接觸孔的光刻方法
2023-12-08 16:52:36 1
專利名稱：接觸孔的光刻方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造領域，特別涉及一種接觸孔的光刻方法。
技術背景
隨著半導體製造工藝的發展，半導體晶片的面積越來越小，晶片內的線寬也不斷 縮小，因此半導體工藝的精準度也變得更加重要。在半導體製造工藝中，其中一個重要的工 藝就是光刻，光刻是將掩膜版圖案轉移為晶圓上的光刻圖案的工藝過程，因此光刻的質量 會直接影響到最終形成的晶片的性能。
在半導體製造工藝中，通過需要通過多層光刻才能完成整個製造過程，而如何使 得晶圓中不同層的光刻圖案對準，以滿足套刻精度的要求是多層光刻工藝中至關重要的步 驟，套刻精度是指晶圓中不同層的光刻圖案的位置對準誤差。
當對接觸孔(CT)層進行光刻時，需要使CT層與CT層之下的多晶矽柵(PL)層對 準，同時，需要使CT層與PL層之下的有源區(AA)層對準，從而才可能對CT的光刻圖案位 置進行精確定位，因此，當對CT層進行光刻時，需要採用光學對準量測機臺檢測CT層相對 PL層在X方向和Y方向的光刻圖案位置偏移量，同時檢測CT層相對AA層在X方向和Y方 向的光刻圖案位置偏移量。
對現有技術中接觸孔的光刻方法進行詳細介紹之前，先對幾個概念進行說明。
當對晶圓中的每一層進行光刻時，每一層都有專屬的光罩，因此每一光罩在設計 時，除了有效器件圖案外，還包括一組外框圖案和一組內框圖案，外框為前一層所留下的被 用作對準的圖案，內框為當前層所留下的被用作對準的圖案，二者互相疊對，以進行對準檢查。
例如，當對AA層進行光刻時，由於AA層是最底層，因此，AA層的光罩包括一組外框 圖案，用於AA層之上的各層和其對準，在AA層旋塗光阻膠後，將AA層的光罩施加於AA層 的表面，然後進行曝光，這就將AA層的光罩的圖案轉移為AA層的光刻圖案。
圖1為AA層的外框示意圖，如圖1所示，AA層的光刻圖案包括第一外框，第一外 框中心點為第一中心點01，AA層的外框包括第一上外框、第一下外框、第一左外框和第一 右外框。其中，第一上外框和第一下外框平行，第一左外框和第一右外框平行，第一左外框 與第一上外框垂直，第一左外框和第一下外框垂直，第一右外框和第一上外框垂直，第一右 外框和第一下外框垂直。第一上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框的長度相等， 一般為30至60微米，第一上外框和第一下外框之間的距離視有效器件區的大小而定，第一 左外框和第一右外框之間的距離視有效器件區的大小而定，但是，要求第一上外框的中點 與第一中心點01的距離、第一下外框的中點與第一中心點01的距離、第一左外框的中點與 第一中心點01的距離和第一右外框的中點與第一中心點01的距離這四者相等。
當對PL層進行光刻時，PL層的光罩包括一組外框圖案和一組內框圖案，外框圖案 用於PL之上的各層和其對準，內框圖案用於PL層和位於PL層之下的AA層進行對準，在PL 層旋塗光阻膠後，將PL層的光罩施加於PL層的表面，然後進行曝光，這就將PL層的光罩的圖案轉移為PL層的光刻圖案。
圖2為PL層的外框和內框示意圖，如圖2所示，PL層的光刻圖案包括第二外框和 第二內框，第二外框和第二內框的中心點均為第二中心點02，第二外框包括第二上外框、第 二下外框、第二左外框和第二右外框。其中，第二上外框和第二下外框平行，第二左外框和 第二右外框平行，第二左外框與第二上外框垂直，第二左外框和第二下外框垂直，第二右外 框和第二上外框垂直，第二右外框和第二下外框垂直，第二上外框、第二下外框、第二左外 框和第二右外框的長度相等，一般為30至60微米。第二上外框和第二下外框之間的距離視 有效器件區的大小而定，第二左外框和第二右外框之間的距離視有效器件區的大小而定， 但是，要求第二上外框的中點與第二中心點02的距離、第二下外框的中點與第二中心點02 的距離、第二左外框的中點與第二中心點02的距離和第二右外框的中點與第二中心點02 的距離這四者相等。
第二內框包括第二上內框、第二下內框、第二左內框和第二右內框。其中，第二上 內框和第二下內框平行，第二左內框和第二右內框平行，第二左內框與第二上內框垂直，第 二左內框和第二下內框垂直，第二右內框和第二上內框垂直，第二右內框和第二下內框垂 直，第二上內框、第二下內框、第二左內框和第二右內框的長度相等，一般為20微米。第二 上內框和第二下內框之間的距離視有效器件區的大小而定，第二左外框和第二右外框之間 的距離視有效器件區的大小而定，但是，要求第二上內框的中點與第二中心點02的距離、 第二下內框的中點與第二中心點02的距離、第二左內框的中點與第二中心點02的距離和 第二右內框的中點與第二中心點02的距離這四者相等。而且。第二上外框和第二上內框 平行，第二上外框和第二下內框的距離為10至15微米，第二下外框和第二下內框平行，第 二下外框和第二下內框的距離為10至15微米，第二右外框和第二右內框平行，第二右外框 和第二右內框的距離為10至15微米，第二左外框和第二左內框平行，第二左外框和第二左 內框的距離為10至15微米。
在理想情況下，當PL層與AA層的光刻圖案位置已對準時，第一中心點01和第二 中心點02是重合的，這就使得第二中心點02與第一上外框的中點的距離、第二中心點02 與第一下外框的中點的距離、第二中心點02與第一左外框的中點的距離、第二中心點02與 第一右外框的中點的距離這四者相等，也就是說，第二上內框與第一上外框的距離、第二下 內框與第一下外框的距離、第二左內框與第一左外框的距離、第二右內框與第一右外框的 距離這四者相等。
