抑制硝酸和硫酸損壞銦氧化物層的下層。例如，基於環胺的化合物可以抑制硝酸和硫酸腐蝕包括銅(Cu)的下層。基於環胺的化合物可以包括水溶性雜環胺化合物。可以用於基於環胺的化合物的材料的示例可以包括氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉和苯並三唑等。這些可以單獨使用或以其組合形式使用。
當基於非滷化蝕刻劑的總重量，基於環胺的化合物的量小於大約0. I重量％時，非滷化蝕刻劑不會充分地抑制硝酸和硫酸腐蝕下層的金屬。當基於環胺的化合物的量大於大約5重量％時，非齒化蝕刻劑對銦氧化物層的蝕刻速率會減慢。因此，基於環胺的化合物的量可以在大約0. I重量％和大約5重量％之間。可選地，基於環胺的化合物的量可以在大約0. 3重量％和大約2重量％之間。非滷化蝕刻劑不包括滷化化合物，即，具有氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或碘⑴的化合物。雖然滷化化合物在傳統的蝕刻劑中支持硝酸和硫酸對銦氧化物層的蝕刻，但是當銦氧化物層的下層包括銅層時，銅層會容易地被滷化化合物損壞。不包括在非滷化蝕刻劑中的滷化化合物的示例可以包括氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、氫氯酸(HCl)、氯化銀(AgCl)、氯化鐵(FeCl3)、氯化銅(CuCl2)、氟酸(HF)、氟化氫銨(NH4FHF)、氟化氫鉀(KFHF)、氟化氫鈉(NaFHF)、氟化鉀(KF)、氟化鈉(NaF)、溴酸(HBrO3)、溴化銀(AgBr)、溴化鉀(KBr)、碘化鉀(KI)、碘化鈉(NaI)和碘酸鉀(KIO3)。非滷化蝕刻劑不包括以上滷化化合物中的任何化合物。除了硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物之外，非滷化蝕刻劑還包括水。在非滷化蝕刻劑中使用的水不限於特定類型。在非滷化蝕刻劑中使用的水可以包括脫鹽水。可選地，在非滷化蝕刻劑中使用的水可以包括具有大約18MQ/cm的比電阻的脫鹽水。通過硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物的量來確定在非滷化蝕刻劑中使用的水的量。例如，水可以是從非齒化蝕刻劑的總重量中排除硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物的餘量。可選地，除了硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物之外，非滷化蝕刻劑還可以包括能夠支持並控制硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物的功能的添加劑。例如，添加劑可以包括表面活性劑、金屬離子封阻劑等。當基於非滷化蝕刻劑的總重量，添加劑的量小於大約0. 0001重量％時，添加劑不會起作用。當添加劑的量大於大約0. 01重量％時，添加劑會對非滷化蝕刻劑的化學穩定性造成不利影響。因此，添加劑的量可以在大約0. 0001重量％和大約0. 01重量％之間。當非滷化蝕刻劑還包括添加劑時，水的量可以基本上與非滷化蝕刻劑的總量與硝酸、硫酸、緩蝕劑、基於環胺的化合物和添加劑的量之和的差相同。將被非滷化蝕刻劑蝕刻的層包括銦氧化物層。銦氧化物層可以包括氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)等。銦氧化物層可以是非晶的，並且未結晶化。當下層包括銅層時，本發明的非滷化蝕刻劑可以在蝕刻銦氧化物層期間防止銅層被損壞。此外，即使當下層包括鋁層時，非滷化蝕刻劑也可以防止鋁層被損壞。因此，非滷化蝕刻劑可以使包括銅層和/或鋁層的下層的損壞最小化。此外，銦氧化物層的非滷化蝕刻劑可以防止光致抗蝕劑圖案的光敏性材料被損壞，並且銦氧化物層的殘留可以被最少化。此外，非滷化蝕刻劑可以包括作為主要成分的硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物，從而通過使用非齒化蝕刻劑來蝕刻銦氧化物層，可以防止基於草酸的蝕刻劑中的草酸在小於大約o°c的溫度下的結晶化或下層被基於王水的蝕刻劑的損壞。在下文中參照附圖更充分地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。圖I是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的平面圖，圖2是沿圖I中的i-r線和ii-ir線截取的剖視圖。參照圖I和圖2，顯示基底100包括柵極線GL、數據線DL、開關元件SW、第一像素電極PEl和第二像素電極PE2。顯示基底100還包括柵極焊盤電極GPE和數據焊盤電極DPE。
