半導體結構、扇出型封裝結構及其製備方法與流程

2024-03-28 23:25:05

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種半導體結構、扇出型封裝結構及其製備方法。

背景技術：

更低成本、更可靠、更快及更高密度的電路是集成電路封裝追求的目標。在未來，集成電路封裝將通過不斷減小最小特徵尺寸來提高各種電子元器件的集成密度。目前，先進的封裝方法包括：晶圓片級晶片規模封裝(waferlevelchipscalepackaging，wlcsp)，扇出型晶圓級封裝(fan-outwaferlevelpackage，fowlp)，倒裝晶片(flipchip)，疊層封裝(packageonpackage，pop)等等。

扇出型晶圓級封裝是一種晶圓級加工的嵌入式晶片封裝方法，是目前一種輸入/輸出埠(i/o)較多、集成靈活性較好的先進封裝方法之一。扇出型晶圓級封裝相較於常規的晶圓級封裝具有其獨特的優點：①i/o間距靈活，不依賴於晶片尺寸；②只使用有效裸片(die)，產品良率提高；③具有靈活的3d封裝路徑，即可以在頂部形成任意陣列的圖形；④具有較好的電性能及熱性能；⑤高頻應用；⑥容易在重新布線層(rdl)中實現高密度布線。目前，扇出型晶圓級封裝方法一般為：提供襯底，在襯底表面形成剝離膠層；採用晶片鍵合工藝將半導體晶片正面朝下倒裝鍵合到所述剝離膠層上；採用注塑工藝將半導體晶片塑封於塑封材料層中；去除襯底和剝離膠層；在塑封材料層上光刻、電鍍出重新布線層(redistributionlayers，rdl)；在重新布線層上光刻、電鍍形成凸塊下金屬層(ubm)；在ubm上進行植球回流，形成焊料凸塊。然而，上述封裝結構的製備工藝中使用的剝離膠層一般為感壓膠帶或感壓膠塗層，在去除襯底和剝離膠層之後，在半導體晶片的正面會殘留有感壓膠，感壓膠的殘留會影響重新布線層與半導體晶片的電連接，從而影響封裝結構的性能。

技術實現要素：

鑑於以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在於提供一種半導體結構、扇出型封裝結構及其製備方法，用於解決現有技術中的扇出型晶圓級封裝結構在去除襯底和剝離膠層之後在半導體晶片的正面會有感壓膠殘留，進而影響封裝結構的性能的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種半導體結構，所述半導體結構包括：

襯底；

剝離膠層，位於所述襯底的上表面；

塑封材料層，位於所述剝離膠層的上表面；所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層的第一表面與所述剝離膠層的上表面相接觸；

