諸如氣體放電燈的放電管的燈管的內塗層的製作方法

2024-03-04 08:27:15 2

專利名稱：：諸如氣體放電燈的放電管的燈管的內塗層的製作方法
技術領域：
：本發明涉及燈管，尤其涉及用於放電燈的具有擴散阻擋內層的石英玻璃放電管，並且還涉及產生擴散阻擋內層的方法以及這種燈管的應用，例如按此方式生產的放電管。
背景技術：
：已知石英玻璃或者氧化鋁可以作為高壓放電燈的燈頭的管材料。在此情況下，首先必須考慮放電管材料對恆定氣體放電過程的保護作用，以及因此要考慮燈的長期穩定性。帶有封閉放電空間的放電管、電極以及填充物還稱為"燈頭"。限制這種燈頭的壽命的主要過程是填充成分從放電空間擴充到管壁中或者甚至穿過管壁。填充物的組成確定發光效率和放電的顏色軌跡兩者，填充物組成由於各成分的擴散而發生變化時顏色軌跡相應地偏移。由於若干原因這些色移是有害的，例如，機動車領域中的燈必須滿足整個壽命中對顏色軌跡法律要求。從而，即使最小的色移，對於的燈的長壽命也是非常重要的。此外，當改變各個頭燈燈泡時，右頭燈和左頭燈之前不能因為燃燒時間不同而出現可覺察的顏色不同。這種情況的一個例子是，作為填充成分的鈉在放電管的壽命期間擴散到該放電管的石英玻璃中。就鈉離子的遷移率而言，石英玻璃(即玻璃質非晶體二氧化矽(Si02))對於鈉是相對多孔的。這種擴散過程的強度尤其強烈地取決於鈉在放電管玻璃中的溶性和活動性。鈉離子穿過玻璃質二氧化矽的擴散率遵循溫度的指數函數。燈頭空間中鈉的損失降低鈉在整個輻射中的相對輻射分量。由於鈉主要在黃色區中發射，燈的色溫向更高的色溫(向藍色)偏移。在把鈧用作為填充成分的情況下，燈壽命期間中的另一個過程是形成矽酸鈧。迄今對這些反應的速率和程度知之甚少。但是，可以很好地對其作出定性檢測，並且其導致可用於放電的鈧的損失，因而導致類似的色移。美國專利申請No.2003/0189408Al給出對應的放電燈的一個例子。除了氙(Xe)之外還提到把鈉(Na)、鈧(Sc)和鋅(Zn)作為無水銀HID燈的氣體填充成分，它們分別按碘化鈉、碘化鈧和碘化鋅添加到氙氣填充物中。此外，還應提到石英玻璃放電管的反玻璃化也是一種壽命限制因素。在此情況下由於它含有Na、Sc並且在無水銀燈的情況下還含有Zn，燈的填充物具有反玻璃化促進作用。從而為了延遲反玻璃化過程，針對填充物的影響鈍化石英表面是適當的。鈍化還用來穩定高壓燈的周期過程，因為等離子體和壁的交互作用可以導致不希望地對和從放電容積釋放或者吸收氫和氧。和石英玻璃相比，選擇多晶半透明氧化鋁(A1203)作為燈頭材料成本是很高的，由於材料性質不同其要求對燈頭的幾何形狀的附加的設計修改，並且由於透明性不足其導致亮度的損失。為了能夠利用石英玻璃作為放電管的基底材料的各種優點，已經進行了各種各樣的嘗試以便按照各種現有要求提高帶有石英玻璃的放電管的壽命。例如，DE4208376尤其建議提供石英玻璃上的SiC)2或A1203保護層以對抗電子和離子的恆定轟擊所造成的腐蝕和侵蝕，這些電子和離子是由放電空間中的微放電造成的並且它們撞擊放電管壁。此情況下施加的保護層用於防止玻璃中由於電子轟擊造成的結合斷裂(侵蝕)。DE4115437公開了一種陰極射線管玻璃上的SiOz或入1203保護層，其用來防止由於電子轟擊而發生的玻璃的褐著色(browncoloration),這是玻璃表面和施加的多層幹擾濾光片之間的直接化學反應造成的。在這二種情況下，儘管這種保護層不是氣體填充成分擴散出放電空間的解決辦法，但是它充當對抗粒子轟擊的緩衝層。為此，建議A1203、石英玻璃或A1203的阻擋塗層作為放電管的基底材料。例如，DE10216092說明了一種石英玻璃做成的放電管的面對著放電空間的表面上的氧化鋁阻擋塗層。該阻擋層用於形成對抗Na擴散到石英玻璃中的阻擋層，並用於使石英玻璃免受離素攻擊。