·
柵極線GL沿顯示基底100的第一方向Dl延伸。柵極線GL沿第一方向Dl具有矩形形狀。數據線DL沿與第一方向Dl不同的第二方向D2延伸。例如，第二方向D2可以基本上垂直於第一方向D1。數據線DL具有從彼此相鄰的兩條柵極線GL之間的區域沿彼此不同的方向朝柵極線GL分岔的「<」形狀。數據線DL沿第二方向D2具有重複「<」形狀的Z字形圖案。可選地，數據線DL可以具有矩形形狀。開關元件SW電連接到柵極線GL、數據線DL和第一像素電極PE1。開關元件SW包括柵電極GE、源電極SE、有源圖案AP和漏電極DE。柵電極GE連接到柵極線GL，源電極SE連接到數據線DL。漏電極DE與源電極SE隔開。有源圖案AP設置在源電極SE和漏電極DE下方，並通過源電極SE和漏電極DE之間的空間部分地暴露。有源圖案AP包括半導體層132和歐姆接觸層134。漏電極DE與第一像素電極PEl直接接觸，從而開關元件SW電連接到第一像素電極PEl。柵極線GL、柵電極GE和柵極焊盤電極GPE由相同的柵極金屬層形成。柵極金屬層可以包括單一金屬、合金金屬或具有彼此不同的堆疊金屬層的多層結構。顯示基底還包括第一絕緣層120。第一絕緣層120形成在其上形成有柵極線GL、柵電極GE和柵極焊盤電極GPE的基體基底110上。第一絕緣層120設置在柵極線GL和數據線DL之間，以使柵極線GL與數據線DL絕緣。數據線DL、源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE由相同的源極層形成。源極層可以包括銅層。例如，源極層包括形成在歐姆接觸層134上的第一金屬層142和形成在第一金屬層142上的第二金屬層144。第二金屬層144可以包括含有銅(Cu)的銅層,第一金屬層142可以包括含有鈦(Ti)的鈦層。第一金屬層142可以提高第二金屬層144和歐姆接觸層134之間的粘結強度。有源圖案AP形成在源電極SE和漏電極DE下方。另外，與有源圖案AP具有基本上相同的層結構的啞圖案形成在數據線DL和數據焊盤電極DPE下方。啞圖案包括半導體層132和歐姆接觸層134。啞圖案可以在形成有源圖案AP的工藝中形成在數據線DL和數據焊盤電極DPE下方。源電極SE和漏電極DE的蝕刻表面可以與有源圖案AP的側表面基本上一致。另外，數據焊盤電極DPE的蝕刻表面可以與啞圖案的側表面基本上一致。在平面圖中，第一像素電極PEl被柵極線GL和數據線DL圍繞。第一像素電極PEl的邊界可以與柵極線GL和數據線DL部分地疊置。漏電極DE的一部分(其與面對源電極SE的另一部分相對)與第一像素電極PEl直接接觸。在剖視圖中，第一像素電極PEl沿漏電極DE的側表面從漏電極DE的上表面向第一絕緣層120延伸。因此，第一像素電極PEl與漏電極DE和第一絕緣層120部分地接觸。第一像素電極PEl包括銦氧化物層。銦氧化物層可以包括氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)等。根據本發明的上述非滷化蝕刻劑可以用於形成第一像素電極PE1。可以通過開關元件SW向第一像素電極PEl提供用於驅動開關元件SW的像素電壓。顯示基底100還包括第二絕緣層150。第二絕緣層150形成在其上形成有數據線DL、源電極SE、漏電極DE、數據焊盤電極DPE和第一像素電極PEl的基體基底110上。第二絕緣層150包括限定第一焊盤孔CTl的孔，從而與第一絕緣層120部分地暴露柵極焊盤電極GPE。第二絕緣層150的孔可以與第一絕緣層120的孔基本上一致，從而部分地暴露柵極焊盤電極GPE。因此，第一絕緣層120和第二絕緣層150的孔可以限定第一焊盤孔CT1。另夕卜，第二絕緣層150還包括部分地暴露數據焊盤電極DPE的孔。將第二絕緣層150的暴露 數據焊盤電極DPE的孔定義為第二焊盤孔CT2。第二像素電極PE2形成在第二絕緣層150上。第二像素電極PE2與第一像素電極PEl疊置，並且通過第二絕緣層150與第一像素電極PEl絕緣。第二像素電極PE2包括由彼此隔開的多個棒電極限定的狹縫圖案SLT。因為棒電極與數據線DL具有基本上相同的「<」形狀，所以狹縫圖案SLT也具有「<」形狀。棒電極彼此連接，並且彼此相鄰的第二像素電極PE2連接到連接電極CNE。