圖3為CT層的外框和內框示意圖，如圖2所示，CT層的光刻圖案包括第三外框和 第三內框，第三外框和第三內框的中心點均為第三中心點03。第三外框包括第三上外框、第 三下外框、第三左外框和第三右外框。其中，第三上外框和第三下外框平行，第三左外框和 第三右外框平行，第三左外框與第三上外框垂直，第三左外框和第三下外框垂直，第三右外 框和第三上外框垂直，第三右外框和第三下外框垂直。第三上外框、第三下外框、第三左外 框和第三右外框的長度相等，一般為30至60微米，第三上外框和第三下外框之間的距離視 有效器件區的大小而定，第三左外框和第三右外框之間的距離視有效器件區的大小而定， 但是，要求第三上外框的中點與第三中心點03的距離、第三下外框的中點與第三中心點03 的距離、第三左外框的中點與第三中心點03的距離和第三右外框的中點與第三中心點03 的距離這四者相等。
第三內框包括第三上內框、第三下內框、第三左內框和第三右內框。其中，第三上 內框和第三下內框平行，第三左內框和第三右內框平行，第三左內框與第三上內框垂直，第 三左內框和第三下內框垂直，第三右內框和第三上內框垂直，第三右內框和第三下內框垂 直。第三上內框、第三下內框、第三左內框和第三右內框的長度相等，一般為20微米。第三 上內框和第三下內框之間的距離視有效器件區的大小而定，第三左外框和第三右外框之間 的距離視有效器件區的大小而定，但是，要求第三上內框的中點與第三中心點03的距離、 第三下內框的中點與第三中心點03的距離、第三左內框的中點與第三中心點03的距離和 第三右內框的中點與第三中心點03的距離這四者相等。而且。第三上外框和第三上內框 平行，第三上外框和第三下內框的距離為10至15微米，第三下外框和第三下內框平行，第 三下外框和第三下內框的距離為10至15微米，第三右外框和第三右內框平行，第三右外框 和第三右內框的距離為10至15微米，第三左外框和第三左內框平行，第三左外框和第三左 內框的距離為10至15微米。
在理想情況下，當CT層與PL層的光刻圖案位置已對準時，第三中心點03和第二 中心點02是重合的，這就使得第三中心點03與第二上外框的中點的距離、第三中心點03 與第二下外框的中點的距離、第三中心點03與第二左外框的中點的距離、第三中心點03與 第二右外框的中點的距離這四者相等，也就是說，第三上內框與第二上外框的距離、第三下 內框與第二下外框的距離、第三左內框與第二左外框的距離、第三右內框與第二右外框的 距離這四者相等。
下面對現有技術中CT的光刻方法進行介紹，現有技術中CT的光刻方法包括以下 步驟
步驟101，在AA層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光、顯影，AA層表面的光刻圖案包 括有效器件圖案和第一外框，其中，第一外框包括第一上外框、第一下外框、第一左外框和 第一右外框。
步驟102，在PL層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光、顯影，PL層表面的光刻圖案包 括有效器件圖案和第二外框，其中，第二外框包括第二上外框、第二下外框、第二左外框和 第二右外框。
步驟103，在CT層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光，CT層表面的光刻包括有效器 件圖案和第三內框，其中，第三內框包括第三上內框、第三下內框、第三左內框和第三右內 框，第三內框圖案中心點為第三中心點03。
步驟104，圖如為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與AA層的對準示意圖， 如圖如所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第一上外框的距離C、第三中心 點03與第一下外框的距離d，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調 整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並執行步驟 103 ；否則，執行步驟105。
其中，如圖如所示，在晶圓所在的平面內，水平方向為X方向，垂直方向為Y方向。 圖中X軸表示χ方向，χ軸的正方向表示χ方向的正方向，χ軸的負方向表示χ方向的負方 向；Y軸表示Y方向，Y軸的正方向表示Y方向的正方向，Y軸的負方向表示Y方向的負方 向。
需要說明的是，調整CT層與AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量的方法有多種，例如，可使CT層的光罩相對AA層移動，也可使承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩移動。 具體地說，若c-d >預先設定的套刻精度，則使CT層的光罩相對AA層向Y方向的正方向移 動，或使承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的負方向移動；若d-c >預先設定的 套刻精度，則使CT層的光罩相對AA層向Y方向的負方向移動，或使承載晶圓的承片臺相對 CT層的光罩向Y方向的正方向移動。
步驟105，圖如為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與AA層的對準示意圖， 如圖如所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第一左外框的距離a、第三中心 點03與第一右外框的距離b，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調 整CT層相對AA層在X方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並執行步驟 103 ；否則，執行步驟106。
