電容變化檢測電路的製作方法

2024-02-11 13:35:15

專利名稱：電容變化檢測電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及對靜電電容的變化進行檢測的電容變化檢測電路。本發明的電容變化檢測電路，例如形成在圖像顯示裝置的顯示面板上，利用於對顯示畫面內的觸摸位置進行檢測的用途等。
背景技術：
近年來，通過以手指和筆等觸摸畫面能夠進行操作的電子裝置正在普及。另外，檢測顯示畫面內的觸摸位置的方法已知有，在顯示面板設置多個電容變化檢測電路，對以手指和筆等按壓顯示面板的表面時的靜電電容的變化進行檢測的方法。
在專利文獻1中記載有具有圖9所示的電容變化檢測電路的液晶顯示裝置。在圖 9所示電路中，按壓液晶面板的表面時，可變電容91的電容值產生變化，與此同時TFT (Thin Film Transistor 薄膜電晶體)92的柵極電壓產生變化。因此，在向TFT93的柵極電極施加高電平的選擇電壓Vsel時，從TFT93的源極電極輸出的讀取電流按照可變電容91的電容值進行變化。因此，通過將從TFT93的源極電極輸出的輸出電壓Vout與閥值進行比較， 能夠對在可變電容91的附近液晶面板是否被按壓進行判定。在專利文獻1中還記載有圖 10所示的電容變化檢測電路。在圖10所示電路中，為了向TFT92的柵極電極施加控制電壓 Vctrl，追加有連接到TFT92的柵極電極的控制配線。
這些以外的與本申請發明相關的技術記載在專利文獻2、3中。在專利文獻2中記載有在顯示面板的相對電極上設置導電性的突起，對相對基板被筆按壓時流過電晶體的洩漏電流的增加進行檢測的方法。在專利文獻3中記載有通過由插入基板上的一對電極和電極之間的電介質構成可變電容，以物理的或電子的力使可變電容的電子電容發生變化，檢測外部輸入的方法。
現有技術文獻 專利文獻1 日本特開2006-40289號公報 專利文獻2 日本特開1997-80467號公報 專利文獻3 日本特開2004-295881號公報

發明內容
發明想要解決的問題 在按壓顯示面板的表面時，例如具有用手指按壓的情況和用筆按壓的情況。在這兩種情況下，施加在顯示面板上的壓力不同。另外，施加在顯示面板上的壓力，由於用途和人等也不同。因此，對顯示畫面內的觸摸位置進行檢測的圖像顯示裝置，優選在使用時能夠調整靈敏度。另外，在電容變化檢測電路的TFT中存在著特性偏差，由此，檢測靈敏度變得不同。從這一點出發也需要進行靈敏度調整。
然而，在圖9所示的電路中沒有控制TFT92的柵極電壓的單元，TFT92的柵極電壓在設計時由可變電容91和TFT92的柵極電容已經決定。因此，在圖9所示電路中，在使用時不能調整靈敏度。
在圖10所示電路中，通過使控制電壓Vctrl發生變化，在使用時能夠調整靈敏度。 可是，在該電路中，控制配線連接到液晶顯示面板內的一行的電容變化檢測電路。由於一根控制配線連接有多個柵極電極，所以控制配線的負載容量變大。因此，即使可變電容91的電容值發生變化，TFT92的柵極電壓稍微發生變化。其結果，在圖10所示電路中，檢測電容變化變得困難，靈敏度降低。
因此，本發明目的在於提供以高靈敏度檢測電容變化，在使用時能夠調整靈敏度的電容變化檢測電路。
本發明的第一實施方式是一種對靜電電容的變化進行檢測的電容檢測電路，其特徵在於，包括 一個電極連接到電壓供給線的可變電容； 柵極電極連接到所述可變電容的另一個電極，輸出與所述可變電容的電容值相應的電信號的檢測用電晶體；和 一個電極連接到所述檢測用電晶體的柵極電極，另一個電極連接到控制電壓線的電容元件。
