一種建蘭試管開花的培養方法與流程
2024-03-27 19:09:05 1
本發明涉及植物培養
技術領域：
，具體涉及一種建蘭試管開花的培養方法。
背景技術：
：建蘭是地生植物，生於疏林下、灌叢中、山谷旁或草叢中，海拔600-1800米。產中國安徽、浙江、江西、福建、臺灣、湖南、廣東、海南、廣西、四川西南部、貴州和雲南。廣泛分布於東南亞和南亞各國，北至日本。蘭花在自然條件下繁殖率極低且開花較困難，因此試管開花也越來越多地運用到蘭花培養中去，所述試管開花即離體開花，是利用組培的手段，使植物能夠在離體培養過程中實現開花這一生理狀態。蘭科植物的試管開花研究，不僅對蘭花的開花過程、開花機制的研究有重要意義，也對蘭花的育種工作，提前了解所育新品種的性狀以及對蘭花生產的商業價值提供有益的技術支持。但是在建蘭試管開花方面還未見報導和運用。技術實現要素：本發明的目的在於提供一種開花誘導率高、長勢良好的建蘭試管開花的培養方法。為了達到上述目的，本發明採用的技術方案為：一種建蘭試管開花的培養方法，包括以下步驟：(1)材料初選：選取無病蟲害長勢良好的建蘭試管苗，試管苗高為3～6cm，根3～6條，葉2～3片；(2)預培養：將選取後的建蘭試管苗放置在初代培養基中進行培養，培養時間為50～60d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，每10天更換一次初代培養基，所述初代培養基為：MS+1～3mg/L6-BA+0.1～0.2mg/LNAA+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭；(3)花芽誘導預處理：選取預培養後生長一致、長勢健康、無蟲害汙染的建蘭苗株放置在預培養基中進行預培養，培養時間為22～27d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，所述預培養基為：MS+2～4mg/LPP333+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭；(4)誘導開花：對花芽誘導預處理後的苗株根部進行修剪，然後放置在誘導開花培養基中進行培養，培養時間為100～120d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，每30天更換一次誘導開花培養基，所述誘導開花培養基為：MS+0.3～0.5mg/LTDZ+0.1～0.2mg/L2,4-D+0.8～1.2mg/LZT+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭。如上所述的一種建蘭試管開花的培養方法，進一步說明為，所述初代培養基為：MS+1.5mg/L6-BA+0.15mg/LNAA+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭。如上所述的一種建蘭試管開花的培養方法，進一步說明為，所述預培養基為：MS+3mg/LPP333+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭。如上所述的一種建蘭試管開花的培養方法，進一步說明為，所述誘導開花培養基為：MS+0.4mg/LTDZ+0.1mg/L2,4-D+1.0mg/LZT+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭。本發明的有益效果是：本方法能夠大大提高建蘭的開花誘導率，其中通過加入PP333能增加苗株的花芽誘導率，從而使花朵的數量明顯增多，通過TDZ、2,4-D和ZT之間的組合，能夠促進花芽的形成，花芽形成較快且花芽開放正常、花期長，長勢良好。同時通過生物技術手段，滿足了商業化生產的需求，為企業規模化、產業化培養開花建蘭提供了技術支持，同時滿足了開花建蘭市場的需要。具體實施方式下面對本發明具體實施方式做進一步的闡述。本發明提供了一種建蘭試管開花的培養方法，適用於建蘭使用。該方法具體包括以下步驟：(1)材料初選：選取無病蟲害長勢良好的建蘭試管苗，試管苗高為3～6cm，根3～6條，葉2～3片；試管苗不做限定，可以為組織培養而來，也可以為分株培養而來；選取無病蟲害長勢良好的建蘭，主要是為了提高建蘭的開花誘導率，從而減少成本，提高效率。