半導體晶片，塑封於所述塑封材料層內，且正面朝向倒裝鍵合於所述剝離膠層的上表面；

環氧樹脂層，塑封於所述塑封材料層內，且位於所述半導體晶片與所述剝離膠層之間，以使得所述半導體晶片的正面相較於所述塑封材料層的第一表面內凹預設深度。

優選地，所述剝離膠層包括感壓膠帶或感壓膠塗層。

本發明還提供一種扇出型封裝結構，所述扇出型封裝結構包括：

塑封材料層，所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面；

半導體晶片，塑封於所述塑封材料層內，且所述半導體晶片的正面相較於所述塑封材料層的第一表面內凹預設深度；

重新布線層，位於所述塑封材料層的第一表面，且與所述半導體晶片電連接；

焊料凸塊，位於所述重新布線層遠離所述半導體晶片的表面，且與所述重新布線層電連接。

優選地，所述重新布線層包括：

電介質層；

金屬線層，位於所述電介質層內。

優選地，所述重新布線層包括：

電介質層；

金屬疊層結構，位於所述電介質層內；所述金屬疊層結構包括多層間隔排布的金屬線層及金屬插塞，所述金屬插塞位於相鄰所述金屬線層之間，以將相鄰的所述金屬線層電連接。

優選地，所述塑封材料層包括聚醯亞胺層、矽膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層。

優選地，所述焊球凸塊包括：

金屬柱，位於所述重新布線層的第二表面，且與所述重新布線層電連接；

焊球，位於所述金屬柱的遠離所述半導體晶片的表面。

優選地，所述焊料凸塊為焊球。

本發明還提供一種扇出型封裝結構的製備方法，所述扇出型封裝結構的製備方法包括如下步驟：

1)提供襯底；

2)於所述襯底的上表面形成剝離膠層；

3)提供半導體晶片，並將所述半導體晶片通過環氧樹脂層倒裝鍵合於所述剝離膠層的上表面；

4)於所述剝離膠層的上表面形成塑封材料層，所述塑封材料層填滿所述半導體晶片之間及所述環氧樹脂層之間的間隙，並將所述半導體晶片及所述環氧樹脂層封裹塑封；所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層的第一表面與所述剝離膠層的上表面相接觸；

5)去除所述襯底、所述剝離膠層及所述環氧樹脂層；

6)於所述塑封材料層的第一表面形成重新布線層，所述重新布線層與所述半導體晶片電連接；

7)於所述重新布線層遠離所述半導體晶片的表面形成焊料凸塊。

優選地，步驟2)中，於所述襯底的上表面形成的剝離膠層包括感壓膠帶或感壓膠塗層。

優選地，步驟4)中，採用採用壓縮成型工藝、傳遞模塑成型工藝、液封成型工藝、真空層壓工藝或旋塗工藝於所述剝離膠層的上表面形成所述塑封材料層。

優選地，步驟6)包括如下步驟：

6-1)於所述塑封材料層的第一表面形成金屬線層；

6-2)於所述塑封材料層的第一表面形成電介質層，所述電介質層將所述金屬線層包裹。

優選地，步驟6)包括如下步驟：

6-1)於所述塑封材料層的第一表面形成第一層金屬線層；

6-2)於所述塑封材料層的第一表面形成電介質層，所述電介質層將第一層所述金屬線層封裹，且所述電介質層的上表面高於所述金屬線層的上表面；

6-3)於所述電介質層內形成若干層與第一層所述金屬線層電連接的間隔堆疊排布的其他金屬線層，相鄰所述金屬線層之間經由金屬插塞電連接。

優選地，步驟7)中，於所述重新布線層的表面形成焊料凸塊包括如下步驟：

7-1)於所述重新布線層的表面形成金屬柱；

7-2)於所述金屬柱的表面形成焊球。

如上所述，本發明的半導體結構、扇出型封裝結構及其製備方法，具有以下有益效果：本發明的半導體結構在剝離膠層與半導體晶片之間設置環氧樹脂層，在將改半導體結構用於封裝結構時，去除襯底和剝離膠層之後，再將環氧樹脂層剝離，可以使得半導體晶片的正面無任何膠殘留，便於半導體結構與重新布線層的電連接，可以確保形成的封裝結構的性能；本發明的扇出型封裝結構中的半導體結構的正面無任何膠殘留，半導體結構與重新布線層實現較好電連接，從而確保該扇出型封裝結構的性能。

附圖說明

圖1顯示為本發明實施例一中提供的扇出型封裝結構的製備方法的流程圖。

圖2～圖9顯示為本發明實施例一中提供的扇出型封裝結構的製備方法各步驟所呈現的結構示意圖，其中，圖5顯示為本發明的半導體結構的結構示意圖，圖9顯示為本發明的扇出型封裝結構的結構示意圖。

元件標號說明

11襯底

12剝離膠層

13半導體晶片

131接觸焊盤

14環氧樹脂層

15塑封材料層

16重新布線層

161電介質層

162金屬線層

17焊料凸塊

171金屬柱

172焊球

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。

請參閱圖1～圖9。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，雖圖示中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪製，其實際實施時各組件的形態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局形態也可能更為複雜。