本發明的第二實施方式，其特徵在於在本發明的第一實施方式中，在所述可變電容的電極的至少一個設置有絕緣膜。
本發明的第三實施方式，其特徵在於在本發明的第二實施方式中，通過所述絕緣膜，所述可變電容的電極之間的最小距離被控制在0. 05 μ m以上0. 2 μ m以下。
本發明的第四實施方式，其特徵在於在本發明的第一實施方式中，還具備設置在通過所述檢測用電晶體的電流的路徑上，對是否輸出所述電信號進行切換的輸出控制用開關元件。
本發明的第五實施方式，是一種可檢測顯示畫面內的觸摸位置的圖像顯示裝置， 其特徵在於，包括 含有多個像素電路和一個以上的電容變化檢測電路的顯示面板和所述顯示面板的控制電路，其中， 所述電容變化檢測電路，包括 一個電極連接到電壓供給線的可變電容； 柵極電極連接到所述可變電容的另一個電極，輸出與所述可變電容的電容值相應的電信號的檢測用電晶體；和 一個電極連接到所述檢測用電晶體的柵極電極，另一個電極連接到控制電壓線的電容元件。
發明效果 採用本發明的第一實施方式，通過使施加在控制電壓線的電壓發生變化，能夠適當地控制檢測用電晶體的柵極電壓，調整電容變化檢測電路的靈敏度。另外，由於控制電壓線通過電容元件連接到檢測用電晶體的柵極電極，控制電壓線的負載容量變小。由此，可變電容的容量值變化時，檢測用電晶體的柵極電壓變大。因此，能夠以高靈敏度檢測電容變化。
採用本發明的第二實施方式，通過在可變電容的電極的至少一個設置絕緣膜，能夠防止可變電容的電極相互接觸、在檢測用電晶體的柵極電極蓄積有電荷時發生的誤動作。
採用本發明的第三實施方式，通過在可變電容的電極的至少一個設置規定厚度的絕緣膜，能夠將可變電容的電極之間的最小距離限制在能夠以高靈敏度檢測電容變化且在使用時能夠調整靈敏度的範圍內。
採用本發明的第四實施方式，通過在流過檢測用電晶體的電流的路徑上設置輸出控制用的開關元件，能夠對是否從容量變化檢測電路輸出電信號進行切換。由此，即使在檢測用的電晶體不能完全變成斷開狀態時，也能夠使電容變化檢測電路不輸出不需要的電信號。
採用本發明的第五實施方式，使用以高靈敏度檢測電容變化、且在使用時能夠調整靈敏度的電容變化檢測電路，能夠構成以高靈敏度檢測顯示畫面內的觸摸位置、且在使用時調整觸摸靈敏度的圖像顯示裝置。


圖1是表示含有本發明的第一實施方式涉及的電容變化檢測電路的液晶顯示裝置的方框圖。
圖2是本發明的第一實施方式涉及的電容變化檢測電路的電路圖。
圖3表示圖2所示電容變化檢測電路的一部分的截面圖。
圖4是表示圖2所示電容變化檢測電路的特性圖。
圖5是表示圖2所示電容變化檢測電路的特性圖。
圖6是表示含有本發明的第二實施方式涉及的電容變化檢測電路的液晶顯示裝置的方框圖。
圖7是本發明的第二實施方式涉及的電容變化檢測電路的電路圖。
圖8是本發明的第二實施方式的變形例涉及的電容變化檢測電路的電路圖。
圖9是現有的電容變化檢測電路的電路圖。
圖10是現有的電容變化檢測電路的電路圖。
符號說明 1、8:液晶面板 2顯示控制電路 3:掃描信號線驅動電路 4 數據信號線驅動電路 5、9:傳感器控制電路 6 傳感器輸出處理電路 7:傳感器輸出選擇電路 10、15、16 電容變化檢測電路 11 可變電容 12、14:TFT 13:控制用電容 20:像素電路 30相對基板 31、41 玻璃基板 32突起物 33相對電極 34絕緣膜 40= TFT側基板 42可變電容電極 43柵極電極