狹縫圖案SLT基本上是開口圖案。第二絕緣層150由狹縫圖案SLT部分地暴露。通過第二像素電極PE2的狹縫圖案SLT在第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間形成水平電場。設置在第二像素電極PE2上的液晶(未示出)可以由水平電場來調節。第二像素電極PE2包括銦氧化物層。例如，銦氧化物層可以包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等。上面描述的非滷化蝕刻劑可以用於形成第二像素電極PE2。可以向第二像素電極PE2提供與施加到第一像素電極PEl的像素電壓不同的共電壓。在下文中，將基體基底110的其中形成有第一像素電極PEl和第二像素電極PE2的區域定義為基體基底110的「像素區域」。例如，柵極線GL和數據線DL設置在像素區域的邊界上。可選地，柵極線GL和數據線DL可以部分地設置在像素區域中。柵極焊盤電極GPE被定義為柵極線GL的端部。柵極接觸電極GCE形成在柵極焊盤電極GPE上。柵極接觸電極GCE通過第一焊盤孔CTl與柵極焊盤電極GPE直接接觸。數據焊盤電極DPE被定義為數據線DL的端部。數據接觸電極DCE形成在數據焊盤電極DPE上。數據接觸電極DCE通過第二焊盤孔CT2與數據焊盤電極DPE直接接觸。數據焊盤電極DPE的第二金屬層144與數據接觸電極DCE直接接觸。在圖I和圖2中，第一像素電極PEl具有板形狀，第二像素電極PE2包括狹縫圖案SLT0可選地，雖然在圖中未示出，但是第一像素電極PEl可以包括與第二像素電極PE2的狹縫圖案SLT隔開並且與第二像素電極PE2的狹縫圖案SLT交替地設置的狹縫圖案，從而在第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間形成水平電場。在下文中，將參照圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E詳細地對使用本發明的非滷化蝕刻劑製造在圖2中示出的顯示基底的方法進行舉例說明。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出製造在圖2中示出的顯示基底的方法的剖視圖。具體地說，圖3A是示出使用第一掩模形成連接到柵極線GL的柵電極GE和柵極焊盤電極GPE的工藝的剖視圖。參照圖3A，在基體基底110上形成柵極金屬層，並圖案化，以形成柵電極GE和柵極焊盤電極GPE。具體地說，使用第一掩模(未示出)在柵極金屬層上形成第一光致抗蝕劑圖案(未示出)，並且使用第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層來蝕刻柵極金屬層。在其上形成有柵電極GE和柵極焊盤電極GPE的基體基底110上形成第一絕緣層120。第一絕緣層120可以完全地形成在基體基底110上。例如，第一絕緣層120可以包括氧化矽或氮化矽。
圖3B是示出形成連接到數據線DL的源電極SE、漏電極DE、數據焊盤電極DPE、有源圖案AP和啞圖案的工藝的剖視圖。參照圖3B，在其上形成有第一絕緣層120的基體基底110上順序地形成半導體層132、歐姆接觸層134、第一金屬層142和第二金屬層144。可以使用第二掩模(未示出)在第二金屬層144上形成第二光致抗蝕劑圖案(未示出)。第二掩模可以包括狹縫部分或半色調部分。狹縫部分或半色調部分可以對應於源電極SE和漏電極DE之間的間隔區域。第二光致抗蝕劑圖案可以包括形成在間隔區域中的第一厚度部分和形成在與源電極SE、漏電極DE、數據線DL和數據焊盤電極DPE對應的區域中的第二厚度部分。第二厚度部分的厚度可以小於第一厚度部分的厚度。使用第二光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層將第一金屬層142和第二金屬層144圖案化，以形成源電極SE、漏電極DE、數據線DL和數據焊盤電極DPE。同時，使用第二光致抗蝕劑圖案作為蝕刻停止層將歐姆接觸層134和半導體層132圖案化，從而形成有源圖案AP和啞圖案。圖3C是示出使用第三掩模形成第一像素電極PEl的工藝的剖視圖。參照圖3C，在其上形成有源電極SE、漏電極DE、數據線DL和數據焊盤電極DPE的基體基底110上形成第一銦氧化物層INLl。在第一銦氧化物層INLl上形成第三光致抗蝕劑圖案210。在像素區域中的第一銦氧化物層INLl上形成第三光致抗蝕劑圖案210。第一銦氧化物層INLl完全地形成在基體基底110上，從而與源電極SE、漏電極DE、數據線DL和數據焊盤電極DPE中的每個直接接觸。