(2)預培養：將選取後的建蘭試管苗放置在初代培養基中進行培養，培養時間為50～60d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，每10天更換一次初代培養基，所述初代培養基為：MS+1～3mg/L6-BA+0.1～0.2mg/LNAA+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭；通過預培養使為了再次篩選出不合格的建蘭苗株，從而提高本方法的效率和成功率，同時通過一段時間的預培養，能夠使苗株更加健壯，提高苗株的成活率；表1為初代培養基的多種實施例表1中給出了6種不同初代培養基的實施例，在本初代培養基的用量範圍內，還可以有其他實施例，這裡不一一進行闡述；作為優選，所述初代培養基為：MS+1.5mg/L6-BA+0.15mg/LNAA+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭，即為表1中初代培養基1的成分及用量。(3)花芽誘導預處理：選取預培養後生長一致、長勢健康、無蟲害汙染的建蘭苗株放置在預培養基中進行預培養，培養時間為22～27d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，所述預培養基為：MS+2～4mg/LPP333+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭；通過PP333能阻止苗株頂端生長優勢，促進側芽滋生，延緩植物生長，抑制莖杆伸長，促進花芽分化，從而增加花芽的分化數量，使建蘭的試管開花率顯著提高。表2為預培養基的多種實施例表2中給出了6種不同預培養基的實施例，在本預培養基的用量範圍內，還可以有其他實施例，這裡不一一進行闡述；作為優選，所述預培養基為：MS+3mg/LPP333+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭，即為表2中預培養基1的成分及用量。表3為不同濃度的PP333預處理對試管苗花芽誘導的影響處理編號PP333(mg/L)結果11單花芽，花芽小22有一部分雙花芽，花芽較大33雙花芽佔多數，花芽較大44有一部分雙花芽，花芽較大55植株矮化，花芽畸形表3中採用同樣的預培養基進行培養，只是PP333濃度不同，從而確保對照試驗的準確性。從表3中可以看出，PP333濃度過小對花芽的誘導無明顯作用，PP333濃度過大，大多試管苗出現矮化現象，抑制了苗株的生長，所述PP333優選為2～4mg/L；(4)誘導開花：對花芽誘導預處理後的苗株根部進行修剪，主要是修剪苗株根部的爛根和多餘的側根，然後放置在誘導開花培養基中進行培養，培養時間為100～120d，培養溫度為22～25℃，光照時間為14h/d，光照強度為1600～2000lx，每30天更換一次誘導開花培養基，所述誘導開花培養基為：MS+0.3～0.5mg/LTDZ+0.1～0.2mg/L2,4-D+0.8～1.2mg/LZT+28～32g/L蔗糖+5～9g/L瓊脂+0.1～0.2g/L活性炭；通過添加TDZ，能夠提高花芽誘導率，同時使建蘭長勢良好、葉片濃綠、氣生根較少，除此之外，TDZ能使苗株基部不斷分化生成類原球莖，繼續培養可生出密集的分化小植株，增大了建蘭的擴繁係數；2,4-D和ZT能使花芽形成較快，且花芽開放較正常、花期長，更利於建蘭的試管花誘導；表4為誘導開花培養基的多種實施例表4中給出了6種不同誘導開花培養基的實施例，在本預培養基的用量範圍內，還可以有其他實施例，這裡不一一進行闡述；作為優選，所述誘導開花培養基為：MS+0.4mg/LTDZ+0.1mg/L2,4-D+1.0mg/LZT+30g/L蔗糖+6g/L瓊脂+0.15g/L活性炭，即為表4中誘導開花培養基1的成分及用量。通過本建蘭試管開花的生物技術手段，滿足了商業化生產的需求，為企業規模化、產業化培養開花建蘭提供了技術支持，同時滿足了開花建蘭市場的需要。本發明並不限於上述實例，在本發明的權利要求書所限定的範圍內，本領域技術人員不經創造性勞動即可做出的各種變形或修改均受本專利的保護。當前第1頁1 2 3