具體實施例方式(第一實施方式) 圖1是表示含有本發明的第一實施方式涉及的電容變化檢測電路的液晶顯示裝置的方框圖。圖1所示液晶顯示裝置具有液晶面板1、顯示控制電路2、掃描信號線驅動電路3、數據信號線驅動電路4、傳感器控制電路5和傳感器輸出處理電路6。本實施方式涉及的電容變化檢測電路10與像素電路20 —起形成在液晶面板1上，對在液晶面板1的表面被按壓時的靜電電容的變化進行檢測。
液晶面板1具有在兩枚玻璃基板之間夾有液晶物質的結構。在液晶面板1設置有相互平行的多根掃描信號線Gi和與掃描信號線Gi正交的相互平行的多根數據信號線Sj。 在掃描信號線Gi和數據信號線Sj的各個交點的附近設置有像素電路20。掃描信號線Gi 連接到配置在相同行的像素電路20，數據信號線Sj連接到配置在相同列的像素電路20。對應於各個像素電路20，設置有電容變化檢測電路10。在液晶面板1還設置有對電容變化檢測電路10的輸出進行選擇的傳感器輸出選擇電路7。
像素電路20含有TFT21、液晶電容22和輔助電容23。TFT21是N通道型MOS電晶體。TFT21的柵極電極連接到一根掃描信號線Gi，源極電極連接到一根數據信號線Sj，漏極電極連接到液晶電容22和輔助電容23的一個的電極。液晶電容22和輔助電容23的另一個的電極連接到施加有公用電壓Vcom的電壓供給線(未圖示)。
顯示控制電路2、掃描信號線驅動電路3、數據信號線驅動電路4和傳感器控制電路5是液晶面板1的控制電路。顯示控制電路2，對掃描信號線驅動電路3輸出控制信號 Cl，對數據信號線驅動電路4輸出控制信號C2和影像信號DT。另外，顯示控制電路2對傳感器控制電路5輸出控制信號C3，對液晶面板1供給控制電壓Vctrl。
掃描信號線驅動電路3按照控制信號Cl從多根掃描信號線Gi中選擇一根掃描信號線，向選擇出的掃描信號線施加導通(gate on)電壓(TFT變成導通狀態的電壓)。數據信號線驅動電路4按照控制信號C2，向數據信號線Sj施加與影像信號DT相應的電壓。由此，能夠選擇一行的像素電路20，對選擇出的像素電路寫入與影像信號DT對應應的電壓， 顯示所要求的圖像。
傳感器控制電路5按照控制信號C3控制傳感器輸出控制電路7。傳感器輸出控制電路7按照來自傳感器控制電路5的控制，從多個電容變化檢測電路10的輸出信號中選擇一個以上的信號，將選擇出的信號輸出到液晶面板1的外部。傳感器輸出控制電路6根據從液晶面板1輸出的信號，求出表示顯示畫面內的觸摸位置的位置數據DP。
圖2是電容變化檢測電路10的電路圖。如圖2所示，電容變化檢測電路10包括可變電容11、TFT12和控制用電容13。TFT12是N通道型MOS電晶體。可變電容11的一個的電極連接到施加有公共電壓Vcom的電壓供給線，另一個的電極連接到TFT12的柵極電極。在TFT12的漏極電極施加從液晶面板1的外部的供給的漏極電壓Vd，從源極電極輸出輸出電壓Vout。控制用電容13的一個的電極連接到TFT12的柵極電極，另一個的電極連接到施加有控制電壓Vctrl的控制電壓線。TFT12作為輸出與可變電容11的電容值對應的電信號的檢測用電晶體發揮作用。