實施例一

請參閱圖1，本實施例提供一種扇出型封裝結構的製備方法，所述扇出型封裝結構的製備方法包括如下步驟：

1)提供襯底；

2)於所述襯底的上表面形成剝離膠層；

3)提供半導體晶片，並將所述半導體晶片通過環氧樹脂層倒裝鍵合於所述剝離膠層的上表面；

4)於所述剝離膠層的上表面形成塑封材料層，所述塑封材料層填滿所述半導體晶片之間及所述環氧樹脂層之間的間隙，並將所述半導體晶片及所述環氧樹脂層封裹塑封；所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層的第一表面與所述剝離膠層的上表面相接觸；

5)去除所述襯底、所述剝離膠層及所述環氧樹脂層；

6)於所述塑封材料層的第一表面形成重新布線層，所述重新布線層與所述半導體晶片電連接；

7)於所述重新布線層遠離所述半導體晶片的表面形成焊料凸塊。

在步驟1)中，請參閱圖1中的s1步驟及圖2，提供襯底11。

作為示例，所述襯底11的材料可以包括矽、玻璃、氧化矽、陶瓷、聚合物以及金屬中的一種或兩種以上的複合材料，其形狀可以為晶圓形、方形或其它任意所需形狀；本實施例通過所述襯底11來防止後續製備過程中半導體晶片發生破裂、翹曲、斷裂等問題。

在步驟2)中，請參閱圖1中的s2步驟及圖3，於所述襯底11的上表面形成剝離膠層12。

作為示例，所述剝離膠層12在後續工藝中作為後續形成的半導體晶片13所述襯底11之間的分離層，其最好選用具有光潔表面的粘合材料製成，其必須與所述半導體晶片13具有一定的結合力，以保證所述半導體晶片13在後續工藝中不會產生移動等情況，另外，其與所述襯底11亦具有較強的結合力，一般來說，其與所述襯底11的結合力需要大於與所述半導體晶片13的結合力。作為示例，所述剝離膠層12可以為但不僅限於感壓膠帶或感壓膠塗層。在後續分離所述襯底11時，可採用溼法腐蝕、化學機械研磨、撕除等方法去除所述剝離膠層12。

在步驟3)中，請參閱圖1中的s3步驟及圖4，提供半導體晶片13，並將所述半導體晶片13通過環氧樹脂層14倒裝鍵合於所述剝離膠層12的上表面。

在一示例中，可以先在所述剝離膠層12後續要鍵合半導體晶片13的位置設置所述環氧樹脂層14，然後再將所述半導體晶片13鍵合於所述環氧樹脂層14的上表面。

在另一示例中，可以先在所述半導體晶片13的正面形成所述環氧樹脂層14，然後再將所述半導體晶片13鍵合於所述剝離膠層12的上表面，所述環氧樹脂層14與所述剝離膠層12相接觸。

作為示例，所述半導體晶片13的正面形成有將其內部功能器件電引出的接觸焊墊131，所述半導體晶片13倒裝鍵合於所述環氧樹脂層14的上表面，且所述半導體晶片13的接觸焊墊131與所述環氧樹脂層14的上表面相接觸。

在所述半導體晶片13的正面與所述剝離膠層12之間設置所述環氧樹脂層14，所述半導體晶片13的正面不與所述剝離膠層12直接接觸，在後續去除所述襯底11、所述剝離膠層12及所述環氧樹脂層14之後，所述環氧樹脂層14可以被全部去除，所述半導體晶片13的正面不會有任何膠殘留。

在步驟4)中，請參閱圖1中的s4步驟及圖5，於所述剝離膠層12的上表面形成塑封材料層15，所述塑封材料層15填滿所述半導體晶片13之間及所述環氧樹脂層14之間的間隙，並將所述半導體晶片13及所述環氧樹脂層14封裹塑封；所述塑封材料層15包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層15的第一表面與所述剝離膠層12的上表面相接觸。