第一銦氧化物層INLl直接覆蓋源電極SE、漏電極DE、數據線DL和數據焊盤電極DPE中每個的所有上表面和側表面。第一銦氧化物層INLl可以包括氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫(ITO)等。第一銦氧化物層INLl可以是非晶的。使用第三光致抗蝕劑圖案210作為蝕刻停止層並使用蝕刻劑來蝕刻第一銦氧化物層INLl。用於蝕刻第一銦氧化物層INLl的蝕刻劑是非滷化蝕刻劑，非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。用於蝕刻第一銦氧化物層的非滷化蝕刻劑與根據本發明的上述非滷化蝕刻劑基本上相同。因此，將省略任何重複性描述。非滷化蝕刻劑包括基於環胺的化合物，並且不包括滷化化合物，因而，儘管包括銅的第二金屬層144在第一銦氧化物層INLl的蝕刻期間暴露於非滷化蝕刻劑，非滷化蝕刻劑也可以防止第二金屬層144被損壞。
雖然在圖中未示出，但是當第一銦氧化物層INLl為非晶時，在第一銦氧化物層INLl被非滷化蝕刻劑圖案化之後，可以以熱的方式來加熱第一銦氧化物層INL1。非晶的銦氧化物通過以熱的方式加熱而結晶化。圖3D是示出使用第四掩模將第一絕緣層120和第二絕緣層150圖案化的工藝的首1J視圖。參照圖3D，在包括經由通過非滷化蝕刻劑蝕刻第一銦氧化物層INLl所形成的第一像素電極PEl的基體基底110上形成第二絕緣層150。第一像素電極PEl與漏電極DE的上表面的一部分和漏電極DE的側表面直接接觸。使用第四掩模在第二絕緣層150上形成第四光致抗蝕劑圖案220。除了形成有柵極焊盤電極GPE和數據焊盤電極DPE的區域之外，第四光致抗蝕劑圖案220完全地形成在基體基底110上。然後，通過第四光致抗蝕劑圖案220暴露柵極焊盤電極GPE和數據焊盤 電極DPE上的第二絕緣層150。使用第四光致抗蝕劑圖案220作為蝕刻停止層去除柵極焊盤電極GPE上的第一絕緣層120和第二絕緣層150以及數據焊盤電極DPE上的第二絕緣層150。圖3E是示出使用第五掩模形成第二像素電極PE2、柵極接觸電極GCE和數據接觸電極DCE的工藝的剖視圖。參照圖3E，在其上形成有第一焊盤孔CTl和第二焊盤孔CT2的基體基底110上形成第二銦氧化物層INL2。使用第四光致抗蝕劑圖案220形成第一焊盤孔CTl，並且第一焊盤孔CTl部分地暴露柵極焊盤電極GPE。使用第四光致抗蝕劑圖案220形成第二焊盤孔CT2，並且第二焊盤孔CT2部分地暴露數據焊盤電極DPE。第二銦氧化物層INL2可以包括氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)。第二銦氧化物層INL2可以是非晶的或結晶化的。使用第五光致抗蝕劑掩模在第二銦氧化物層INL2上形成第五光致抗蝕劑圖案230。在像素區域以及其中形成有柵極焊盤電極GPE和數據焊盤電極DPE的區域中的第二銦氧化物層INL2上形成第五光致抗蝕劑圖案230。第五光致抗蝕劑圖案230包括形成在像素區域中的多個孔。去除通過孔暴露的第二銦氧化物層INL2，並且第五光致抗蝕劑圖案230下方的第二銦氧化物層INL2留在基體基底110上，從而形成包括狹縫圖案的第二像素電極PE2。柵極焊盤電極GPE和第五光致抗蝕劑圖案230之間的第二銦氧化物層INL2留在基體基底110上，從而形成柵極接觸電極GCE。第五光致抗蝕劑圖案230和數據焊盤電極DPE之間的第二銦氧化物層INL2留在基體基底110上，從而形成數據接觸電極DCE。因此，柵極接觸電極GCE通過第一焊盤孔CTl與柵極焊盤電極GPE直接接觸，數據接觸電極DCE通過第二焊盤孔CT2與數據焊盤電極DPE直接接觸。因此，製造出在圖I和圖2中示出的顯示基底100。根據當前示例性實施例，第一銦氧化物層INLl直接形成在基體基底110上，其中，在沒有另外形成絕緣層的情況下在基體基底110上形成源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE，並且使用本發明的非滷化蝕刻劑將第一銦氧化物層INLl圖案化以形成第一像素電極PE1，從而可以防止第二金屬層144被蝕刻劑損壞。雖然第二金屬層144包括銅層，但是可以使非滷化蝕刻劑對第二金屬層144的損壞最小化。在當前示例性實施例中，第一金屬層142包括鈦層，第二金屬層144包括銅層。可選地，當第一金屬層142可包括鑰層，並且第二金屬層144可包括鋁層時，也可以防止第二金屬層144被非滷化蝕刻劑損壞。