圖3是表示電容變化檢測電路10的一部分的結構的截面圖。圖3記載有在玻璃基板31上形成有相對電極33的相對基板30和在玻璃基板41上形成有TFT12等的TFT側基板40。在相對基板30的一方的表面(與TFT側基板40相對的表面；在圖3中是下側的表面)設置有突起物32，通過在其上面成膜ITO andium Tin Oxide 氧化銦錫)形成有相對電極33。TFT側基板40的一方的表面(與相對基板30相對的表面；在圖3中是上側的表面)形成有各種電路，通過在其上面成膜ITO形成有像素電極和可變電容電極42。相對基板30和TFT側基板40相對地配置，在兩基板之間填充有液晶物質(未圖示)。由此，形成液晶電容22和可變電容11。可變電容電極42從像素電極中被分離出來。
在設置有突起物32的部分，與其他部分相比，相對電極33和可變電容電極42之間的距離變短。在該部分形成有可變電容11。形成在設置有突起物32的部分的相對電極 33是可變電容11的一個的電極(施加有公共電壓Vcom的電極)，形成在與設置有突起物 32的部分相對的部分的可變電容電極42是可變電容11的另一個的電極。
TFT側基板40的可變電容11的附近形成有具有柵極電極43、源極電極44和漏極電極45的TFT12。柵極電極43通過接觸件46電連接到可變電容11的另一個的電極。在相對電極33上施加有公共電壓Vcom。若以該狀態以手指和筆等按壓相對基板30的表面， 則相對基板30接近TFT側基板40，可變電容11的電極之間的距離(圖3所示距離d)變小。若電極之間的距離d發生變化，則可變電容11的電容值發生變化，由此TFT12的柵極電壓發生變化，輸出電壓Vout也發生變化。因此，通過將輸出電壓Vout與閥值進行比較， 能夠判斷在可變電容11的附近液晶面板1是否被按壓。
當相對基板30接近TFT側基板40時，若可變電容11的電極相互接觸，浮接狀態的柵極電極43蓄積電荷，電容變化檢測電路10發生誤動作。因此，為了防止可變電容11 的電極相互接觸，以覆蓋形成在設置有突起物32的部分的相對電極33的方式形成有絕緣膜34。或者，也可以以覆蓋形成在與設置有突起物32的部分相對的部分的可變電容電極 42的方式形成絕緣膜，也可以在相對電極33和可變電容電極42的雙方形成絕緣膜。另外， 若在相對電極33和像素電極形成一定程度以上(例如，數IOnm以上)的厚度的絕緣膜，液晶的取向性變差。因此，優選在顯示區域不形成絕緣膜，僅在設置有突起物32的部分形成絕緣膜。
圖4是電容變化檢測電路10的特性圖。圖4中記載有關於使公共電壓Vcom為直流5V、使TFT12的通道寬W發生了變化的情況下，可變電容11的電極之間的距離d和TFT12 的柵極電壓Vg的關係。如圖4所示，電極之間d越小柵極電壓Vg越高，當電極之間的距離 d為零時等同於公共電壓5V。另外，通道寬W越窄，柵極電壓Vg越高。
當柵極電壓Vg在閥值電壓以上時，N通道型的TFT12變成導通狀態。可是，由於在柵極電壓Vg接近閥值電壓時，流過TFT12的讀取電流較小，所以輸出電壓Vout的變化耗費時間。因此，設定與閥值電壓相比更高的邊界電壓Vb，若柵極電壓Vg在邊界電壓Vb以上， 即判斷具有電容變化(即，液晶面板1被按壓)。在此，使TFT12的閥值電壓為IV、邊界電壓為2.5V。圖4中記載有柵極電壓Vg在閥值電壓以下的範圍(TFT斷開區域)和柵極電壓 Vg在邊界電壓以上的範圍(檢測區域)。另外，2. 5V是邊界電壓Vb的一個例子，邊界電壓 Vb按照用途等任意被決定。