對於藉助等離子體輔助CVD方法(最好是PICVD方法)的塗覆，建議把02氣氛下的氯化鋁(A1C13)作為前體氣體(CVD-化學汽相澱積，PICVD-等離子體脈衝化學汽相澱積)。其缺點首先是改造PICVD塗覆設備的費用和成本非常高，因為PICVD塗覆設備的基本功能是和含矽和鈦的前體氣體例如六甲基氧二矽烷和氯化鈦一起操作的。DE2023772還說明了一種作為放電管的基底材料的、在其內側塗覆著氧化鋁保護層的石英玻璃，以作為多晶氧化鋁的替代物。DE2524410公開了一種由玻璃質二氧化矽做成的放電管，其在背對放電空間的外側上包含一個向其中擴散了氧化鋁的區。該區充當Na擴散阻擋層。
發明內容本發明的一個目的是對燈管，例如包含Al203的石英玻璃放電管，確定一種擴散阻擋塗層的經濟替代，以及提供一種燈管，例如石英玻璃放電管，這種燈管由於至少延遲放電填充氣體的氣體成分的擴散而延長它的壽命。依據本發明通過權利要求l中規定的特徵達到該目的。在各條相關權利要求中可以找到本發明的優選實施例和細化。相應地，本發明提供一種生產透明材料燈管，最好是用於放電燈的具有擴散阻擋內層的石英玻璃放電管的方法，在該燈管中作為單層施加擴散阻擋內層，該內層包括氧化矽並且是通過CVD方法施加到燈管的內壁上的。由此本發明建議在具有放電空間的燈管的界面上，尤其在放電管的石英玻璃基底上，形成Si02擴散阻擋層。除了塗覆氣體放電燈的氣體放電管(最好由石英玻璃製成)之外，本發明還可以普遍地應用到透明材料燈管。從而，諸如根據本發明提出的擴散阻擋塗層還可以尤其應用於白熾燈的燈管。尤其還對於卣素燈，擴散阻擋層證明有利於提高這種燈的壽命。例如，還可以設想它會明顯提高機動車領域中的卣素燈，諸如H1、H4或H7燈的壽命。除石英玻璃管或含石英玻璃的管之外，還可以塗覆含有硬玻璃，尤其是鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃的燈管或者由這樣的玻璃構成的燈管。此外，還可以設想由陶瓷材料做成的或含有陶瓷材料的燈管的有益塗層。已經發現微晶體或亞微晶體SK)2對於燈頭或白熾燈的填充物成分具有抑制擴散的作用。在此情況下，微晶體SK)2和亞微晶體Si02的混合物以及例如窄微晶尺寸分布狀態兩者都在本發明的範圍之內。本發明的典型配置是小於50nm的微晶尺寸。優選的微晶尺寸分布狀態位於小於10nm的範圍之內。微晶尺寸甚至還可以具有小於2nm的尺寸。在此情況下，微晶體的尺寸量級僅為幾個晶胞。於是填充成分在擴散阻擋層中的活動性按照各個Si02分子的量級程度減小。該情況下的微晶體結構以及微晶體Si02的相當薄的層同時確保保持管基底，例如放電管基底的透明性。一種特別經濟的施加這種微晶體和/或亞微晶體Si02擴散阻擋層的方法是CVD方法。其中優選反應性塗覆方法，例如PICVD(等離子體脈沖化學汽相澱積)，PECVD(等離子體增強化學汽相澱積)，PACVD(等離子體輔助化學汽相澱積)和TCVD(熱化學汽相澱積)。PICVD方法尤其適宜用來產生依據本發明的塗層。這裡，可以通過塗覆參數方便地控制SK)2層的生長和晶化。影響生長層的形態的塗覆參數尤其是反應空間中和塗層表面的溫度，微波功率密度和前體的分壓(氣體容積中的前體組分)，以及反應空間中Si的濃度。該情況下的一個基本要素是開始塗覆過程之前基底的溫度。開始塗覆之前，基底必須足夠熱從而生長層能牢固地和基底結合。如果不是這種情況，則到達的Si成分僅僅牢固地生長在另一個Si成分上而不是足夠牢固地和基底結合，從而僅在基底上得到粉塵狀塗層。如果一開始起基底溫度太高，則儘管到達的Si成本足夠牢固地生長在基底上，但是這不必然意味著所產生的結構肯定是光學上透明的。相反，試驗已經表明，為此對基底要求某個最低溫度，該溫度進而取決於基底的類型和幾何形狀。