圖4是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的剖視圖。在圖4中示出的顯示基底102除了還包括形成在數據焊盤電極DPE和數據接觸電極DCE之間的緩衝電極BL之外，與在圖I和圖2中示出的顯示基底100基本上相同。因此，將省略任何重複性描述。參照圖4，顯示基底102包括開關元件SW、柵極焊盤電極GPE、數據焊盤電極DPE、柵極接觸電極GCE、數據接觸電極電極BL、第一像素電極PEl和第二像素電極PE2。開關元件SW的有源圖案AP形成在覆蓋開關元件SW的柵電極GE的第一絕緣層120上。開關元件SW的源電極SE和漏電極DE形成在有源圖案AP上。與有源圖案AP具有基本上相同的層結構的緩衝圖案形成在數據焊盤電極DPE下方。數據焊盤電極DPE、源電極SE和漏電極DE中的每個包括含有鈦層的第一金屬層142和含有銅層的第二金屬層144。緩衝電極BL使用與第一像素電極PEl基本上相同的金屬層形成在數據焊盤電極·DPE的第二金屬層144上。第二像素電極PE2形成在覆蓋第一像素電極PEl的第二絕緣層150上。通過第一絕緣層120和第二絕緣層150的第一焊盤孔CTl暴露的柵極焊盤電極GPE與柵極接觸電極GCE直接接觸。緩衝電極BL通過第二絕緣層150的第二焊盤孔CT2暴露，並通過第二焊盤孔CT2與數據接觸電極DCE直接接觸。緩衝電極BL在形成數據接觸電極DCE的工藝中覆蓋數據焊盤電極DPE的第二金屬層144，從而可以在形成數據接觸電極DCE的工藝中防止第二金屬層144被損壞。圖5是示出製造在圖4中示出的顯示基底的方法的剖視圖。在形成第一銦氧化物層INLl之前，製造在圖4中示出的顯示基底102的方法包括與參照圖3A和圖3B示出的工藝基本上相同的工藝。因此，將省略任何重複性描述。參照圖5，在其上形成有源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE的基體基底110上形成第一銦氧化物層INLl。在第一銦氧化物層INLl上形成光致抗蝕劑圖案240。在圖5中示出的光致抗蝕劑圖案240除了包括形成在其中形成有數據焊盤電極DPE的區域中的第一銦氧化物層INLl上的光圖案之外，與在中示出的第三光致抗蝕劑圖案基本上相同。使用光致抗蝕劑圖案240作為蝕刻停止層將第一銦氧化物層INLl圖案化。用於蝕刻第一銦氧化物層INLl的蝕刻劑包括非滷化蝕刻劑。非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。非滷化蝕刻劑不包括滷化化合物。蝕刻第一銦氧化物層INLl的非滷化蝕刻劑與上面描述的本發明的銦氧化物層的非滷化蝕刻劑相同，因此，將省略任何重複性描述。使用光致抗蝕劑圖案240蝕刻第一銦氧化物層INL1，以形成第一像素電極PEl和緩衝電極BL。除了數據接觸電極DCE與緩衝電極BL直接接觸之外，形成在第一像素電極PEl和緩衝電極BL上並在圖4中示出的第二絕緣層150、第二像素電極PE2、柵極接觸電極GCE和數據接觸電極DCE經由與在圖3D和圖3E中示出的工藝基本上相同的工藝來形成。因此，製造出在圖4中示出的顯示基底102。圖6是示出根據本發明示例性實施例製造的顯示基底的平面圖。圖7是沿圖6中的Ill-Ill'線和IV-IV'線截取的剖視圖。參照圖6和圖7，顯示基底104包括柵極線GL、數據線DL、開關元件SW和像素電極PE。顯示基底104還包括柵極焊盤電極GPE和數據焊盤電極DPE。柵極線GL沿第一方向Dl延伸，並具有沿第一方向Dl延伸的矩形形狀。數據線DL沿與第一方向Dl不同的第二方向D2延伸，並具有沿第二方向D2延伸的矩形形狀。開關元件SW電連接到柵極線GL和數據線DL。開關元件SW包括柵電極GE、有源圖案AP、源電極SE和漏電極DE。漏電極DE與像素電極PE直接接觸，使得開關元件SW電連接到像素電極PE。連接到數據線DL的源電極SE、與源電極SE隔開的漏電極DE以及數據焊盤電極DPE中的每個包括第一金屬層142和第二金屬層144。例如，第一金屬層142可以包括鈦層，第二金屬層144可以包括銅層。第一絕緣層120形成在柵電極GE和有源圖案AP之間。第一絕緣層120可以使柵極線GL與數據線DL絕緣。第二絕緣層150形成在源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE上。柵極焊盤電極GPE通過經由第一絕緣層120和第二絕緣層150形成的第一焊盤孔 CTl部分地暴露，數據焊盤電極DPE通過經由第二絕緣層150形成的第二焊盤孔CT2部分地暴露。