圖4中記載有在使TFT12的尺寸發生了變化的情況的電極之間的距離d和TFT12 的柵極電壓Vg的關係。在各個情況下，TFT12的通道寬W和通道長L為相同的長度。另外， 可變電容11的突起物32上的最突出的部分的電極的尺寸為4Χ4μπι。
如圖4所示，通道寬W為4 μ m時，若電極之間的距離d變為約0. 2 μ m以下，則判斷為具有電容變化。一方面，當通道寬W為20 μ m時，若電極之間的距離d變為約0. 05 μ m 以下，則判斷為具有電容變化。這樣，電容變化檢測電路10的靈敏度，按照TFT12的通道寬 W而變化。
然而，TFT12的通道寬W在設計電路時被決定、在使用電路時不能進行改變。因此， 改變通道寬W的方法中，不能在使用時調整電容變化檢測電路10的靈敏度。為了解決該問題，本實施方式涉及的電容變化檢測電路10被構成為，能夠通過控制用電容13向TFT12的柵極電極施加控制電壓Vctrl。採用這種電容變化檢測電路10，通過使控制電壓Vctrl發生變化，能夠通過由程序條件變動產生的TFT特性變動對靈敏度的偏差進行調整。另外，在使用時也能夠調整靈敏度。
圖5是關於使控制電壓Vctrl發生了變化的情況，表示與圖4相同的關係的圖。圖 5所示特性是關於以下所示電容變化檢測電路10求得結果。可變電容11和控制用電容13 的電極的尺寸是4 X 4 μ m。可變電容11的電極之間的距離d在0 μ m 0. 5 μ m之間變換。 液晶的電介質常數，在與液晶長軸平行的方向的分量ε (//)為4，在與液晶長軸垂直的方向的分量ε (丄)為7。TFT12的通道寬和通道長都為4 μ m。TFT12和控制用電容13的柵極絕緣膜的厚度是80nm。
如圖5所示，控制電壓Vctrl是+2V時，電極之間的距離d為約0. 13 μ m以下，則判斷為具有電容變化。在使控制電壓Vctrl變化為0V、-2V和-4V時，用於判斷具有電容變化的條件是電極之間的距離d變為約0. 08 μ m以下、約0. 05 μ m以下以及約0. 04 μ m以下。 通過這樣使控制電壓Vctrl發生變化，能夠適當地控制TFT12的柵極電壓、調整電容變化檢測電路10的靈敏度。
另外，由於施加有控制電壓Vctrl的控制電壓線通過控制用電容13連接到TFT12 的柵極電極，所以控制電壓線的負載容量與圖10所示的現有的電路相比較小。因此，在可變電容11的電容值變化時，TFT12的柵極電壓變大。因此，採用本實施方式涉及的電容變化檢測電路10，能夠以高靈敏度檢測液晶面板1的表面被按壓時的電容變化。
另外，如圖5所示，電極之間的距離d是0.05 μ m以下時，即便使控制電壓Vctrl 發生變化，但是TFT12的柵極電壓Vg幾乎不發生變化。因此，為了根據控制電壓Vctrl有效地調整靈敏度，優選使電極之間的距離d的最小值在0. 05 μ m以上。另外，在電極之間的距離d是0. 2 μ m以上時，即使電極之間的距離d發生變化，但是TFT12的柵極電壓Vg幾乎不發生變化。因此，為了經常以高靈敏度檢測電容變化，優選使電極之間的距離d的最小值在0. 2μπι以下。
為了將電極之間的距離d的最小值限制在0. 05 μ m以上0. 2 μ m以下，例如可以使形成相對電極33或可變電容電極42的絕緣膜的厚度是0. 05 μ m以上0. 2 μ m以下。在相對電極33或可變電容電極42的雙方形成絕緣膜的情況下，可以使兩枚絕緣膜的厚度的和是0. 05 μ m以上0. 2 μ m以下。通過在可變電容11的電極的至少一個設置具有規定厚度的絕緣膜，能夠將可變電容11的電極之間的距離限制在能夠以高靈敏度檢測電容變化且在使用時能夠調整靈敏度的範圍內。