需要說明的是，調整CT層與AA層在X方向的光刻圖案位置偏移量的方法有多種， 例如，可使CT層的光罩相對晶圓移動，也可使承載晶圓的承片臺相對光罩移動。具體地說， 若a-b >預先設定的套刻精度，則使CT層的光罩相對AA層向X方向的負方向移動，或使承 載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的正方向移動；若b-a >預先設定的套刻精度， 則使CT層的光罩相對晶圓向X方向的正方向移動，或使承載晶圓的承片臺相對光罩向X方 向的負方向移動。
步驟106，圖4b為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與PL層的對準示意圖，如 圖4b所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第二上外框的距離g、第三中心點 03與第二下外框的距離h，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整 CT層相對PL層在Y方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，執行步驟103 ； 否則，執行步驟107。
調整CT層相對PL層在Y方向的光刻圖案位置偏移量的方法可參見步驟104中相 關的內容。
步驟107，圖4b為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與PL層的對準示意圖，如 圖4b所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第二左外框的距離e、第三中心點 03與第二右外框的距離f，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整 CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，執行步驟103 ； 否則，進行顯影。
調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量的方法可參見步驟105中相 關的內容。
至此，本流程結束。
可見，在現有技術中，當對CT進行光刻時，分別量測和調整CT層相對AA層在X方 向的光刻圖案位置偏移量、CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量、CT層相對PL 層在X方向的光刻圖案位置偏移量和CT層相對PL層在Y方向的光刻圖案位置偏移量，使 得整個光刻工藝比較複雜。發明內容
有鑑於此，本發明提供一種接觸孔的光刻方法，能夠降低光刻工藝的複雜性。
為達到上述目的，本發明的技術方案具體是這樣實現的
一種接觸孔的光刻方法，在產生有源區AA層的圖案時，表面旋塗光阻膠，並進行 曝光、顯影，AA層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第一外框，其中，第一外框包括第 一上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框；在產生多晶矽柵PL層的圖案時，表面旋 塗光阻膠，並進行曝光、顯影，PL層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第二外框，其中，第 二外框包括第二上外框、第二下外框、第二左外框和第二右外框，其特徵在於，該方法還包 括
A、在產生接觸孔CT層的圖案時，表面旋塗光阻膠，並進行曝光，CT層表面的光刻 圖案包括有效器件圖案和第三內框，其中，第三內框包括第三上內框、第三下內框、第三左 內框和第三右內框，第三內框圖案中心點為第三中心點；
B、量測第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離，若二 者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對AA層在Y方向的光刻 圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並轉回執行步驟A ；否則，執行步驟C ；
C、量測第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離，若二 者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對PL層在X方向的光刻 圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並轉回執行步驟A ；否則，進行顯影。
步驟B中所述調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量的方法包括 若第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離這兩者的差值大於預 先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向Y方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺 相對CT層的光罩向Y方向的負方向移動；若第三中心點與第一下外框的距離、第三中心點 與第一上外框的距離這兩者的差值大於預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向 Y方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的正方向移動。