作為示例，可以採用壓縮成型工藝、轉移成型工藝、液體密封成型工藝、模塑底部填充工藝、毛細底部填充工藝、真空層壓工藝或旋塗工藝於所述剝離膠層12的上表面形成所述塑封材料層15。優選地，本實施例中，採用模塑底部填充工藝於所述剝離膠層12的上表面形成所述塑封材料層15，這樣塑封材料可以順暢而迅速地填充於所述半導體晶片13之間的間隙及所述環氧樹脂層14之間的間隙，可以有效地避免出現界面分層，且模塑底部填充不會像現有技術中的毛細底部填充工藝那樣受到限制，大大降低了工藝難度，可以用於更小的連接間隙，更適用於堆疊結構。

作為示例，所述塑封材料層15的材料可以為但不僅限於聚醯亞胺層、矽膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層。

在步驟5)中，請參閱圖1中的s5步驟及圖6至圖7，去除所述襯底11、所述剝離膠層12及所述環氧樹脂層14。

作為示例，可以採用研磨工藝、減薄工藝等進行去除所述襯底11及所述剝離膠層12，如圖6所示。優選地，本實施例中，可以採用撕掉所述剝離膠層12的方式以去除所述襯底11。可以使用環氧樹脂去除溶劑去除所述環氧樹脂層14，譬如，可以使用酒精等有機溶劑去除所述環氧樹脂層14，也可以去除現有的任意一種環氧樹脂稀釋劑去除所述環氧樹脂層14，如圖7所示。去除所述環氧樹脂層14之後，所述半導體晶片13的正面低於所述塑封材料層15的第一表面，即所述半導體晶片13的正面相較於所述塑封材料層15的正面內凹預設深度。

在步驟6)中，請參閱圖1中的s6步驟及圖8，於所述塑封材料層15的第一表面形成重新布線層16，所述重新布線層16與所述半導體晶片13電連接。

在一示例中，所述重新布線層16包括一層電介質層161及一層金屬線層162，於所述塑封材料層15的表面形成重新布線層16包括如下步驟：

6-1)於所述塑封材料層15的第一表面形成金屬線層162；

6-2)於所述塑封材料層15的第一表面形成電介質層161，所述電介質層161將所述金屬線層162包裹。

在另一示例中，所述重新布線層16包括一層電介質層161及一層金屬線層162，於所述塑封材料層15的表面形成重新布線層16包括如下步驟：

6-1)於所述塑封材料層15的第一表面形成電介質層161，通過光刻刻蝕工藝於所述電介質層161內形成溝槽，所述溝槽定義出所述金屬線層162的形狀；

6-2)於所述溝槽內形成所述金屬線層162。

在又一示例中，如圖8所示，所述重新布線層16包括至少兩層所述金屬線層162及至少一層所述電介質層161，於所述塑封材料層15的表面形成重新布線層16包括如下步驟：

6-1)於所述塑封材料層15的第一表面形成第一層金屬線層162；

6-2)於所述塑封材料層15的第一表面形成電介質層161，所述電介質層161將第一層所述金屬線層162封裹，且所述電介質層161的上表面高於所述金屬線層162的上表面；

6-3)於所述電介質層161內形成若干層與第一層所述金屬線層162電連接的間隔堆疊排布的其他金屬線層162，相鄰所述金屬線層162之間經由金屬插塞(未示出)電連接。

作為示例，上述示例中，所述金屬線層162的材料可以為但不僅限於銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種及兩種以上的組合材料，並可採用pvd、cvd、濺射、電鍍或化學鍍等工藝形成所述金屬線層162。所述電介質層161的材料可以為低k介電材料；具體的，所述電介質層161可以採用環氧樹脂、矽膠、pi、pbo、bcb、氧化矽、磷矽玻璃及含氟玻璃中的一種材料，並可以採用諸如旋塗、cvd、等離子體增強cvd等工藝形成所述電介質層161。

作為示例，上述示例中，位於頂層的所述金屬線層162的上表面可以暴露於所述電介質層161的上表面之外，即位於頂層的所述金屬線層162的上表面可以與所述電介質層161的上表面相平齊，也可以突出於所述電介質層161的上表面的上方。當然，在其他示例中，位於頂層的所述金屬線層162的上表面也可以低於所述電介質層161的上表面，即位於頂層的所述金屬線層162位於所述電介質層161的內部。