另外，第二絕緣層150還包括部分地暴露漏電極DE的接觸孔PCT。像素電極PE形成在第二絕緣層150上，並通過接觸孔PCT與漏電極DE直接接觸。柵極接觸電極GCE形成在柵極焊盤電極GPE上，從而通過第一焊盤孔CTl與柵極焊盤電極GPE接觸。數據接觸電極DCE形成在數據焊盤電極DPE上，從而通過第二焊盤孔CT2與數據焊盤電極DPE接觸。數據焊盤電極DPE直接形成在第一絕緣層120上。圖8A、圖8B和圖8C是示出製造在圖7中示出的顯示基底的方法的剖視圖。參照圖8A，使用第一掩模(未示出)形成柵電極GE和柵極焊盤電極GPE。在其上形成有柵電極GE和柵極焊盤電極GPE的基體基底110上形成第一絕緣層120，使用第二掩模(未示出)形成半導體層132和歐姆接觸層134。參照圖8B，使用第三掩模(未示出)在其上形成有有源圖案AP的基體基底110上形成源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE。具體地說，在其上形成有有源圖案AP的基體基底110上順序地形成第一金屬層142和第二金屬層144，並使用第三掩模在第二金屬層144上形成第一光圖案。使用第一光圖案作為蝕刻停止層來蝕刻第一金屬層142和第二金屬層144。然後，在其上形成有源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE的基體基底110上形成第二絕緣層150。參照圖SC，使用第四掩模(未示出)在第二絕緣層150上形成第二光圖案，並使用第二光圖案形成第一焊盤孔CTl和第二焊盤孔CT2以及接觸孔PCT。然後，在其上形成有接觸孔PCT的基體基底110上形成銦氧化物層INL，並使用第五掩模(未示出)形成第三光圖案300。第三光圖案300形成在像素區域以及其中形成有柵極焊盤電極GPE和數據焊盤電極DPE的區域中。使用第三光圖案300作為蝕刻停止層將銦氧化物層INL圖案化，以形成像素電極PE。使用非滷化蝕刻劑蝕刻銦氧化物層INL。非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。例如，基於非滷化蝕刻劑的總重量，硝酸的量在大約I重量％和大約10重量％之間，硫酸的量在大約I重量％和大約10重量％之間，緩蝕劑的量在大約0. I重量％和大約5重量％之間，基於環胺的化合物的量在大約0. I重量％和大約5重量％之間。非滷化蝕刻劑中的除了硝酸、硫酸、緩蝕劑和基於環胺的化合物之外的餘量為水。非滷化蝕刻劑與本發明的上述非滷化蝕刻劑基本上相同。根據非滷化蝕刻劑的用途，可以在蝕刻銦氧化物層INL期間防止第二金屬層144被腐蝕。儘管在圖中未示出，但是當銦氧化物層INL為非晶時，在使用非滷化蝕刻劑將銦氧化物層INL圖案化之後以熱的方式加熱銦氧化物層INL。非晶的銦氧化物通過以熱的方式加熱而結晶化。在圖7、圖8A、圖8B和圖8C中，用於形成有源圖案AP的第二掩模與用於形成源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE的第三掩模不同。可選地，可以形成單個掩模來形成有源圖案AP以及源電極SE、漏電極DE和數據焊盤電極DPE，如在圖3B中示出的。圖9是示出根據本發明示例性實施例的製造在圖7中示出的顯示基底的方法的流程圖。在圖9中提到的「第二像素電極」與在圖7中示出的像素電極PE基本上相同。另夕卜，在根據當前示例性實施例的製造在圖7中示出的顯示基底102的方法中，形成第一焊盤、孔CTl和第二焊盤孔CT2以及接觸孔PCT之前的工藝與上面描述的工藝基本上相同，圖9中的「形成銦氧化物層(步驟S510)」與參照圖SC示出的形成銦氧化物層INL的工藝基本上相同。參照圖8C和圖9，在其上形成有第一焊盤孔CTl、第二焊盤孔CT2和接觸孔PCT的基體基底110上形成第一銦氧化物層(未示出)(步驟S510)。將第一銦氧化物層圖案化，以形成「第一像素電極」(步驟S520)。例如，通過使用包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕齊U、基於環胺的化合物和水的非滷化蝕刻劑蝕刻第一銦氧化物層來形成第一像素電極。然後，當第一像素電極在像素中不具有均勻的厚度時，或者當第一像素電極的表面被損壞時，具有帶缺陷的第一像素電極的產品的可靠性會降低，並且具有帶缺陷的第一像素電極的基底會被丟棄，這會降低製造產率。為了解決以上問題，將帶缺陷的第一像素電極選擇性地去除，以使基底重複使用(步驟S530)。