步驟C中所述調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量的方法包括 若第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離這兩者的差值大於預 先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向X方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺 相對CT層的光罩向X方向的正方向移動；若第三中心點與第二右外框的距離、第三中心點 與第二左外框的距離這兩者的差值大於預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向 X方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的負方向移動。
可見，在本發明所提供的一種接觸孔的光刻方法中，只需量測和調整CT層相對AA 層在Y方向的光刻圖案位置偏移量、CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量，這樣 就可實現CT層與AA層的光刻圖案的位置對準以及CT層與PL層的光刻圖案的位置對準， 能夠降低光刻工藝的複雜性。
圖1為AA層的外框示意圖。
圖2為PL層的外框和內框示意圖。
圖3為CT層的外框和內框示意圖。
圖如為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與AA層的對準示意圖。
圖4b為現有技術中接觸孔的光刻方法中CT層與PL層的對準示意圖。
圖5為AA層與PL層的俯視圖。7
圖6為本發明所提供的一種接觸孔的光刻方法的流程圖。
圖7為本發明所提供的接觸孔的光刻方法中CT層與AA層和PL層的對準示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下參照附圖並舉實施例，對 本發明進一步詳細說明。
首先對本發明的核心思想進行介紹。
圖5為AA層與PL層的俯視圖，如圖5所示，在半導體的製造工藝中，PL層與AA層 是垂直交叉擺布的，因此，CT層相對AA層的光刻圖案的位置對準主要是指Y方向的對準， 也就是說，若CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量小於套刻精度，則認為CT層 相對AA層的光刻圖案的位置已對準，同理，CT層與PL層的光刻圖案的位置對準主要是指X 方向的對準，也就是說，若CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量小於套刻精度， 則認為CT層與PL層的光刻圖案的位置已對準，在本發明中，當對接觸孔進行光刻時，分別 量測和調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量、CT層相對PL層在X方向的 光刻圖案位置偏移量，降低了光刻工藝的複雜性。
圖6為本發明所提供的一種接觸孔的光刻方法的流程圖，如圖6示，該方法包括
步驟201，在AA層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光、顯影，AA層表面的光刻圖案包 括有效器件圖案和第一外框，其中，第一外框包括第一上外框、第一下外框、第一左外框和 第一右外框。
步驟202，在PL層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光、顯影，PL層表面的光刻圖案包 括有效器件圖案和第二外框，其中，第二外框包括第二上外框、第二下外框、第二左外框和 第二右外框。
步驟203，在CT層的表面旋塗光阻膠，並進行曝光，CT層表面的光刻圖案包括有效 器件圖案和第三內框，其中，第三內框包括第三上內框、第三下內框、第三左內框和第三右 內框，第三內框圖案中心點為第三中心點03。
上述步驟與現有技術相同，此處不再贅述。
步驟204，圖7為本發明所提供的接觸孔的光刻方法中CT層與AA層和PL層的對 準示意圖，如圖7所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第一上外框的距離C、 第三中心點03與第一下外框的距離d，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精 度，則調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並執 行步驟203 ；否則，執行步驟205。
調整CT層與AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量的方法有多種，例如，可使CT層 的光罩相對AA層移動，也可使承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩移動。具體地說，若c-d >預先設定的套刻精度，則使CT層的光罩相對AA層向Y方向的正方向移動，或使承載晶圓 的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的負方向移動；若d-c >預先設定的套刻精度，則使CT 層的光罩相對AA層向Y方向的負方向移動，或使承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y 方向的正方向移動。
步驟205，圖7為本發明所提供的接觸孔的光刻方法中CT層與AA層和PL層的對 準示意圖，如圖7所示，採用光學對準量測機臺量測第三中心點03與第二左外框的距離e、第三中心點03與第二右外框的距離f，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精 度，則調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並執 行步驟203;否則，進行顯影。