如上所述，採用本實施方式涉及的電容變化檢測電路10，通過隔著控制用電容13 向TFT12的柵極電極施加控制電壓Vctrl，能夠以高靈敏度檢測電容變化、按照用途和人等在使用時調整靈敏度。另外，通過使用電容變化檢測電路10，能夠構成能夠以高靈敏度檢測顯示畫面內的觸摸位置、在使用時調整觸摸靈敏度的圖像顯示裝置。
(第二實施方式) 圖6是表示含有本發明的第二實施方式涉及的電容變化檢測電路的液晶顯示裝置的方框圖。圖6所示液晶顯示裝置是在第一實施方式涉及的液晶顯示裝置(圖1)中，將液晶面板1和傳感器控制電路5置換為液晶面板8和傳感器控制電路9的裝置。本實施方式涉及的電容變化檢測電路15與像素電路20 —起形成在液晶面板8上，對液晶面板8的表面被按壓時的靜電電容的變化進行檢測。另外，關於與本實施方式的構成要素中與第一實施方式相同的要素，附加相同的參照符號，省略說明。
在液晶面板8，與液晶面板1相同，設置有多根掃描信號線Gi、多根數據信號線Sj、 多個像素電路20、多個電容變化檢測電路15和傳感器輸出選擇電路7。除這些之外，在液晶顯示8中，與掃描信號線Gi平行地設置有與掃描信號線Gi相同數目的行選擇線Pi。行選擇線Pi連接到配置在同行的電容變化檢測電路15。
傳感器控制電路9與傳感器控制電路5同樣地按照控制信號C3控制傳感器輸出選擇電路7。在此之上，傳感器控制電路9按照控制信號C3從多根行選擇線Pi中選擇一根行選擇線，向選擇出的行選擇線施加導通電壓。由此，能夠選擇一行的電容變化檢測電路 15，從選擇出的電容變化檢測電路讀取輸出電壓Vout。
圖7是電容變化檢測電路15的電路圖。圖7所示電容變化檢測電路15是在第一實施方式涉及的電容變化檢測電路10 (圖2)中追加有TFT14的電路。TFT14是N通道型MOS電晶體。在電容變化檢測電路15中，TFT12的漏極電極連接到TFT14的源極電極。 TFT14的柵極電極連接到施加有行選擇電壓Vsel的行選擇線Pi，在漏極電極施加有從液晶面板8的外部供給的漏極電壓Vd。TFT14作為設置在流過TFT12的電流的路徑上、對是否輸出輸出電壓Vout進行切換的輸出控制用開關元件發揮功能。
TFT14通過傳感器控制電路9控制為導通狀態或斷開狀態。電容變化檢測電路15 在TFT14是導通狀態時輸出輸出電壓Vout，在TFT14是斷開狀態時不輸出輸出電壓Vout。 採用這種本實施方式涉及的電容變化檢測電路15，通過在流過TFT12的電流的路徑上設置 TFT14，能夠對是否輸出輸出電壓Vout進行切換。
例如，關於具有圖5所示特性的電容變化檢測電路，考慮使控制電壓Vctrl 在-4V +2V的範圍內變換的情況。這種情況下，若電極之間的距離d是0. 1 μ m以下，與控制電壓Vctrl無關，TFT12不是變成完全斷開的狀態。因此，在TFT12中漏電電流流動，電容變化檢測電路的消耗功率增大。採用本實施方式涉及的電容變化檢測電路15，即使在這種TFT12沒有變成完全斷開的狀態下，TFT12中沒有漏電電流流動，能夠不輸出不需要的輸出電壓Vout。