使用包括硝酸、硫酸、含有銨(NH4+)的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水且不包括滷化化合物的非滷化蝕刻劑去除第一像素電極，從而可以完全地去除第一像素電極而沒有像素電極的殘餘。另外，非滷化蝕刻劑可以防止暴露的圖案(例如，通過第一焊盤孔CTl和第二焊盤孔CT2以及接觸孔PCT暴露的金屬層)被損壞。具體地說，通過第一焊盤孔CTl暴露的柵極焊盤電極GPE的鋁層、通過第二焊盤孔CT2暴露的數據焊盤電極DPE的銅層和通過接觸孔PCT暴露的漏電極DE的銅層均不會被該非滷化化合物腐蝕。在去除第一像素電極之後，在其上形成有第一焊盤孔CTl和第二焊盤孔CT2以及接觸孔PCT的基體基底110上再次形成銦氧化物層(步驟S540)，並將銦氧化物層圖案化，以形成如在圖7中示出的像素電極PE的「第二像素電極」(步驟S550)。然後，也可以使用非滷化蝕刻劑形成第二像素電極。雖然在圖中未示出，但是當圖7中示出的作為像素電極PE的第二像素電極具有缺陷時，可以使用非滷化蝕刻劑去除第二像素電極，並再次形成銦氧化物層。可以使用非滷化蝕刻劑將銦氧化物層圖案化，以形成「第三像素電極」。因此，可以重複使用帶缺陷的基底，以提高形成顯示基底102的產率和可靠性。根據當前示例性實施例，用於蝕刻銦氧化物層的非滷化蝕刻劑可以使對下層的損壞最小化，從而提高了形成顯示基底102的可靠性。另外，可以在去除帶缺陷的像素電極以重複使用基底時使用非滷化蝕刻劑，從而儘管非滷化蝕刻劑與像素電極的下層接觸，但是在去除帶缺陷的像素電極時不會損壞下層。在下文中，根據下面的表I和表2來製備根據本發明的示例I至示例4的蝕刻劑以及根據對比示例I和對比示例2的蝕刻劑，並且下面示出了用於性能評估的通過實驗獲得的結果。示例I至示例4根據下面的表I來製備根據本發明的示例I至示例4的蝕刻劑。表I
權利要求
1.一種非滷化蝕刻劑，所述非滷化蝕刻劑包括 硝酸；硫fe ; 含有銨的緩蝕劑； 基於環胺的化合物；以及 水。
2.根據權利要求I所述的非滷化蝕刻劑，其中，基於所述非滷化蝕刻劑的總重量，硝酸的量在I重量％和10重量％之間，硫酸的量在I重量％和10重量％之間，緩蝕劑的量在0.I重量％和5重量％之間，基於環胺的化合物的量在0. I重量％和5重量％之間，餘量為水。
3.根據權利要求I所述的非滷化蝕刻劑，其中，所述緩蝕劑包括從由乙酸銨、氨基磺酸銨、苯二酚銨、氨基甲酸銨、磷酸二氫銨、甲酸銨、碳酸氫銨、檸檬酸銨、硝酸銨、過硫酸銨、氨基磺酸銨和硫酸銨組成的組中選擇的至少一種。
4.根據權利要求I所述的非滷化蝕刻劑，其中，所述基於環胺的化合物包括水溶性雜環胺化合物。
5.根據權利要求4所述的非滷化蝕刻劑，其中，所述基於環胺的化合物包括從由氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉和苯並三唑組成的組中選擇的至少一種。
6.一種製造顯示基底的方法，所述方法包括 在基底上形成開關元件，所述開關元件包括柵電極、源電極和漏電極； 在所述基底上形成銦氧化物層；以及 使用非滷化蝕刻劑將所述銦氧化物層圖案化，以形成電連接到所述漏電極的第一像素電極，所述非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，基於所述非滷化蝕刻劑的總重量，硝酸的量在I重量％和10重量％之間，硫酸的量在I重量％和10重量％之間，緩蝕劑的量在0. I重量％和5重量％之間，基於環胺的化合物的量在0. I重量％和5重量％之間，餘量為水。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述緩蝕劑包括從由乙酸銨、氨基磺酸銨、苯二酚銨、氨基甲酸銨、磷酸二氫銨、甲酸銨、碳酸氫銨、檸檬酸銨、硝酸銨、過硫酸銨、氨基磺酸銨和硫酸銨組成的組中選擇的至少一種。
9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述基於環胺的化合物包括從由氨基四唑、咪唑、噴哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉和苯並三唑組成的組中選擇的至少一種。
10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述源電極和所述漏電極中的每個包括銅層。