需要說明的是，調整CT層與PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量的方法有多種， 例如，可使CT層的光罩相對晶圓移動，也可使承載晶圓的承片臺相對光罩移動。具體地說， 若e-f >預先設定的套刻精度，則使CT層的光罩相對PL層向X方向的負方向移動，或使承 載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的正方向移動；若f-e >預先設定的套刻精度， 則使CT層的光罩相對PL層向X方向的正方向移動，或使承載晶圓的承片臺相對CT層的光 罩向X方向的負方向移動。
至此，本流程結束。
可見，在本發明所提供的一種接觸孔的光刻方法中，只需量測和調整CT層相對AA 層在Y方向的光刻圖案位置偏移量、CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量，這樣 就可實現CT層與AA層的光刻圖案的位置對準以及CT層與PL層的光刻圖案的位置對準， 能夠降低光刻工藝的複雜性。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並非用於限定本發明的保護範圍。凡在 本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換以及改進等，均應包含在本發明的保 護範圍之內。
權利要求
1.一種接觸孔的光刻方法，在產生有源區AA層的圖案時，表面旋塗光阻膠，並進行曝 光、顯影，AA層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第一外框，其中，第一外框包括第一 上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框；在產生多晶矽柵PL層的圖案時，表面旋塗 光阻膠，並進行曝光、顯影，PL層表面的光刻圖案包括有效器件圖案和第二外框，其中，第 二外框包括第二上外框、第二下外框、第二左外框和第二右外框，其特徵在於，該方法還包 括A、在產生接觸孔CT層的圖案時，表面旋塗光阻膠，並進行曝光，CT層表面的光刻圖案 包括有效器件圖案和第三內框，其中，第三內框包括第三上內框、第三下內框、第三左內框 和第三右內框，第三內框圖案中心點為第三中心點；B、量測第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離，若二者的 距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案 位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並轉回執行步驟A ；否則，執行步驟C ；C、量測第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離，若二者的 距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案 位置偏移量，去除CT層表面的光阻膠，並轉回執行步驟A ；否則，進行顯影。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，步驟B中所述調整CT層相對AA層在Y方 向的光刻圖案位置偏移量的方法包括若第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與 第一下外框的距離這兩者的差值大於預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向Y 方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向Y方向的負方向移動；若第三 中心點與第一下外框的距離、第三中心點與第一上外框的距離這兩者的差值大於預先設定 的套刻精度，則CT層的光罩相對AA層向Y方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT 層的光罩向Y方向的正方向移動。
3.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，步驟C中所述調整CT層相對PL層在X方 向的光刻圖案位置偏移量的方法包括若第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與 第二右外框的距離這兩者的差值大於預先設定的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向X 方向的負方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT層的光罩向X方向的正方向移動；若第三 中心點與第二右外框的距離、第三中心點與第二左外框的距離這兩者的差值大於預先設定 的套刻精度，則CT層的光罩相對PL層向X方向的正方向移動，或承載晶圓的承片臺相對CT 層的光罩向X方向的負方向移動。
全文摘要
本發明公開了一種接觸孔的光刻方法，該方法包括量測第三中心點與第一上外框的距離、第三中心點與第一下外框的距離，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對AA層在Y方向的光刻圖案位置偏移量；量測第三中心點與第二左外框的距離、第三中心點與第二右外框的距離，若二者的距離差值的絕對值大於預先設定的套刻精度，則調整CT層相對PL層在X方向的光刻圖案位置偏移量。採用該方法能夠降低光刻工藝的複雜性。
文檔編號H01L21/768GK102034736SQ20091019654
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月27日 優先權日2009年9月27日
發明者劉思南, 林益世 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司