作為示例，上述示例中，位於底層的所述金屬線層162的下表面可以暴露於所述電介質層161的下表面之外，即位於底層的所述金屬線層162的下表面可以與所述電介質層161的下表面相平齊，也可以突出於所述電介質層161的下表面的下方。當然，在其他示例中，位於底層的所述金屬線層162的下表面也可以高於所述電介質層161的下表面，即位於底層的所述金屬線層162位於所述電介質層161的內部。

需要說明的是，所述重新布線層16中的所述金屬線層162與所述半導體晶片13中的所述接觸焊墊131電連接。

在步驟7)中，請參閱圖1中的s7步驟及圖9，於所述重新布線層16遠離所述半導體晶片13的表面形成焊料凸塊17。

在一示例中，於所述重新布線層16的遠離所述半導體晶片13的表面形成焊料凸塊17包括如下步驟：

7-1)於所述重新布線層16的遠離所述半導體晶片13的表面形成金屬柱171；

7-2)於所述金屬柱171的遠離所述半導體晶片13的表面形成焊球172。

作為示例，所述金屬柱171的材料可以為銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種及兩種以上的組合材料，可以通過物理氣相沉積工藝(pvd)、化學氣相沉積工藝(cvd)、濺射、電鍍或化學鍍中的任一種工藝形成所述金屬柱171。所述焊球172的材料可以為銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種及兩種以上的組合材料，可以通過植球回流工藝形成所述焊球172。

在另一示例中，所述焊料凸塊17即為一焊球，可以通過植球回流工藝直接形成焊球作為所述焊料凸塊17。

實施例二

請繼續參閱圖5，本實施例還提供一種半導體結構，所述半導體結構包括：襯底11；剝離膠層12，所述剝離層12位於所述襯底11的上表面；塑封材料層15，所述塑封材料層15位於所述剝離膠層12的上表面；所述塑封材料層15包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層15的第一表面與所述剝離膠層12的上表面相接觸；半導體晶片13，所述半導體晶片13塑封於所述塑封材料層15內，且正面朝向倒裝鍵合於所述剝離膠層12的上表面；環氧樹脂層14，所述環氧樹脂層14塑封於所述塑封材料層1513內，且位於所述半導體晶片與所述剝離膠層12之間，以使得所述半導體晶片13的正面相較於所述塑封材料層15的第一表面內凹預設深度。

作為示例，所述襯底11的材料可以包括矽、玻璃、氧化矽、陶瓷、聚合物以及金屬中的一種或兩種以上的複合材料，其形狀可以為晶圓形、方形或其它任意所需形狀；本實施例通過所述襯底11來防止後續製備過程中半導體晶片發生破裂、翹曲、斷裂等問題。

作為示例，所述剝離膠層12可以包括但不僅限於感壓膠帶或感壓膠塗層。

作為示例，可以採用壓縮成型工藝、轉移成型工藝、液體密封成型工藝、模塑底部填充工藝、毛細底部填充工藝、真空層壓工藝或旋塗工藝於所述剝離膠層12的上表面形成所述塑封材料層15。優選地，本實施例中，採用模塑底部填充工藝於所述剝離膠層12的上表面形成所述塑封材料層15，這樣塑封材料可以順暢而迅速地填充於所述半導體晶片13之間的間隙及所述環氧樹脂層14之間的間隙，可以有效地避免出現界面分層，且模塑底部填充不會像現有技術中的毛細底部填充工藝那樣受到限制，大大降低了工藝難度，可以用於更小的連接間隙，更適用於堆疊結構。

作為示例，所述塑封材料層15的材料可以為但不僅限於聚醯亞胺層、矽膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層。

作為示例，所述半導體晶片13的正面形成有將其內部功能器件電引出的接觸焊墊131，所述半導體晶片13倒裝鍵合於所述環氧樹脂層14的上表面，且所述半導體晶片13的接觸焊墊131與所述環氧樹脂層14的上表面相接觸。

