20nm工藝成熟 三星新內存顆粒將量產

2024-10-05 11:57:10

    泡泡網內存頻道3月12日 三星電子今天宣布，已經開始批量生產全世界非常先進的DDR3內存顆粒，採用了新的20nm工藝。

    在內存、快閃記憶體工藝上，半導體廠商一般都不公布非常確切的數字，往往只說20nm級別之類的，並以2x、2y、2z等不同標識代表先進等級。三星這次明確地描述為「20 nanometer process technology」，也就是真正的20nm。

    三星表示，DRAM內存顆粒的每個單元都包含一個電容、一個電晶體，用於連接其他單元，不像NAND快閃記憶體單元那樣只需一個電晶體，所以工藝進步更加困難。為此，三星重新調整了設計和製造技術，用上了改進的雙重曝光、原子層沉積(ALD)，同時結合了已有的沉浸式ArF光刻等先進技術。

    三星稱，這一突破為今後向1xnm邁進奠定了堅實的基礎，或許也可以用來更好地製造DDR4。

    三星20nm DDR3內存顆粒的容量為4Gb(512MB)，生產效率比25nm DDR3高出超過30％，更是3xnm DDR3的兩倍多，同時同等容量的功耗也要比25nm DDR3節省最多25％。Gartner的調研數據顯示，2013年全球DRAM內存市場總價值約356億美元，2014年將增至379億美元。■