在特定的溫度範圍之外，這些層以光學透明玻璃的方式生長，但在較低的初始溫度下它們顯現乳狀混濁。低塗覆溫度下乳狀外觀的原因是，層生長是以明顯的柱狀生長為形式的。在此情況下優先按柱狀方式生長的微晶之間的邊界是光學活性的，並且造成所通過的光的強散射，這導致乳狀混濁外觀。在高基底溫度下，這種柱狀生長至少不那麼明顯或者甚至被完全抑制，從而高溫下這些散射中心不再存在，並且因此可以抑制混濁外觀。和開始塗覆過程時基底溫度足夠高同樣重要的是，在塗覆過程期間保持該溫度。特別地，必須通過適當選擇過程參數來確保還能在長期塗覆過程期間維持初始達到的基底溫度，從而在塗覆過程期間各層的生長條件不會改變。PICVD方法中調整溫度的最基本影響量是反應空間裡的微波功率密度。它轉而基本上取決於反應空間的尺寸和形狀以及耦合微波功率的類型。可以通過適當選擇脈衝振幅以及脈寬對脈衝間隙的比率來調整所需的微波功率。通過對應選定的微波參數，可以因此在塗覆期間實現反射器上的光學透明玻璃式塗層。此外重要的是和微波功率密度成比例地調整氣流，從而引入的前體氣體完全反應，不然的話也可能產生乳狀混濁。為了實現該層例如對鈉離子的高的擴散阻擋效果，必須在特別高的溫度下施加該塗層，因為層生長時的溫度越高則層會相應地越密，並且從而對擴散鈉離子的可滲透性相應地越小。在此，抑制會在較低溫度下出現的柱狀結構也是重要的，因為除了作為會導致乳狀混濁外觀的光學上不希望的散射中心之外，這種形態對於鈉離子的擴散也是非常不利的。晶格中的離子擴散通常優先沿著晶體的邊緣發生(所謂的"晶界擴散")，在其優先方向準確地對著穿過該層的方向生長柱的情況下，這特別不利於預期的擴散阻擋效果作用。從而依據本發明的阻擋層的目的是一種對抗離子擴散的有效擴散阻擋層，其中微晶是微晶體和/或亞微晶體。依據本發明的用微晶體和/或亞微晶體Si02做成的石英玻璃上的擴散阻擋層的另一個優點是所施加的離子對基底材料的非常高的親合力，從而即使在非常高的溫度下該層牢固地粘附在該基底上。此情況下一個特別的優點是用實際上和基底相同的材料做成該擴散阻擋層。由於如此二種材料的熱膨脹係數相同，所以預期高溫下不會產生裂紋或者只會產生非常小的裂紋。微晶體和/或亞^:晶體Si02塗層的典型層厚為10nm到1000nm，最好為50nm到500nm。可以通過選取的層厚影響最大微晶尺寸。在本發明的一種改進中，不是通過對石英玻璃基底內表面的塗覆施加微晶體和/或亞微晶體Si02擴散阻擋層，而是在燈管(例如具有管內部即具有氣體放電燈的放電空間的放電管)的石英玻璃基底的界面區上形成該擴散阻擋層。這是在一個表面(例如氣體放電燈的放電管內表面)上通過對管熱處理達到的。在該方法的一優選實施例中，該熱處理是通過等離子體放電引入熱的。用於此的優選方法是CVD方法，i者如PICVD(等離子體脈沖化學汽相澱積)PECVD(等離子體增強化學汽相澱積)PACVD(等離子體輔助化學汽相澱積)TCVD(熱化學汽相澱積)當採用PICVD方法時，可以方便地控制輸入到石英玻璃基底的內表面區上的熱。這裡同樣在內表面區的Si02裡生成微晶體和/或亞微晶體結構。在此情況下同樣觀察到對燈頭填充成分的擴散抑制作用。PICVD方法中，尤其建議利用活性氣體，最好是諸如氧氣和/或六氟化硫的活性蝕刻氣體，通過等離子體處理實現表面的熱處理，在此情況下可以通過選擇微波處理參數方便地調整等離子體的激勵以及蝕刻氣體的效率。在此微波功率密度也是關鍵參數，其可以通過脈衝振幅以及脈寬對脈衝間歇的比率來調整。通過非常具有活性的氣體在高溫下的蝕刻過程，可以至少部分地在一個薄的區中使石英玻璃層晶化，這產生對抗氣體原子擴散出氣體容積具有增強的阻擋作用的薄樹:晶體和/或亞微晶體層。本發明的另一優選實施例是組合上面說明的二個不同產生的擴散阻擋層。