在所述半導體晶片13的正面與所述剝離膠層12之間設置所述環氧樹脂層14，所述半導體晶片13的正面不與所述剝離膠層12直接接觸，在後續去除所述襯底11、所述剝離膠層12及所述環氧樹脂層14之後，所述環氧樹脂層14可以被全部去除，所述半導體晶片13的正面不會有任何膠殘留。

實施例三

請繼續參閱圖9，本實施例還提供一種扇出型封裝結構，所述扇出型封裝結構包括：塑封材料層15，所述塑封材料層15包括相對的第一表面及第二表面；半導體晶片13，所述半導體晶片13塑封於所述塑封材料層15內，且所述半導體晶片13的正面相較於所述塑封材料層15的第一表面內凹預設深度，即所述半導體晶片13的正面低於所述塑封材料層15的第一表面；重新布線層16，所述重新布線層16位於所述塑封材料層15的第一表面，且與所述半導體晶片13電連接；焊料凸塊17，所述焊料凸塊17位於所述重新布線層16遠離所述半導體晶片13的表面，且與所述重新布線層16電連接。

在一示例中，所述重新布線層16包括：電介質層161；金屬線層162，所述金屬線層162位於所述電介質層161內。

在另一示例中，所述重新布線層16包括：電介質層161；金屬疊層結構，所述金屬疊層結構位於所述電介質層161內；所述金屬疊層結構包括多層間隔排布的金屬線層162及金屬插塞，所述金屬插塞位於相鄰所述金屬線層162之間，以將相鄰的所述金屬線層161電連接。

需要說明的是，上述及後續所述的「與所述重新布線層16電連接」均指與所述重新布線層16內的金屬線層162電連接。

作為示例，所述半導體晶片13的正面形成有將其內部功能器件電引出的接觸焊墊131，所述半導體晶片13倒裝鍵合於所述襯底11的上表面，且所述半導體晶片13的接觸焊墊131與所述襯底11的上表面相接觸。

作為示例，所述塑封材料層15的材料可以為但不僅限於聚醯亞胺層、矽膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層。

在一示例中，所述焊料凸塊17包括：金屬柱171，所述金屬柱171位於所述重新布線層16遠離所述半導體晶片13的表面，且與所述重新布線層16電連接；焊球172，所述焊球172位於所述金屬柱171的遠離所述半導體晶片13的表面。所述金屬柱171的材料可以為銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種及兩種以上的組合材料，可以通過物理氣相沉積工藝(pvd)、化學氣相沉積工藝(cvd)、濺射、電鍍或化學鍍中的任一種工藝形成所述金屬柱171。所述焊球172的材料可以為銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種及兩種以上的組合材料，可以通過植球回流工藝形成所述焊球172。

在另一示例中，所述焊料凸塊17為焊球。

綜上所述，本發明的半導體結構、扇出型封裝結構及其製備方法，所述半導體結構包括：襯底；剝離膠層，位於所述襯底的上表面；塑封材料層，位於所述剝離膠層的上表面；所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層的第一表面與所述剝離膠層的上表面相接觸；半導體晶片，塑封於所述塑封材料層內，且正面朝向倒裝鍵合於所述剝離膠層的上表面；環氧樹脂層，塑封於所述塑封材料層內，且位於所述半導體晶片與所述剝離膠層之間，以使得所述半導體晶片的正面相較於所述塑封材料層的第一表面內凹預設深度。本發明的半導體結構在剝離膠層與半導體晶片之間設置環氧樹脂層，在將改半導體結構用於封裝結構時，去除襯底和剝離膠層之後，再將環氧樹脂層剝離，可以使得半導體晶片的正面無任何膠殘留，便於半導體結構與重新布線層的電連接，可以確保形成的封裝結構的性能；本發明的扇出型封裝結構中的半導體結構的正面無任何膠殘留，半導體結構與重新布線層實現較好電連接，從而確保該扇出型封裝結構的性能。

上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。