另外，在圖7所示電容變化檢測電路15中，雖然TFT14設置在TFT12的漏極電極一側，但是如圖8所示可以在TFT12的源極電極一側設置TFT14。在圖8所示電容變化檢測電路16中，在TFT12的漏電電極施加漏極電壓Vd，源極電極連接到TFT14的漏電電極。從 TFT14的源極電極輸出有輸出電壓Vout。該變形例涉及的電容變化檢測電路16與電容變化檢測電路15同樣地動作，起到同樣的效果。
另外，在以上的說明中，雖然在液晶面板中在每個像素電路中設置電容變化檢測電路，但是也可以以任意的方式在液晶面板設置任意個的電容變化檢測電路。例如，可以對應兩個以上的像素電路設置電容變化檢測電路，也可以不對應像素電路僅僅在液晶面板的一部分設置電容變化檢測電路。另外，只要能夠向電容變化檢測電路供給需要的電壓、能夠向液晶面板的外部輸出從電容變化檢測電路輸出的電信號，就可以在液晶面板以任意方式設置任意種類的配線。另外，公共電壓Vcom可以是直流電壓，也可以是交流電壓。
產業上的可利用性 本發明的電容變化檢測電路，由於具有以高靈敏度檢測電容檢測變化、在使用時能夠控制靈敏度的特徵，所以能夠利用在對在圖像顯示裝置的顯示畫面內的觸摸位置進行檢測的用途等、對電容變化進行檢測的各種用途。
權利要求
1.一種電容變化檢測電路，其為檢測靜電電容變化的電容變化檢測電路，其特徵在於， 包括一個電極連接到電壓供給線的可變電容；柵極電極連接到所述可變電容的另一個電極，輸出與所述可變電容的電容值相應的電信號的檢測用電晶體；和一個電極連接到所述檢測用電晶體的柵極電極，另一個電極連接到控制電壓線的電容元件。
2.如權利要求1所述的電容變化檢測電路，其特徵在於在所述可變電容的電極中的至少一個設置有絕緣膜。
3.如權利要求2所述的電容變化檢測電路，其特徵在於通過所述絕緣膜，所述可變電容的電極之間的最小距離被限制在0. 05 μ m以上0. 2 μ m 以下。
4.如權利要求1所述的電容變化檢測電路，其特徵在於還包括設置在通過所述檢測用電晶體的電流的路徑上，對是否輸出所述電信號進行切換的輸出控制用開關元件。
5.一種圖像顯示裝置，其為能夠檢測顯示畫面內的觸摸位置的圖像顯示裝置，其特徵在於，包括含括多個像素電路和一個以上的電容變化檢測電路的顯示面板；和所述顯示面板的控制電路，其中，所述電容變化檢測電路包括一個電極連接到電壓供給線的可變電容；柵極電極連接到所述可變電容的另一個電極，輸出與所述可變電容的電容值相應的電信號的檢測用電晶體；和一個電極連接到所述檢測用電晶體的柵極電極，另一個電極連接到控制電壓線的電容元件。
全文摘要
本發明公開了一種電容變化檢測電路。按壓液晶面板(1)的表面，可變電容(11)的電容值發生變化。可變電容(11)的一個電極連接到施加有公用電壓Vcom的電壓供給線，另一個電極連接到TFT(12)的柵極電極。TFT(12)輸出與可變電容(11)的電容值相應的電壓Vout。控制用電容(13)的一個電極連接到TFT(12)的柵極電極，另一個電極連接到施加有控制電壓Vctrl的控制電壓線。通過隔著控制用電容(13)向TFT(12)的柵極電極施加控制電壓Vctrl，能夠在降低控制電壓線的負載容量並以高靈敏度檢測電容變化的同時，根據用途和人等因素在使用時調整靈敏度。由此，提供一種能夠以高靈敏度檢測出電容變化，並能夠控制使用時靈敏度的電容變化檢測電路。
文檔編號G02F1/1368GK102187307SQ20098014146
公開日2011年9月14日 申請日期2009年6月2日 優先權日2008年11月14日
發明者北角英人, C·布朗 申請人:夏普株式會社