首先，最好利用等離子放電輸入的熱(例如在蝕刻氣體的輔助下)在石英玻璃基底的內表面區的Si02中產生微晶體和/或亞微晶體結構。然後利用CVD方法在該層上施加另一個微晶體和/或亞^:晶體Si02層。這種二個不同產生的擴散阻擋層的組合的優點在於，首先產生的微晶體或亞微晶體結構構成通過CVD過程施加的第二擴散阻擋層的底塗層。特別地，除了化學成分上可能不同之外，這二個以不同方式產生的微晶體或亞微晶體層尤其會在平均微晶尺寸、微晶尺寸分布以微晶擇優取向上(形態上)是不同的。(化學成分上的可能不同和施加在石英玻璃基底上的擴散阻擋內層中的Si02塗層的前體氣體的殘餘物有關。這種殘餘物可能會增強依據本發明的內塗層的擴散抑制作用。有機矽化合物，最好是六甲基氧二矽烷，充當前體氣體)。例如，可以使等離子體放電(例如在蝕刻氣體的幫助下)輸入的熱在非常薄的區中引起〈i0nm的非常細粒的微晶尺寸分布，同時使利用CVD過程，例如PICVD過程的塗層生長期間的平均微晶尺寸分布要大得多，例如10-500nm(因為產生的微晶尺寸通常為所施加的層厚的大小的量級)。另外還觀察到，當藉助於CVD方法，尤其PICVD方法，把Si02層施加到玻璃或石英玻璃上時，所產生的微晶優先按柱狀方式形成。如果塗覆過程期間表面處於非常高的溫度和/或如果事先適當處理該表面，則可以減小這種優先生長的表現。這種適當處理例如可以是石英玻璃的表面晶化，從而利用CVD塗覆過程的生長期間不再存在非晶石英玻璃和SK)2生長層之間的自由界面。由於微晶表面和來自CVD過程的冷凝氣體之間的相互作用，各成分不再按其它情況下優先的柱狀結構生長。其原因可能是在此情況下生長的微晶被迫使沿著已經存在的微晶的取向定向，從而它們不再採納其它情況下優先的柱狀方式的層結構的生長形式。從而先通過適當的熱處理，例如藉助於蝕刻氣體，在石英玻璃燈泡上產生亞微晶體層，並且在此之後才通過CVD塗覆過程施加孩吏晶體塗層是有好處的。在同一設備中實現這種組合方法會是特別經濟的，為此利用PICVD方法進行塗覆的設備是特別適用的。對於尤其被配置成利用含矽的前體氣體例如六甲基氧二矽烷塗覆基底的PICVD塗覆設備，能方便地在不進行大改裝的情況下引入用於蝕刻處理的另一種氣體物質，例如氧或六氟化硫，正如例如為了依據本發明產生擴散阻擋層，利用活性蝕刻氣體通過等離子體處理對石英玻璃表面進行熱處理所需要的那樣。依據本發明的方法可以避免昂貴和費事地改裝設備。六甲基氧二矽烷非常好地適於充當用於塗覆依據本發明的具有擴散阻擋層的燈頭內表面的前體氣體。可以把按照本發明生產的這种放電管用作為金屬卣素燈。在此情形下，尤其要提到以下幾點—用於機動車頭燈的具有和不具有水銀的高壓金屬滷素燈，即所謂的帶有典型的5-15巴氙冷填充壓力(coldfillpressure)的"氙燈"。一用於通常照明的高壓金屬滷素燈。一用於投影任務的高壓金屬滷素燈。—用於投影應用的利用滷素循環(halogencycle)過程的超高壓水銀燈。現在在附圖的輔助下通過例子更詳細地解釋本發明，附圖中圖1示出例如供機動車使用的金屬滷素燈(D燈)。圖2示出作為放電管的石英燈泡基底的內表面上的塗層的擴散阻擋層。圖3示出作為放電管的石英燈泡基底的內表面的一個區的擴散阻擋層。圖4示出和作為石英燈泡基底的內表面的一個區的擴散阻擋層相組合的、作為放電管的石英燈泡基底的內表面上的塗層的擴散阻擋層。具體實施方式圖1示出短弧氣燈1的細節。放電空間3填充著作為放電氣體的氣，並且任選地具有其它氣體成分例如碘化鈉、碘化鈧和碘化鋅。為了操作放電，在石英玻璃放電管2中通過密封箔以氣密方式引入鴒電極4。具有電連接部分的基座5和具有電饋點的杆6形成電源的組成部分。下面的表給出這種分別具有含水銀和不含水銀的氣體填充物的並且具有石英玻璃放電管2的新穎內塗層的D燈的示範實施例。