11.根據權利要求6所述的方法，其中，通過下述步驟形成所述第一像素電極 在所述基底上形成所述銦氧化物層，以覆蓋其上形成有所述開關元件的所述基底；以及 使用所述非滷化蝕刻劑蝕刻所述銦氧化物層， 其中，所述第一像素電極直接接觸所述漏電極。
12.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括在其上形成有所述第一像素電極的所述基底上形成絕緣層；以及 形成與所述第一像素電極疊置的第二像素電極，所述第二像素電極包括狹縫圖案。
13.根據權利要求12所述的方法，所述方法還包括蝕刻所述絕緣層，以在連接到所述開關元件的信號線的端部上形成焊盤孔。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，形成第二像素電極的步驟包括 形成通過所述焊盤孔接觸所述信號線的所述端部的接觸電極。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，形成第一像素電極的步驟包括 在連接到所述開關元件的所述信號線的所述端部上形成緩衝電極。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，形成第二像素電極的步驟包括 形成通過所述焊盤孔接觸所述信號線的所述端部的接觸電極。
17.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括 在所述基底上形成絕緣層，以覆蓋其上形成有所述開關元件的所述基底；以及 將所述絕緣層圖案化，以形成部分地暴露所述漏電極的接觸孔。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，通過下述步驟形成所述第一像素電極 在所述基底上形成所述銦氧化物層，以覆蓋其上形成有所述接觸孔的所述基底；以及 蝕刻所述銦氧化物層， 其中，所述第一像素電極通過所述接觸孔接觸所述漏電極。
19.根據權利要求6所述的方法，其中，所述銦氧化物層是非晶的， 其中，將所述銦氧化物層圖案化的步驟還包括將所述第一像素電極以熱的方式進行加熱，以使所述第一像素電極結晶。
20.一種製造顯示基底的方法，所述方法包括 在基底上形成開關元件，所述開關元件包括柵電極、源電極和漏電極； 形成直接接觸所述漏電極的第一像素電極，所述第一像素電極包括銦氧化物層；使用包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水的非滷化蝕刻劑去除所述第一像素電極；以及 在去除所述第一像素電極後在所述基底上形成第二像素電極，所述第二像素電極直接接觸所述漏電極。
21.根據權利要求20所述的方法，其中，基於所述非滷化蝕刻劑的總重量，硝酸的量在I重量％和10重量％之間，硫酸的量在I重量％和10重量％之間，緩蝕劑的量在0. I重量％和5重量％之間，基於環胺的化合物的量在0. I重量％和5重量％之間，餘量為水。
22.根據權利要求20所述的方法，其中，所述源電極和所述漏電極均包括銅層。
23.根據權利要求20所述的方法，所述方法還包括 在其上形成有所述開關元件的所述基底上形成絕緣層，所述絕緣層包括部分地暴露所述漏電極的接觸孔， 其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極中的每個通過所述接觸孔接觸所述漏電極。
24.根據權利要求20所述的方法，其中，形成第一像素電極的步驟包括 在所述基底上形成所述銦氧化物層，以覆蓋其上形成有所述開關元件的所述基底；以及將所述銦氧化物層圖案化。
25.一種製造顯示基底的方法，所述方法包括 在基底上形成導體； 在所述基底上形成銦氧化物層；以及 使用非齒化蝕刻劑將所述銦氧化物層圖案化，所述非齒化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水， 其中，所述銦氧化物層電連接到所述導體。
全文摘要
本發明的示例性實施例公開了一種用於蝕刻銦氧化物層的非滷化蝕刻劑和一種使用該非滷化蝕刻劑製造顯示基底的方法，所述非滷化蝕刻劑包括硝酸、硫酸、含有銨的緩蝕劑、基於環胺的化合物和水。
文檔編號H01L21/02GK102747367SQ201210034420
公開日2012年10月24日 申請日期2012年2月15日 優先權日2011年2月15日
發明者劉仁浩, 尹暎晉, 崔新逸, 張*勳, 樸智榮, 樸英哲, 權五柄, 李俊雨, 李昔準, 林玟基, 秦榮晙, 金善一, 金湘甲, 金相泰, 金童基 申請人:三星電子株式會社, 東友精細化工有限公司