tableseeoriginaldocumentpage14圖2到4分別示出放電管，例如石英玻璃放電管2的放大細節。在此情況下，擴散層22和24分別面對著放電空間的方向。圖2示出作為放電管的石英玻璃基底21的內表面上的塗層的擴散阻擋層22。該塗層是利用PICVD方法作為微晶體和/或亞微晶體Si02層施加在石英玻璃基底21的玻璃質Si0223上的。圖3示出作為該放電管的石英燈泡基底21的內表面的一個區的擴散阻擋層24。利用等離子體放電輸入的熱，通過晶體化該放電管的石英玻璃基底21的內表面區來產生該同樣的微晶體和/或亞微晶體Si02層。該石英玻璃基底的後玻璃質區23和擴散阻擋層24相鄰並且咬合。圖4示出和圖2以及圖3對應的二個擴散阻擋層的組合。首先，利用等離子體放電輸入的熱，通過晶體化該放電管的石英玻璃基底21的內表面區產生作為石英燈泡基底21的內表面的一個區的擴散阻擋層24。在此之後，通過PICVD方法在該石英燈泡基底21的作為擴散阻擋層24配置的內表面上施加作為塗層的另一個擴散阻擋層22。由於原子的相互作用，這二個微晶體和/或亞微晶體Si02層彼此呈現良好的粘附。上面說明的各示範實施例還可以相應地用於其它燈類型和其它基底材料。在此還尤其設想囟素燈管，這種燈管除了石英玻璃之外還可以替代地或者補充地用諸如硬玻璃或陶瓷等其它材料做成。本領域技術人員清楚，本發明不受上面說明的各示範實施例的限制，而是可以以各種各樣的方式加以修改。特別地，這些示範實施例還可以彼此組合。權利要求1.一種生產透明材料燈管，最好是具有擴散阻擋內層的放電燈的石英玻璃放電管的方法，其中作為單層施加擴散阻擋內層(22)，該擴散阻擋內層由二氧化矽組成，並且通過CVD方法施加在燈管的內壁上，該燈管最好是放電燈的放電管。2.—種生產透明材料燈管，最好是具有擴散阻擋內層的放電燈的石英玻璃放電管的方法，其中通過對放電管內表面的熱處理生成擴散阻擋內層(24)，並且接著通過CVD方法在燈管的內壁上施加另一擴散阻擋內層(22)，該燈管最好是放電燈的放電管。3.權利要求1或2所述的生產燈管，尤其是放電管的方法，其中擴散阻擋內層(22)是通過最好從下面的組中選擇的反應塗覆方法施加的等離子脈衝化學汽相澱積PICVD;等離子增強化學汽相澱積PECVD;等離子輔助化學汽相澱積PACVD;熱化學汽相澱積TCVD。4.一種生產燈管，尤其是具有擴散阻擋內層的放電燈的石英玻璃放電管的方法，其中通過對管的內表面，尤其是放電管的內表面的熱處理來生成擴散阻擋內層(24)。5.—種生產燈管，尤其是權利要求2或4所述的放電管的方法，其中通過等離子體放電在管的內表面上，尤其是放電管的內表面上，輸入的熱來生成擴散阻擋內層(24)。6.—種生產燈管，尤其是權利要求5所述的放電管的方法，其中藉助於通過在管內表面上，尤其是放電管內表面上，活性氣體的等離子體處理對該表面的熱處理來生成擴散阻擋內層(24)。7.—種生產燈管，尤其是權利要求6所述的放電管的方法，其中藉助於通過在放電管內表面上的活性蝕刻氣體的等離子體處理來生成對該表面的熱處理，並且其中活性蝕刻氣體是氧或六氟化硫。8.—種生產燈管，尤其是權利要求2至7中至少一個所述的放電管的方法，其中在同一設備上的相繼工序步驟中生成兩個擴散阻擋內層(22)和(24)。9.權利要求1至8中任一權利要求所述的方法，其中氣體放電燈的放電管具有擴散阻擋層。10.權利要求1至8中任一權利要求所述的方法，其中白熾燈，尤其是卣素燈，的燈管具有擴散阻擋層。11.權利要求1至10中任一權利要求所述的方法，其中石英玻璃燈管具有擴散阻擋層。12.權利要求1至10中任一權利要求所述的方法，其中硬玻璃燈管，尤其是鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃燈管，具有擴散阻擋層。13.權利要求1至10中任一權利要求所述的方法，其中陶瓷燈管具有擴散阻擋層。14.一種可通過權利要求1至13中任一權利要求所述的方法生產的燈管，尤其是用於放電燈的放電管，其最好由具有擴散阻擋內層的石英玻璃做成，其中生成擴散阻擋內層(24)和/或施加擴散阻擋內層(22)，該擴散阻擋內層是單層的並且由二氧化矽組成，或者擴散阻擋內層(25)是這二者的組合。15.—種燈管，尤其是用於放電燈的、最好是通過權利要求l至13中任一權利要求所述的方法生產的具有擴散阻擋內層的石英玻璃放電管，其中生成擴散阻擋內層(24)和/或施加擴散阻擋內層(22),該擴散阻擋內層是單層的並且由二氧化矽組成，或者擴散阻擋內層(25)是這二者的組合。16.—種燈管，尤其是用於放電燈的、最好是具有擴散阻擋內層的石英玻璃放電管，該擴散阻擋內層尤其是通過權利要求1至13中任一權利要求所述的方法生產的，其中生成擴散阻擋內層(24)和/或施加擴散阻擋內層(22)，該擴散阻擋內層是單層的並且由二氧化矽組成，或者擴散阻擋內層(25)是這二者的組合。17.—種燈管，尤其如權利要求16所述的放電管，其中擴散阻擋內層的二氧化矽為微晶體。18.—種燈管，尤其如權利要求16和17所述的放電管，其中擴散阻擋內層的二氧化矽的微晶尺寸小於50nm，並且最好小於10nm。19.一種燈管，尤其如權利要求16至18中任一權利要求所述的放電管，其中擴散阻擋內層的層厚為從10nm到2000nm,並且最好從50謂到500nm。20.—種燈管，尤其如上述任一權利要求所述的放電管，其中擴散阻擋內層(22)是按管內部，尤其是放電管的內表面上的塗層施加的。21.—種燈管，尤其如上述任一權利要求所述的放電管，其中擴散阻擋內層(24)是和管內部，尤其是放電管的放電空間，鄰接的管內部的石英玻璃基底的區。22.—種燈管，尤其如上述任一權利要求所述的放電管，其中擴散阻擋內層(25)是作為擴散阻擋層(24)的、與放電空間鄰接的放電管的石英玻璃基底的區與作為另一個擴散阻擋層(22)的、該放電管內表面上的二氧化矽塗層的組合。23.—種燈管，尤其如上述權利要求中任一權利要求所述的放電管，其中該擴散阻擋內層形成對抗鈉和/或鈧和/或鋅的擴散屏障。24.—種如上述權利要求中任一權利要求所述的用於白熾燈，尤其用於離素燈的燈管。25.上述權利要求中任一權利要求所述的燈管，其中該燈管包括硬玻璃，尤其包括鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃。26.如上述權利要求中任一權利要求所述的燈管，其中該燈管包括陶瓷材料。27.—種燈管，尤其如上述權利要求中任一權利要求所述的放電管，其中該燈管，尤其是放電管，含有鈉。28.—種燈管，尤其如上述權利要求中任一權利要求所述的放電管，其中該燈管，尤其是放電管，含有碘或溴。29.—種包括燈管，尤其包括上述權利要求中任一權利要求所述的放電管的金屬卣素燈。30.—種包括如上述權利要求中任一權利要求所述的放電管的高壓燈或超高壓燈。31.—種機動車領域中的照明設備，其包括燈管，尤其包括上述權利要求中任一權利要求所述的放電管。全文摘要本發明涉及一種用於放電燈的、具有二氧化矽制擴散阻擋內層的石英玻璃放電管，該阻擋層是作為單層在內表面上施加的和/或是在內表面上生成的，並且還涉及一種生產和/或施加這種擴散阻擋內層的方法以及這种放電管的應用。文檔編號C03C17/34GK101124654SQ200580043220公開日2008年2月13日申請日期2005年12月19日優先權日2004年12月17日發明者克勞斯·岡瑟,克裡斯託夫·默勒,託馬斯·庫伯爾,瑪格蕾塔·哈梅爾,迪特瑪·埃利希曼,雷納·克朗夫斯申請人:肖特股份公司